Галогены испарения

Рис. 15.18. Влияние водородной связи на температуру плавления, температуру кипения и теплоту испарения ДЯ ,,п некоторых веществ. Сравните данные для благородных газов и соединений водорода с элементами группы углерода с данными для соединений водорода с элементами групп азота, кислорода и галогенами. В каких веществах больше всего проявляется влияние водородных связей

Значения температуры кипения и теплоты испарения жидких галогеноводородов, приведенные в табл. 26.3, свидетельствуют о том, что наименьшая тенденция к ассоциации имеет место у хлористого водорода. Энергия связи в ряду НР — Н1 уменьшается, что обусловлено резким возрастанием числа электронов в атомах галогенов в ряду Р — I, а также уменьшением различия в энергии уровней и подуровней по мере увеличения числа электронных слоев. В результате этого уменьшается степень перекрывания орбиталей водорода и галогена и возрастает межатомное расстояние. Моменты диполей галогеноводородов в связи с уменьшением тенденции к разделению зарядов и увеличением межатомных расстояний в той же последовательности существенно уменьшаются. [c.317]

Разработана методика определения иода и брома в природных водах и вытяжках из горных пород. Иод и бром концентрируют путем соосаждения их с хлоридом серебра, образующимся при добавлении к пробе раствора нитрата серебра. Хлорид-ион добавляют только в тех случаях, когда его содержание в пробе ниже 15 мг/л. Объем пробы 100 мл, при этом коллектора может быть от 6 до 40 мг в зависимости от содержания в пробе хлора. Полученный осадок растворяют в растворе аммиака, добавляют цинковую пудру и раствор оставляют на сутки. Цинк с выделившимся серебром отфильтровывают, а фильтрат выпаривают с 1 г кварцевого порошка. Кварцевый порошок, содержащий галогениды цинка, тщательно перемешивают с сульфатно-окислительной смесью и анализируют, испаряя из стеклянной колбы. Благодаря низкой температуре кипения иодида и бромида нинка (624 и 650 °С соответственно) для их полного испарения достаточен умеренный нагрев. Спектры начинают регистрировать спустя 60 с после начала нагрева при этом начинается поступление в аналитический промежуток паров галогенов. Экспозиция 90 с. В связи с тем, что пары иода и брома поступают в аналитический промежуток неодновременно, перед щелью спектрографа установлена диафрагма с фигурным вырезом, передвигаемая во время съемки спектров и позволяющая фотографировать различные во времени фазы испарения. Полученный спектр состоит из трех строчек первая соответствует времени максимального поступления паров иода, третья — времени максимального поступления паров брома, вторая — суммарный спектр всей экспозиции. Предел обнаружения составляет 10 мкг иода и брома в осадке, в пересчете на 100 мл воды — 0,1 мкг/мл. [c.258]

Термическое фасетирование часто бывает выражено яснее, если нагревание проводят не в вакууме, а в присутствии реакционноспособных газов. Это вызывается влиянием хемосорбции на ориентационную анизотропность испарения, а также на поверхностную энергию граней и поверхностную диффузию. Наиболее подробно исследовано влияние кислорода, но термическое фасетирование наблюдается также в присутствии галогенов и серы. Термическому фасетированию подвержены самые различные металлы, в том числе Ag, Аи, Си, Ре, N1, Р(1, Р1, Гг и У. Данные по этому вопросу обобщил Мур [56], а в более поздних работах Тейлора [57], а также Ли и Ми [58] подробно исследуется вольфрам. Способность разных граней к фасетированию и тип образующихся граней в присутствии адсорбата могут быть иными, [c.134]

К системе отопления технологических циклонов, в том числе и циклонных реакторов для огневого обезвреживания сточных вод, по сравнению с энергетическими циклонными топками предъявляются более жесткие требования. Если в энергетических циклонных топках процесс горения может занимать весь объем циклона и даже выходить за его пределы, то в технологических циклонах основная масса топлива должна выгорать в его головной части. Только в этом случае обеспечиваются наилучшие условия тепло-мас-сообмена газов с обрабатываемым материалом и создаются предпосылки обеспечения высоких удельных нагрузок. Необходимость высокофорсированного сжигания топлива в головной части циклонного реактора объясняется тем, что основная зона реактора работает при пониженных температурах 950—1000° С, и тем, что в составе сточных вод могут быть ингибиторы горения углеводородного топлива (соединения галогенов и другие). Эти обстоятельства резко ухудшают условия горения топлива, особенно мазута, и могут привести к появлению существенного химического недожога на выходе из циклонного реактора. Таким образом, в циклонном реакторе для огневого обезвреживания сточных вод должны быть две зоны — горения топлива и технологическая, в которой осуществляются испарение капель воды, окисление органических примесей, образование и улавливание расплава минеральных примесей и некоторые другие процессы. Размещение горелочных устройств [c.17]

Контактную массу помещают в контактные трубки из стекла, фарфора, стали, меди и т. п., для обогрева которых предусмотрены специальные бани или электрообогрев. Важным фактором является регулирование температуры, от которой в значительной степени зависит выход и состав продукта реакции. При применении реактора с неподвижной контактной массой очень трудно обеспечить тесное соприкосновение газообразных компонентов реакции со всей поверхностью контактной массы. Это особенно заметно при использовании порошкообразной контактной массы, в которой образуются каналы. Через эти каналы проходит органический галогенид, вследствие чего реакция в них протекает очень быстро и происходит перегрев контактной массы. На остальных участках контактной массы, куда органический галогенид поступает только в результате диффузии, реакция не протекает. Значительным улучшением этого способа является применение формованной контактной массы, вследствие чего органический галогенид равномерно проходит через нее в течение всего времени реакции, причем кремний расходуется постепенно и равномерно. Органический галогенид вводится в контактную трубку в газообразном виде. Если в реакционную камеру вводят газ, например водород, инертный газ, галоген или галоидоводород, то перед вводом в контактную трубку его смешивают с органическим галогенидом. Если органический галогенид представляет собой жидкость, то его подают в испаритель. Скорость испарения и давление паром органического галогенида регулируют путем регулирования температуры испарителя. Добавляемый газ в этом случае выполняет функцию переносчика органического галогенида. Продукты реакции охлаждаются рассолом или водой. Непрореагировавший галогенид очищают и вновь вводят в цикл. [c.75]

При образовании оксидов с высокой упругостью паров при некоторых условиях происходит их испарение со скоростью, равной скорости образования (окисление вольфрама, рения, германия, металлов платиновой группы или взаимодействия большинства металлов с галогенами). [c.405]

Теплота атомизации и первый потенциал ионизации для серебра составляют 66 и 174 ккал/моль соответственно. В задаче 12 гл. I приведены значения энергий связи для галогенов. Теплота испарения брома составляет 8 ккал/моль, а теплота сублимации иода — 15 ккал/моль. Вычислите энергии решетки для галогенидов серебра, исходя из их стандартных теплот образования [c.99]

Галогенные лампы накаливания наряду с вольфрамовой нитью содержат в колбе пары того или иного галогена (например, иода), который повышает температуру накала нити и практически исключает испарение. Они имеют более продолжительный срок службы (до 3000 ч) и более высокую светоотдачу (до 30 лм/Вт). [c.136]

Рис. 9. Зависимость между экспериментальными значениями скрытой теплоты испарения и температурой плавления для инертных газов и галогенов. О галогены инертные газы.

Мы можем рассматривать энергетический эффект, сопровождающий реакцию (12), как сумму энергетических эффектов гипотетических промежуточных стадий (8)—(11). Поскольку склонность к достижению состояния с минимальной энергией — один из факторов, определяющих равновесие, изменение энергии влияет на Ед. Стадия (8) представляет собой дегидратацию ионы Г теряют гидратную оболочку из молекул воды. На этой стадии энергия поглощается, и, так как система приобретает некоторое количество тепла, АН стадии (8) положительна. На стадии (9) электроны отрываются от газообразных ионов Г и образуются нейтральные газообразные атомы I. На этой стадии также поглощается тепло, и АН тоже положительна. На стадии (10) два атома иода соединяются, образуя двухатомную молекулу. Этот процесс противоположен разрыву связи в молекуле а при этом энергия освобождается и система теряет энергию, так что АН для стадии (10) отрицательна. На стадии (И) газообразные молекулы 2 образуют твердые кристаллы иода. Этот процесс противоположен испарению твердого вещества и тоже сопровождается выделением энергии. Какой из галоген-ионов является лучшим восстановителем — это зависит в [c.531]

Во многих случаях иод ведет себя аномально. Расстояние наибольшего сближения, при котором атомы в твердом теле еще рассматриваются как несвязанные, равно 3,56 А. В молекуле иода это расстояние равно 2,68 А. Это заставляет предположить наличие. достаточно сильного межмолекулярного взаимодействия, а довольно высокая энтропия испарения в точке кипения указывает на то, что и в жидкой фазе такое взаимодействие в значительной степени сохраняется. С ростом температуры диэлектрическая проницаемость жидкости возрастает с 11,1 при 118° С до 13,0 при 168° С. Электропроводность жидкого иода выше, чем электропроводность других галогенов, но в отличие от электропроводности твердого иода она уменьшается с ростом температуры. Эти факты обычно объясняют тем, что проводимость жидкого иода по своей природе частично электронная, а частично ионная, и ионы — носители тока, вероятно, термически нестойки. [c.271]

Приготовление раствора иода по точной навеске химически чистого иода. Иод обычно содержит примеси хлора, различных соединений иода с другими галогенами, например I I, IBr, I I3, а также гигроскопическую воду. Для очистки его пользуются тем, что давление паров твердого иода, равное атмосферному давлению, достигается при температуре более низкой, чем температура плавления иода. Поэтому, если нагревать твердый иод, он, не плавясь, обращается в пар, который конденсируется, образуя кристаллы на более холодных частях сосуда. Этот процесс испарения твердого тела, происходящего без образо-улнш жидкой фазы, называется возгонкой или сублимацией. [c.402]

В соединениях титан обычно четырехгалентен, реже трех- и двухвалентен. Двухвалентные соединения неустойчивы. При нагреве титан взаимодействует с галогенами, кислородом, серой и азотом. Окислы титана в канале угольного электрода восстанавливаются до металла, который с углеродом образует тугоплавкий карбид титана Т1С (т. пл. 3140 °С, т. кип. 4300 °С). В ряду летучести А. К. Русанова титан и его окислы располагаются после ванадия и хрома. Основная масса титана при испарении его окислов из канала угольного электрода поступает в пламя дуги во второй половине экспозиции (рис. 109). При очень сильном нагреве титана с кремнием образуются силициды титана (т. пл. Т1512 [c.269]

Алюминий энергично взаимодействует с галогенами, образуя А1Гз. Фторид алюминия — малорастворимое и тугоплавкое вещество, остальные галогениды алюминия хорошо растворимы не только в воде, но и во многих органических растворителях, легкоплавки и летучи. В расплавленном состоянии они неэЛектро-проводны. Они дымят на воздухе вследствие испарения, поглощения паром влаги и образования твердых кристаллогидратов. Растворение галогенидов алюминия в воде сопровождается выделением большого количества теплоты если кусок А1Вгз бросить в воду, то происходит сильный взрыв (ДЯ° растворения [c.341]

Алюминий энергично взаимодействует с галогенами, образуя галогениды А1Гэ. Фторид алюминия AIF3 - малорастворимое и тугоплавкое вещество, остальные галогениды алюминия хорошо растворяются не только в воде, но и во многих органических растворителях, легкоплавки и летучи. В расплавленном состоянии они иеэлектропроводны. Дымят на воздухе вследствие испарения, поглощения паром влаги и образования твердых кристаллогидратов. [c.354]

Химические связи в галогенидах германия и кремния являются насыщенными, полярными. Из-за одновалентности галогенов и насыщенного характера связей внутри молекулы ОеГ4, между отдельными молекулами типа ОеГ4 могут действовать только молекулярные, но не валентные силы. Межмолекулярные силы обычно значительно слабее валентных химических связей (см. 9), и поэтому галогениды германия и кремния уже при невысоких температурах (от 200 до ТОО"" К) распадаются на отдельные молекулы, т. е. переходят в газообразное состояние. В этом отношении галогениды принципиально отличаются от соединений германия и кремния с кислородом. Действительно, вследствие двухвалентности кислорода могут образовываться твердые тела, все атомы которых связаны между собой химическими связями. Такая возможность отсутствует у галогенидов, обладающих повышенной летучестью, т. е. способностью к испарению [c.97]

Для водорода характерно образование иона НдО в воде, а галогены образуют соединения с полярной ковалентной связью, а которых их окислительное число бывает +1 и выше (за исключением фтора). Водород имеет меньшее сродство к электрону и меньшую электроотрицательность по сравнению с галогенами. В этом отношении он близок к углероду,связь С—Показывается менее полярной, чем связи углерода е другими элементами. У атомов Н и С валентные электронные уровни заполнены наполовину. Однако все же водород имеет наибольшее сходство с галогенами, в пользу чего говорят и многие результаты сравнительных расчетов (гл. II, 6). Так, М. X. Карапетьянц [10] показал, что теплоты испарения водорода и галогенов при сопоставлении их с теплотами испарения благородных газов ложатся на одну прямую. Тоже получаются прямые при сопоставлении энергии кристаллических решеток фторидов и гидрилов щелочных металлов, при сопосталении потенциалов ионизации атомов галогенов и водорода и энергии связи С—Э (где Э—Н, F, С1, Вг, I) и т. д. [c.312]

Металлоидная активность галогена (в растворе) пропорциональна энергии, выделяющейся при переходе его атома от обычного состояния к гидратированному иону Г. Энергия эта равна алгебраической сумме половины энергии диссоциации молекулы Гг, сродства атома Г к электрону и энергии гидратации нона Г-. Если галоген при обычных условиях не газообразен, то должна быть учтена также теплота его испарения (прнблнзительно 17 кДж/моль для Вг и 30 кДж/моль для I). Такая суммарная Энергия нмеет следующие значения (кДж/ы.оль атомов) [c.202]

Эти же величины появились во вторых изданиях обеих монографшх. Герцберг объяснил причину расхождения данных тем, что он не учел энергию испарения брома и энергию возгонки иода. На основанип более полного обсуждения данных в гл. XX можно принять, что ошибка в этих значениях О не превышает 0,2 ккал/молъ. Фтор в отличие от других галогенов поглощает свет непрерывно, поэтому в этом случае приходится ссылаться на термические данные для энергии диссоциации, а также на дифракцию электронов и спектры комбинационного рассеяния при определении межъ-ядерного расстояния [16]. Для определения частоты колебания иснользуют зависимость коэффициента тушения от частоты [16а]. [c.382]

Величина А х равна работе, которая должна быть затрачена для удаления электрона от иона галогена эта величина известна под названием сродства электрона к атому. Ее можно онределить измерением равновесных концентраций М, X и X, например с помощью масс-спектрометра, в струе пара соли, испускаемой накаленной вольфрамовой нитью ]24]. В четвертой стадии конденсируется пар металла Ьш — теплота сублимации металла, определяемая по изменению давления нара в зависимости от телшературы (гл. XV). На пятой стадии происходит соединение двух атомов галогена в газовой фазе с образованием, одной молекулы О — выражает энергию диссоциации молекулы (гл. X и XX). В шестой стадии газообразный галоген конденсируется, переходя в кидкое или твердое состояние Lx, — теплота испарения или сублимации на 1 г-моль. Последней стадией является соедпнение твердого металла и кристаллического (или жидкого) галогена в кристаллическую соль. представляет теплоту, выделяющуюся при этой химической реакции. Из перечисленных семи стадий складывается замкнутый круговой процесс, к которому можно применить уравпение, выведенное в гл. VI [c.495]

Соотношение между строением в кристаллическом и газообразном состояниях выглядит наиболее просто в случае молекулярных кристаллов, которые при испарении дают молекулы такого же вида, что уже имеются в кристалле. Процесс испарения состоит в простом отделении молекул, удерживаемых вандер-ваальсовыми силами, что не сопровождается сильными изменениями в структуре самих молекул. Молекулы могут быть моно-ядерными (S11I4, W lg) или, реже, полимерными (АЬВге). Во. всех других случаях распад более протяженных систем металл— галоген идет либо сразу на молекулы МХя, либо ступенчато на полимерные частицы, которые диссоциируют на мономеры при более высоких температурах. Процесс испарения сопровождается понижением координационного числа атома металла (КЧ указано в скобках). [c.126]

В работах Бакулиной и Ионова [83, 84] методом поверхностной ионизации были определены разности в величинах сродства к электрону атомов всех галогенов (см. стр. 244). Однако абсолютное значение величины Л (Вг) не определялось, а было принято по работе [3330]. Бэйли [623] на основании масс-спектрометрического измерения концентрации ионов при испарении КВг нашел Л (Вг) = —80,9+ 1,5 ккал г-атом -. Кубиччотти [1229] получил Л(Вг) = — 79,5+ ккал г-атом в результате расчета по циклу Борна—Габерана основании известных в литературе теплот образования галоидных соединений щелочных металлов, одноатомных галогенов и щелочных металлов в газообразном состоянии и энергии кристаллической решетки соответствующих солей, вычисленной теоретически в работе [1229]" . [c.275]

Интересное применение подобных транспортных реакций было предложено в производстве ламп накаливания. Если в такой лампе повысить рабочую температуру вольфрамовой нити до 2800°, то поверхность стеклянной колбы начнет покрываться темным налетом ис-парнвщегося вольфрама. В лампах соответствующей конструкции этот налет может быть ликвидирован путем переноса вольфрама в обратном направлении, т. е. на нить накала это происходит при введении в колбу небольших количеств хлора или брома [55, 56] (см. также [45]). Присутствие этих веществ предотвращает, таким образом, распыление нити накала и потемнение колбы, так как процесс испарения вольфрама (Гг- Г ) компенсируется транспортной реакцией Т - Та) (см. также раздел 4.2). В последнее время с той же целью рекомендуется вводить в лампы накаливания небольшие количества иода. Упомянутые лампы находят применение в первую очередь в специальных областях [57]. Вероятно, избежать воздействия вводимых в лампу галогенов на токоподводящие провода можно, лишь преодолев определенные технические трудности. [c.53]

Левина [314] опубликовала обзор работ по использованию масс-спектрометра для изучения термодинамики испарения и показала, что этот метод может быть применен для изучения состава паров в равновесных условиях и определения парциальных давлений компонентов, а также термодинамических констант. При повышенных температурах изучались галогенные производные цезия [9], были получены теплоты димеризации 5 хлоридов щелочных металлов [355] исследовались системы бор — сера [458], хлор- и фторпроизводных соединений i и z на графите [53], Н2О и НС1 с NazO и LizO [442], UF4 [10], системы селенидов свинца и теллуридов свинца [398], цианистый натрий [399], селенид висмута, теллурид висмута, теллурид сурьмы [400], окиси молибдена, вольфрама и урана [132], сульфид кальция и сера [105], сера [526], двуокись молибдена [76], цинк и кадмий [334], окись никеля [217], окись лития с парами воды [41], моносульфид урана [85, 86], неодим, празеодим, гадолиний, тербий, диспрозий, гольмий, эрбий и лютеций [511], хлорид бериллия [428], фториды щелочных металлов и гидроокиси из индивидуальных и сложных конденсированных фаз [441], борная кислота с парами воды (352), окись алюминия [152], хлорид двувалентного железа, фторид бериллия и эквимолекулярные смеси фторидов лития и бериллия и хлоридов лития и двува лентного железа [40], осмий и кислород 216], соединения индийфосфор, индий — сурьма, галлий — мышьяк, индий — фосфор — мышьяк, цинк — олово — мышьяк [221]. [c.666]

Галогены. Хлор, бром и иод встречаются в качестве загрязнений в галогеноводород-дах и в многочисленных галогенопроизводных. Довольно распространенным поглотителем для галогенов является ртуть. Поскольку галоид соединяется с ртутью только на поверхности, металл следует наносить тонким слоем на большую поверхность, что можно осуществить испарением его в вакууме, или же поток газа следует пропускать над ртутью, нагретой до кипения. Часто оказывается достаточным пропустить подлежащий очистке газ через промывалку со стеклянным фильтром, заполненную ртутью, или же просто встряхнуть газ с металлом. При комнатной температуре металлическая Sb также поглощает галогены, однако она не должна содержать следов серы. Газообразные I2, Вгг и I2 в некоторых случаях, например в органическом элементарном анализе, могут взаимодействовать при температуре 500° с тонкоизмельченным серебром [148]. В качестве водных поглотителей используют щелочной раствор Аз(П1), раствор FeSO4 или едкого кали. Хлор, подлежащий дегазации, пропускают в разбавленный раствор едкой щелочи или над натронной известью. [c.341]

На основании результатов изучения процессов горения различных полимеров установлено 1) самогаше-ние материала может происходить вследствие испарения с его поверхности большого количества негорючих частиц или образования на поверхности защитных полимерных пленок, не поддерживающих горения 2) введение фосфора в состав полимера способствует увеличению доли эндотермич. процессов ( охлаждению материала) и образованию в ряде случаев прочного кокса (чем быстрее коксуется полимер, тем выше его О.), введение галогенов приводит к понижению темн-ры пламени в газовом слое у поверхности полимера и ингибированию воспламенения 3) О. галогенсодержащих полимеров в зависимости от природы галогена уменьшается в ряду Вг>С1 > F 4) совместное присутствие в полимерном материале атомов фосфора и галогена (особенно брома), галогена и сурьмы оказывает синергич. действие на повышение О. (при определенном соотношении соответствующих пар) у близких по химич. природе полимеров О. повышается с увеличением термостойкости 6) О. определяется химич. структурой полимера напр., при введении ароматич. звеньев, замене группировок Р—О— С на Р—С, при уменьшении длины алкильной цепи у атома фосфора О. полимера возрастает 7) с повышением плотности упаковки макромолекул О. у близких по химич. природе полимеров возрастает. [c.202]

Метод декорирования не всегда можно применить в простой форме (напыление в высоком вакууме на грани роста, а также на поверхности, полученные при расщеплении или испарении). У графита, например, поверхность должна быгь сначала активирована соответствующими реакциями (реакция с галогенами или озоном), прежде чем на нее можно будет напылять золото. Так как при химической реакции происходит избирательное воздействие, последующее декорирование дает правильное отображение реальной структуры. Таким путем могут быть обнаружены дислокации, ступеньки скола атомной высоты, скопления точечных дефектов или химических загрязнений. [c.356]

Описан метод, показывающий возможность спектрального определения галогенов с применением в качестве источника возбуждения разряда с полым катодом [129]. Использование неохлаждае-мого полого катода с разделением процессов испарения и возбуждения пробы позволяет определить хлор с пределом обнаружения 5-10 %. Параметры процессов испарения и возбуждения могут варьироваться независимо друг от друга и позволяют сочетать низкую температуру испарения пробы с высокой электронной температурой плазмы для возбуждения линий. Метод позволяет анализировать на содержание хлора пробы сложного состава. [c.122]

Огневое окислительное обезвреживание жидких отходов — сложный физико-химический процесс, состоящий из различных физических и химических стадий. В рабочей камере реактора огневого обезвреживания протекает процесс горения топлива, происходит распыливаиие и испарение движущихся капель жидких отходов, смешение паров с дымовыми газами, химическое взаимодействие компонентов отхода. Последнее включает следующие процессы окисление органических и минеральных веществ с образованием нетоксичных газообразных продуктов (СО2, Н2О, N2) окисление органических соединений металлов и взаимодействие образующихся окислов металлов с дымовыми газами с образованием минеральных солей и других соединений (карбонизация, сульфатизация и т. п.) окисление органических соединений серы, фосфора и галогенов с образованием газообразных кислот, их ангидридов и других соединений (оксидов серы, хлорида и фторида водорода, фосфорных кислот, элементного иода и др.) термическое разложение веществ с высокой упругостью диссоциации высокотемпературный гидролиз солей (например, гидролиз Mg b с образованием MgO и НС1) реакции между щелочами (содержащимися в отходе и образующимися в процессе огневого обезвреживания) и газообразными кислотами и их ангидридами с образованием различных минеральных солей. [c.29]