Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Симметрия кристаллов локальная

    В непосредственной взаимосвязи с локальной симметрией находится трансляционная симметрия, которая указывает на пространственную природу симметрии структурного образования. Аналогично перемещению составляющих молекулы на микроуровне можно представить операции симметрии, связанные с перемещением элементов структуры структурного образования. Важнейшими из указанных операций симметрии являются простая трансляция, винтовая ось, плоскость скольжения. Еще раз отметим необходимость четкого представления особенностей симметрии кристаллов чистых веществ, заключающейся в закономерностях атомного строения, внешней формы и физических свойств кристаллов. Симметрия свойств кристалла обусловлена симметрией его строения. Кристалл может быть совмещен с самим собой путем поворотов, отражений, трансляций — параллельных переносов и других преобразований симметрии, а также комбинаций этих преобразований. [c.184]


    Таким образом, хотя локальная симметрия кристалла только 1, ясно, что молекула имеет конфигурацию плоского квадрата (симметрия О н). [c.255]

    При рассмотрении кристаллов необходимо учитывать три типа симметрии молекулярную, определяемую точечной группой симметрии молекулы, локальную и симметрию элементарной ячейки, или симметрию фактор-группы. Локальная группа симметрии должна быть подгруппой как фактор-группы, так и молекулярной точечной группы. В связи с этим можно сформулировать следующие общие правила  [c.228]

    Неожиданным с теоретической точки зрения явлением оказалась связь пульсаций октаэдров с их поворотами (вращением) и далее связь поворотов октаэдров с реориентацией метильных групп в комплексных соединениях с сложными молекулярными катионами. Детальный анализ показывает, что эта связь обусловлена наличием определенного замороженного в структуре ближнего порядка тетрагонально искаженных октаэдров. Симметрия локально упорядоченных участков должна быть более низкой, чем симметрия кристаллов в целом. [c.74]

    На рис. V. 21 представлен мессбауэровский спектр поглощения Рсо.эшО [ИЗ], на котором указаны два различных катиона — Ре + и Ре +. На этом же рисунке четко видно квадрупольное расщепление ионов двухвалентного железа, несмотря ка то, что симметрия кристалла сохраняется кубической. Вероятнее, конечно, что она несколько искажена, т. е. катионные вакансии в вюстите искажают локальную кубическую симметрию вблизи ядра железа. Следует отметить, что в Рео,9150 с вероятностью 66% среди ближайших двадцати соседних металлических позиций по крайней мере имеется одна вакансия, даже если последние распределены беспорядочно. Асимметрия кривой (см. рис. V. 21) вблизи 0,35 мм сек указывает [113, 115] на существование сверхструктуры, вызываемой Ре +. [c.131]

    Спектры указанных кристаллических веществ соответствуют колебаниям искаженных тетраэдрических ионов Х04 , о чем свидетельствуют снятие вырождения (полное или частичное) и изменение правил отбора. Такой характер спектров связан с невысокой собственной симметрией кристаллов и, как следствие, размещением ионов ХО4 по точкам правильных систем (или сайтам) с более низкой, чем Т , локальной симметрией. [c.286]

    При рассмотрении элементов симметрии структурных образований дисперсных систем можно взять за основу свойства кристаллов. Известно, что кристаллы построены из ионов, атомов или молекул, соединенных способом, обусловливающим внешний вид или морфологию кристалла. Можно предположить, что локальная симметрия составляющих кристалла может определять его общую симметрию. Причем все множество кристаллов может быть определено семью кристаллическими системами в зависимости от формы кубической, моноклинной, ромбической, тетрагональной, триклинной, гексагональной, ромбоэдрической. Очевидно, симметрия структурного образования формируется из общей симметрии расположения элементов этого образования, а также из собственной локальной симметрии этих элементов. По аналогии с морфологией кристаллов, можно рассматривать элементы структурного образования в виде элементарных ячеек. Следует специально отметить влияние на симметрию структурного образования собственной симметрии элементарных ячеек. Наличие собственной симметрии элементарных ячеек является фактором, ограничивающим число объектов симметрии структурного образования и разрешающим некоторые из них. [c.184]


    Смещение частот колебаний объясняется тем, что в молекулярных кристаллах возникает меж-молекулярное взаимодействие, которое практически отсутствует в газе. И чем оно сильнее, тем существеннее смещение частот. Появление дополнительных частот в спектре кристаллов может быть вызвано расщеплением вырожденных частот понижения локальной симметрии, вследствие взаимодействия колебаний частиц в решетке и по другим причинам. На эти особенности налагается в ряде случаев взаимодействие растворенных веществ с молекулами растворителя (например, за счет возникновения водородных связей), приводящее к смещению полос поглощения и изменению их контура и интенсивности. [c.187]

    Анизотропия й -фактора определяется кристаллическим полем, создаваемым ионами или атомами, окружающими парамагнитный ион. Поэтому парамагнитные спектры кристаллов являются средством изучения локальной симметрии парамагнитного иона, входящего в решетку диамагнитного вещества. -Фактор содержит также информацию о характере связи парамагнитного атома (иона) с окружающими его частицами. [c.206]

    Рассматриваемая симметрия соответствует скалярному локальному преобразованию симметрии в расширенной системе кристалл плюс поле излучения. Локальное векторное преобразование дает возможность описывать симметрию магнитных полей на ядрах мессбауэровских атомов, а комбинация этих преобразований — комбинированные сверхтонкие взаимодействия на резонансных ядрах. [c.244]

    Анизотропия ..-фактора определяется кристаллическим полем, создаваемым лигандами, окружающими парамагнитный ион. Поэтому спектры ЭПР кристаллов являются средством изучения локальной симметрии парамагнитного иона, входящего в качестве примеси в решетку диамагнитного вещества. [c.288]

    Впоследствии было показано, что парамагнитный азот распределен в кристаллах СА случайным образом и при концентрациях выше 5-1025 м з наблюдается интенсивный рост числа сложных парамагнитных комплексов и непарамагнитных центров. Появление непарамагнитных азотных центров, аналогичных центру А в природных алмазах типа 1а, должно привести к появлению в спектрах поглощения СА дополнительного поглощения при 1290 СМ . Для таких кристаллов отношение 0113501290 было бы меньше, чем для кристаллов чистого типа 1в. В исследованиях использовались кристаллы СА с 01135/01290 = 2,9 даже при самых высоких концентрациях парамагнитного азота. Если для СА справедлив закон случайного распределения примесного азота, то появление непарамагнитных азотных центров следует ожидать при расстояниях между атомами азота 3,5а, где а—постоянная решетки алмаза. При таких расстояниях локальная симметрия дефектного центра в виде атома азота в замещающем положении, очевидно, сохраняется. Следовательно, при концентрации азота в кристаллах выше некоторой критической часть атомов азота 420 [c.420]

    На основании данных опытов с учетом результатов анализа продуктов сжигания СА в вакууме было сделано предположение, что при высоких концентрациях диспергированного азота (2-1025 м ) не весь примесный азот фиксируется методом ЭПР. Впоследствии было показано, что парамагнитный азот распределен в кристаллах СА случайным образом и при концентрациях выше 5-1025 м З наблюдается интенсивный рост числа сложных парамагнитных комплексов и непарамагнитных центров. Появление непарамагнитных азотных центров, аналогичных центру А в природных алмазах типа 1а, должно привести к появлению в спектрах поглощения СА дополнительного поглощения при 1290 см . Для таких кристаллов отношение 0113501290 было бы меньше, чем для кристаллов чистого типа 1в. В исследованиях использовались кристаллы СА с 01135/01290 = 2,9 даже при самых высоких концентрациях парамагнитного азота. Если для СА справедлив закон случайного распределения примесного азота, то появление непарамагнитных азотных центров следует ожидать при расстояниях между атомами азота 3,5а, где а—постоянная решетки алмаза. При таких расстояниях локальная симметрия дефектного центра в виде атома азота в замещающем положении, очевидно, сохраняется. Следовательно, при концентрации азота в кристаллах выше некоторой критической часть атомов азота 420 [c.420]

    Несмотря на общую чувствительность скорости кристаллизации к температуре, между полимерами остаются достаточно большие различия, позволяющие свободно и с полным основанием говорить о полимерах, которые кристаллизуются быстро, и о полимерах, которые кристаллизуются медленно. Например, пленки расплавленного полиэтилена кристаллизуются, даже если их закаливать в жидком азоте, тогда как пленки полиэтилентерефталата или найлона легко закаливаются с образованием аморфного стекла. Значительные различия в этих свойствах могут быть следующим образом связаны со структурами различных рассматриваемых здесь молекул. Как мы видели, лимитирующей стадией, определяющей скорость кристаллизации полимеров, является зародышеобразование, причем более значительную роль играет в этом отношении первичное зародышеобразование. Независимо от того, имеют ли первичные зародыши гомогенное или гетерогенное происхождение, а также от того, образован ли каждый из них несколькими соседними молекулами, вытянутыми в длину, или одной многократно сложенной молекулой, их рост до критического размера требует согласованного, или кооперативного, перераспределения молекул в пределах значительного объема расплава. Молекулы вынуждены совершать поступательное и вращательное движение относительно своих соседей, и кристаллическая упаковка будет достигнута гораздо быстрее, если эти движения происходят свободно и в ограниченных пределах. Аналогичные условия необходимы также для образования поверхностных зародышей при дальнейшем росте кристалла из первичных зародышей, и в общем случае более высоким скоростям первичного зародышеобразования соответствуют более высокие скорости вторичного зародышеобразования. Для быстрой кристаллизации очень желательно, чтобы повторяющиеся химические звенья цепи не были слишком длинными и чтобы профиль молекулы отличался высокой симметрией. Низкая симметрия уменьшает число возможных положений молекулы и, кроме того, препятствует вращательному движению, необходимому для переориентации. Особенно нежелательны большие боковые группы, так как они могут служить серьезным препятствием движению одной цепи относительно другой. Наличие полярных групп может явиться дополнительным препятствием кристаллизации, особенно если они находятся далеко друг от друга (или неравномерно расположены) в цепи молекулы, и необходимы значительные перемещения, чтобы полярные группы соседних молекул заняли в кристалле соответствующие положения. Более того, в расплаве между беспорядочно расположенными молекулами могут устанавливаться локальные полярные связи, которые должны быть затем разорваны и заново образованы в кристалле между другими парами групп. [c.412]


    В дополнение к трансляционной симметрии и симметрии факторгруппы полезно определить локальную группу симметрии, или сайт-группу. Это подгруппа фактор-группы, состоящая из операций, переводящих данную молекулу саму в себя. Она представляет, очевидно, подгруппу точечной группы молекулы и образуется пересечением фактор-группы и точечной группы молекулы. В кристаллах нафталина локальной группой является группа Сг, потому что только операции идентичности и инверсии переводят молекулу саму в себя. Некоторые группы симметрии ряда более простых ароматических углеводородов приведены в табл. 2. [c.519]

    Основные научные работы посвящены изучению структуры молекул методом спектроскопии. Изучал структуру и спектры молекулярных кристаллов, структуру ударной волны, очень быстрые химические реакции, происходящие при высоких температурах, явления взрыва. Исследовал эффект слабого взаимодействия в молекулярных кристаллах и корреляцию между симметрией свободной молекулы, локальной симметрией молекулы и симметрией кристалла. Разработал метод изоморфного замещения. Изучал кинетику диссоциации двухатомных и простых полиатомных молекул под действием ударной волиы при высоких температурах. Использовал комбинацию метода ударной волны и импульсного фотолиза для определения скорости рекомбинации атомов при очень высоких температурах. [c.545]

    Если молекулы в кристалле сохраняют центр симметрии в локальной группе, то переходы g g, которые запрещены в молекуле, остаются запрещенными и в кристалле, так как каждое состаяние свободной молекулы переходит в "-состояния фактор-группы, а ы-состояния входят в и. Однако это верно только для состояний кристалла с нулевым волновым вектором и неприменимо во всех случаях, когда к не равен нулю, потому что группа волнового вектора в этих случаях никогда не включает в себя инверсию пространства. Следовательно, даже в кристаллах высокой симметрии можно наблюдать переходы g — g, если снято ограничение к = 0. Это, по-видимому, более вероятно в случае спектров люминесценции, а не в спектрах поглощения, потому что смешение экснтонных и решеточных колебаний может быть достаточно сильным в течение времени жизни люминесцентного состояния. Вследствие этого осуществляется заселение экснтонных уровней с не равным нулю к, а также не равных нулю фонон-ных уровней, если существуют подходящие соотношения энергий. [c.525]

    Если молекулы в кристалле не сохраняют центра симметрии в локальной группе, как в моноклинном кристалле Р211а) пирена с четырьмя моле- [c.525]

    Система полос бензола [12[ при 2600 А обнаруживает ту новую особенность, что переход в свободных молекулах запрещен, а полосы, которые появляются в спектре паров, всегда индуцированы колебательным возмущением. В кристалле локальная симметрия понижена и запрет чисто электронного перехода снимается. Он наблюдается вместе с колебательной прогрессией, обусловленной переходами на подуровни верхнего состояния, соответствующие колебанию с частотой 923 см . Каждая полоса в прогрессик расщеплена. Эти расщепления имеют следующие значения  [c.558]

    В случае реального кристалла, когда рассматривается взаимодействие между молекулами ориентированного газа, вызванное некоторым потенциалом кристалла, обычно вводятся две поправки первого порядка. Во-первых, рассматривается действие статического поля кристалла на отдельную молекулу и, во-вторых, учитывается резонансное взаимодействие между молекулами. Установлено, что в первом случае при определенном расположении молекулы, т. е. когда она занимает определенное место , ноле кристалла смещает уровни колебательной энергии и снимает вырождение существующее в свободной молекуле (если локальная симметрия достаточно низка). Во втором случае принимается во внимание, что соседние молекулы обмениваются энергией вследствие резонанса между уровнями с близкой колебательной энергией, что приводит к образованию набора N невырожденных уровней от каждого уровня изолированной молекулы (в общем случае может остаться некоторое вырождение, если симметрия кристалла достаточно высока). Возможен также дальнейший сдвиг мультинлета как целого. В настоящее время считают, что эффекты этих двух поправок имеют один и тот же порядок величины и что их следует рассматривать в совокупности, так как оба изменения вызваны одним и тем же потенциалом кристалла. Вся теория в целом не более сложна, чем каждая из ее частей в отдельности. [c.576]

    Мы рассмотрели понижение симметрии, вызванное локальным полем в определенном месте. Теперь надо учесть тот факт, что может иметь место взаимодействие между различными молекулами элементарной ячейки, т. е. мы должны перейти к фактор-групповому анализу [108]. Он включает в основном рассмотрение координат симметрии элементарной ячейки [уравнение (7)]. Построение этих координат симметрии полностью аналогично построению координат симметрии молекулы из ее внутренних координат. В рассматриваемом примере внутренними координатами являются нормальные координаты молекул в четырех местах ячейки. Симметрией, которую нужно использовать, является, конечно, симметрия фактор-группы. Таблица корреляций дает следующий результат каждому колебанию типа Аи молекулы, находящейся в выбранном месте, будут соответствовать четыре колебания элементарной ячейки, по одному каждого из типов Аш, Вы, Вги. и 5за. Таким же образом каждое колебание типа Ag дает четыре колебания элементарной ячейки симметрии Aig, Big, Bzg и Bag. Из этих колебаний элементарной ячейки те колебания, которые входят в класс Biu с дипольным моментом перехода, параллельным оси с, будут активны в инфракрасном спектре и так далее. Если продолжить рассмотрение в качестве примера колебания Vjg ( lu), которое неактивно в спектре газовой фазы, но активно в спектре кристалла, то оно расщепляется на четыре колебания элементарной ячейки типов Ац, В , Вчи. и В ,, из которых три последних будут активны в инфракрасном спектре. Хотя всего насчитывается Nt колебаний кристалла, возникающих из колебания 12, однако активны в спектре только эти три колебания. Колебание еы), активное и вырожденное в спектре газа, активное и дающее дублет в приближении локальной симметрии, расщепляется далее на четыре колебания в каждом компоненте дублета, или всего на восемь колебаний. Из этих восьми колебаний шесть (2Вы, 2В211, 2Взи) активны в инфракрасном спектре. Вновь следует подчеркнуть, что величины расщеплений не могут быть предсказаны из рассмотрения симметрии. При этом может наблюдаться случайное вырождение, если ширина щели прибора или естественная ширина линий превышают расстояние между линиями. [c.586]

    Здесь 0j — углы между направлением магнитного поля и осями координат, в которых тензор g диагоналеп gi — диагональные компоненты g. Координатная система не обязательно должна здесь совпадать с осями симметрии кристалла, но она должна быть привязана к осям симметрии локального электрического поля. [c.459]

    Появилась работа, посвященная изучению монокристалла бронзы состава Каолз Оз методом дифракции нейтронов [26]. Несмотря на то что в кристалле содержались домены тетрагональной фазы, симметрия кристалла была кубической. Однако элементарная ячейка была удвоена и рассматривалась структура, в которой из восьми кубических позиций А в шести находились атомы натрия. Атомы кислорода занимали лишь одно из четырех мест, предназначенных им пространственной кристаллографической группировкой. Отсюда вполне вероятно, что причиной усадки является локальное упорядочение этих атомов, которое может достигаться лишь путем пониженйя симметрии кристалла. При низких температурах, когда вполне реальна кубическая симметрия, сохраняется упорядоченное расположение атомов натрия и наличие вакансий в позициях А. Возникает вполне резонный вопрос, является ли расположение атомов натрия упорядоченным при различных концентрациях и могут ли такие упорядоченные фазы иметь кубическую симметрию  [c.133]

    Истинная симметрия кристалла наглядно видна и по фигурам травления, т. е. небольшим ямкам, котор1ле образуются на грани кристалла под действием специально подобранных активных растворителей. Травление происходит локально именно в областях дефектов структуры кристалла (см. 63). [c.96]

    Расщепление полос поглощения на определенное число компонентов зависит от симметрии кристалла и может поэтому служить предметом исследования. Теоретико-групповой анализ колебательных спектров позволяет решать ряд кристаллографических задач, в частности определять локальную симметрию ионов и просгранственную группу кристалла, причем в этих случаях спектроскопический метод имеет преимущества перед рентгенографией как в отношении менее жестких требований к качеству объекта исследования, так и с принципиальной точки зрения. В самом деле, известно, что по рентгеновским картинам дифракционного погасания и симметрии однозначно можно определить лишь 120 групп, тогда как изучение симметрии колебательного спектра теоретически позволяет определить 206 из 230 пространственных групп [227, 228]. [c.192]

    По поводу последнего можно с уверенностью сказать, что в большинстве случаев обратный конформационный переход не имеет места, по крайней мере, в массовом количестве, так как в спектре ЯМР заметных признаков появления различия частот конформационного и реориентационного движений нет. Что касается времени жизни в возбужденном состоянии, то нельзя исключить, что это время значительно превосходит упомянутую ) Ышо величину периода ИК-колебаний. Накопление значительного количества комплексов в возбужденных состояниях, нарушающих локальную симметрию и ближний порядок, может быть одной из причин отсутствия понижения симметрии кристаллов комплексных соединений, несмотря на деформацию входящих в структуру октаэдрических комплексов. [c.54]

    В последней главе мы рассмотрим применение молекулярных моделей для кристаллов с нарушенной трансляционной симметрией, содержащих примеси и дефекты (локальные центры, ЛЦ). Обсуждавшиеся в этой главе расчеты совершенных (обладающих трансляционной симметрией) кристаллов и сделанные на их основе выводы существенны и в проб,1еме неидеальных кристаллов по следующим причинам. [c.243]

    В первом случае точечная си.мметрия кристалла с дефектом определяется локальной точечной симметрией той точки кристалла, в которой появился дефект атомного типа. К операция. локальной симметрии точки г в молекуле или кристалле (в этой точке, в частности, может располагаться и ядро одного из атомов) относят все те операции точечной группы симметрии системы, которые оставляют эту точку неподвижной. Как мы отмечали в третьей главе, локальная группа симметрии в общем случае является подгруппой точечной группы симметрии молекулы или кристалла, содержащей помимо операций локальной группы и все операции, переводящие точку г в ей эквивалентные (см. 1.1). Если точка г не лежит ни на одном из элементов симметрии кристалла (поворотных осей, плоскостей), то ей соответствует локальная группа Сь если точка г оказывается на пересечении всех элементов симметрии, то ее локальная группа совпадает с точечной группой кристалла (для симморфных кристаллов).  [c.247]

    Для несимморфных кристаллов локальная группа всегда является подгруппой точечной группы кристалла С, содержащей лишь те операции группы С, которые входят в пространственную группу без несобственных трансляций. Так, в структуре алмаза (кристаллический класс Он) максимально возможная локальная симметрия — Та (в точках с такой симметрией расположены ядра атомов углерода), а в кристалле корунда (кристаллический класс Йзй)—группа Сз, (в точках с такой группой симметрии расположены ядра атомов А1). [c.248]

    Обсудим теперь симметрию кристаллов с точечными дефектами молекулярного типа, занимающими несколько узлов или междоузлий кристаллической решетки. Дефект молекулярного типа обладает определенной точечной симметрией и вне кристалла всегда можно поместить начало координат в центр тяжести молекулярной системы, так как для центра тяжести молекулярной системы локальная си.мметрия совпадает с точечной группой молекулы. В кристалле центр тяжести примесной молекулы оказывается в точке с той или иной локальной симметрией, так что точечная группа системы в целом определяется общими элементами двух групп локальной группы изолированной молекулы и локальной группы узла кристаллической решетки. Следует, однако, иметь в виду, что существенна и ориентация примесной молекулы относительно осей симметрии кристалла, которая может несколько изменить симметрию системы в целом. [c.248]

    В кластерной модели совершенный кристалл и кристалл с ЛЦ моделируются комплексами из конечного числа атомов, имеющими одинаковую си.мметрию, соответствующую точечной симметрии кристалла с ЛЦ. Увеличение размеров кластера, моделирующего совершенный кристалл, сопровождается увеличением числа уровней в группах, моделирующих энергетические зоны , и уменьшением расстояния между уровнями. Увеличение кластера, моделирующего кристалл с ЛЦ, позволяет выяснить степень делокализации локальных состояний по кристаллу и влияние учета взаимодействия центра с атомами кристалла, не являющимися ближайшими соседями, на положение локальных уровней. [c.261]

    Применение модели КРЭЯ к кристаллу с локальным центром, по существу, есть рассмотрение не изолированного, а периодического дефекта с периодом, равным вектору трансляции соответствующей РЭЯ. Для сохранения правильной симметрии кристалла с ЛЦ расширение ячейки должно проводиться симметрично вдоль всех трех ее векторов трансляции. Очевидно, при увеличении расширенной ячейки (и, следовательно, периода центра) получающиеся результаты будут сходиться к тем, которые соответствуют одиночному центру. При этом энергетиче- [c.268]

    КВАЗИКРИСТАЛЛ (от лат. quasi - нечто вроде, как будто и кристалл), особый тип упаковки атомов в твердом в-ве, характеризующийся икосаэдрической (т. е. с осями 5-го порядка) симметрией, дальним ориентационным порядком и отсутствием трансляционной симметрии, присущей обычному кристаллическому состоянию. Квазикристаллич. упаковка атомов была открыта в быстро охлажденном металлическом сплаве AI Mn (1984) и затем обнаружена в системах Al-Fe, Ni-Ti и др. Обычные кристаллы обладают трехмерной периодичностью в расположении атомов, исключающей возможность существованил осей симметрии 5-го порядка. В аморфном (стеклообразном) состоянии возможны локальные группировки атомов с икосаэдрич. симметрией, но во всем объеме аморфного тела нет дальнего порядка в расположении атомов-ни трансляционного, ни ориентационного. К. может рассматриваться как промежут. тип упорядоченности атомов между истинно кристаллическим и стеклообразным. [c.361]

    Отношение интенсивности центральной компоненты ( /п- — /г) линий 21, получающихся в результате квадрупольного взаимодействия в кристалле некубической симметрии, к полной интенсивности, включающей все дополнительные компоненты, равно Vio для ядер с / = Va и Vsr, для ядер с / = /г. Дислокации, образующиеся в кристалле при пластической деформации, приводят к локальным отклонениям от кубической симметрии и к появлению градиента электрического поля, который вызывает появление дополнительных компонентов, отстоящих от центрального компонента, который при эффектах первого порядка не изменяется при квадрупольном взаимодействии. Значения eq колеблются в некотором диапазоне, а дополнительные линии не резки и растянуты в широком диапазоне частот или напряженности поля, так что их нельзя наблюдать экспериментально. Это размывание дополнительных линий особенно заметно для Вг , Вг и ввиду больших ядерных квадрупольных моментов и антиэкранирующих факторов для этих атомов. Подобные эффекты можно обнаружить даже в случае весьма совершенных кубических кристаллов. Уаткинс установил [105], что в тер- [c.44]

    Если локальное окружение выделенных для внедрений мест не обладает кубической симметрией (как, например, в ОЦК решетке), то это приводит к неизотропным искажениям вокруг внедрений. Во-первых, появляется предпосылка для возникновения гантельной или краудионной конфигурации междоузельного атома, а во-вторых, примесь в такой позиции, безусловно, ведет себя как упругий диполь. Классическим примером последнего является искажение кристалла железа вокруг примесного атома угле-рода. Атомы углерода попадают в октаэдрические междоузлия ОЦК решетки железа и ведут себя как одноосные упругие диполи, ориентированные вдоль ребер куба. [c.178]

    При переводе принята терминология А. С. Давыдова [33, 107, 108], которой соответствует и английская терминология (например, Site место , site symmetry — локальная симметрия и т. д.). Местом называется любая точка кристалла, которая может быть занята молекулой (в общем случае любыми частицами, образующими кристалл).— Прим. ред. [c.517]


Смотреть страницы где упоминается термин Симметрия кристаллов локальная: [c.478]    [c.478]    [c.20]    [c.171]    [c.481]    [c.433]    [c.61]    [c.391]    [c.183]    [c.61]    [c.391]    [c.183]    [c.78]    [c.534]   
Физика и химия твердого состояния органических соединений (1967) -- [ c.576 , c.585 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Локальность

Симметрия кристаллов



© 2025 chem21.info Реклама на сайте