Люминофора проводимость

Было установлено изменение выхода продуктов и скорости химических реакций, достигнута интенсификация излучения света органическими люминофорами, обнаружено влияние магнитного поля на проводимость органических полупроводников и фотопроводимость полимеров. Особый интерес представляет открытие воздействия магнитного поля на окислительно-восстановительные реакции, происходящие при помощи хлорофилла, и, в частности, на фотосинтез в зеленых листьях. [c.164]

Почти все халькогениды представляют собой полупроводниковые соединения с проводимостью электронного типа. Для теллурида цинка характерна проводимость дырочного типа, а для теллурида кадмия — как электронная, так и дырочная. В условиях синтеза люминофоров сульфид и селенид цинка имеют очень высокое удельное электросопротивление (Ю Ом см). Лишь при специальных условиях легирования, обеспечивающих внедрение избыточного цинка, удается получить сульфид и селенид цинка с низким удельным электросопротивлением (10 2—10 Ом см). Концентрация носителей тока при этом зависит как от содержания донорных примесей, так и от давления пара цинка. [c.31]

В 1928 г. Блох показал, что в периодическом поле идеальной кристаллической решетки перемещающиеся электроны можно рассматривать как свободные, но не с любым значением энергии. Зоны разрешенных энергетических состояний, которые определяются энергетическими уровнями атомов, входящих в кристаллическую решетку, разделяются запрещенными зонами. Каждая зона разрешенных энергетических состояний имеет N уровней. Согласно принципу Паули, на уровне размещаются 2N электронов. Для обычных люминофоров предполагается существование двух зон — заполненной электронами (валентная зона) и незаполненной, в которой электроны могут свободно перемещаться (зона проводимости). Зоны разделены промежутком — запрещенной энергетической областью (запрещенная зона). Ширина запрещенной зоны у сульфидных люминофоров составляет несколько электрон-вольт. Введение примесей (активаторов), а также наличие примесей и дефектов в решетке создают условия для образования энергетических уровней, которые располагаются в запрещенной зоне. [c.73]

После возбуждения светом и образования электронов и дырок для уровня I более вероятен захват электрона из полосы проводимости, а для уровня II — захват дырки из валентной полосы. Люминесценция возникает в результате перехода электрона с уровня II на уровень I. Такая модель называется д о -норно-акцепторной ее применяют в ряде случаев для объяснения процессов люминесценции. В люминофоре 2п8-Си, согласно этой модели, медь создает акцепторный уровень, а хлор — донорный. [c.74]

В зависимости от физических свойств различают пенетранты магнитные - суспензии, частицы твердой фазы которых имеют ферромагнитные свойства, а жидкий носитель представляет собой молекулярную или коллоидную дисперсию люминофора, красителя или другого индикатора электропроводящие, имеющие нормированную электрическую проводимость ионизирующие -испускают ионизирующее излучение поглощающие -пенетрант поглощает ионизирующее излучение обесцвечивающие - пенетранты, особенность которых заключается в том, что люминесценция или цвет его уничтожается специально подобранным гасителем комбинированные пенетранты сочетают свойства двух или более индикаторных пенетрантов. [c.565]

Допустим, что люминофор, представляюш,ий собой в невозбужденном состоянии изолятор, имеет один тип центров свечения и не содержит каких-либо других дефектов, которые могут захватывать электрон из зоны проводимости. В таком случае iV = n и [c.18]

Как уже указывалось, электроны имеют тенденцию переходить из мелких ловушек в более глубокие. Пользуясь методом термовысвечивания, можно проследить за этим процессом. Как видно из рис. 32, при увеличении продолжительности возбуждения люминофора увеличивается отношение интенсивности низкотемпературного пика, отвечающего более мелким ловушкам, к интенсивности высокотемпературного пика. Это объясняется тем, что глубокие ловушки заполняются быстрее, чем мелкие. Аналогичный процесс миграции дырок от одних центров свечения к другим с более глубоким расположением основного уровня приводит к изменению цвета свечения в процессе термовысвечивания. Поскольку при термолюминесценции произведение концентрации ионизованных центров свечения Ыа на концентрацию электронов в зоне проводимости п мало вследствие малой величины п, то процесс перехода дырок от одних центров к другим происходит при более низких температурах, чем это имеет место в процессе возбуждения. [c.72]

Из неравенства (П1.73) вытекает, что уровень Vzn" расположен выше уровня Vzn (рис. 50). Если запрещенная зона бинарного соединения МХ, подобного сульфиду цинка, не очень широка, то уровень может оказаться настолько близко к зоне проводимости, что при температуре получения люминофора вакансия будет сильно ионизоваться, превращаясь в Vm, а это означает, что часть электронов, потерянных атомами хлора, останется в зоне проводимости. Именно так обстоит дело у dS- l-фосфоров [7, 59] (см. гл. VI), где, следовательно, в компенсации валентности (заряда) участвуют свободные электроны [c.114]

Рассмотрим изменения, которые вызывает в распределении электронов адсорбция. Допустим, что на поверхности люминофора адсорбируется молекула, обладающая большим сродством к электрону (высокой электроотрицательностью). Согласно представлениям, развиваемым Ф. Ф. Волькенштейном [3], вначале такая молекула образует относительно слабую связь с кристаллом, например вследствие того, что электронное облако, принадлежащее ближайшему атому или иону кристаллической решетки, затягивается на адсорбированную молекулу. По своей природе такая связь все же носит химический характер и потому можно считать, что образуется единая система, в которой адсорбированная молекула играет роль примеси. Нарушая периодическую структуру поверхности, она, подобно точечному дефекту в регулярной решетке или на дислокации, вызывает появление локального поверхностного уровня. Чем больше сродство молекулы к электрону, тем дальше соответствующий уровень от зоны проводимости. Если он оказывается ниже уровня Ферми, то адсорбированная молекула стремится захватить электрон, образуя тем самым прочную связь с кристаллом. Это приводит к снижению концентрации электронов ns у поверхности и к компенсирующему его притоку электронов из приповерхностного слоя. [c.137]

Как показывают исследования спектральных характеристик фосфоров ряда ZnS dS [122], уровни акцепторов одинаковой природы, например Ag , u , занимают в ZnS и dS почти одинаковое положение по отношению к валентной зоне. Это можно объяснить тем, что не только природа дефекта в катионном узле, но и анионное окружение остаются без изменения. По этой же причине примерно одинаковым по отношению к валентной зоне должно быть и положение уровней Vm и vin Р с- 82). В результате уровень V м в dS оказывается значительно ближе к зоне проводимости, чем в ZnS, и потому, как об этом уже говорилось в гл. III, 2, при температуре формирования люминофора вакансией кадмия захватывается только часть электронов, теряемых галогеном или трехвалентным металлом. Это приводит к механизму компенсации, который в случае dS- l может быть выражен уравнением [c.198]

В главах II—V описаны основные свойства свечения. В них рассмотрены яркость, спектральный состав (цвет), инерционные свойства свечения (разгорание и затухание) и величина отдачи. Характеристика этих свойств приведена в зависимости от индивидуальных особенностей препарата и от условий его возбуждения. Рассмотрены также те свойства люминофоров (стойкость, проводимость, ди-натронный эффект и т. д.), которые прямо или косвенно определяют эффект катодолюминесценции. [c.5]

Со стороны самого люминофора для правильной оценки его рабочих свойств необходимо учитывать величину проводимости, динатронные свойства и физико-химическую стойкость. Динатронная характеристика (вместе с проводимостью) определяет потенциал экрана при электронной бомбардировке. Количественным показателем её служит кривая динатронного коэффициента (отношение числа вторичных к числу первичных электронов) в функции ускоряющего напряжения. Под стойкостью фосфора понимают его способность противостоять электронной и ионной бомбардировке, а также влиянию тех агентов, которые действуют на люминофор при изготовлении экрана или при вакуумной обработке трубки. Для количественной оценки стойкости может служить величина предельной нагрузки, которую способен длительно выдерживать люминофор без следов необратимого выгорания экрана. Стойкость к измельчению, окислению, гидратации или нагреву с трудом поддаётся количественной оценке. С этой точки зрения люминофоры делятся просто на группу стойких (силикаты, алюминаты) и нестойких (сульфиды, селениды). Деление, конечно, чисто условное и оправдывает себя только в производственной практике. [c.28]

Процесс возбуждения люминофора в приведённой схеме может быть представлен следующим образом. За счёт поглощения возбуждающей энергии электрон из заполненной полосы L переходит на соответствующий подуровень полосы проводимости, оставляя за собой положительный заряд (дырку) в основной полосе L (переход А на рис. 63). Обе энергетические полосы оказываются теперь лишь частично заполненными. Свободные электроны в изолирующем кристалле могут двигаться по решётке как электроны проводимости в металле. За счёт наличия свободного электрона и дырки возбуждённый кристалл становится теперь проводящим. [c.278]

Подчёркнутая роль нижней границы полосы проводимости в излучении объясняет независимость или во всяком случае малую зависимость спектрального состава от способов и мощности возбуждения. Действительно, акт излучения совершенно изолирован в модели от акта поглощения и всегда начинается с нижней границы полосы проводимости. Даже в случае фосфоресценции захваченный электрон до своей рекомбинации должен предварительно перейти на тот же граничный уровень. В результате, для однократно активированных люминофоров с одним типом кристаллической решётки спектральный состав излучения при флуо- и фосфоресценции практически одинаков. [c.285]

Л. А. Громов, исследуя (1973 г.) в Ленинградском технологическом институте природу люминофоров, предположил, что активаторами могут служить только те элементы, энергия связи между- атомами которых и атомами — акцепторами электронов ниже, чем между атомами вещества — основы кристаллофосфора. Следовательно, энергетический зазор между валентной зоной и зоной проводимости соединения активирующего элемента с соответствующим элементом основы должен быть меньше, чем ширина запрещенной зоны основы кристаллофосфора. Например, как мы только что отмечали, медь служит активатором для сульфида цинка. Очевидно, ато1У ы меди образуют в структуре сульфида цинка связи с атомами серы, энергия которых приблизительно такая же, как в сульфиде меди. Энергетический зазор сульфида меди Си23 равен 1,2 эВ, ширина запрещенной зоны 2п5 — 3,7 эВ. Естественно, что примесные уровни меди располагаются в запрещенной зоне 2п5. [c.124]

Поглощение света или других видов энергии кристаллом приводит к преодолению запрещенной зоны основного вещества и к переходу электрона из валентной зоны в зону проводймости С (переход 1) или с уровней активатора в зону проводимости (переход 2). При поглощении света активатором возникают ионизованные центры свечения, т. е. вакантные уровни Ц, а при поглощении света основным веществом возникают дырки в валентной зоне. Дырки заполняют электронами с уровней активатора (переход 3), и также образуются вакантные уровни Ц. Часть электронов, попавших в зону проводимости С, могут рекомбинировать с ионизованными центрами свечения, т. е. переходить на вакантные уровни активатора (переход 4). Этим обусловлено кратковременное свечение, происходящее в начальный период после облучения люминофора ( мгновенное свечение ). Остальные электроны, попавшие в зону С, застревают на уровнях ловушек Л в местах нарушений кристаллической решетки (переход 5). При этом возможность прямой рекомбинации с ионизованными центрами свечения Ц полностью исключена, так как локальные уровни Л к Ц пространственно отделены друг от друга. Для такой рекомбинации требуется предварительное высвобождение электрона из ловушек Л с переходом его обратно в зону проводимости С (переход 6). Только-тогда по пути 4 может произойти акт высвечивания. Энергия, необходимая для переходов 6, может быть получена от тепловой энергии самой решетки. Для таких переходов требуется время, которое существенно зависит от температуры и разности уровней дна зоны проводимости С и ловушек Л. Излучение, сопровождающее рекомбинацию этих временно застревающих электронов на уровнях прилипания Л, представляет собой послесвечение кристаллов. [c.366]

Изменение концентрации точечных Д. используется для управления физ.-хим. св-вами твердых в-в и хим. процессами с их участием. Так, допируя галогениды серебра ионами кадмия и увеличивая тем самым в них концентрацию катионных вакансий, удается понизить адсорбцию на них додециламина-коллектора в процессе флотации. Точно так же допирование прир. сульфида свинца (галенита) ионами серебра и висмута изменяет заряд пов-сти н ее способность к адсорбции заряженных молекул коллектора при флотации. Допируя TiOj ионами тантала, можно существенно изменять скорость заполнения межгрануляр-ного пространства при спекании методом горячего прессования. Ионную проводимость ZrOj. возникающую вследствие допирования СаО, связывают с образованием вакансий и своб. ионов 0 . Точечные Д. изменяют скорость полиморфных превращений, коррозии металлов и сплавов, процессов спекания и рекристаллизации керамич. материалов. Т. наз. вакансионные состояния часто предшествуют образованию частиц продукта в виде самостоят. твердой фазы при гетерог хим. р-циях. В ряде случаев получение кристаллов с заданной концентрацией точечных Д. определенного вида необходимо при создании материалов для микроэлектроники, лазерной техники, люминофоров и др. [c.30]

Модификации, существующие при атм. давлении,- широкозонные полупроводники. У них наблюдается пьезоэлектрич. эффект. Модификации высокого давления обладают металлич. проводимостью. Ц. х. обладают высокой чувствительностью к электромагн. волнам, вплоть до самых коротких. Этим обусловлены осн. области их применения - как люминофоров, сцинтилляторов, материалов ИК огггики и т.п. [c.381]

При возбуждении катодными лучами, корпускулярным и рентгеновским излучением энергия поглощается в основном кристаллической решеткой люминофора. Поэтому для получения высокого выхода люминесценции при указанных возбуждениях необходимо эффективное энергетическое взаимодействие между основой и активатором. В связи с этим халькогениды, нредставляюпще собой полупроводниковые соединения с высокой неравновесной проводимостью, являются наиболее подходящей основой для синтеза катодо-, рентгено-и радиолюминофоров. С другой стороны, соединения, представляющие собой хорошие основы для характеристических люминофоров при фотовозбуждении, но не обладающие высокой проводимостью, не могут применяться для синтеза указанных люминофоров. [c.6]

Исследование затухания люминофоров ZnS-Си и ZnS-Ag [42] показало, что на начальных стадиях закон затухания отличается от закона Беккереля, причем время, в течение которого наблюдается отклонение, уменьшается прн З еличении интенсивности возбуяодающего света. На дальних стадиях закон Затухания переходит в гиперболический. Отклонение закона затухания от простого гиперболического объясняется тем, что в люминофорах существуют ловушки различной глубины, и кинетика свечения зависит от распределения элек- онов между центрами люминесценции и ловушками. Из расчетов, проведенных Фоком [3, с. 43], следует, что в том случае, когда большая часть электронов Из зоны проводимости попадает не на ловушки, а рекомбинирует с ионизованными центрами, закон затухания будет экспоненциальным (это соответствует начальному участку на кривой затухания). По мере затухания люминесценции число ионизованных центров уменьшается и вероятность. [c.21]

Электроны, вырванные возбуждающим светом, могут перейти в зону проводимости 3 и локализоваться на ловушках 4. С ловушек 5 электроны могут освободиться только в том случае, если им будет сообщена необходимая энергия (например, при нагревании люминофора или при действии ИК-лучей). При этом электроны либо повторно захватятся ловушками, либо через зону проводимости перейдут на уровень активатора 6 и рекомбинируют с центром свечения. Это приводит к возникновению длительного свечения (фосфоресценции), которое продолжается до тех пор, пока все электроны, захваченные ловушками, не освободятся и не прорекомбинируют с ионизованными центрами. [c.74]

Получение высокочистых селена и теллура в настоящее время является важной проблемой в связи со все растущей потребностью народного хозяйства в этих металлах. Элементарный селен широко используется для изготовления выпрямителей, фотоэлементов, в электронографии. Селениды и теллуриды нашли применение в качестве фотосопротивлений, люминофоров, кристаллических счетчиков. На основе селена и теллура получены сплавы с высокими термо- и фотоэлектрическими характеристиками. Однако микропримеси различных металлов, а также кислорода и галогенов оказывают большое влияние на свойства получаемых на основе селена и теллура. полупроводниковых материалов. Так, мйк-ропримеси кадмия изменяют электропроводность селена. Таллий очень сильно влияет на кристаллизацию селена. Чем больше таллия, тем более крупнозернистым получается селен. Наличие таллия также сказывается на тепло- и электропроводности селена. Примеси кислорода в селене в количествах 10 — 10- % изменяют проводимость селена. Также сильное влияние оказывают следы влаги. Известно, что галогены изменяют электрические свойства металлического селена при содержании 10 — [c.445]

Возвращение электрона из возбужденного состояния (в зоне проводимости или на примесном уровне) в состояние с меньшей энергией (свободный уровень в валентной зоне либо примесный уровень) сопровождается выделением избыточной энергии в виде тепла или излучения. В зависимости от продолжительности времени между возбуждением электрона и испусканием света люминесценцию называют флуоресценцией мяи фосфоресценцией. Возбуждение может быть вызвано бомбардировкой электронами (катодолюминесценция), фотооблучением (фотолюминесценция), электрическим полем (электролюминесценция) или химической реакцией (хемилюминесценция). Так называемые фосфоры —вещества, способные к катодолюминесцен-ции, — используются для покрытия экранов электронно-лучевых трубок. Люминесцентные вещества —люминофоры — используются также в лазерах. [c.78]

Ниже приводятся краткие сведения о технике экспериментов, проводимых с применением электронного и ионного проекторов.. Изготовление колб для проекторов. Колбы для проекторов могут быть изготовлены из пирексовых круглодонных колб произвольного размера, но некоторые исследователи предпочитают иметь плоские экраны. Нижнюю часть колбы покрывают суспензией виллемита в растворе коллодия, к которому добавлено несколько капель бутилфталата, являющегося пластификатором. После тщательной сушки (испарения амилацетата, служащего в качестве растворителя) колбу медленно нагревают в печи до 400—500° С. При этом коллодий разрушается, оставляя довольно стойкий налет люминофора. Последний еще более стабилизируется и приобретает электропроводность при напылении на него алюминия или платины. Более простое в изготовлении, но менее совершенное покрытие получается смачиванием слоя люминофора платиновым раствором марки Хановия с последующей сушкой и нагреванием до 200—400° С. Покрытие, получаемое этим методом, имеет удовлетворительную электропроводность, но отличается меньшей отражательной способностью, вследствие чего изображения обладают пониженной яркостью. Электрические вводы для анода и петли, несущей острие, осуществляются с помощью впаев вольфрама в стекло нонекс (рис. 3). Анодный ввод соединяется внутри колбы с экраном при помощи тонкого слоя платины, наносимого из раствора, или для этого используется [c.146]

При П[Хп>рцр будет преобладать электронная, или п-проводимость, а при n[i Различия между пир обычно гораздо больше, чем между х и [Хр, и потому именно концентрации носителей заряда определяют знак проводимости. В свою очередь характер электронной разупорядоченности, т. е. положение уровня Ферми и соотношение между лир, зависят от положения уровней собственных дефектов, природы и концентрации примесей и температурного режима получения люминофора. Это следует уже из того, что электроны и дырки могут принимать участие в компенсации валентности (см. гл. Ill, 2). Более подробный анализ этого вопроса будет дан в гл. VI. [c.137]

Изложенная теория в ряде случаев может служить основой для объяснения изменений интенсивности люминесценции, происходящих под действием газообразных и жидких сред, с которыми крис-таллофосфор приводится в соприкосновение. Так, если искривление зон вызывает опустошение уровней центров свечения, лежащих в приповерхностном слое, и если толщина этого слоя составляет достаточно большую долю от общей толщины кристалла или диаметра зерна, то концентрация центров свечения, способных принять участие в люминесценции, может существенно уменьшиться. С другой стороны, опустошение уровней глубоких доноров может превратить их в центры тушения. В обоих случаях интенсивность люминесценции снизится. Кроме того, созданные адсорбированными молекулами поверхностные уровни непосредственно могут служить центрами безызлучательных переходов. Электроотрицательные молекулы ад-сорбата, связанные с поверхностью люминофора слабой связью и служащие потенциальными акцепторами, будут захватывать фотоэлектроны, попадающие при возбуждении в зону проводимости, с последующей рекомбинацией их с дырками, а молекулы, связанные прочной связью, будут захватывать дырки и удерживать их до подхода электронов. [c.140]

Заметное снижение яркости люминесценции и уменьшение электропроводимости под действием электроотрицательных адсор-батов происходит и у люминофоров на основе сульфидов цинка и кадмия, например у ZnS- l-фосфора и у dS. Этот эффект играет особенно существенную роль в случае мелкозернистых люминофоров, размер зерен которых, не превышающий нескольких микрон, сопоставим с длиной экранирования. Введение донорных примесей (например, d b) в dS позволяет, по крайней мере частично, скомпенсировать акцепторное действие созданных адсорбированными молекулами кислорода поверхностных уровней и увеличить благодаря этому темновую проводимость и фотопроводимость (сравн. [102]). С другой стороны, при получении фотопроводников адсорбция кислорода может играть и положительную роль, если повышенная по тем или иным причинам проводимость поверхностного слоя препятствует обнаружению объемной фотопроводимости кристаллов. [c.141]

Барьеры образуются и в области контакта между зернами люминофора или между люминофором и другим полупроводниковым веществом, например СигЗ, образующим тонкие слои и вкрапления на внешней поверхности ZnS- u-элект-ролюминофоров и на линейных и поверхностных дефектах. Предполагается [49], что такие контактные области, называемые гетеропереходами (рис. 65), играют важную роль в электролюминесценции. Как уже отмечалось, при наложении электрического поля равновесие наступает при выравнивании электрохимических потенциалов = -Ьеф (величина электрического потенциала ф берется с соответствующим знаком). Поэтому если в случае гетероперехода, образованного п-полупроводником с широкой запрещенной зоной (ZnS) и р-полупроводником с узкой запрещенной зоной (СигЗ), приложить к первому положительный, а ко второму— отрицательный потенциал, то барьер увеличится на величину еДф (при этом и Х,<1ер, так что Ьр>1еп). При достаточно большой разности потенциалов Аф дно зоны проводимости ZnS опустится ниже верхнего края валентной зоны ugS, и тогда появится возможность так называемого туннельного проникновения электронов из СйгЗ в ZnS (рис. 65). Эта схема поясняет, каким образом СигЗ может служить источником разгоняемых полем электронов [49]. [c.142]

При исследовании кристаллов типа КС1-Т1 получены данные, которые показывают, что некоторые центры захвата могут быть приписаны активатору. Предполагается [18], что ими могут служить ионы таллия Т1к. Так как ионизационный потенциал атома Т1 меньше ионизационного потенциала атома К, то в месте расположения таллия образуется потенциальная яма, в которую захватывается электрон зоны проводимости, перемещающийся по катионным узлам решетки. Ловушками для электронов в щелочно-галоидных кристаллах могут служить также иновалентные примести (например. Сак), собственные дефекты (Ус]) и их комплексы с ионами активатора (Т1кУ сО- Следует отметить, что в гомологических рядах кристаллофосфоров с увеличением атомного номера элементов, образующих основание люминофоров, глубина однотипных ловушек для электронов уменьшается [65]. [c.222]

В силу плохой проводимости экран при облучении электронным пучком принимает некоторый равновесный потенциал, соответствующий так называемому потенциалу свободного электрода . Равновесие устанавливается преимущественно за счёт вторичных электронов, вырываемых из люминофора и подложки при бомбардировке электронами достаточно больших энергий. Предположение о выравнивании потенциала за счёт поверхностной проводимости практически исключено. Для токов в десятки и сотни микроампер, поступающих в реальных условиях на экран, необходимы слишком высокие градиенты потенциала, чтобы обеспечить удаление заряда стеканием по поверхности. Опыт показывает, что в нормальных условиях работы трубш разцость потенциалов между экраном [c.56]

В многократно активированных люминофорах полоса запрещённых энергий содержит различные по природе и распределению уровни загрязнения. Люлшнофор может обладать несколькими полосами излучения одновременно суммарный цвет свечения будет меняться в зависимости от условий возбуждения, так как коэффициент полезного действия у каждого типа уровней различен. Разница кпд зависит отчасти от различной глубины залегания уровней, которая определяет вероятность рекомбинации их электронов с дыркой основной полосы, а следовательно, скорость освобождения этих уровней для приёма электронов из полосы проводимости. Различная по интенсивности люминесценция может иметь место и в случае очень близких по характеру распределения уровней. Цинк и серебро, например, работая как активаторы в сульфиде цинка, дают очень сходную спектральную кривую и близкие Хтах излучения, но резко отличное по интенсивности свечение. [c.286]

Затухание люминофоров и, в частности, температурная зависимость фосфоресценции удачно объясняются схемой при участии уровней прилипания. Пока излучение идёт помимо последних, скорость затухания мало зависит от температуры, как это имеет место в случае флуоресценции. Ход затухания следует закону бимолекулярной реакции, так как вероятность рекомбинации электрона и дырки пропорциональна концентрации свободных уровней загрязнения и концентрации находящихся в полосе проводимости электронов. Кактолько электроны попадают на уровни [c.288]

Перенос электронов с уровней прилипания в полосу проводимости, помимо тепловой энергии решётки, может быть вызван дополнительным облучением люминофора. Это объясняет высвечивающее действие инфракрасных лучей на заряженный световой энергией люминофор. Естественно, что эффект высвечивания ( световспышки ) тем меньше, чем выше температура препарата. [c.289]

Урсвн 1 прилипания расположены на различной глубине от нижней границы полосы проводимости длительность послесвечения может быть поэтому и очень большой и сравнительно короткой. В обоих случаях ход кривой затухания по-разному зависит от условий возбуждения. Для длительного времени затухания, когда уровни глубоки, фосфоресценция не зависит от интенсивности возбуждения, если оно достаточно длительно, чтобы заполнить все уровни прилипания. В люминофоре наступает состояние динамического равновесия скорость освобождения электронов с уровней прилипания равна скорости их поступления. В случае короткого затухания работают сравнительно мелкие по глубине уровни. Скорость освобождения электронов с них достаточно велика, и в момент возбуждения уровни заполнены только частично. В силу этого крутизна наклона кривой затухания увеличивается с интенсивностью возбуждения, если последнее достаточно слабо или время затухания незначительно. Различный закон распределения уровней прилипания по глубине относительно нижней границы полосы проводимости может дать начало различным по характеру кривым затухания с особой зависимостью последнего от условий возбуждения. Ещё более широкие возможности для интерпретации даёт предположение о резком несоответствии числа возможных уровней прилипания с концентрацией свободных электронов в полосе проводимости. [c.290]

При пользовании эффектом фотопроводимости в качестве критерия для выбора той или другой схемы механизма свечения необходимо, однако, соэлюдать известную осторожность. Для селенида цинка люминесцентные свойства и фотопроводимость далеко не одинаково чувствительны к условиям изготовления и вносимым в люминофор загрязнениям [186]. Оба эффекта, таким образом, не всегда идут параллельно друг другу. Селенид цинка, в частности, обладает хорошо выраженной фотопроводимостью, но при возбуждении электронным лучом затухает по чисто экспоненциальному закону [280]. Это указывает или на порочность интерпретации проводимости в зонной схеме, или на возможность хода рекомбинационного процесса со скоростью мономолекулярной реакции, когда концентрация возбуждённых состояний в кристалле очень велика. [c.291]

В сульфидных люминофорах (рис. 69) характер связи между "узлами решётки не чисто ионный, но и не гомеопо-лярный. Положение электронов должно быть приписано не отдельным узлам, а. самим связям дл-я основного состояния — непрерывной полосе (Zп—Мп)—5 и прерывистой Мп (й) и для возбуждённых состояний—связи 1п—8 (полоса проводимости) и прерывистой полосе Мп—8. Схема дополнена возможными переходами через уровни цинка, присутствующего в решётке в избыточном количестве по сравнению со стехиометрической формулой (Znex .) Помимо мелких и г.пубоких уровней прилипания Ммп, ъп и Ммп, допускается существование уровней прилипания Ммп. тесно связанных с активатором. За счёт их можно ожидать фосфоресценции препаратов, не сопровождающейся фотопроводимостью. Как и в предыдущем случае, уровни Мп й) отвечают активатору, занимающему нормальное положение в решётке (твёрдый раствор), а уровни Мп [с1) — активатору в интерстициях. [c.297]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология