Поверхностные загрязнения, определени

Визуально обнаруживаются значительные дефекты на участках, совершенно ие имеющих покрытий. Так, по форме и характеру незащищенной поверхности можно установить, что причиной отсутствия покрытия является, скажем, физическое экранирование основного металла от покрывающего металла в процессе нанесения покрытия или поверхностное загрязнение основного слоя. Повреждение покрытий часто возникает из-за определенных недостатков в процессе нанесения покрытия. [c.132]

Количество воды на защищенных от дождя металлических поверхностях в большой степени зависит от относительной влажности воздуха, т.е. отношения фактического давления водяных паров к давлению насыщения. Ниже определенного уровня относительной влажности, критической влажности, пленка влаги настолько тонка, что в большинстве случаев коррозия незначительна. Выше этого критического уровня с ростом относительной влажности скорость коррозии сильно увеличивается. Критическая влажность зависит и от металла, и от степени поверхностных загрязнений, так как последние могут быть более или менее гигроскопичными. Для стали в наружных [c.55]

Достоинства А.а. высокая чувствительность, возможность в ряде случаев проводить определение без разрушения образца, высокая избирательность, возможность одновременного определения ряда примесей в одной навеске образца, отсутствие поправки контрольного опыта (т.к. все хим. операции, в т.ч. травление образцов для удаления поверхностных загрязнений, проводят после облучения). Кроме того, при работе с короткоживущими радионуклидами анализ м. б. выполнен быстро-в течение неск. минут. Недостатки метода относительно малая доступность источников адерных частиц или у-квантов, возможность деструкции и даже разрушения образцов при облучении мощными потоками излучений, относит, сложность выполнения анализа, радиац. опасность. [c.73]

Химическое Т. применяют в технологии монокристаллов, стекол и поликристаллов (металлов, сплавов, полупроводников и др. неорг. материалов) для очистки от окалины и др. поверхностных загрязнений, выявления дефектов структуры и двойников, определения кристаллографич. ориентации, удаления нарушенных слоев, придания пов-сти определенных св-в (полировка, шлифовка, загрубление, изменение к.-л. характеристик), для повышения мех. прочности изделий, для изготовления рельефа или деталей определенной формы, в частности в планарной технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении резонаторов, частотных фильтров, хям. сенсоров и т. п. [c.616]

В отношении контрольного опыта активационный анализ представляет уникальный метод, даже при использовании радиохимического разделения. Поскольку внесение загрязнений после этапа облучения более невозможно, ана-лш образцов твердой пробы не требует проведения контрольного опыта. Однако при анализе проб (таких, как многие природные и биологические пробы), которые нельзя протравить, чтобы снять поверхностные загрязнения, следует уделить особое внимание обработке и хранению пробы. В любом случае из реагентов, используемых для растворения и разделения, не может быть внесено никакого радиоактивного загрязнения. В настоящее время это можно рассматривать как величайшее из преимуществ активационного анализа в сравнении с другими методами. В НАА можно провести очень точную градуировку путем одновременного облучения пробы и синтетических многоэлементных стандартных образцов. Это является уникальным для активационного анализа ни один другой метод не дает возможности одновременного возбуждения пробы и стандартного образца. По этим двум причинам из всех методов определения следов элементов активационный анализ наилучшим образом удовлетворяет строгим требованиям получения точных результатов даже при крайне низких уровнях содержания —нг/г и ниже. [c.101]

Возможность достаточно точного определения химических сдвигов делает РФЭС особенно ценным средством анализа поверхности, поскольку идентификация соединения с использованием результатов количественного анализа часто сильно ограничена неоднородностью поверхностных анализируемых слоев и поверхностными загрязнениями. [c.319]

Для определения поверхностных загрязнений пленок арсенида галлия предложен химико-спектральный метод [205], основанный на последовательном снятии полирующим травителем двух тонких слоев одинаковой толщины и использовании внутреннего слоя в качестве холостого опыта к наружному слою. [c.199]

В сточных и загрязненных поверхностных водах встречаются многочисленные неорганические и органические соединения серы. К неорганическим соединениям серы относятся сульфиды, тиосульфаты, сульфаты, сульфиты, роданиды, элементарная сера и т. п. К органическим соединениям относятся, например, меркаптаны, анионоактивные моющие вещества, сульфосоединения, белки и др. Серу в этих соединениях определяют одновременно и объединяют названием общая сера . При решении некоторых вопросов, связанных с загрязнением поверхностных вод, определение общей серы дополняют определением сульфатов. По разности находят содержание несульфатной серы. [c.178]

Гамма-установки с сухой защитой. На установках этой группы отходы возникают при диспергировании радиоактивных загрязнений с оболочек источников и технологических каналов л становки. Количественной характеристикой интенсивности образования аэрозолей при диспергировании служит коэффициент диспергирования поверхностного загрязнения (е, м ). Выражение для определения суммарной активности отходов А, расп./с, образующихся на установках с сухой защитой за время /, следующее [c.123]

Если это необходимо, то до начала спектрального анализа стружка должна быть очищена от поверхностного загрязнения промывкой растворителем (например, эфиром, этиловым спиртом, бензолом или хлороформом). При определении следов железа разрешается кратковременная промывка стружки кислотой. [c.16]

При определении давления пара кинетическими методами следует учитывать, что в случаях, когда а<1, измеряемое давление пара может быть меньше равновесного давления насыщенного пара. Отличие коэффициента конденсации а от единицы может быть связано как со сложным характером взаимодействия молекул пара с поверхностью вещества, так и с наличием поверхностных загрязнений, например, пленки окислов, нитридов и т. д. [c.255]

До проведения любого эксперимента адсорбент необходимо предварительно обработать, и если его нельзя довести до чистого состояния, то по крайней мере его состояние должно обеспечить воспроизводимость результатов опыта. Поверхность можно очистить от летучих загрязнений откачкой или продувкой инертным газом. Материалы, подобные окислам алюминия и алюмосиликату, стабильны при 500 и 600° С. Таким образом, их можно предварительно обрабатывать при этих температурах. Часто нелетучие поверхностные загрязнения можно превратить в летучие обработкой кислородом или водородом. Однако важно, чтобы экспериментатор осознал, что поверхность часто запоминает тот последний газ, с которым она контактировала. Например, после обработки кислородом поверхность может содерн<ать избыточный кислород, а после обработки водородом возможен дефицит кислорода. И наконец, когда адсорбционный опыт проводится после предварительной обработки определенного вида, должна быть известна поверхность, соответствующая предварительной обработке. [c.373]

Анализ следов примесей в веществах высокой чистоты и сложных по составу объектах, анализ изоляторов, порошков, радиоактивных веществ, газов в твердых образцах, определение поверхностных загрязнений— далеко не полный перечень практических применений метода, рассматриваемых в книге. [c.552]

Масс-спектрометрию используют для определения хлора в поверхностных загрязнениях [31], некоторых органических соединениях [1025] и силикатных горных породах [654]. [c.131]

Технология склеивания включает учет факторов, обеспечивающих возможно более полный молекулярный контакт между адгезивом и субстратом. В отличие от закономерностей повышения адгезионной способности последних теоретически оправданный выбор этой технологии обусловлен характером проявления внешних параметров — температуры, давления, продолжительности, связанных со спецификой явлений смачивания, растекания и реологии. Проблемы, возникающие при определении температурных режимов склеивания, влияния давления и продолжительности процессов, достаточно полно освещены в литературе. Поскольку, по сути, они состоят в достижении равновесных условий формирования склеек, приводящих к закономерно когезионному характеру их разрушения, целесообразно остановиться только на наиболее принципиальных вопросах влияния данных факторов, кратко охарактеризовав также сущность и менее традиционных воздействий — освещения, электрического и магнитного полей и т.д. Предварительно обратим внимание на общее условие выбора технологических режимов склеивания — необходимость удаления граничных слоев пониж енной когезионной прочности, образующихся вследствие поверхностных загрязнений, миграции на поверхность фазы низкомолекулярных объемных примесей, деструкции адгезива в процессе склеивания и т. п. [15]. [c.36]

Для определения примесей в растворах можно использовать те же приемы, что и при анализе тонких пленок или поверхностных загрязнений. Одно из важных достоинств подобного подхода заключается в том, что в образец перед его нанесением (в виде пленки) на поверхность электрода можно ввести внутренний стандарт. Среди других преимуществ метода по сравнению с анализом металлических образцов необходимо отметить [c.361]

И, наконец, при определении поверхностных загрязнений иногда не ограничивается глубина эрозии образца. В этом случае примеси, находящ еся ка поверхности, определяются на фоне большего числа атомов, относящихся к объему пробы, что необходимо учитывать при интерпретации результатов. [c.159]

Сочетание активационного метода с вакуумной экстракцией повышает чувствительность определения азота за счет снижения поправки холостого опыта, устранения поверхностных загрязнений. Добавление в расплав носителей в виде кусочков ни- о келя и гидрида ниобия ускоряет экстракцию и увеличивает сте- пень извлечения азота. Основная часть азота выделяется за первые [c.240]

Небольшая глубина активируемого слоя обостряет проблему поверхностных загрязнений, особенно это относится к определениям кислорода. Поэтому для получения надежных данных о содержании определяемой примеси во внутренних частях пробы необходимо прибегать к травлению. Экспериментально показано, что толшина удаляемого слоя должна быть не менее 25 мкм [354]. Источники загрязнений поверхности проб могут быть самыми различными. Причем посторонние примеси могут попасть на поверхность даже в ходе облучения при сорбции паров масла от паромасляных насосов или через процесс ядер отдачи с поверхности мониторов или покрывающих фольг [355]. [c.302]

Определение различных форм углеродсодержащих загрязнений— важная аналитическая задача. Например, были получены данные о содержании углерода на поверхности и в объеме компактных образцов металлов Си, N1 и стали У8А [П]. Для этой цели был использован метод окислительного плавления металлов во взвешенном электромагнитным полем состоянии с последующим хроматографическим определением СОг. Поверхностный углерод определен на той же установке при выдерживании образцов вблизи температур их плавления. Найденные таким способом количества поверхностного углерода составляют 2—10% от общего его содержания. [c.223]

На таких материалах, как сталь, которая может находиться и в активном, и в пассивном состоянии в испытываемых средах, перед испытаниями обычно создают определенный уровень пассивного или активного состояния в специальных химических растворах. Для нержавеющих сталей обработку проводят в растворах азотной кислоты [6] с целью удаления поверхностных загрязнений, таких как следы железа, оставленного после обработки инструментами. Такие растворы способствуют также пассивации и соответственно несущественному растворению основного металла. , [c.538]

Анализ образцов селена (или теллура) начинают с облучения в реакторе определенной навески вещества и эталонов. Затем пробу промывают горячей разбавленной соляной кислотой для удаления поверхностных загрязнений и растворяют в концентрированной азотной кислоте. В ряде методов определения примесей в селене [26—28, 15] вначале выделяют основной компонент — селен (или теллур) гидразином из солянокислого раствора (во второй и третий раз добавляют по 20 мг носителей — селенистой и теллуристой кислот для возможно более полного удаления из раствора активных селена и теллура), а затем проводят последовательное выделение на носителях элементов-примесей. Известен также радиоактивационный метод определения С(3, Си, N1, Те и 7п в высокочистом селене [29], где вначале выделяют примеси на неактивных носителях из селенсодержащего раствора, при этом каждый элемент-примесь определяют из отдельной навески. После радиохимической очистки выделенных радиоизотопов определяют химический выход и измеряют активность. [c.448]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТЕПЕНИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ КАДМИЯ И ЦИНКА В ПРОЦЕССЕ ПЛАВЛЕНИЯ НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА [c.45]

При защитном окрашивании стальной поверхности, если покраска должна обеспечить длительную защиту, важно, чтобы прокатная окалина, ржавчина и другие загрязнения были удалены. При ретушировании или перекрашивании предыдущее покрытие, которое было повреждено или отстало от основы, должно быть удалено. Очистку можно производить с помощью скребков, проволочных щеток, шлифования, опескоструивания, травления (на промышленных установках) возможна огневая очистка, за которой следует очистка проволочными щетками. В качестве абразивов для сухой струйной очистки применяют оксид алюминия, силикат алюминия, железный силикат или оливиновый песок, а также стальную дробь или сечку. В прошлом самым распространенным абразивом был кварцевый песок, но теперь его разрешают использовать только при определенных условиях, так как кварцевая пыль может вызывать болезнь, называемую силикозом. Струйная очистка с помощью сжатого воздуха с сухим абразивом является самым распространенным методом подготовки для больших поверхностей под открытым небом. На промышленных установках осуществляют центробежную струйную очистку, при которой быстровращающееся колесо с лопатками выбрасывает абразив на стальную поверхность. В настоящее время начинают широко применять влажную струйную очистку, при которой в струю дроби вводится вода. В отличие от сухой струйной очистки она не дает пыли и в то же время удаляет воднорастворимые поверхностные загрязнения, например хлориды. [c.85]

Достоинства А. а, высокая специфичность, во. змож-ность одноврем. определения ряда примесей в одной навеске образца, отсутствие поправки контрольного опыта, т. к. все операции, в т. ч. травление образца для удаления поверхностных загрязнений, проводят после облучения. Недостатки относительно малая доступность источников активирующих частиц и 7-квантов (ядерных реакторов, циклотронов, нейтронных генераторов, линейных ускорителей и т. п.), радиац. опасность. Осн. области применения А. а. анализ чистых в-в, в т. ч. материалов, применяемых в радиоэлектронике, атомной энергетике, авиационной пром-сти и др. анализ геол. объектов экологич. исследования медицина. [c.18]

Схематическое изображение простой статической установки БЭТ приведено на рис. 4. Существенными частями установки являются адсорбционная ампула, в которой находится исследуемый образец, сосуд Дьюара для термостатирования образца при температуре жидкого азота, манометр для определения давления адсорбата, газовая бюретка, устройство для введения в систему дозированного объема инертного газа, обычно азота, и вакуумная система. Для соединения отдельных частей системы по возможности используются капиллярные трубки с тем, чтобы свести объем газа до минимума. Дополнительные устройства, не показанные на схеме, включают оборудование для предварительной обработки образца и баллон с гелием, используемым при калибровке. Для удаления поверхностных загрязнений и газов проводят предварительную обработку образца, обычно путем нагревания в вакууме. Предварительную обработку часто производят непосредственно в адсорбционной ампуле, при этом сосуд Дьюара просто заменяют нагревателем. Адсорбционная система (рис. 5), разработанная Эмметом [6], не пригодна для образцов с малой поверхностью (менее 5 м ). В действительности нижним пределом удельной поверхности служит величина 1 м г 1. Однако для того, чтобы снять хороший график БЭТ, в случае адсорбции азота необходимо иметь по крайней мере 5 м поверхности [81]. Для определения малых поверхностей твердых тел необходимо оборудование работающее при низких давлениях или обладающее высокой точностью. Эти специальные системы описаны Россом и Оливье. Техника изготовления стеклянных адсорбционных установок БЭТ описана Джойнером [7] и Файтом и Уилингамом [11], Схема подобной установки приведена на рис. 6. Для определения поверхности электродов Залкинд, Каннинг и Блок [ 8] использовали шестипозиционную установку БЭТ, изображенную на рис. 7. [c.311]

Четырехчасовое окисление применяют Для определения окисляемости сточных вод, таких, как фекальные, или значительно загрязненных поверхностных вод. Определение отличается от остальных способов условиями проведения окисления. Перманганат, не израсходованный на окисление, определяют йодометрически. Нормальность применяемого раствора перманганата (0,125 н. илл 0,0626. н.) выбирается в зависимости от степени загрязнения пробы. воды. [c.62]

Уравнения массопередачи для капель могут применяться с целью определения скоррстей переноса в распылительных колоннах, если известны размеры капель и задержка диспергируемой фазы (удерживающая способность— УС). Необходимо отм,етить, что все яриве-денные выше методы основаны на идеализированных моделях, которые не всегда соответствуют реальным условиям. Колебания (осцилляция) капель, их деформация, влияние поверхностных загрязнений, влияние массопередачи на состояние поверхности раздела фаз, а также влияние многих других факторов обусловливают отклонения действительных скоростей массопередачи от рассчитанных на основе упрощенных моделей. Многие 11сс41едоБатели, чтобы лучше понять действительные механизмы переноса, изучали поведение капель и состояние поверхности раздела фаз [c.464]

Когда металлический полупроводник или диэлектрик подвергают бомбардировке ионами инертного газа, имеющими определенное критическое значение энергии, то происходит удаление поверхностных атомов твердого тела. Этот процесс носит название распыления. Явление распыления известно довольно давно еще Ленгмюр использовал его в своих исследованиях, посвященных изучению возможности очистки вольфрамовых проволок, содержащих примеси тория [69]. Форнсворт и сотр. весьма широко использовали этот метод для получения атомночистых поверхностей металлов и полупроводников. Мур [70] также довольно успешно применил метод распыления. Несмотря на то что этот метод позволяет удалять поверхностные загрязнения, которые очень трудно, а часто и невозможно удалить иными способами, следует иметь в виду, что такая обработка сопровождается интенсивным нарушением поверхпости и некоторые из молекул бомбардирующего газа внедряются в кристаллическую решетку твердого тела [71]. Следовательно, желательно после ионной бомбардировки твердого тела прогреть его в вакууме. Эта процедура преследует двоякую цель отжиг дефектов кристаллической решетки и удаление захваченных молекул газа [23, 32, [c.72]

Масс-спектрометрия, масс-спектрография, масс-спектральный анализ, искровая масс-спектроскопия. При соударении быстро движущихся электронов с нейтральными молекулами анализируемого газа из последних выбивается один или несколько электронов, т.е. молекулы ионизируются, образуются положительно заряженные ионы. В результате одновременного действия электрического и магнитного полей происходит разделение частиц с разным отношением массы к заряду (масс-спектр). Различающиеся по массе частицы различно отклоняются в магнитном поле от отрицательно заряженного электрода. Метод позволяет находить количество и массу ионов, получаемых из исследуемого вещества. Масс-спектрометрию применяют для установления изотопного состава, определения микропримесей, для локального анализа полупроводниковых пленок, поверхностных загрязнений, послойного анализа (толщина слоев 3,5—10 нм) [46, 58, 59]. См. хромато-масс-спектрометрия. [c.19]

Еще одним существенным недостатком спектрального метода является то, что при его помощи возможно определение содержания водорода только в отдельных точках тонкого поверхностного слоя, вследствие чего результаты определения водорода будут в значительной мере зависеть от адсорби-рованнбй на поверхности металла пленки влаги и от всевозможных поверхностных загрязнений. Особенно это будет сказываться при анализе малых содержаний водорода (1,0—0,5 см / /100 г). При наличии неравномерного распределения водорода в металле результаты спектрального анализа не будут правильно отражать среднее содержание водорода в пробе. [c.197]

Определение поверхностных загрязнений показало, ЧТО кремний адсорбирует кислород и азот в количествах 1.10 и 1.10 ат1см . Водород в адсорбированных газах не обнаружен. [c.158]

Частны.м случаем послойного анализа является регистрация поверхностных загрязнений, что играет большую роль при разработке методов удаления прнмесей с поверхности, подложек перед выращиванием тонких пленок, В настоящее время методикам очистки поверхности полупроводннковых пластин, а также ее обработки без внесения вредных примесей уделяется большое внимание. В числе задач определения поверхностных загрязнений можно также назвать сорбцию гг десорбцию примесей, изучение реакций на поверхности твердого тела и другие. [c.152]

Определение поверхностных загрязнений. При анализе примесей, находящихся в объеме пробы, загрязненные участки поверхности искажают масс-спектрометрические результаты. Однако, как было показано выше, в ряде случаев именно опре-делен1 е поверхностных загрязнений является целью исследования. [c.159]

В л тературе можно встретить сообще 1 1я, посвященные масс-снектрометрическоыу анализу тонких металлических пленок. В них, как правило, глубина эроз и пробы значительно превышает толщину пленки, и в спектре масс присутствует большое количество атомов, относящихся к материалу подложки. Поэтому подобный метод анализа тонких пленок аналогичен идентификации поверхностных загрязнений. Так, например,. Мали [30] использовал масс-спектрометр с искровым ионным источником для определения примеси мсл бдена в танталовой пленке толщиной 0,4 мкм, выращенной на подложке 13 графита. Противоэлектрод был Зготовлен из золота, а ниобий, содержащийся в пленке, служил внутренн и стандартом. Автору удалось определить концентрации молибдена от 0,02 до 3,1 ат.% в спектре масс тантала. [c.160]

Для сравнения электромагнитных свойств отожженного металла и определения количества загрязнений на единицу поверхности ленты от середины двух рулонов каждой плавки отбирали пробы до и после обезжиривания по партиям, соответствующим методам очистки. Величину поверхностных загрязнений определяли взвещиванием четырех — пяти образцов размером 150Х XI50 мм до и после очистки в лабораторных условиях. [c.263]

Помимо высокой чувствительности несомненными достоинствами метода являются высокая специфичность, основанная на характерных свойствах радиоактивных изотопов — периоде полураспада и энергии излучения возможность одновременного определения ряда примесей в одной навеске образца отсутствие необходимости количественного выделения следов элементов, поскольку применение носителей позволяет учесть потери при химических операциях отсутствие поправки на глухой опыт— чистоту применяющихся носителей и реактивов, так как все химические операции, в том числе и травление образца для удаления поверхностных загрязнений, проводятся после облучения образца и не могут внести радиоактивных примесей. Последнее обстоятельство особенно важно, так как именно чистота реактивов зачастую ограничивает возможности химических и физико-химических методов определения малых количеств примесей, требующих большого предварительного обогащения, таких, как колориметрия, ультрамикрохимия, химико-спектральные методы, осцилло-графическая полярография и т. д. [c.144]