Взаимодействие и упорядочение дефектов

Оценка деформационного взаимодействия точечных дефектов дает для энергии упорядочения величину У— где V— объем, [c.323]

С тех пор как было установлено существование точечных дефектов в кристаллических веществах, стало известно, что эти дефекты способны взаимодействовать друг с другом. Первоначально внимание исследователей было обращено на наиболее заметные физические. эффекты, связанные с наличием изолированных точечных дефектов, например на особенности спектров и электронных свойств твердых тел, а природа взаимодействий между дефектами не обсуждалась. Однако ясно, что химические свойства кристаллических твердых веществ в значительной мере определяются взаимодействиями дефектов — одинаковых или различных — взаимодействиями, приводящими к образованию комплексов дефектов и далее в результате кооперативного взаимодействия к агрегатам или упорядоченным структурам из дефектов или их комплексов. Данную статью не следует рассматривать как обзор обычного типа, в ней лишь излагается определенная точка зрения по этому вопросу. Мы попытаемся разобрать физические модели и механизмы, на основе которых можно объяснить некоторые химические и физические свойства твердых веществ. Мы не будем рассматривать здесь линейные дефекты или дислокации, которые также могут взаимодействовать с точечными дефектами или между собой и играют важную роль в кинетике химических реакций твердых веществ. [c.371]

До сих пор мы рассматривали только взаимодействие одинаковых или разных точечных дефектов с образованием простых комплексов, которые могут возникнуть в любом месте кристалла. Для образования новой фазы несомненно требуется, чтобы такие дефекты соединялись между собой с возникновением упорядоченных агрегатов, которые в предельном случае становятся новой фазой. До недавнего времени для описания взаимодействия точечных дефектов в кристалле почти не привлекались простые модели статистической механики. В связи с этим интересно рассмотреть случай простого твердого тела, содержащего простые дефекты одного типа для образования таких дефектов требуется затратить энергию, равную Еа- Если предположить, что дефекты взаимно притягиваются (а имеется достаточно много сведений о том, что это в принципе [c.375]

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УПОРЯДОЧЕНИЕ ДЕФЕКТОВ [c.153]

Когда концентрация дефектов в кристалле невелика, отдельные дефекты удалены друг от друга и нх взаимным влиянием можно пренебречь. При больших концентрациях дефектов расстояния между соседними дефектами невелики и можно ожидать частичного перекрытия областей локального искажения энергетического поля кристалла, связанных с образованием точечных дефектов. Перекрытие этих областей приводит к возникновению сил взаимодействия между дефектами (притяжение или отталкивание). Любое взаимодействие, если оно осуществляется в системе частиц (например, в кристалле), стремится привести систему в некоторое упорядоченное состояние, при котором позиции атомов и дефектов будут обусловлены требованием минимума энергии. [c.153]

С термодинамической точки зрения процессы упорядочения дефектов можно рассмотреть следующим образом. Стабильность фазы определяется энергией Гиббса ее образования. Обозначим ДС =ДЯ —TAS энергию Гиббса образования неупорядоченной фазы из одной или смеси двух упорядоченных фаз, конкурирующих с ней по стабильности в том же интервале составов. Если упорядочение определяется взаимодействием дефектов, то образование упорядоченной структуры является экзотермическим процессом. Значит, энтальпия разупорядочения АН положительна. [c.174]

В случае замещенных ферритов концентрация дефектов заметно возрастает, вследствие чего взаимодействие между дефектами становится существенным и им пренебрегать нельзя. Это взаимодействие может приводить к образованию различных комплексов — ассоциатов или кластеров, которые следует рассматривать как новую разновидность дефектов. Такие комплексы могут находиться в ионизированном или нейтральном состоянии. В ферритах, например, широко известны комплексы, которые состоят из междоузельного атома Ре + и двух вакансий в Ур , т. е. ( ре Упорядочение комплексов в ряде случаев приводит к образованию новых фаз. [c.38]

Однако локальные искажения кристаллической решетки не являются единственным видом искажений, возникающих в результате взаимодействия точечных дефектов. Упорядочение дефектов может привести к образованию сверхструктуры или структуры сдвига. Причем образование сверхструктуры происходит путем ассимиляции вакансий или внедренных атомов (ионов). Одинаковые по заряду дефекты, стремящиеся занять наиболее удаленные друг от друга позиции, по мере увеличения их концентрации под действием отталкивающих сил размещаются в вполне определенных кристаллографических узлах. [c.40]

В заключение отметим, что имеется ряд равноправно существующих моделей, описывающих взаимодействие точечных дефектов, образование ассоциатов, сверхструктур, упорядочение и аннигиляцию дефектов путем перегруппировки координационных полиэдров. Некоторые типы дефектов в кристаллах ферритов и их влияние на физические свойства будут рассмотрены в главах 4 и 5. [c.41]

Если дефекты распределены статистически (т. е. отсутствует упорядочение), то некоторое их количество может оказаться ближайшими соседями в этом случае возможны ассоциации дефектов, например, пары вакансий. Пара вакансий ведет себя как некий новый дефект, обладающий характерными для него свойствами. Если между дефектами действуют силы взаимодействия, то концентрация комплексов дефектов может быть больше (при наличии сил притяжения между дефектами) или меньше (действие сил отталкивания), чем чисто статистическая их концентрация. Силы взаимодействия между дефектами могут быть вызваны силами электростатического взаимодействия зарядов, иногда сопровождающегося поляризационными эффектами, силами, соответствующими образованию ковалентных связей между дефектами, силами, обусловленными упругими взаимодействиями. При наличии сил взаимодействия образование ассоциированных дефектов может быть описано квазихимическим уравнением [c.172]

В ряде соединений дефекты могут отталкиваться друг от друга. Комбинация сил отталкивания и притяжения между дефектами и атомами кристалла приводит не только к ассоциации дефектов, но и к их упорядочению. Упорядочение дефектов является причиной малых сдвигов атомов кристалла из их положений равновесия в кристалле. Структуры, у которых дефекты упорядочены, рассматриваются как новые фазы, которые не существуют в области нестехиометрии обычных нестехиометрических соединений. Поэтому отталкивание взаимодействующих дефектов будет также приводить к образованию новой фазы и ограничению области существования нестехиометрических соединений. [c.25]

Было показано [31—33], что взаимодействие точечных дефектов может привести и к более серьезным структурным изменениям, нежели локальные искажения решетки. Речь идет об упорядочении дефектов с образованием сверхструктуры или структуры сдвига. Первая возникает путем ассимиляции вакансий или внедренных атомов одинаковые по заряду дефекты стремятся занять более удаленные друг от друга позиции, но по мере увеличения их концентрации отталкивающие силы заставляют дефекты занимать вполне определенные кристаллографические узлы. При некоторой концентрации вакансии или внедренные атомы полностью упорядочиваются с образованием сверхструктуры. Естественно, что упорядоченные дефекты связывают друг друга они значительно менее подвижны, чем неупорядоченные и, строго говоря, не могут рассматриваться как дефекты во вновь возникшем кристаллографическом порядке. В качестве дефектов теперь выступают любые нарушения сверхструктуры, а не основной структуры, существовавшей первоначально. [c.99]

Ориентацией называется технологический процесс, при котором пол действием внешних сил улучшается взаимное упорядочение макромолекул в аморфных и кристаллических областях полимера и устраняются дефекты в структуре цепей. Благодаря этому значительно повышается интенсивность межмолекулярного взаимодействия, вследствие чего полимер приобретает новые ценные свойства. [c.279]

Поясним сказанное на примере закрытой однородной системы без химического превращения. Пусть данная система взаимодействует с окружающей средой термически и механически, причем давление в системе остается постоянным, а температура меняется. С изменением температуры внутренняя структура в такой системе, вообще говоря, преобразуется. Так, при нагревании какой-либо жидкости от температуры кристаллизации до температуры кипения квази-кристаллическая структура, присущая охлажденной жидкости, постепенно разрушается, а степень упорядоченности частиц снижается. Если процесс структурных преобразований в системе не встречает заметных затруднений, обусловленных внутренними причинами, например высокой вязкостью среды, то он совершается практически обратимо (квазиравновесно). В противном случае он приобретает все черты необратимого процесса. При достаточно выраженной заторможенности структурной релаксации система переходит практически в стационарное состояние, являющееся, безусловно, неравновесным. Представителями такого типа систем могут служить стекла, а также кристаллические тела, решетка которых по ряду признаков (например, по числу дефектов в ней) не соответствует равновесному состоянию. Наблюдение за подобного рода объектами в течение длительного времени позволяет убедиться в их фактической нестационарности. [c.230]

Существование точечных дефектов того или иного типа в любом кристаллическом твердом теле при температуре, отличной от абсолютного нуля, совершенно необходимо с точки зрения термодинамики, так как строго упорядоченная структура кристалла имеет минимальную потенциальную энергию, а увеличение энергии вызывает нарушение регулярности структуры. При низких концентрациях (меньше одного дефекта на 10 атомов) дефекты, по-видимому, существуют совершенно независимо друг от друга и не взаимодейст-вуют между собой, хотя в некоторых системах такого рода предполагается образование групп дефектов в виде кластеров. При более высоких концентрациях дефекты начинают взаимодействовать между собой. Мы будем рассматривать следующие типы точечных дефектов 1) вакансии, 2) заполнение междоузлий и 3) дефекты замещения. Каждый из этих дефектов создает в решетке локальное напряжение и локальное перераспределение зарядов. [c.372]

Рассмотрим применимость понятия о кооперативном взаимодействии дефектов с более общих позиций на примере превращений того или иного рода в простом твердом теле постоянного состава. Несомненно, что именно такую природу имеют превращения типа порядок — беспорядок, магнитные и ферроэлектрические эффекты упорядочивания [13]. Еще одним примером подобного перехода служит процесс плавления, для которого известны связанные с опережением эффекты, проявляющиеся в макроскопических свойствах, но не существует ни одной строго обоснованной модели [14]. Наиболее существенными физическими особенностями процесса плавления являются 1) сохранение дальнего порядка вплоть до температуры плавления и его полное исчезновение при такой температуре, 2) внезапное разрушение кристалла при температуре плавления и 3) существование эффектов, предшествующих плавлению, и эффектов, проявляющихся непосредственно после плавления. Они проявляются в различных физических свойствах, таких, как теплоемкость, коэффициент теплового расширения и т. д. Излагаемые здесь предположения о механизме плавления основываются на существовании дефектов типа вакансий. Несомненно, что наиболее важное различие между твердым и жидким состояниями состоит в том, что в твердом теле существует дальний порядок, а в жидкости он отсутствует. В различных моделях, предложенных ранее, такое изменение порядка связывалось с резким изменением энтропии, которое действительно происходит при плавлении. В свое время были предприняты попытки связать процесс плавления с изменением упорядоченности структуры за счет увеличения числа вакансий при достижении температуры плавления. На этой основе было предложено несколько теорий [151, против которых, однако, можно высказать следующие возражения 1) равновесная концентрация вакансий должна быть очень небольшой вплоть до температуры плавления и 2) концентрация вакансий в кристалле должна [c.380]

Поскольку дефекты в указанных оксидах электрически заряжены, естественно, что при высоких концентрациях сильное электростатическое взаимодействие должно приводить к их упорядоченному расположению. [c.48]

В тех случаях, когда структура образующегося полимера не соответствует структуре кристалла мономера, очевидно, упорядоченность структуры исходного мономера не является фактором, благоприятствующим полимеризации. В этих случаях вследствие того, что межатомные расстояния в полимере меньше, чем межмолекулярные расстояния в исходном кристалле, при полимеризации должно происходить смещение молекул из начального положения и появляться разрывы в кристаллической решетке, куда переходят за счет диффузии молекулы мономера и взаимодействуют с концом растущей полимерной цепи. Это наблюдается при полимеризации стирола и акриламида, когда образуются полимеры с неупорядоченной структурой. Такие вещества лучше полимеризуются в кристаллах с большим числом дефектов, облегчающих рост цепей. Однако и в этих случаях, и даже в аморфном состоянии, полимеризация протекает лучше, чем в жидкой фазе, так как в твердой фазе затруднено свободное перемещение молекул, а следовательно, ослаблено торможение процесса, что наблюдается в жидкости. [c.333]

Появление дефектов в кристаллической решетке вызывает изменение ее структуры. Если изменение заканчивается образованием новой упорядоченной структуры, например образованием структур взаимодействия, то такие превращения рассматриваются как фазовые переходы второго рода. В отличие от фазовых переходов первого рода, которые сопровождаются скачкообразным изменением кристаллической структуры, для фазовых переходов второго рода характерно с изменением температуры постепенное изменение структуры. Оно сопровождается монотонным изменением энтальпии, энтропии и объема фаз. [c.221]

По прочности стеклопластики представляют собой прогрессивный тип композитного материала с полимерной матрицей и упругими прочными волокнами наполнителя. Теоретически для оптимального взаимодействия составляющих такого материала при передаче нагрузки необходимо, чтобы армирующие волокна занимали определенную часть общей площади поперечного сечения и имели достаточную длину. При упорядоченном или случайном распределении волокон в направлении действующих напряжений достигается известное повышение прочности составного материала и сравнительно небольшая чувствительность к температуре и условиям нагружения. Материал этого типа обладает умеренной чувствительностью к дефектам и концентрации напряжений. Правильно выполненное армирование приносит некоторые дополнительные выгоды, в частности, в связи с тем, что прочность при сложном напряженном состоянии повышается неодинаково в направлениях действия различных составляющих [c.285]

Лечером в 1937 г. [526] воопроизведено экспериментальное поведение системы палладий — водород [17, стр. 453—456]. Он допускает взаимодействие между дефектами и полагает, что возрастание давления водорода увеличивает концентрацию дефектов (в этом случае — промежуточно внедренные атомы Н) до значения, где их количество приводит к упорядоченному расположению, достаточно широкому, чтобы быть переходным и подготовить твердое вещество для получения качественно новой фазы. Рассматривая взаимодействие между [c.176]

При взаимодействии с дефектами домена свободный экситон локализуется. Локальный экситон, соответствующий средней связи, охватывает несколько соседних молекул жидкости и объединяет их в возбужденный агрегат — эксимер. Вследствие резонансного взаимодействия эксимера с окружающими невозбужденными молекулами в его окрестности повышается ориентационный ближний порядок. Движение локального экситона представляет последовательный переход состояния эксимера на ближайшие соседние молекулы. Вместе с локальным экситоном в жидкости распространяется и состояние локальной упорядоченности — ориентон [5], который защищает экситон от тушащих тепловых соударений. [c.95]

Наличие взаимодействия дефектов создает тенденцию к их упорядоченному взаимному расположению в кристалле. Тенденции к упорядочению дефектов противостоит тепловое разупорядочение, увеличивающееся при повышении температуры. При температурах ниже некоторой критической температуры можно ожидать проявле- [c.173]

В нестехиометрических фазах с сильно упорядоченными дефектами (структуры сдвига) диффузия, несомненно, носит кооперативный характер и не всегда требует участия точечных дефектов. Этим, в частности, объясняют необычайно высокую скорость взаимодействия МоОз и Nb205, наблюдавшуюся Андерссоном [63]. [c.114]

Другим примером пространственных диссипативных структур является решетка вакансионных пар, экспериментально обнаруженная Дж. Эвансом в 1970 г. при исследовании микрос1рук1уры молибдена, облученного ионами азота. Известно, что облучение металла быстрыми частицами (нейтронами, ионами) приводит к образованию в кристаллической решетке точечных дефектов — вакансий и меж-узельных атомов, При повышении температуры эти вакансии, двигаясь в кристалле, образуют сложные кластеры дефектов в виде сферических вакансионпых пор и плоских дислокационных петель. Обычно такие кластеры образуют пространственно однородную систему. Однако при определенных условиях облучения вакансионные поры располагаются упорядоченно в виде правильных сверхрешеток , тип которых совпадает с типом кристаллической решетки металла которые имеют период, в сотни раз превышающий период этой решетки. Образоваше таких упорядоченных структур вакансионных пор вызывано нелинейным динамическим взаимодействием точечных дефектов с мелкими вакансионными кластерами и диффузионным взаимодействием между порами. [c.285]

В. К. Опарой, Н. И. Медведевой и Г. В. Левенковой на кафедре коррозии металлов МИСиС, получена сложная кривая с двумя максимумами (рис. 94), первый из которых с повышением температуры окисления смещается в область более низких значений ро, с примерно неизменяющейся максимальной скоростью окисления меди, а второй существенно увеличивается с повышением температуры при неизменном критическом давлении ро, = 16 мм рт. ст. Наступление высокотемпературной пассивности при первом максимуме может быть обусловлено взаимодействием дефектов в окисле СпаО с образованием устд-йчивых комплексов типа /СиЦ /Си2 /СиЦ7, что приводит к уменьшению эффективной концентрации катионных вакансий и электронных дырок в окисле, а это в свою очередь ведет к уменьшению скорости окисления вследствие торможения процесса Си —> Си +е. При дальнейшем увеличении ро, объединение дефектов в упорядоченные агрегаты облегчает появление новой фазы СиО и усиление окислительного действия [c.134]

Нефтяной, пековый и каменноугольный коксы, а также антрацит отличаются от материалов с высокой степенью упорядоченности тем, что они легко образуют межслоевые соединения со щелочными металлами (К, КЬ, С , Ь1), труднее взаимодействуют с хлоридами переходных металлов и практически не образуют МСС с галоидидами. По-видимому, дефекты в структуре графитирующихся веществ являются акцепторами электронов, способствуют снижению уровня Ферми, что благоприятствует образованию МСС с донорами электронов и препятствует этому процессу с акцепторами электронов. Для дости- [c.253]

Твердое тело можно рассматривать как совокупность большого числа атомов, молекул или ионов ( 10 моль" ), связанных друг с другом обычными силами межатомного взаимодействия (см. гл. 4). Свойства твердого тела являются коллективными свойсгвами всей совокупности составляюишх его частиц. Твердое тело является в некотором роде большой молекулой , и подходы к описанию его свойств принципиально не отличаются от рассмотренных )з предыдущих главах для молекул. Однако большое число атомов, образующих твердое тело, делает невозможным прямое перенесение на него методов количественного расчета электронных и пространственных характеристик молекул и требует учета упорядоченности структуры твердого тела. В данной главе проиллюстрируем основную схему описания электронного строения твердых тел на примере атомных и молекулярных кристаллов, включающих бесконечное число идентичных атомов или молекул, однородно упакованных в регулярные ряды и плоскости, заполняющие весь объем кристалла. В отличие от такого идеального кристалла реальные кристаллические тела содержат дефекты кристаллической решетки, нарушающие регулярность. Крайним случаем нарушения регулярности является совсем случайное, хаотическое расположение атомов или молекул в твердом теле, какое наблюдается в аморфных твердых телах, как и в жидкостях. В зависимости от степени регулярности расположения атомов или молекул в твердом теле используют и различные модели для описания их строения и свойств. [c.523]

В исследовательском плане разработка висмутсодержащих ВТСП ведется по различным направлениям [3, 11]. Среди них синтез материалов с улучшенными технологическими свойствами при воздействии полей, ионизирующей радиации, повышенного давления кислорода. Кроме того, выяснение роли примесей, особенно с учетом того, что межзеренные эффекты являются определяющими для уровня критических токов, устойчивости к дефадации, распределению двойников. Влияние примесей на сверхпроводимость не вызывает сомнений, потому и необходимо каждый раз выяснять общее содержание примесей, тип активно влияющих на сверхпроводимость и индифферентных примесей, распределение примесей по границам зерен и тип их вхождения в структуру сверхпроводника путем замещения или внедрения, взаимодействие примесей с кислородом и анионными дефектами, влияние примесей на упорядочение или нарушение порядка в расположении дефектов с учетом дырочного характера проводимости, влияние дисперсности частиц на сверхпроводимость. [c.239]

ТВЕРДОФАЗНАЯ ПОЛИМЕРИЗАЦИЯ. полимеризащ Я мономеров, находящихся в кристаллич. или стеклообразном состоянии. Инициируется гл. обр. ионизирующими излучениями, а также светом, механохимически и др. Б тв. фазе полимерные цепи образуются из упорядоченных агрегатов молекул мономера, реагирующие группы к-рых (кратные связи, циклы) контактируют друг с другом. Структура ТВ. мономера и межмол. взаимодействие определяют хим. структуру и конформацию образующихся макромолекул, а также скорость их роста. Реакционная способность тв. мономера резко возрастает вблизи протяженных дефектов, напр, на границах зерен. Обычно Т. п. протекает медленнее, чем жидкофазная, однако в определ. условиях (напр., при кристаллизации стекла, при сдвиговых деформациях в кристаллах под давлением) скорость ее аномально высока и значительно превышает скорость полимеризации в жидкой фазе. [c.560]

Теллуриды п селениды имеют очень широкий интервал составов. Для этих соединений отмечено аномальное расхождение между плотностями экспериментально измеренными и рассчитанными по рептгеноструктурным данным. Эту аномалию можно объяснить, только допустив, что замеш ение в структуре Сб сопровождается одновременным удалением части атомов неметалла в соединениях промежуточного состава. Подобный же эффект наблюдается для нестехиометрических окислов и сульфидов, имеюш их структуру Bi. Анионная решетка у них оказывается заполненной только до состава ВХ j. Упорядочение в соединениях, приближаюш ихся по своему составу к ВХ-2, происходит с большим трудом. По-видимому, это связано с наличием механических дефектов, возникаюш,их из-за того, что все слоистые структуры склонны легко образовывать плоскости скалывания. Кроме того, причиной этих трудностей является также и то, что в дефектных слоях не все атомы металла занимают соответствующие позиции, поскольку в этом случае возможны взаимодействия только ближнего порядка. Исключение составляет система Те, имеющая невыясненную пока сверхструктуру, [c.167]

Здесь речь пойдет об ионных жидкостях вблизи их температур плавления (расплавах), свойства которых весьма близки к свойствам кристаллов с дефектами структуры. Из-за сильных электростатических взаимодействий соли в значительной мере сохраняют при плавлении ближнюю упорядоченность. Ближайшими соседями катионов остаются анионы, а вторую координационную сферу образуют катионы [291]. При плавлении расстояние максимального сближения уменьшается примерно на 0,15 А, а число ближайших соседей уменьшается (например, для щелочных галогенидов от 6 до 3,5) [562]. Объемные изменения при плавлении положительны (примерно + 20% для щелочных галогенидов), что указывает на образование пустот в расплаве. Пустоты могут выступать в качестве вакантных центров, соответствующих по своим размерам ионам, примерно по одной дырке на каждые шесть ионных узлов (квазирешеточная модель расплава), или могут иметь более или менее непрерывное распределение по размерам и расположению (дырочная модель), или, наконец, дефектность структуры можно представить в виде переплетающих линий, образованных вакансиями и ионами в междоузлиях, как в неупорядоченном кристалле (теория значащих структур) [93]. Для органических солей обычно предлагаются и другие модели для описания строения расплава и сохранения в нем отдельных особенностей кристаллической структуры. Так, например, характерное для солей R NX в кристаллическом состоянии перекрывание элкильных цепей соседних ионов R4N+. как предполагается, сохраняется и в расплаве [172]. [c.240]

Строение любых систем определяется силами межмолекулярного взаимодействия и тепловым движением частиц. Для кристаллов при всех температурах потенциальная энергия в расчете на одну частицу заметно превышает кГ, благодаря чему частицы располагаются в пространстве упорядоченным образом, образуя кристаллическую решетку. Тепловое движение частиц сводится к их колебаниям в узлах решетки, вращению (если группы атомов, расположенные в узлах, обладают достаточной симметрией, как для ЫН4С1 йли кристаллов бромистой камфсры), частичному разупорядочению решетки — образованию структурных дефектов. [c.225]

Отношение этих пленок к обработке током воздуха, содержащего 5% этилена, при 380° также оказывается необычным. На рис. 5 изображена зависимость сопротивления постоянному току от времени. В этом случае повышенная степень взаимодействия в тонкой пленке приводит к падению ее сопротивления постоянному току даже ниже сопротивления толстой пленки. Далее можно видеть, что в некоторой точке сопротивление толстой пленки снова возрастает, вероятно, вследствие перестройки решетки УаОв, обладающей большим количеством дефектов, в более упорядоченную решетку Уг04,з4 или Уг04. Тонкая пленка, по-видимому, представляет собой значительно менее устойчивую, непрерывно восстанавливающуюся структуру, а единственная точка излома указывает на преобразование [c.242]

Электрические свойства кристаллических полупроводников в сильной мере зависят также от характера кристаллической структуры и ее совершенства. Неизбежные дефекты в структуре кристаллических полупроводников в значительной степени маскируют структурно-химическое взаимодействие в них. В отличие от кристаллических полупроводников полупроводники стеклообразные, являясь переохлажденными жидкостями, могут иметь почти бесконечное разнообразие составов. У стеклообраз- ных полупроводников отсутствует кристаллическая структура, а имеется лишь определенная структурно-химическая упорядоченность [4]. Поэтому при изучении стеклообразных полупроводников в большей степени, чем при изучении кристалличе- [c.65]