Величина элементарной ячейки, определение

Результаты для пероксидов щелочноземельных металлов. Для пероксидов ВаОг и СаОг на определенном этапе механической обработки обнаружен скачок в значениях параметров элементарной ячейки. В случае образца 4 ВаОг обнаружено резкое уменьшение обоих параметров решетки -со значений а = 3,806(4)A, с = 6,843(5)A до величин а = 3,782(4)A, с = 6,797(5)А (цифры в скобках - погрешности измерения). Полученное сжатое состояние было стабильно при комнатной температуре. Дальнейшая механическая обработка привела к возврату параметров решетки к прежним значениям. Для всех образцов отношение с/а = 1,80 оставалось неизменным. Аналогичная зависимость параметров элементарной ячейки от продолжительности механической обработки была обнаружена и для СаОг. Причем, также как и для ВаОг, а именно для образца 4 пероксида кальция, обнаружено резкое уменьшение параметров решетки со значений а = 3,545(2)A, с = 5,895(4)A до значений а = 3,462(2)A, с = [c.30]

Наконец, интересно отметить, что величина С, определенная уравнением (10.278), является по существу коэффициентом проигрыша, используемым в модели элементарной ячейки. Так как [c.527]

Для определения величины а по этим формулам можно воспользоваться какой-либо одной линией, однако лучше рассчитать размер элементарной ячейки по нескольким линиям с большими углами 0. [c.95]

Из уравнения Брэгга следует, что, зная углы отражения от кристалла рентгеновского излучения с определенной известной длиной волны, можно определить величину к, характеризующую размер элементарной ячейки. Это сохраняется и для случая элементарной ячейки произвольной формы. Определяя углы, при которых проис- [c.184]

Для ультрастабильной структуры характерно заметное. сокращение размеров элементарной ячейки на 1—1,5% по сравнению с исходным натриевым цеолитом. Такое изменение параметра решетки показано на рис. 4-16. Для исходных натриевых цеолитов наблюдается определенная зависимость между соотношением кремния и алюминия и размером элементарной ячейки [8, 41]. При превращении в ультрастабильную структуру размер элементарной ячейки сокращается в пределах, показанных на рисунке. Точная величина этого сжатия зависит от нескольких факторов содержания натрия, степени извлечения алюминия и условий прокаливания Связь между сжатием структуры и стабилизацией не вполне ясна, но определенные закономерности здесь очевидны. [c.384]

Эффективный радиус иона — это радиус сферы действия иона в данном кристалле. Он не является для данного иона (как и радиус атома) строго определенной величиной, зависит от типа связи и от координационного числа. Эффективные радиусы находят из расстояний d между центрами соседних ионов. Эти расстояния определяются с большой точностью современными методами рентгеноструктурного анализа (Вульф, Брэгги, Дебай и др.). Их приравнивают сумме радиусов ионов. Например, у Na l длина ребра элементарной ячейки найдена равной 5,62 А. откуда d = 2,81 А У фторида натрия d = 2,31 А и т. д. Однако, чтобы найти ионные радиусы, нельзя d просто делить пополам, как это делается при вычислении радиусов атомов в атомных решетках простых веществ. Надо знать, по крайней мере, радиус одного иона, найденный тем или другим способом. Наиболее надежная исходная величина была получена для иона [c.129]

Другой, более универсальный, но вместе с тем и более сложный метод основан на определении координат всех атомов в элементарной ячейке по ним находят конфигурацию молекулы и ее геометрические характеристики. Работа начинается с промера интенсивностей рентгеновских рефлексов, так как эти величины зависят от вида атомов и особенности их размещения в ячейке. Далее, опираясь на теорию, рассчитывают интенсивности, которые получились бы, если бы атомы занимали определенные положения. Первые грубые подсчеты уточняют [c.63]

Электронная плотность любого атома распределена определенным образом по пространству. В формуле структурной амплитуды подразумевалось, что результат рассеяния лучей различными точками каждого атома, взятого по отдельности, уже известен он и дается в виде значений /(sin /X), Можно, однако, поступить и иначе рассматривать элементарную ячейку кристалла как непрерывное распределение электронной плотности с максимумами-сгустками в центрах тяжести разных атомов. При таком подходе суммирование в формуле (28) следует заменить на интегрирование по ячейке, а /j на амплитуду рассеяния электронной плотностью в бесконечно малом объеме dV. И так как амплитуда выражается в электронных единицах, то ее величина равна просто p xyz)dV [где p xyz) —электронная плотность в точке хуг]. В результате получим [c.81]

В соответствии с соотношением (1) для задания решетки кристалла в обш,ем случае необходимо указать три векторных параметра а, Ь, с или шесть скалярных размеры трансляций а, Ь, с и углы между их направлениями а, Р, у а — угол между осями У и 2 р — между X и 2 -у —между X и У, рис. в). Эти шесть величин называются параметрами решетки, а построенный на них параллелепипед— параллелепипедом повторяемости. Если оси X, У, 2 выбраны в соответствии с определенными принятыми в кристаллографии правилами (см. ниже гл. I, 10), то параллелепипед повторяемости называют элементарной ячейкой кристалла. [c.7]

Кристаллохимическое строение — порядок расположения и природа связи атомов в пределах элементарной ячейки, их взаимное влияние друг на друга, а также распределение электронной плотности, величины эффективных зарядов. Как видно из этого определения, понятие кристаллохимического строения представляет собой превращенную форму химического строения молекул применительно к координационным решеткам. Вот почему теория химического строения Бутлерова — общехимическая теория, в одинаковой степени приложимая как к органическим, так и неорганическим объектам. На рис. 6, а приведена кристаллическая структура высокотемпературной модификации стехиометрического оксида титана ТЮ. Она показывает только порядок размещения атомов в элементарной ячейке и не отображает природу межатомных связей, а также их взаимное влияние. Вообще кристаллическая структура в той мере отражает кристаллохимическое строение вещества, в какой структурная формула — химическое строение молекулы. В действительности химическое и кристаллохимическое строение — понятия динамические, а не статические. [c.26]

Более полную информацию о структуре кристалла получают методом вращения. С помощью этого метода определяют параметры элементарной ячейки. Монохроматическое рентгеновское излучение взаимодействует с монокристаллом, равномерно вращающимся вокруг оси симметрии (определенной методом Лауэ). Переменной величиной в методе вращения является угол 0. Съемка производится на широкую пленку, закрепленную в цилиндрической кассете, ось которого совпадает с осью вращения кристалла (рис. 98). Дифрагированные лучи на фотопленке образуют линии, состоящие из отдельных пятен. Эти линии называются слоевыми. По расстояниям между этими линиями рассчитывают параметр решетки в направлении его оси вращения. [c.197]

В некоторых неорганических кристаллах связь обусловлена главным образом электростатическим притяжением между положительными и отрицательными ионами. Поскольку кулоновские силы одинаковы во всех направлениях, относительные размеры ионов в значительной степени определяют упаковку ионов в трехмерной решетке. В различных кристаллах радиус одного и того же иона почти одинаков, так как силы отталкивания увеличиваются очень резко по мере того, как межатомное расстояние становится меньше определенной величины. Радиусы ионов галогенов и щелочных металлов можно вычислить довольно просто из размеров элементарной ячейки кристаллов галогенидов щелочных металлов, так как все они относятся к гранецентрированной кубической решетке, за исключением солей цезия, которые кристаллизуются в примитивной кубической решетке. [c.580]

Экспериментально установлено, что ударные воздействия вызывают существенные структурные изменения в кристаллах. Эти изменения одинаковы для одного типа кристаллов и отличны для веществ с разным типом химической связи. Для ионных кристаллов - хлоридов натрия и калия обнаружены осцилляции величин микродеформаций, а также дробление и слияние блоков в процессе механической обработки. Для кремния выявлен блочный тип уширения линий, а уменьшение и увеличение размера блока, на отдельных этапах механической обработки, свидетельствует о процессах дробления и спонтанной рекристаллизации. Для пероксидов бария и кальция обнаружена неизменность размеров блоков мозаики в процессе механической обработки, ударные воздействия в этих случаях приводят к появлению существенных микродеформаций. Для этих соединений на определенном этапе механической обработки (ему соответствуют максимальные значения микро деформаций на приведенном ранее рис. 6) структурные изменения проявляются также в виде скачка в значениях параметров элементарной ячейки (рис.5а и 56). Для всех кристаллов отжиг и хранение при комнатной температуре в течение 1-го года приводит к полному устранению микродеформаций. [c.40]

Метод порошка (поликристаллический метод) можно использовать не только для идентификации, но и для точного определения констант элементарной ячейки хорошо кристаллизующихся веществ. Если известна кристаллическая система, то по рентгенографическим данным можно получить ряд значений межплоскостных расстояний йнм),. соответствующих определенным плоскостям кЫ). Параметры элементарной ячейки можно затем найти путем решения соответствующего уравнения, связывающего эти параметры, значения НЫ и величины ё. [см., например, уравнение (2)]. [c.75]

Толщина пластин (т. е. длина складок), упоминавшаяся выше, измерялась по длине тени, отбрасываемой пластиной в электронном микроскопе. Кроме того, Келлер и О Коннориспользуя метод малоугловой дифракции рентгеновских лучей, наблюдали четыре порядка периодичности в единичных кристаллах с величиной периода, примерно составляющей 120 А. Эта величина хорошо согласуется с результатами определения толщины пластин электронномикроскопическим методом, а периодичность указывает на то, что рассеивающие элементы структуры более однородны по размеру, чем это удается зафиксировать на электронных микрофотографиях. Установление периодичности с величиной периода 100 А показывает, что элементарная ячейка, определенная Банном (см. стр. 171), в действительности представляет собой субъячейку, причем период, определенный Банном, соответствует толщине пластины. [c.204]

Если было произведено точное определение плотности и выполнены измерения величины элементарной ячейки рентгеновскими лучами на самом материале, езятом для анализа, можно приступить к эмпирическому вычислению содержания элементарной ячейки (вместо атомных отношений на более или менее произвольной основе, как в приведенном здесь примере). В таком случае выкладка не требует допущений и обладает полной убедительностью, особенно если предлагается новая химическая формула. Превосходное изложение вопроса о трактовке результатов химических анализов минералов вообще и в частности в отношении рентгеновских данных читатель найдет в статье Хея [15]. [c.289]

V каУЧУка на первый план выступают коллоидно-химические свойства. Впрочем, и в отношении его, хотя рентгенограмму он дает лишь в растянутом состоянии [294], надо решить проблемы об упорядоченности строения. Мы здесь можем лишь кратко коснуться их. Величину элементарной ячейки можно вывести из рентгенограммы с меньшей надежностью, чем для целлюлозы. Для определения величины имеющихся в каУЧУке углеводородных цепей это, как и в случае целлюлк1зы, не имеет значения. Напротив, знание определенной упорядоченности в расположении цепей имеет значение для объяснения эластичности каУЧУка. [c.311]

При решении целого ряда задач (определение типа твердых растворов н концентрации в них компонентов, величины коэффициента термического расширения и т. д.) измерения параметров элементарной ячейки должны быть выполнены с максимально возможной точностью. Необходимое условие для этого — минимальная погрешность при измерении углов отражения и межплоскостных расстояний, Существуют различные методы прецизионного измерения параметров элементарной ячейки. При исследовании высокосимметричных веществ для этой цели можно использовать, например, метод графической экстраполяции. Этот метод основан на том, что большинство систематических ошибок, приводящих к смещению дифракционных линий от положения, соотиетствующего истииному углу отражения, уменьшается ири увеличении угла О, Следовательно, для прецизионного измерения параметров решетки необходимо использовать линии с максимально возможными углами 0. Однако линии с углами 0>85° очень широки, что с1П1жает точность определения. Поэтому на практике для измерения используют линии с углами в области 6О°<0<84°, а затем результаты определения по этим линиям параметров решетки графически экстраполируют до значений, соответствующих углу 0 = 90°, что позволяет устранить или существенно уменьшить ошибки измерения. [c.97]

По рентгенограммам вращения и рентгенограммам качания можно определить величину периода решетки монокристалла по оси вращения, а следовательно, имеется возможность изучать размеры и форму элементарной ячейки кристаллов. Для решения подобных задач предназначена рентгеновская камера для определения периодов решетки РКОП-А, показанная на рис. VII. 4, в. [c.129]

Ионы хлора образуют решетку, идентичную решетке, образуемой ионами цезия. Поэтому отражения от плоскостей, содержащих ионы хлора, возможны точно под теми же углами, что и от плоскостей, содержащих ионы цезия. В рассматриваемом случае плоскости ионов хлора располагаются точно посередине между плоскостями ионов цезия, и расстояние между этими плоскостями составляет //2. Поэтому волны, отраженные от плоскости ионов хлора, будут смещены по сравнению с волнами, отраженными от соседней плоскости ионов цезия, на величину 51п0. При нечетных п эти волны смещены на половину волны и гасят друг друга. Однако в силу различий в амплитуде колебаний рассеяния (она существенно меньше для менее интенсивно рассеивающих ионов хлора) гашение будет неполное, т. е. рефлексы наблюдаются. При четных п волны, рассеянные от обеих плоскостей, совпадают по фазе, и рассеяние от ионов хлора будет несколько усиливать рассеяние от ионов цезия. Следовательно, рассеяние от системы плоскостей, содержащих грани элементарной ячейки, более интенсивно под углами 22 и 48,52°, чем под тремя остальными углами. Рассеивание от системы плоскостей, содержащих диагонали граней элементарной ячейки, под углом 31,95° существенно сильнее, чем под углами 15,34 и 52,54°. Следовательно, распределение интенсивности между рефлексами содержит информацию о распределении атомов в пределах элементарной ячейки, т. е. о структуре частиц, составляющих ячейку. Именно этим обстоятельством определяется возможность применения дифракции рентгеновского излучения для определения структуры молекул в кристаллах. Кристаллы, построенные из сложных молекул, дают очень сложную картину распределения интенсивностей отдельных рефлексов. Однако по ней можно полностью восстановить расположение отдельных атомов в элементарной ячейке и тем самым установить полную пространственную структуру молекул, из которых построен кристалл. Используя некоторые дополнительные приемы и применяя для расчетов быстродействующие электронно-вычислительные машины, удается получить пространственную структуру даже таких сложных молекул, как белки и нуклеиновые кислоты. [c.185]

Необходимым этапом определения ст1>уктуры кристаллического вещества является этап уточнения парамет1)ов предложенной модели. Будем считать, что уточняемыми величинами являются координаты атомов, заселенности позиций независимой части элементарной ячейки и изотропные тепловые параметры. Подобное допущение сделано для простоты изложения, однако является достаточно общим Обозначим через /7 - количество независимых позиций, [c.205]

ОКР эквивалентно определению размеров частиц и получающиеся результаты могут быть сопоставлены с данными по величине удельной поверхности, полученными другими способами. Конечно, расчет величины поверхности по величине кристаллов содержит ряд неточностей, обусловленных 1<екоторыми не вполне обоснованными предположениями. Первое из них - отождествления размеров ОКР и реальных частиц (т.е. каждая частица предполагается однодоменной), а второе - форма частиц является либо близкой к сферической, либо напоминает параллелипипед с гранями, параллельными граням элементарной ячейки. Для простоты ограничимся случаем кубической ячейки. Поверхность порошка из сферических частиц со средним диаметром L равна л Г .из кубических -6/7 2, где П - среднее число частиц на единицу массы, т.е. без сведений о форме частиц можно рассчитать величину поверхности только с точностью порядка 50%, если взять среднее из этих значений. [c.229]

В соответствии с соотношением (1) для задания ре шетки кристалла в общем случае необходимо указать три векторных параметра а, Ь, с или шесть скалярных-размеры трансляций а, 6, с и углы между их направлениями а, р, V (а —угол между осями У и 2 р —между X я 1] V —между X я У, рис. 1, в). Эти шесть величин называются параметрами решетки, а построенный на них параллелепипед — параллелепипедом повторяемости. Если оси X, У, 1 выбраны в соответствии с определенными, принятыми в кристаллографии правилами (см. гл. I, 10), то параллелепипед повторяемости называют элементарной ячейкой кристалла. Забегая несколько вперед, отметим также, что наличие в структуре нетрансля-ционных элементов симметрии определенным образом [c.7]

Принадлежность кристалла к той или иной пространственной группе устанавливается исследованием его структуры методами рентгено-структурного, электронографического и нейтронографического анализов [8, 9]. После того как рентгенограмма (или элек-тронограмма) получена и проиндицирована, можно установить, от каких плоскостей кристалла рефлексы отсутствуют. Знание закономерностей погасаний позволяет определить так называемую рентгеновскую группу, включающую одну или несколько федоровских групп. Полное определение атомной структуры кристалла возможно только после определения интенсивности рефлексов, так как значения координат частиц в элементарной ячейке влияют на величину структурной амплитуды, определяющей интенсивность рассеяния. [c.21]

Существование большой группы интерметаллических соединений разнообразного качественного и количественного состава, но сходных по физико-химической природе, обусловлено влиянием фактора электронной концентрации. Все эти фазы обладают металлическим характером и кристаллизуются в структурах трех типов / -латуни (ОЦК), 7-латуни (сложная кубическая струк гура с 52 атомами в элементарной ячейке) и е-латуни (ГПУ). Тип кристаллической структуры опре-д( ляется не свойствами взаимодействующих компонентов, а так называемой формальной электронной концентрацией (ФЭК), т.е. отношением общего числа валентных электронов (соответствующих номеру группы) к числу взаимодействующих атомов в формульной единице. Эти фазы называются электронными соединениями Юм-Розери. Обычно электронные соединения образуются в системах, содержащих, с одной стороны, элементы 1В- и УП1В-групп, а с другой — металлы ПВ-, П1А-И 1УА-групп. Эти соединения не подчиняются классическим прави.лам валентности, и их состав определяется лишь формальной электронной концентрацией. Трем видам электронных соединений соответствует определенная формальная электронная концентрация. Так, для ОЦК-структуры /3-латуни ФЭК = = 21/14 = 3/2 (числитель — общее число валентных электронов, знаменатель — число атомов в формульной единице соединения). Сложная структура 7-латуни определяется величиной ФЭК, равной 21/13, а структуре е-латуни (ГПУ) отвечает ФЭК = 21/12 = 7/4. Примеры типичных электронных соединений в различных системах приведены в табл. 20. Обращает на себя внимание существенно различный состав соединений Юм-Розери, кристаллизующихся в одинаковом [c.219]

Эффективныйрадиусиона — это радиус сферы действия пона в данном кристалле. Он не является для данного иона (как и радиус атома) строго определенной величиной, так как зависит от типа связи и от координационного числа. Эффективные радиусы определяют из расстояний d между центрами соседних ионов. Эти расстояния определяются с большой точностью современными методами рентгеноструктурпого анализа (Вульф, Брэгги, Дебай и др.). Их приравнивают сумме радиусов ионов. Например, у Na l длина ребра элементарной ячейки найдена равной 0,562 нм, отк -да d= = 0,281 нм, у фторида натрия Л=0,231 нм и т. д. Однако, чтобы определить ионные радиусы, нельзя d просто делить пополам, как это делается при вычислении радиусов атомов в атомных решетках простых веществ. Надо знать, по крайней мере, радиус одного иона, найденный тем или другим способом. Наиболее надежное исходное значение было получено для иона F (0,133 нм) с помощью оптических методов, зная которое можно определить радиусы = 0,231—0,133 = 0,098 нм Гс,- = = 0,281—0,098=0,183 нм и т. д. Таблицы ионных радиусов приведены в справочной литературе. [c.160]

Для автоматического индексирования плоскостей кристаллической решетки применяют компьютерные программы, что позволяет определять параметры элементарной ячейки (с точностью до 0,001 А и выше) и плотности, если известна химическая формула вещества. Для твердых растворов значения параметров элементарной ячейки линейно меняются в зависимости от атомных процентных содержаний компонентов, например в кубической системе u-Au величина а возрастает от 3,608 А для чистой меди до 4,070 А для чистого золота. Измерения межплоскостных расстояний решетки для высоких углов брэгговского отражения приведут, следовательно, к определению состава сплава. Изменения в значениях dhki при изменении температуры или внешнего давления позволяют соответственно определять коэффициенты термического рас- [c.403]

В ОСНОВНОМ сводится к следующему. Кристалл закрепляют на вращающейся подставке и помещают в центр круга. В одной пз точек,. нежащих на окружности, проектируется пучок рентгеновских лучей, направленный под определенным углом к выбранной грани кристалла. Интенсивность отраженных рентгеновских лучей устанавливают по производимой пмп ионизации газов. (Например, таких легко ионизируемых, как бромистый метил.) Наибольшая интенсивность отраженного излучения соответствует к = 1. Менее интенсивные отражения отвечают углам 02, 03 и т.д., удовлетворяющим соответственно условиям 2d sin02=2X, 2d sin 0з=ЗХ и т. д. В простых кристаллах (типа Na l) все такого рода углы соответствуют только одному значению d. Это говорит о том, что в данном случае единичная ячейка кристалла представляет собой куб, в углах которого расположены ПОНЫ. Более сложные кристаллы дают несколько различных значений d , 2, ( 3 и т. д. Эти величины определяют строение элементарной ячейки кристаллов. Подробнее этот вопрос рассмотрен в гл. ХП1. [c.27]

В табл. 5.9 приведены объемы нор цеолита NaX, вычисленные по адсорбции молекул различного типа (вода, углеводороды, постоянные газы). Объем пор, определенный по воде, составляет 7908 А на элементарную ячейку. Большинство адсорбатов, за исключением пожалуй воды, заполняют только большие полости цеолита. Общий объем пор, определенный для больших полостей по адсорбции аргона или кислорода, составляет 6700 А на элементарную ячейку. Около 1200 А объема (150 на каждую из восьми -нолостей) элементарной ячейки доступно только для молекул воды. Этот факт хорошо согласуется с расчетной величиной объема одной -нолости, равной 151 А . Объем каждой большой 26-гранной пустоты в цеолите X, согласно расчетным данным, равен 822 A [68]. Следовательно, общий рассчитанный свободный объем [c.439]

Рассмотрим рис. А7.2. Пусть одна и та же точка X будет центром решетки как в реальном, так и обратном пространстве. Пусть также ось х кристаллической решетки вертикальна, Никаки г предположений относительно величины параметра а элементарной ячейки делать нет необходимости. Показаны таюке две плоскости (/ и 2) одного семейства плоскостей hkl. Плоскость / про.ходит через начало координат. Плоскость 2 пересскает ось л- в точке 5. По определению индексов Миллера имеем [c.297]

Величина большого периода не связана с размерами элементарной ячейки и при разлнчных видах обработки полимера значительно изменяется. Для ориентированных образцов, таких, как волокна и пленки, малоугловая рентгенограмма обладает определенной текстурой На текстуррентгенограмме рефлексы, соответствующие большому периоду, обычно располагаются на мериднанс, что говорит о существовании периодичности вдоль оси волокна. Предполагают, что большой период связан с чередованием кристаллических и аморфных областей вдоль оси волокна, одиако многое остается пока неясным. Непонятно, например, как объяснить изменение величины большого периода при различных видах обработки полимера, если рентгенограмма, полеченная при рассеянии под большими углами. При этом не изменяется. [c.117]

Теории, выдвигаемые относительно сил, действующих при адсорбции, можно разделить на два класса одна группа исследователей (Ленгмюр, Харкинс) утверждает, что силы притяжения простираются первоначально на моно-молекулярный слой, между тем как вторая группа (Эйкен, Поляни) считает, что они простираются на полимолекулярный слой. Если в гомогенных газовых реакциях взаимодействие происходит между молекулами или атомами газа, то в гетерогенных газовых реакциях происходит подобная же реакция, но между предварительно адсорбированными молекулами или атомами. В этом случае адсорбционный газовый слой является действительным местом реакции и количество газа, активно участвующего в реакции, равно количеству адсорбированного газа, а не общему количеству употребляемого в реакцию газа. Как постулировалось в теории адсорбции Лэнгмюра [26], газовые частицы, встречая при соударении поверхность, задерживаются на поверхности, насыщая свободные валентности решетки. Число газовых частиц, задержанных или адсорбированных поверхностью, приближается ассимптотически к определенной ограниченной величине, определяемой мономолекулярным слоем на поверхности. Теория и опыты согласуются при низких, но не при высоких давлениях. Если, как предполагал Лэнгмюр, у кристаллических адсорбентов элементарные ячейки , соответствующие кристаллической решетке, сохраняются на поверхности и имеют ненасыщенные валентности, удерживающие лишь один атом или молекулу, тогда экспериментальное расхождение с теорией для высоких давлений может быть объяснено увеличением числа элементарных пространств, вступающих в действие. С другой стороны, чтобы толщина адсорбционной пленки была пропорциональна давлению на протяжении большого интервала давлений, было бы необходимо иметь слой толщиной во много молекул. Лэнгмюр математически выразд1л адсорбированное количество при давлении р уравнением [c.94]

О нарушении порядка в кристаллических областях мы судили по изменению объема и плотности элементарной ячейки па различных стадиях деформации. Для определения объема (F) мы измерили периоды а, Ь, с элементарной ячейки полиэтилена по поло кепию рефлексов 200, 020 и 002. Плотность элементарной ячейки р,, рассчитывали по формуле = 2MIV, где М — молекулярный вес мономерной единицы в граммах. Коэффициент 2 указывает на число мономерных единиц, приходящихся па элементарную ячейку. Поскольку величина периода с менялась мало для образцов высокой вытяжки по сравнению с нерастянутыми образцами и так как нам не удалось измерить ее для образцов 2, 3, G и 7 (рис. 1), то нри расчете V для этих образцов мы использовали среднее значение с =- 2,55 А. Положение дифракцион1сого максимума определяли по пересечению линии профиля максимума с линией, проведенной через середины отрезков, соединяющих точки равной интенсивности [27]. Нуль гониометра устанавливали по положению одного и того /ке рефлекса полиэтилена но обе стороны от первичного пучка. Для устранения влияния инерционности интегрирующего устройства счетчик перемещали в прямом и обратном нанравлепиях. Запись каждого дифракционного максимума проводили многократно (обычно двенадцать раз с тремя новыми установками образца). Точность установки образца иа оси гониометра ] УР-5 составляла +0,05 мм. [c.342]

Одним из таких типов взаимодействия является так называемый эффект Давыдова [37, 40], представляющий собой взаимодействие между нетрансляционно эквивалентными молекулами одной элементарной ячейки кристалла. Такие взаимодействия могут приводить к расщеплению спектральных переходов на величины от см для переходов с малой интенсивностью до 10 С./М для переходов с большой интенсивностью. Такие взаимодействия изучались довольно подробно для ароматических молекулярных кристаллов и фталоцианинов, но для получения определенных результатов еще много предстоит сделать. Для настоящего изложения существенно лишь то, что в случае, когда снимаются спектры кристаллов, расщепления почти всегда невелики, если переход малоинтенсивный (е<100), но для переходов с большой интенсивностью (типа переходов с переносом заряда) можно ожидать очень больших расщеплений и перераспределения интенсивности, приводящих даже к полному изменению вида спектра. [c.246]

Предлагаемая теория связывает свойства кристаллов со свойствами свободных молекул. Каждая молекула будет иметь в основном электронном состоянии волновую функцию ф и набор электронных волновых функций для возбужденных состояний ф , отличающихся друг от друга верхними индексами. Общее число молекул в кристалле будет N с к молекулами в каждой элементарной ячейке. Ма — число элементарных ячеек, расположенных вдоль оси а, Мь — вдоль оси Ь и Мс — вдоль оси с. Таким образом, произведение МаМьМс определяет общее число элементарных ячеек и равно N /к. Положение молекулы в кристалле будет указываться нижними индексами молекула, которая занимает 1-е место т-й элементарной ячейки и находится в 5-м возбужденном состоянии, имеет волновую функцию ф т. Для многих цблей нет необходимости детально указывать форму волновых функций свободных молекул нужно лишь отнести наблюдаемые величины к определенным значениям их матричных компонент. Бывают известны, например, энергии переходов свободной молекулы Да) (в см ) и дипольные моменты переходов М = еЦ из основного состояния в 5-е возбужденное состояние. В этом выражении Ц имеет направление [c.515]