Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Переходы безызлучательные энергетические

    Если же находящийся на НСМО электрон меняет свой спиновый момент, то общий спин становится равным 2 + 72=1 Это соответствует переходу от состояния 51 в первое колебательно-возбужденное состояние, обозначаемое символом Т. Вновь быстро отдается тепловая энергия молекулярных колебаний, в результате этого состояние Т будет находиться на наиболее низком колебательном уровне. Такого рода переходы на энергетически обедненное состояние с обращением знака спина называют безызлучательным внутренним переходом. Общая взаимосвязь отчетливо видна на диаграмме Яблонского (рис. 3.12.1). [c.767]


Рис. 1.2. Радиационные и безызлучательные переходы между энергетическими уровнями. Рис. 1.2. Радиационные и <a href="/info/50464">безызлучательные переходы</a> <a href="/info/1464713">между энергетическими</a> уровнями.
    Точнее говоря, возбужденное состояние возникает в результате перехода электрона из наиболее заселенного низшего колебательного энергетического уровня основного состояния на более высокий энергетический уровень. Так как перешедший электрон стремится возвратиться обратно в основное состояние, в течение короткого времени происходит сбрасывание энергии возбуждения. В определенных случаях эта энергия рассеивается в виде тепла в результате безызлучательных переходов между энергетическими уровнями. Энергия возбуждения может также высвободиться в виде кванта света, при этом наблюдается явление флуоресценции или фосфоресценции. Кроме этого, энергия возбуждения может превратиться в химическую, приводя к диссоциации, внутримолекулярной перегруппировке, окислительно-восстановительным процессам с соседними молекулами или другим реакциям. Поглощенная энергия может также передаваться другой молекуле, которая в результате такого процесса переноса становится возбужденной и претерпевает затем фотофизические и фотохимические превращения. В процессе переноса молекулы, возбужденные светом, выступают в качестве фотосенсибилизаторов или фотокатализаторов, которые смещают спектральную чувствительность фотохимической и фотофизической реакции в более длинноволновую часть спектра. [c.363]

    Кроме указанных внутримолекулярных переходов, в фотохимических реакциях большое значение могут приобретать межмолеку-лярные безызлучательные энергетические переходы. В этих процессах энергия возбужденного состояния передается другой молекуле, например, при каталитическом выцветании. [c.376]

    Все рассмотренные выше реакции представляют собой мономолекулярные процессы распада. Генерация ионов в ходе электронной бомбардировки часто приводит к потере наименее прочно удерживаемого электрона, и ионы часто образуются в колебательно возбужденных состояниях с избытком внутренней энергии. В некоторых молекулах образца происходит потеря низкоэнергетического электрона, что приводит к иону в электронно возбужденном состоянии. Ион в возбужденном состоянии может подвергаться внутренней конверсии энергии, в результате чего он переходит в основное электронное состояние с избытком колебательной энергии. Молекула может диссоциировать в любое из возбужденных состояний, участвующих во внутренних конверсиях с безызлучательным переносом энергии. В этом случае ион фрагментирует, как только он начинает колебаться. Таким образом, в данном образце получаются ионы с широким энергетическим распределением, и фрагментация может происходить по различным механизмам. Полезно рассмотреть временные шкалы для некоторых обсужденных процессов. Время одного валентного колебания составляет 10 с, максимальное время жизни возбужденного состояния — около 10 с и время, которое ион проводит в ионизационной камфе масс-спектрометра, равно 10 —10 с. Следовательно, для перехода иона с избыточной электронной энергией в более низкое электронно возбужденное состояние с избытком колебательной энергии времени вполне хватает. Поэтому мы наблюдаем процессы в ионизационной камере через регистрируемые молекулярные ионы в различных энергетических состояниях, которые подвергаются быстрой внутренней конверсии энергии, образуя индивидуальные ионы с различным количеством избыточной энергии. Фрагментация протекает по первому порядку с различными [c.319]


    Конструкция лазеров на органических красителях отличается от конструкции газовых и твердотельных лазеров. Активное вещество представляет собой органический растворитель (метиловый спирт), в котором растворено небольшое количество красителя, например родамина. Из основного энергетического состояния молекулы вещества после облучения попадают в возбужденное, имеющее вид широкой полосы, содержащей множество колебательных и вращательных уровней. После этого перехода молекулы красителя за очень короткое время совершают безызлучательный переход с выделением тепла на самые нижние уровни этого возбужденного состояния. Таким образом достигается инверсная заселенность между нижними уровнями возбужденного и верхними невозбужденного состояний. [c.100]

    Молекула обладает набором энергетических состояний (рис. 28). Молекула, попавшая на верхние колебательные уровни любого возбужденного состояния, быстро теряет избыток колебательной энергии при столкновениях с окружающими молекулами. Это процесс колебательной релаксации. Безызлучательный переход между электронными состояниями одинаковой мультиплетности называется внутренней конверсией, аналогичный переход между состояниями разной мультиплетности — интеркомбинационной конверсией. [c.51]

    Наблюдаемые эффекты тушения люминесценции являются обычно результатом конкуренции радиационных и бимолекулярных столкновительных процессов дезактивации электронных энергетических уровней, поскольку колебательная релаксация протекает настолько быстро (особенно в конденсированной фазе), что излучательные переходы практически всегда начинаются с основного колебательного уровня возбужденного электронного состояния эти особенности будут предметом нашего обсуждения в следующем разделе. Простейший процесс возбуждения с последующей дезактивацией, не включающий процессов внутримолекулярной безызлучательной релаксации, имеет вид [c.85]

    Определяющее влияние энергетической щели на эффективность безызлучательных переходов можно проиллюстрировать на примере влияния дейтерирования некоторых ароматических углеводородов на скорость IS (Ti So). Дейтерирование понижает частоту деформации С—Н таким образом, что для данной энергетической щели АЕ(Т]—5о) уровень v" в состоянии [c.103]

    Влияние, которое оказывает величина энергетической щели на скорость безызлучательных переходов, иллюстрируется [c.103]

    КОЙ СПИНОВОЙ мультиплетности в продуктах сенсибилизированных реакций. Проблема в том, что спин Рассела — Саундерса 5 не может быть точным квантовым числом, даже для изолирован ных участников реакции, поскольку имеют место излучательный и безызлучательный триплет-синглетные переходы, хотя можно предположить, что 8 является достаточно хорошим квантовым числом для исключения запрещенной по спину столкновительной реакции. Однако часто все же делается допущение о сохранении спина, и, так как экспериментальные результаты иногда соответствуют такому допущению, мы будем его придерживаться. В этой связи более определенно можно говорить об экспериментах, в которых из-за энергетических ограничений может заселяться только триплетное состояние (см. рис. 5.2 и обсуждение сенсибилизированной фосфоресценции). [c.140]

    Спонтанная люминесценция включает переход (излучательный, а чаще безызлучательный) на энергетический уровень, с которого происходит излучение (рис. 180, б). Этот вид люминесценции характерен для сложных молекул в парах и растворах и для примесных центров в твердых телах (см. гл. V). Особый случай представляет люминесценция, обусловленная переходами из экситонных состояний (см. рис. 175, а). [c.432]

    Как известно из теории, молекулярные системы можно идентифицировать характеристическими энергетическими состояниями, состоящими из дискретных электронных, колебательных и вращательных уровней. При комнатной температуре большинство молекул определяемого вещества находится в основном электронном и колебательном состоянии. Взаимодействие с электромагнитным излучением определенного вида приводит к возникновению характеристических электронных, колебательных и вращательных переходов. Переход из таких возбужденных состояний в основное обычно осуществляется в течение 10 с либо с испусканием во всех направлениях фотонов с частотой, равной или меньшей, чем частота ранее поглощенных фотонов, либо путем безызлучательной релаксации (см. рис. 9-1). [c.146]

    Переход молекулы с одного энергетического уровня на другой сопровождается либо увеличением, либо уменьшением полной энергии Е. Все такие переходы подразделяются на радиационные и нерадиационные. Первые из них происходят с поглощением или испусканием квантов электромагнитного излучения, а вторые обусловлены безызлучательными процессами. В общем случае энергия радиационного перехода определяется изменением электронной колебательной и вращательной составляющих полной энергии Е молекулы  [c.218]


    Условие перехода Д = Av, = gPH является условием резонанса. Поглощение энергии магнитного поля Я, системой определяется избытком магнитных частиц в нижнем энергетическом состоянии. Этот избыток невелик из-за малых величин Д и близости заселенностей верхнего и нижнего состояний. При поглощении энергии нарушается термодинамическое равновесие в системе спинов и разность заселенностей уменьшается. Однако существуют релаксационные процессы, возвращающие систему в равновесное состояние вследствие наличия безызлучательных процессов. [c.344]

    С увеличением концентрации взаимодействие между частицами возрастает. В результате возбужденные при облучении молекулы передают избыточную энергию другим молекулам. Изменяются энергетические уровни молекул, что приводит к возможным безызлучательным переходам. Концентрационное тушение обрати мо при разбавлении концентрированных растворов свечение восстанавливается. [c.62]

    Детали быстрых процессов, происходящих ниже узкого горла, несущественны. Эти процессы лишь обеспечивают поддержание равновесной заселенности вплоть до этого места. Особенности быстрых процессов, протекающих выше узкого горла, также не сказываются на полной скорости диссоциации. Вообще говоря, эта скорость зависит от равновесной заселенности состояний, поддерживающейся до узкого горла, и регулирует скорость потока через него. При высоких давлениях, если скорость процесса определяется внутримолекулярным обменом энергией, лимитирующей стадией реакции может быть переход (примером такого рода служит безызлучательный переход между электронными состояниями). Часто узким горлом является процесс пересечения критической поверхности (А"->-А ), которая может совпадать с вершиной энергетического барьера, или, если такового нет, узкому горлу может соответствовать конфигурация с минимумом локальной энтропии [117], как показано на рис. 1.15. При очень высоких плотностях лимитирующей стадией может оказаться процесс образования продуктов А -у Р. [c.60]

Рис. 10.16. Основные процессы, изменяющие заселенность энергетического уровня 1 —возбуждение электронным ударом 2 — ступенчатое возбуждение з — каскадные переходы с верхних уровней 4 — поглощение 5 — удары второго рода с атомами, электронами и ионами 6 — спонтанное и индуцированное излучение. Волнистыми пиниями обозначены переходы, сопровождающиеся излучением и поглощением света, прямыми линиями — безызлучательные переходы. Рис. 10.16. <a href="/info/24378">Основные процессы</a>, изменяющие <a href="/info/463798">заселенность энергетического</a> уровня 1 —<a href="/info/1702821">возбуждение электронным ударом</a> 2 — <a href="/info/367465">ступенчатое возбуждение</a> з — <a href="/info/1367829">каскадные переходы</a> с верхних уровней 4 — поглощение 5 — <a href="/info/430797">удары второго рода</a> с атомами, электронами и ионами 6 — спонтанное и индуцированное излучение. Волнистыми пиниями обозначены переходы, сопровождающиеся излучением и <a href="/info/6122">поглощением света</a>, <a href="/info/208021">прямыми линиями</a> — безызлучательные переходы.
    Э. и. Адирович [107] рассмотрел поведение электронов в области дефектов структуры ионного кристалла, представляющих собой вакантные анионные узлы (модель Р-центра). В этой модели дефекта Э. И. Адирович заменяет ближайшие к пустому узлу положительные и отрицательные ионы сферическим электрическим двойным слоем, способным осциллировать вблизи некоторого равновесного радиуса. На основе такой модели были рассмотрены энергетические состояния электрона в области дефекта, влияние движения соседних с дефектом структуры ионов на эти состояния, безызлучательные переходы электрона в области дефекта. Модель позволяет качественно выяснить ряд важных вопросов взаимодействия электрона с решеткой. [c.46]

    Большинство химиков знакомо с влиянием высоты барьера на скорость реакции, однако факторы, которые контролируют эффективность процессов распада, многочисленны и по-настоящему сложны. Для объяснения безызлучательных переходов были опробованы различные теоретические подходы, и при этом был достигнут определенный успех [25]. Для того чтобы разработать приемлемую рабочую схему, предположим, что главным фактором, который определяет, будет ли данный процесс распада быстрым, является величина энергетической щели Дй между двумя вовлеченными в реакцию поверхностями, В частности, будем предполагать, что по мере уменьшения ЛО эффективность распада увеличивается. Важны и другие факторы, но ири формулировании основных правил, пригодных для прогнозирования, мы ими будем пренебрегать. [c.49]

    Интересно, что можно направить процесс в сторону образования триплетных состояний не через синглетное состояние, обладающее нередко значительно большей энергией. Для этого к смеси веществ В -(- С, подвергаемых фотохимическому превращению, прибавляют триплетный генератор А, например кетон с близко расположенными 5 - и Тх-состояниями и с энергией триплетного состояния Т , близкой к энергии триплетного состояния В (см. рис. 1.16). В этой смеси оказывается возможным аналогичный безызлучательной дезактивации переход в ходе которого в триплетном генераторе и субстрате В одновременно обращаются спины, так что общая симметрия сохраняется <5о(В) Ч- КА) кв) + 5о(А)- Этот процесс называют меж-молекулярным переносом энергии. Он протекает тем легче, чем сильнее перекрываются энергетические уровни и [c.52]

    Скорость безызлучательных переходов молекулы с верхних колебательных и электронных состояний на энергетически самый низкий уровень v = 0 состояний 5i или Ту настолько велика по сравнению со скоростью излучательных переходов из этих верхних состояний, что обычно испускание происходит с нулевого колебательного уровня состояний Si и (или) Ту (за некоторыми исключениями, например для азулена). [c.66]

    Если по соседству с возбужденной молекулой окажется другая молекула А с более низколежащим электронным состоянием, может произойти перенос энергии возбуждения. На рис. 40 дана диаграмма энергетических уровней, принимающих участие в таком процессе. Если энергия перехода в процессе дезактивации возбужденного состояния В соответствует энергии возможного поглощательного перехода в соседней молекуле А, то при условии достаточного взаимодействия между этими молекулами оба процесса могут произойти одновременно. Иными словами, энергия возбуждения перейдет либо излучательным, либо безызлучательным путем с молекулы сенсибилизатора на молекулу акцептора. [c.117]

    Процессы релаксации. Заселенность энергетических уровней системы спинов подчиняется статистическому распределению Больцмана [уравнение (5.1.12)]. При тепловом равновесии более низкий энергетический уровень заселен несколько больше, чем более высокий, и в этом случае преойаадает резонансное поглощение. Если бы система спинов обменивалась энергией только с переменным полем, то это привело бы к выравниванию степени заселенности уровней и сигнал поглощения стал бы уменьшаться (состояние шхсыи ия ). Однако система спинов одновременно взаимодействует со своим диамагнитным окружением (называемым в общем решеткой), что приводит к безызлучательным энергетическим переходам спин-решеточная релаксация). Вследствие этого обмена энергией с решеткой тепловое равновесие в системе спинов вновь приближается к состоянию, соответствующему распределению Больцмана. Ход этого процесса описывается экспоненциальной функцией и характеризуется постоянной времени, называемой време-нел спин-решеточной релаксации Т . Если процесс спин-решеточной релак- [c.250]

    Сказанное имеет отношение к электронной компоненте вероятности отдельных типов безызлучательных переходов. Экспериментальные наблюдения (о некоторых из них речь пойдет в дальнейшем) показывают, что вероятность переноса связана обратной зависимостью с разностью энергий двух состояний для данного типа электронного перехода. Этот результат может быть поясней с помощью принципа Франка — Кондона для безызлучательных переходов, обсуждавшегося для случая излс/-чательных переходов в разд. 2.7. Согласно этому принципу, ядра в молекуле неподвижны в течение всего электронного перехода, т. е. переходы вертикальны на энергетической диаграмме (см. рис. 2.3, а и б). При внутримолекулярных безызлучательных переходах сумма электронной и колебательной энергий должна оставаться постоянной в отличие от излучательного перехода, когда рождение фотона приводит к возникновению или изменению разности энергий начального и конечного состояний. Таким образом, в безызлучательном случае переход горизонтальный в той же мере, что и вертикальный , поэтому он ограничивается очень малой областью на энергетической кривой или поверхности. Перекрывание в этой области колебательных вероятностных функций для начального и конечного состояний будет определять эффективность переноса энергии при определенной фиксированной вероятности электронного перехода. На рис. 4.7 представлены три возможных случая данные кривые могут рассматриваться как кривые потенциальной энергии для двухатомной молекулы или как линии- пересечения энергетических поверхностей для более сложных молекул. На рис. 4.7, а показаны два состояния, X и У, сходной геометрии, но обладающие сильно различающейся энергией. Нижний колебательный уровень = 0 в состоянии X имеет то же значение энергии, что и верхний уровень V" в V. Вследствие характерного распределения колебательных вероятностных функций их перекрывание мало. На рис. 4.7,6 представлен случай, когда и разность энергий двух состояний, и разность квантовых чисел V и V" существенно меньше, что приводит к большему перекрыванию колебательных вероятностных функций. Таким образом, эффективность пересечения будет возрастать по мере того, как т. е. заселение уровня вблизи v" = Q благоприятст- [c.102]

    Люминесцентный анализ (флуориметрия). Применение метода (см. также гл. 1, раздел 1.2) в качественном анализе основано на регистрации люминесцентного излучения (свечения), испускаемого веществом, энергетически возбужденным вследс гвие поглощения электромагнитного излучения, за счет энергии электрического разряда, химических реакций, при термическом возбуждении и г. д. Поглощая энергию (например, световую в видимой области или УФ-области спектра), вещество переходит из основного (невозбужденного) электронного состояния в некоторое возбужденное электронно-колебательное состояние. Затем очень быстро часть поглощенной энергии теряется (безызлучательные потери энергии), а оставшаяся — испускается в виде люминесцентного свечения. Длительность т такого свечения весьма мала. При спонтанной люминесцен- [c.590]

    Флуорофоры переходят на более вшяжяй энергетический уровень при поглощении света в одном диапазоне длин воли в возбужденном состоянии происходит быстрый безызлучательный переход в самое низкое возбужденное состояние и затем возврат в оснсшное состояние с испусканием фотона с больщей длиной волны (рис. 7.9-10,а, 6) возбужденное состояние имеет типичное вре- [c.585]

    Физические основы. Возбужденные атомы могут высвобождать свою энергию как путем излучательных переходов (см. 14.3.1) с испусканием рентгеновского излучения, так и в результате безызлучательных переходов с испусканием электронов. Последний процесс является основой метода Оже-электронной спектроскопии AES, (от англ. Auger Ele tron Spe tros opy), в котором состав анализируемого материала определяется в результате измерения энергетического распределения электронов, испускаемых с поверхности образца во время ее облучения пучком быстрых электронов или рентгеновского излучения. Глубина наблюдения находится в интервале 10-30 А. Идентификация атомов основана на определении величины энергии связи электронов. Энергия вылетающего электрона определяется разностью энергий связи, возникающей при снятии возбуждения атома путем перераспределения электронных оболочек и испускании Оже-элекгронов с характеристическими энергиями. [c.50]

    Люминесценция, в отличие от теплового свечения, является неравновесным излучением. Для того чтобы вызвать люминесценцию вещества, к нему необходимо подвести извне определенное количество энергии. Частицы вещества (атомы, молекулы), поглощая поступающую извне энергию, переходят в возбужденное энергетическое состояние. Возбужденные частицы довольно быстро теряют избыточную энергию и переходят в основное состояние. Такой переход может совершаться с излучением фотонов люминесценции или безызлучательно, путем передачи энергии окружающим частицам в виде тепла. Для возникновения люминесценции необходимо, чтобы вероятность излучательных переходов превышала вероятность безызлучательных переходов. Таким образом, явление люминесценции связано с преобразованием поглощенной частицами вещества энергии внешнего источника в энергию их собственного излучения. [c.498]

    Люминофоры с экзоциклической СН=М-группой — азоме-тины и азины — легко получаются нагреванием ароматических альдегидов с аминами и гидразином в органических растворителях. Важной структурной особенностью большинства люминофоров этого ряда является наличие в альдегидном ароматическом ядре, в о-положении к СН=М-груп-пе, гидроксила, образующего с атомом азота этой группы внутримолекулярную водородную связь [1]. Такие люминофоры светятся в твердом состоянии и в замороженных растворах, где энергетические потери на безызлучательные переходы минимальны. Альдегидными составляющими таких соединений обычно служат салициловый и 2-гидрокси-1-нафтойный альдегиды, например, I и II. [c.41]

    Наряду с описанными выше методами ДМЭ и РФЭС к современным методам исследования принадлежат метод дифракции отраженных электронов высокой энергии (ДОЭВЭ) и оже-спектроскопия. Оже-электроны, обнаруживаемые в спектре вторичных электронов, возникают в результате внутреннего фотоэффекта — освобождения электрона из энергетически более высоко лежащей оболочки после безызлучательного электронного перехода в том же атоме, возбужденном полученной энергией. Энергия оже-электронов характеризует данный элемент. Из наружных участков твердого тела эмитируются электроны только первых двух или трех атомных слоев. Состав поверхностного слоя твердого тела и виды связи на его поверхности определяют, как и для описанных в разд. 3.3,7 спектров РФЭС, по положению пика в энергетическом спектре, изменению этого положения (химическому сдвигу) и по плрщади пика. [c.42]

    Если первоначальное возбуждение приводит в систему триплетов или если интеркомбинационное превращение в триплет происходит быстрее, чем переход в 5о-состояние, все рассмотренные типы процессов могут происходить с молекулой в одном или нескольких минимумах на Гггиперповерхности. Если геометрия Тх и основного состояния одинакова (как, например, в случае некоторых карбенов), то обычно легко протекает фотохимический процесс с последующим химическим процессом в основном состоянии. В противном случае следует просто переход на 5о-поверхность. Безызлучательный 5о-переход протекает относительно быстро, если разделение энергетических уровней мало (как, например, в бирадикалах) н особенно при наличии тяжелых атомов. Процесс замедляется с увеличением разделения энергетических уровней, и конкурирующим процессом иногда может явиться фосфоресценция. В общем случае, однако, спин-запрещенный 5о-переход происходит медленнее, чем аналогичные 51 5о-переходы, что увеличивает вероятность сближения реагирующих частиц и тушителей, а также вероятность перемещения из одного минимума в другой за счет тепловой энергии (ротамерное равновесие, перегруппировки связей и т. д.). [c.312]

    Направление спина электрона может измениться, и молекула путем безызлучательного перехода перейдет в первое трпплет-ное состояние Т1 (константа скорости Й4). Это состояние соответствует более низкому энергетическому уровню по сравнению с состоянием. 1 и имеет большее время жизни, по-видимому, вследствие того, что для возвращения на исходную орбиталь и перехода молекулы в состояние 8о направление спина электрона должно снова измениться. Время жизни возбужденного состояния Т1 составляет около 10 с, и безызлучательный переход к состоянию 8о почти полностью определяется константой скорости 5. Существует также возможность излучательного перехода от Т1 к 8о (фосфоресценция), но этот процесс, идет так медленно ( р-<10 с), что его можно уловить только с помощью методов импульсного фотолиза [259]. Триплетное состояние Т1 имеет большое время жизни, что обеспечивает возможность протекания химических реакций. Если синглетное состояние 81 также участвует в фотохимических реакциях фотосинтеза (как это предполагает Франк [97]), то реагирующее вещество должно образовать комплекс с хлорофиллом до того, как произойдет возбуждение. В этом случае передача энергии возбуждения не будет зависеть от случайного столкновения между этим веществом и хлорофиллом, которое должно успеть произойти в течение 10 с. [c.30]

    При поглощении света молекула из синглетного основного состояния (Зо) переходит, как правило, в возбужденное синглетное, так как согласно правилу спинового отбора (Д5 = 0) переход с изменением спина (например, 5о- Тй Д5 = 1) запрещен. Первоначальный переход в состояние 5] при поглощении света не обязателен если фотон обладает достаточной энергией, то молекула может перейти в энергетически более высокое состояние 8п п = 2, 3. ..). Однако с константой скорости, большей 10 с Ч т. е. за время, меньшее 10 с, осуществляется переход молекулы на уровень состояния, расположенный достаточно близко подобного рода безызлучательные переходы между двумя электронными состояниями одинаковой мультиплетности, называются внутренней конверсией. Скорость безыз-лучательных переходов, приводящих к уровню 5 , обычно так велика, что другие физические (а тем более химические) процессы не могут с ними конкурировать. Уровень 51 отделен от основного состояния 5о существенно большим энергетическим интервалом, чем от уровня 5з, и безызлучательный переход с уровня на уровень 5о требует большего времени, чем при дезактивации. . Благодаря малой энергетической разности уровней 5] и Тх реализуется переход хотя он требует изменения спина. Безызлучательные цереходы между двумя электронными состояниями различной мультиплетности называются интеркомбинационной конверсией. Так происходит заселение уровня Т при прямом возбуждении (рис. 23). При сенсибилизированном возбуждении поглотившие свет молекулы сенсибилизатора 2 могут передавать электронную энергию с уровня на [c.183]

    Следует отметить, однако, что внутриатомный переход электрона с верхнего энергетического уровня на К- или -уровень не всегда сопровождается характеристическим рентгеновским излучением. Возможен и безызлучательный переход. При этом происходит перестройка электронной оболочки и один из внешних электронов отрывается от атома. Этот процесс известен как эффект Оже, а электроны, отрывающиеся от атома, называют оже-электроиами. Вероятность проявления эффекта Оже во многих случаях очень велика, а у легких элементов она даже больше, чем вероятность рентгеновского излучения, что вызывает определенные трудности в рентгеноспектральном анализе легких элементов. [c.120]

    На рис. 55 показана схема энергетических уровней, поясняющая принцип работы рубинового лазера. Уровни Е , Е, Ег соответствуют энергетическим состояниям ионов хрома. До импульса ксеноно-вой лампы ионы хрома находятся на основном уровне Ео. В момент импульса ионы хрома, поглощая сине-зеленое излучение лампы (Я = 560 нм), переходят в возбужденное состояние на уровень 2. Время жизни иона на уровне 2 очень мало, порядка 10 -—10 с. Часть возбужденных ионов вновь возвращается на основной уровень Е(у, а часть, отдавая избыточную энергию кристаллической решетке, переходит на уровень Е не излучая при этом фотона (безызлучательный переход). [c.104]


Смотреть страницы где упоминается термин Переходы безызлучательные энергетические: [c.105]    [c.161]    [c.136]    [c.170]    [c.177]    [c.502]    [c.645]    [c.190]    [c.29]    [c.51]    [c.144]   
Руководство по аналитической химии (1975) -- [ c.181 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Энергетические переходы



© 2025 chem21.info Реклама на сайте