Контур ионной линии

Рис. 267. Контуры ионных линий, соответствующие различным значениям параметра Е1ц Т.

Применение лазеров на красителях позволило наблюдать резонансную флуоресценцию и по контуру излучаемой линии измерять ионную температуру. Опыты такого рода были проведены на плазме, содержащей примесь атомов бария, ионы которого имеют линии поглощения, лежащие в видимой области спектра [15.19]. [c.382]

График Др для молекулы Ь1Р, как это ни странно, в первом приближении похож на то, как будто он имеет принципиальное сходство с графиком Др для ковалентной молекулы N 2. В обоих случаях между ядрами существует область натекания плотности, между которой и ядрами (с обеих ее сторон) лежат две области оттока. Существенная разница состоит в том, что график связевого натекания в молекуле N2 имеет симметричный контур и этот центр контура с его максимальной плотностью совпадает с центром межъядерной линии в молекуле Ь]р вся область натекания сдвинута асимметрично в сторопу ядра атома фтора, подходя к нему вплотную. Вся форма контура межъядерного натекания в молекуле ЫР асимметрична в том смысле, что центр ее плотности сдвинут очень сильно в сторону ядра фтора. Диаграмма Др для ЫР с полной ясностью проявляет характеристики ионного соединения, а именно [c.258]

Величины напряжения пробоя Упр., емкости конденсатора 4, индуктивности катушки S, сопротивление реостата 7 и омическое сопротивление колебательного контура влияют на общую интенсивность спектра, а также на соотношение интенсивности различных его линий, в частности линий ионов и нейтральных атомов, так как в зависимости от этих величин изменяются условия возбуждения и количество материала, выбрасываемого факелами. [c.179]

На рис. 15,6 показаны контуры линии Нр, полученные из этого снимка. Видно, что вследствие сильного самопоглощения измерения концентрации ионов будут давать завышенные результаты. Поэтому в этом случае измерения концентрации следует проводить по крылу линии Нр, т. е. сравнивая крыло экспериментального контура линии с крылом теоретического контура [9, 19]. [c.211]

Допплеровское уширение. В подавляющем большинстве случаев ширины линий эмиссионных спектров во много раз превышают радиационные ширины, а контуры линий оказываются значительно более сложными, чем дисперсионные. Причиной этого дополнительного уширения являются допплер-эффект и взаимодействие излучающего атома с окружающими его частицами—другими атомами и молекулами, ионами и электронами. В этом параграфе будет рассмотрено допплеровское уширение, причем сначала мы предположим, что всеми другими причинами уширения, в том числе и радиационным затуханием, можно пренебречь. [c.455]

С помощью формул (38.45), (38.33), (38.38), (38.13) и таблицы 85 легко построить контур линии для любого водородоподобного иона. Сравнение формулы (38.45) с результатами численных расчетов по формулам (38.40), (38.41) показывает, что эта формула обеспечивает необходимую для большинства приложений точность. [c.518]

Совместное действие электронов и ионов. Зная распределение интенсивности в линии, обусловленное взаимодействием с электронами 4(со) и ионами / (со), нетрудно найти результирующий контур. Для этого надо образовать свертку из 4 и (см. (36.17)). [c.549]

Изучение характера изменения во времени может дать ценную информацию, касающуюся выбора аналитических пар линий для тех спектральных методов, которые основаны на использовании общего излучения за все время экспозиции. Для спектрографического анализа наиболее подходящими оказываются такие пары линий X я г, для которых наблюдается одинаковый характер изменения X и г во времени. Или, выражаясь точнее, для количественного анализа в большей степени подходит пара линий, для которой величина 1х/1г изменяется во времени меньше всего, т. е. отношение интенсивностей меньше зависит от изменений в условиях возбуждения (например, температуры плазмы, ионного и электронного давления и т. д.). С учетом небольшого изменения этого практического правила его придерживаются и в спектрометрическом анализе. В этом случае вместо максимума интенсивности измеряют суммарную интенсивность линий на некотором участке длин волн (разд. 6.6). Поэтому при изучении изменений отношения интенсивностей линий пары х и г следует принимать во внимание интегральную интенсивность линий для их полных контуров. [c.272]

Возмущающее действие ионного окружения на спектр может быть разделено на возмущения, производимые симметричным и несимметричным полями. Если симметрия окружения отвечает точечной группе Озь (симметричное поле), правила отбора Ози для нитрат-иона сохраняются. В этом случае изменения в межионных взаимодействиях могут проявиться как малые изменения частот и контура спектра. Если симметрия окружения меньше, чем Озк, нитрат-ион теряет способность свободно вращаться и находится под действием несимметричного поля. При этом правила отбора для группы симметрии Озк уже не будут строго выполняться. Возмущения этого типа могут привести к исчезновению вырождения -колебаний (т. е. к расщеплению соответствующих линий в спектре) или к появлению запрещенных частот, либо к обоим этим эффектам [46]. [c.410]

Для коррекции опытных масс-спектров необходимо знать, во-первых, начальное распределение ионов по кинетическим энергиям и, во-вторых, получить выражение для коэффициента собирания ионов с разной кинетической энергией. Величины кинетических энергий осколочных ионов представляют также большой самостоятельный интерес при исследовании процессов диссоциации. Практически при решении задачи о получении начального распределения ионов по кинетическим энергиям приходится пользоваться двумя методами измерения исследованием контура масс-спектральной линии в случае больших кинетических энергий и получением распределения по составляющей скорости, параллельной оси щелей масс-спектрометра, методом отклонения (для энергий порядка тепловых). [c.15]

Детальное изучение спектров дуги и искры (при обычных параметрах контура) показывает, что в спектре дуги, помимо линий нейтральных атомов, имеются также и линии ионизованных атомов спектр искры в значительной степени состоит и из линий нейтральных атомов. Отличие спектра искры от дуги заключается лишь в большем количестве и большей интенсивности линий ионов. [c.16]

Рис. 7.3. Электронные функции распределения (а) (сплошные линии — функции или пунктир — ф , или ф ) и контуры равной электронной плотности (б) для ф и Ф1 в молекулярном ионе водорода.

Индуктивность контура в очень сильной степени влияет на интенсивность искровых линий (линий ионов). Следует отметить, что искровые линии имеют максимум в первой стадии свечения факела, линии нейтральных атомов — в конце свечения факела, когда происходят интенсивная рекомбинация ионов и остывание факела. Наблюдается очень сильная зависимость относительной интенсивности искровой и дуговой линий каждого элемента от индуктивности контура. Менее значительные изменения относительной интенсивности наблюдаются при изменении емкости С конденсатора, изменении расстояния между электродами, сопротивлений контактов в искровом контуре, включая степень зажатия электродов в держателях штатива. Естественно, что такая изменчивость условий возбуждения приводит к ошибкам в анализе. Необходимо поэтому электрические параметры контура держать постоянными и установку электродов делать возможно более тщательно. [c.55]

Если получить низковольтную искру с автотрансформаторной связью контуров (рис. 59), то при этом увеличивается доля питания высоковольтной составляюш,ей и возрастает жесткость разряда [134]. При таких условиях получается благоприятный режим для возбуждения спектральных линий металлоидов (например, галоидов, серы, фосфора и углерода) и других спектральных линий, излучаемых ионами. [c.60]

При повышенном давлении наряду с электронным и ионным уширением измеримый вклад дает вандерваальсовское взаимодействие нейтралов [165, 203]. В [203] получено хорошее согласие расчетных и измеренных контуров линий Аг, Кг, Хе и для этого случая. [c.191]

Для вывода из теплоносителя первого контура избытка щелочных металлов в работу вводится Н-катионитный фильтр рабочей группы установки СВО-2. Продолжительность работы Н-катионитного фильтра определяется на основании результатов химического анализа проб теплоносителя. За счет работы катионитного фильтра установки СВО-2 с загрузкой в Н-форме должно достигаться снижение суммарной концентрации щелочных металлов до значення на линии оптимального режима в середине зоны А на рис. 16.5 для текущей концентрации борной кислоты. Данный ионообменный фильтр выводит из теплоносителя и накапливает ионы щелочных [c.275]

Совместное действие электронов и ионов. В квазинейтраль-ной плазме атом одноЕременно испытывает воздействие электронов и ионов. Электрическое поле , создаваемое ионами в точке нахождения атома, меняется очень медленно — настолько, что к ионам применима статистическая теория уширения. Поэтому результирующий контур спектральной линии можно получить, вычислив уширение электронами при фиксированном ионном поле (со) и усреднив результат по всем возможным значениям При вычислеяии (со) удобно направить ось по полю В этом случае в формуле (37.28) [c.515]

Контуры линий аргона рассчитаны Гримом [5, 235]. Измерения [180, 182, 197, 202, 203, 206] обнаружили удовлетворительное согласие с расчетами (в большинстве случаев расхождения ио превышают 30% для ушире-ний и 50% для сдвигов ). Асимметричная форма профилей соответствует рассчитанным вкладам в уширение электронов и ионов. Более значительные расхождения с теорией обнаружены [180, 202, 204] для ионных линий 3. [c.191]

Химическая связь в Ш-нитридах имеет смешанный ионно-ковалентный тип. Эффекты зарядовой поляризации (в направлении М Н, где М = В, А1, Оа, 1п), обеспечиваюцще ионную составляющую связи, можно проследить на рис. 1.4, где приводятся контуры распределения зарядовой плотности (р) вдоль линии связи М— К, а также карты изоэлектронных контуров в х2-плоскости кристаллов. Общее представление о характере изменения ионности связи в ряду ВК -> АЫ -> ОаК 1п позволяют составить данные табл. 1.2, где суммированы величны эффективных атомных зарядов (схеме анализа Малликена и методом интегрирования р в атомных сферах [47]. В целом расчеты фиксируют значительную долю ковалентной составляющей связей М—Н существенные различия в двух схемах определения вклада ионной составляющей отражают известные трудности корректного расчета эффективных зарядов [c.14]

Это означает, что статистическая теория выполняется для малых значений р и и. Теория уширения линий, разработанная Хольт-смарком, учитывала только статистическое действие ионов и пренебрегала эффектом ударного электронного уширения [17, 18]. Г. Грим, А. Колб и К. Шен [19] рассчитали контуры линий водорода при совместном уширяющем действии ионов и электронов. [c.210]

В литературе [6] детально обсуждены причины нарушения фокусировки ионного пучка, следствием чего является уменьшение разрешающей силы масс-спектрометра. Здесь целесообразно только обсудить вопрос о том, каким образом можно получить необходимую для работы разрешающую силу у используемох о прибора. Следует обсудить также вопрос о пригодности различных количественных определений разрешающей силы. Наилучшее разрешение двух линий достигается тогда, когда щели коллектора и источника имеют минимальную ширину. Наилучшее возможное разрешение, соответствующее бесконечно малой ширине обеих этих щелей, наиболее полно характеризует потенциальные возможности данного прибора. Управлять шириной щелей можно либо механически, либо электрически [7]. Интересно рассмотреть влияние ширины щелей на форму линии. Линия масс-спектра дает распределение интенсивности в изображении щели источника. Щель коллектора обычно достаточно широка, чтобы можно было регистрировать интеграл этого распределения. По мере уменьшения ширины щели коллектора форма линии приближается к кривой распределения интенсивности в изображении, т. е. сужение этой щели эквивалентно дифференцированию линии масс-сиектра. Если с малой амплитудой модулировать ускоряющее напряжение и регистрировать сигнал на частоте модуляции, то можно записывать непосредственно производную кривой контура линии. При этом изменение амплитуды модуляции эквивалентно изменению ширины щели коллектора. Получаемый таким образом сигнал был математически исследован [8], и можно показать, что сужение щели источника эквивалентно второму дифференцированию кривой контура линии. Было показано, что можно регистрировать дублетные линии, образованные молекулярными ионами, для которых М/АМ составляет 2300, используя прибор секторного типа с радиусом 152 мм. Такую регистрацию проводили при помощи двойного дифференцирования линии обычного масс-спектра. Это наглядно иллюстрирует возможности прибора такого типа. [c.334]

Особенно большие успехи в этом направлении достигнуты Гримом, Колбом и Шеном [8]. Контуры линий водорода они рассчитали с учетом уширяющего действия электронов, тогда как статистическое уширяющее действие ионов они вычислили с помощью функции Эккера [9], учитывающей корреляцию ионов и экранирующее действие электронов. Цикл работ [10] по сопоставлению контуров линий водорода, излучаемых дугой и ударной трубкой, с теорией Грима, Колба и Шена выявил вполне удовлетворительное соответствие теории с экспериментом, показав тем самым справедливость этой теории и обосновав возможность надежного измерения плотности заряженных частиц в области концентраций от 10 до 10 uohI m . Нижняя граница измеримых концентраций определяется тем, что при температурах порядка 10 000° К и iV- <10 кок/сж форма линий водорода в основном определяется эффектом, Допплера, тогда как верхняя граница устанавливается областью применимости теории Грима, Колба и Шена. Это связано с тем, что при iV > 10 uohI m неприменимы как приближение, принятое при решении волнового уравнения Шредингера для атома водорода, возмущенного столкновением с электроном, так и распределение Эккера для статистических полей, создаваемых ионами. [c.6]

Таким образом, задача нахождения контура линии /(со) сводится, к вычислению функции распределения W( ). Эта функция была вычислена Хольцмарком в приближении идеального газа. В этом при- ближении не учитывается взаимная корреляция положений ионов,, т. е. считается, что каждый из ионов может с равной вероятностью оказаться в любой точке рассматриваемого объема независимо от того,, как располагаются все остальные ионы ). В дальнейшем мы будем [c.501]

Во всех расплавленных солях взаимодействие молекулярного иона с его окружением влияет на крнтур спектра. Это может выражаться в расширении линий в электростатических полях (ион, диполь, квадруполь) возмущающих частиц, в резонансном расширении из-за сложения соответствующих колебаний соседних ионов и в комбинированном расширении, обусловленном комбинацией основных колебаний молекулярных ионов с низкочастотными вращательными и межчастичными формами колебаний. В настоящее время невозможно дать количественный анализ влияния взаимодействий на ширину спектральных линий. Однако, наблюдая данную основную частоту одного итого же молекулярного иона в различных средах, можно определить влияние изменения взаимодействия на контур полосы поглощения. Проводя измерения в широком диапазоне жидкостей — неполярных, полярных и ионных, — можно разделить влияние разных видов электростатических сил. При наличии регистрирующих спектрофотометров и высокоскоростной вычислительной техники такие исследования станут мощным оружием в решении сложной задачи о межмолекулярных взаимодействиях в расплавленных солях. [c.422]

Т. е. эти молекулы имеют пирамидальную конфигурацию (Сзи) причем предложенное отнесение согласуется с данными по поляризации линий КР и контурам ИК полос (см. рис. Х.1). Для молекул ВРз, ВС1з, как и для молекулярного иона N07, спектроскопические данные доказывают плоское строение симхметрии Взп- В табл. [c.208]

Одной из существенных проблем физики ОКГ является вопрос о природе спектральной линии люминесценции, на частоте которой возникает стимулированное излучение. Вид контура линии люминесценции во многом определяет энергетические параметры ОКГ, в частности и такую важную характеристику, как порог возбуждения генерации. Известные лазерные кристаллы по спектроскопическим свойствам их активаторных центров можно подразделить на два типа — простые соедииения и смешанные системы, или твердые кристаллически растворы Под активаторным центром мы подразумеваем здесь условно выделенное из объема кристалла локальное образование с радиусом порядка линейных размеров элементарной ячейки, состоящее из примесного иона и непосредственно его окружающих ионов матрицы-основы. Представление о локальности центра подразумевает изолированность активаторных ионов друг от друга. Оно весьма условно, поскольку при статистическом распределении примеси в кристалле всегда даже при очень малых концентрациях имеется какое-то количество близко расположенных центров, а также парных или более слолшых ассо-циатов. Критерием тут является относительное количество таких образований. Многочисленные исследования свидетельствуют, что условие локаль- [c.24]

Если в соединение, характеризующееся упорядоченностью своей структуры, активаторная примесь входит изоморфно, замещая один тип ионов матрицы, расположенных в строго эквивалентных позициях, то мы имеем дело с идеальным простым одпоцентровым кристаллом. В этом случае все элементарные центры являются идентичными, и связанная с ними спектральная линия представляет собой наложение множества тождественных по положению и контуру линий. В этом случае физические процессы, которые затрагивают весь ансамбль частиц, полностью совпадают с процессами взаимодействия в каждом отдельно взятом центре. Поэтому линии в спектрах, принадлежащих таким кристаллам, называют однородно уширенными. К однородному уширению линий активаторных ионов приводит естественное уширение связанных с ними состояний, которое обусловлено спонтанными излучательными и безызлучательными переходами. В реальных простых кристаллах вследствие микронеоднородностей (дефектов) самой матрицы даже при изоморфном вхождении примеси активаторные центры будут несколько отличаться друг от друга. Особенно это становится заметным при низких температурах, когда уширение уровней за счет безызлучательных переходов становится малым. В этом случае наблюдаемые линии представляют собой суперпозицию слегка разнесенных по частоте линий, принадлежащих отдельным центрам. В то яге время, как следует из теории, ширина электронной линии при Г О должна стремиться к величине порядка естественной ширины, т. е. к величине [c.25]

Для примесных ионов, использующихся в лазерных кристаллах, эта величина лежит в пределах 10 — 10 м . Уширение, связанное с дефектностью кристалла, получило название неоднородного уширения. Как правило, ширина таких линий отличается слабой температурной зависимостью. Форма их удов.иетворительно описывается гауссовым контуром. Последнее является отражением того факта, что отклонение частот отдельных линий от среднего значения является случайным и определяется случайным характером искажения BnyTpnKpn Tafljrn40 Koro поля. Результаты экспериментального исследования температурного поведения контура спектральных лнний активаторных ионов, использующихся в простых лазерных кристаллах, показывают, что при 150°К и более высоких температурах вкладом неоднородного уширения можно пренебречь и считать форму линий лорен-цевой. [c.25]

Предлагаемое отнесение полос аниона BeF основано на результатах, полученных при изучении ИК-спектров ряда фторбериллатов щелочных металлов и спектра комбинационного рассеяния K.2BeF4. Из данных работы [6] следует, что локальная симметрия группировки BeF в этих соединениях отвечает точечной группе С можно было бы поэтому ожидать полного снятия вырождения колебательных уровней и ограничений, налагаемых правилами отбора. Эти эффекты, однако, почти не сказываются на характере ИК-спектров поглощения фторбериллатов s, Rb и К фактически выше 200 см наблюдается лишь некоторая асимметрия контура полосы Vg (F ) (- 800 см ) и весьма слабая полоса, соответствующая интенсивной линии комбинационного рассеяния нри 560 см [vj ( i)). С точки зрения колебательных спектров ион BeF можно рассматривать как группировку со слабо искаженной тетраэдрической симметрией. [c.123]

Допплеровское уширение происходит в резульгате беспорядочного движения излучающих частиц (если в плазме существует направленное движение нейтралов или ионов, возникает также смещение линий). Допплеровский контур линии представляет собой гауссовское распределение [c.173]

Максимальная величина напряжения не меняется с изменением параметров разрядного контура, форма кривой зависит от величины индуктивности. На рис. 2 дана кривая напряжения (2), сдвинутая относительно тока на 180°. Изменение спектра в зависимости от параметров разряда изучалось по линиям Р11 3204,04 А, РП1 3001,17 А. Элементом сравнения служил фон. Наблюдалось усиление фона с увеличением индуктивности разрядного контура, что объясняется увеличением длительности разряда. В создании непрерывного фона большую роль играют свободно-свободные переходы в поле нейтрального атома, рекомбинация и излучение электрона в поле иона. Измерения температуры производились по линиям железа. Температура при емкости 12 ООО мкф и индуктивности 289 мкгн достигла 15 000° К. [c.49]