Структура кристаллов и зонная теория

Какие методы целесообразно использовать для изучения зависимости между химическим составом, атомным строением и электронной структурой кристалла До обсуждения этого вопроса мы намеренно употребляли общий термин электронная структура на самом деле следовало бы говорить о зонной структуре , поскольку зонная теория (одноэлектронное приближение) п есть искомый метод, хотя аргументы в ее пользу для физика и химика, возможно, будут различны. Для физика здесь положение вообще очевидно, так как теория энергетических зон является [c.7]

Так, кристаллическое строение металлов больших периодов может быть связано со строением внешних электронных оболочек. Число электронов, переходящих в электронный газ, определяет электронную концентрацию данной металлической структуры и строение внешней оболочки иона. Ненаправленное взаимодействие образовавшихся ионов с коллективизированными электронами обусловливает главную металлическую компоненту межатомной связи в металлах. Чем выше концентрация электронного газа и чем меньше размеры ионов, тем выше энергия металлической связи. Внешние валентные электроны в металлах коллективизированы и не образуют гибридных пар. В металлах с кубическими плотными упаковками направленных связей вообще не существует. Такие связи появляются только в результате обменного взаимодействия внешних оболочек ионов, когда они сближаются вследствие взаимодействия ионов с электронным газом и перекрываются. Обменная компонента связи ионов с внешними р - или ( -оболочками обусловливает существование объемноцентрированной кубической структуры. Такая концепция заключает в себе достоинства модели свободных электронов и зонной модели, а вместе с тем представляет распространение квантовой теории валентности на область металлического состояния, позволяя из электронного строения оболочек ионов полз ить определенные данные о кристаллической структуре металлов. Зонная теория металлов, в которой при построении зон Бриллюэна исходят из заранее заданного типа решетки кристалла, позволяет успешно вычислять целый ряд электронных, магнитных и других свойств металлов и сплавов эта теория остается справедливой. [c.229]

Металлы. Рассмотрим в соответствии с положениями зонной теории энергетическую структуру металлов. На рис. 36, а показано образование зон в кристалле натрия. Внутренние электронные орбитали атомов, в частности 2р, в кристалле натрия практически не перекрываются. [c.83]

Остановимся теперь на том, как зонная теория определяет различия между изоляторами, полупроводниками и металлами. Будем считать структуру полос квазинепрерывной и введем функцию с (е) — энергетическую плотность состояний [с (е) с1е — число квантовых состояний в интервале значений энергии электрона от е до е + с1г]. Для электронов в кристалле эта функция имеет вид, схематически представленный на рис. 26, а. На рис. 26, б для сопоставления дана кривая [c.186]

Несмотря на ограниченную применимость зонной теории, она позволяет судить о возможности изменения характера проводимости в зависимости от внешних условий (давления и температуры). С точки зрения зонной теории основной критерий полупроводимости — это отсутствие перекрывания валентной зоны и зоны проводимости, т. е. наличие зоны запрещенных энергий АЕ (см. рис. 129). Если создать условия, обеспечивающие сближение атомов кремния на расстояние, меньшее Го (д,о Гр), то, как видно из рис. 129, 35/зЗ-гибридная валентная зона и 45-зона проводимости перекрываются и при этом кремний должен обладать металлическими свойствами. Эти условия можно реализовать при всестороннем сжатии под высоким давлением, когда рыхлая тетраэдрическая структура полупроводникового кремния переходит в плотноупакованную структуру металлического типа. Давления, при которых возможен такой переход, как правило, весьма высоки (10 н-10 МПа). Так, при сжатии красной модификации фосфора (изолятор) под давлением 1,2-10 МПа наблюдается переход в более плотную полупроводниковую модификацию (черный фосфор) с шириной запрещенной зоны 0,33 эВ. Дальнейшее сжатие (2,0-10 МПа) приводит к появлению металлической проводимости в черном фосфоре. Переход от рыхлых структур к плотноупакованным металлическим сопровождается уменьшением энтропии аналогично тому, как это происходит при кристаллизации. Напротив, при переходе от плотной упаковки к более рыхлой структуре энтропия возрастает, поскольку увеличиваются амплитуда колебаний атомов и связанная с этим неопределенность положения их в узлах кристаллической решетки. Это эквивалентно увеличению неупорядоченности в кристалле (А5>0). Такой переход реализуется, например, при нагре- [c.320]

Объяснение электропроводности металлов, полупроводников и диэлектриков дается на основе квантовой теории строения кристаллических тел — так называемой зонной теории. Рассмотрим некоторые общие положения этой теории. Переход атомных паров в кристаллическое вещество можно рассматривать как химическую реакцию, так как оптические, термодинамические, электрофизические и другие свойства твердых тел отличаются от свойств газов. Важно отметить, что атомные спектры газов имеют линейчатое строение, а спектры твердых тел имеют сплошной характер или полосатую, очень сложную структуру. Уже при взаимодействии двух одинаковых атомов дискретные атомные энергетические уровни расщепляются и превращаются в полосы. Тем большее расщепление уровней происходит, когда большое число N атомов, например лития, сближается с далеких расстояний до расстояний, на которых они находятся в кристаллической решетке. На рис. 70, а это расстояние между ядрами обозначено на оси абсцисс буквой о- По оси ординат отложена энергия. Находясь на больших расстояниях, атомы не взаимодействуют друг с другом, и диаграмма уровней будет такая же, как и для изолированного атома лития (1 25 ). При сближении атомов начнется взаимодействие между ними, прежде всего у каждого из них станет расщепляться уровень валентных электронов (2х). Уровень 2з) расщепляется в систему весьма близко расположенных N уровней, образуя целую полосу (зону) уровней. Более глубокие уровни при образовании кристалла оказываются совсем не расщепленными или только незначительно расщепленными. [c.233]

Зонная теория объясняет многие свойства кристаллических тел. Однако она не дает критерия, с помощью которого можно было бы предсказать полупроводимость вещества. Опыт показывает, что структура энергетических зон в первую очередь определяется характером химической связи атомов и молекул с ближайшими соседями. В связи с этим полупроводимость обнаруживается не только у кристаллов, но и у стеклообразных и даже у жидких тел (у жидких селена, теллура и [c.253]

На современном уровне рассмотрены основные понятия и законы химии строение вещества, химическая связь (метод молекулярных орбиталей, метод валентных связей, зонная теория кристаллов), важнейшие положения химической термодинамики и химической кинетики, методы исследования структуры веществ. [c.2]

Во-вторых, в отличие от идеальных кристаллов, ни один из названных объектов не обладает трансляционной симметрией (в случае свободной поверхности кристалла трансляционная симметрия отсутствует в перпендикулярном поверхности направлении). Важным следствием этого является наличие у электронной системы, помимо делокализованных зонных состояний, которые подобны бло-ховским, состояний, локализованных вблизи границы кристалла, а также вблизи абсорбированных атомов или молекул. Отсутствие трансляционной симметрии не дает возможности в данном случае использовать для расчета электронной структуры методы, развитые в энергетической зонной теории твердого тела. [c.48]

В самом металле, однако, имеются регулярно расположенные ионы Ыа+, присутствие которых возмущает эти электронные волны. Ситуация не сильно отличается от той, которая возникает при прохождении сквозь кристалл рентгеновских лучей. Такие волны испытывают относительно слабое поглощение, за исключением волн с определенными длинами, удовлетворяющими условию Брегга. Можно сказать, что рентгеновские лучи, соответствующие этим длинам волн, не проходят сквозь кристалл. Параллель с волнами де Бройля для электронов теперь очевидна. Для любого заданного направления распространения имеются запрещенные значения К и, следовательно, согласно формуле (12.1), запрещенные значения энергии. Таким образом, наличие зон запрещенной энергии связано со структурой кристалла. Правда, вследствие трехмерности металла разрывы непрерывности появляются при различных значениях энергии и для различных направлений распространения волн. Вопрос, следовательно, не столь прост, как может показаться на основании нашей трактовки. Применение более совершенного метода, связанного с именем Бриллюэна (см. [251]), показывает, что зонный характер уровней энергии вытекает не только из наших рассуждений, а подтверждается и строгой теорией. [c.347]

В общем случае подобная задача для неупорядоченной системы, естественно, не имеет строгого теоретического решения. Поскольку в опытах [40] концентрации различных компонент были одного порядка, а давыдовское расщепление в кристалле бензола (около 40 с.и )—того же порядка, что и смещение спектра при замещении в его молекуле одного атома водорода дейтерием (30 см ), в задаче отсутствует какой бы то ни было малый параметр, по которому можно было бы вести разложение. В этом случае были, однако, получены относительно простые аналитические формулы, позволяющие правильно описать наблюдающееся явление [64]. Основной прием, позволивший разумно обработать экспериментальные данные, свелся к модельному предположению о том, что для всех молекул одного изотопного сорта, занимающих одинаковую позицию в элементарной ячейке, среднее окружение (количество и сорт близлежащих молекул) постоянно. Главные выводы построенной таким образом теории явления хорошо подтверждены в экспериментах [64]. Следует отметить, что дальнейшее исследование этого вопроса как теоретическое, так и экспериментальное [64—67, 70—72] позволило создать стройную схему изотопического эффекта в спектрах молекулярных кристаллов. Используя эту схему, можно получить такие, например, труднодоступные данные, как детали структуры экситонных зон. [c.79]

Зонная теория представляет собой применение одноэлектронной. модели к кристаллам (с принципиальной стороны она совпадает с методо.и МО в молекулярной квантовой химии, а в приближении ЛКАО идентична методу МО ЛКАО). Таким образом, исследование электронной структуры кристалла сводится в рамках зонной теории к решению уравнения (1.8), т. е. к нахождению собственных значений и собственных функций эффективного одноэлектронного гамильтониана (1.9), где под V подразумевается эффективный потенциал кристалла. Получаемые при этом одноэлектронные собственные функции именуются блоховскими функциями (БФ аналог. МО в молекулах). [c.49]

Книга посвящена новой и актуальной области науки — теории химической связи в твердых телах, которая впервые трактуется как один из разделов общей квантовой химии. В ней рассматривается влияние характера химической связи на особенности электронной (зонной) структуры и прослежены аналогии между химической связью в молекулах и твердых телах. Дано краткое изложение основ квантовой химии и зонной теории твердого тела, рассмотрен характер химической связи и электронное строение для простейших типов твердых тел ковалентных кристаллов элементов IV группы и других полупроводников. [c.415]

Согласно зонной теории [23, 24], электроны в металлах сохраняют в значительной степени те же характеристики, которые они имеют в изолированных атомах, хотя считается, что валентные электроны могут двигаться совершенно свободно через скопление положительно заряженных ядер и связанных с ними (плотных) электронных оболочек. Говорить о существовании 5-, р- и -электронов в твердом теле вполне законно, но тогда как в изолированных атомах каждое энергетическое состояние является дискретным и однозначным, в кристаллах металлов энергия каждого состояния имеет полосу (зону) разрешенных значений. Более того, число электронов, приходящихся на атом, расположенный в зоне металлического кристалла, может отличаться от числа электронов в соответствующих оболочках изолированных атомов. Например, электронная конфигурация 3(1- и 45-орбиталей изолированного атома железа имеет вид Зй 48 , тогда как в металлическом состоянии структура полосы в среднем выражается как Мы заме- [c.269]

Аналогичный эффект наблюдается при наличии активатора в кристаллической решетке. Из представлений зонной теории непосредственно следует, что полоса поглощения активатора должна быть всегда смещена в сторону больших длин волн по сравнению с фундаментальной полосой. Спектр поглощения электрона, локализованного на активаторе, как и в предыдущем случае, должен состоять из серии линий, но в силу воздействия окружающего поля кристаллической решетки основы он всегда имеет размытый вид, иногда с достаточно четко выраженной структурой. Наличие узких полос в спектре поглощения активатора обычно свидетельствует о том, что мы имеем дело не с кристаллофосфором, а с дискретным центром, свечение которого слабо связано с окружающей средой. Интенсивность полосы поглощения активатора всегда меньше интенсивности фундаментальной полосы, что вызвано их меньшей концентрацией в кристаллической решетке. Спектры поглощения активаторов могут быть экспериментально наблюдаемы при сравнении спектров поглощения активированных и неактивированных кристаллов. [c.77]

Работа Филлипса и его последователей вызвали к жизни многочисленные исследования зонной структуры кристаллов с позиций теории химической связи. [c.172]

Зонная теория и структура кристаллов [c.315]

ЗОННАЯ ТЕОРИЯ И СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ [c.315]

Молекулярные системы и проще кристаллов (так как содержат меньше атомов) и сложнее (так как их группа симметрии беднее). Это следует иметь в виду, рассматривая применение молекулярных моделей в теории электронной структуры твердых тел введение молекулярной модели необязательно связано с упрощением расчета и должно быть обусловлено физической сущностью рассматриваемой задачи. Применение молекулярных моделей целесообразно прежде всего при исследовании явлений в твердых телах, которые не поддаются описанию в рамках зонной теории. К таким явлениям относятся адсорбция и катализ, связанные с процессами на поверхности кристаллов существенные для практических применений свойства твердых тел, обусловленные наличием примесей или дефектов структуры (локальных центров) и др. [c.86]

Рассмотрение вопроса о возможности моделирования кристалла молекулярным кластером из конечного числа атомов важно в связи с тем, что в настоящее время модель молекулярного кластера используется для исследования ряда явлений, не поддающихся описанию в рамках зонной теории адсорбции на поверхности твердых тел, электронной структуры аморфных си- [c.140]

Проблема взаимосвязи структуры и свойств вещества затрагивается в книге еще не раз так, для описания кристаллов используются соответственно их структурным особенностям зонная теория или теория вандер-ваальсовых сил, а для объяснения своеобразия координационных соединений последовательно применяются разные подходы электростатическая модель ионной связи, метод ВС (или локализованных МО), теория кристаллического поля и, наконец, теория поля лигандов (или делокализо-ванных МО). Таким образом, читатель получает возможность ознакомиться с проблемами химической связи на самых разных уровнях-от доквантового до современного. [c.7]

Зонная теория твердых тел основана на модели идеального бесконечного кристалла, в которой не учитьтаются поверхность образца и различные дефекты. Она дает возможность обобщенного объяснения многих экспериментально наблюдаемых свойстгв твердого тела в тех случаях, когда отклонения от идеальной структуры малосущественны и определяющую роль И1 рает так называемый дальний порядок. [c.524]

Следует отметить, что кроме воды известно огромное число самых различных растворителей. И так же, как при образовании водных растворов, центральную роль играют процессы сольватации—взаимодействие молекул растворителя с растворяемым объектом. Значение процессов гидратации при электролитической диссоциации в водных растворах отмечалось впервые в работах И. А. Каблукова (1891) и В. А. Кистяковского (1888—1890), положивших начало развитию теории электролитов, один из важнейших вопросов которой является изучение структуры растворов и характера распределения в них ионов. Установлено, что не только молекулы воды влияют на структуру раствора (поляризация, ионизация), но и растворяемое вещество в свою очередь влияет на структуру воды (растворителя). Как заряженные частицы, ионы обладают электрическим полем, напряжен юсть которого достигает величин порядка 10 В/см. Это поле определяет сильное электростатическое взаимодействие между ионом и полярными молекулами воды. Молекулы воды, находящиеся в непосредственной близости к иону, могут связываться с ним силами химической связи, образуя химическое соединение. Непосредственно присоединенные к иону молекулы воды строго ориентированы, их расположение напоминает структуру кристалла. Следовательно, при растворении электролита структура воды становится неоднородной. Часть молекул воды, которая далека от иона, остается в прежнем состоянии, это собственная структура воды HjO ,, другая часть—псевдокристаллическая структура, характерная для ионной зоны Н О , . В переходном слое между этими зонами вода имеет промежуточную [c.109]

Кристаллич структура П, в отличие от типичных металлов, не относится к числу плотных и плотнейших атомных упаковок и характеризуется более или менее ярко выраженной анизотропией Это обусловлено неравноценностью хим связи (по прочности, а иногда и по типу) в разных кристаллографич направлениях-гетеродесмич-ностью (см Кристаллическая структура) В рамках зонной теории твердого тела это приводит к тому, что потенц рельеф дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, определяемый характером кристаллич структуры, очень сложен и в нек-рых кристаллографич направлениях возможно перекрывание указанных зон Соответственно и валентные электроны, осуществляющие хим связь, де-локализуются вдоль определенных направлений в кристалле и становягся электронами проводимости В то же время вдоль др кристаллографич направлений энергетич зазор между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны сохраняется и с ростом т-ры возможен активац переход электронов между зонами и рост электрич проводимости с т-рой, т е типичное полупроводниковое поведение Напр, в графите, где ярко выражена слоистость структуры, электроны делокализованы в атомных слоях, перпендикулярных оси гексагон призмы, к-рая является [c.55]

Классификация. В соответствии с зонной теорией различие между П. и диэлектриками чисто количественное-в ширине запрещенной зоны. Условно считают, что в-ва с Д > 2 эВ являются диэлектриками, с Д < 2 эВ-полупроводниками. Столь же условно деление П. на узкозонные (Д < 0,1 эВ) и широкозонные. Важио, что один и тот же по хим. составу материал в зависимости от внеш. условий (прежде всего т-ры и давления) может проявлять разные св-ва. Наблюдается определенная зависимость между концентрацией электронов проводимости и устойчивостью кристаллич. структуры п. Б частности, алмазоподобная структура устойчива до тех пор, пока в зоне проводимости еще остаются вакантные энергетич. уровни. Если все они оказываются занятыми и имеет место вырождение энергетических уровней, первая коордииац. сфера, а за ней и весь кристалл претерпевают перестройку с образованием более плотной структуры, характерной для металлов. При этом концентрация электронов проводимости перестает расти с т-рой и собств. проводимость П. падает. Классич. примером является олово, устойчивая полиморфная модификация к-рого (белое олово) при комнатной т-ре является металлом, а стабильное при т-рах ниже 13 °С серое олово (а-8п) - узкозонный П. С повышением т-ры и соответствующим изменением концентрации своб. электронов характерная для а-8п алмазоподобная структура переходит в структуру с более плотной упаковкой атомов, свойственной металлам. Аналогичный переход П.-металл наблюдается при высокой т-ре у Се, 81 и алмазоподобных бинарных П., к-рые при плавлении теряют полупроводниковые св-ва. [c.57]

Изложение в книге строится на основе зонной теории (которая йдентична методу молекулярных орбиталей для молек л), и основное внимание уделено зависимости зонной структуры от тех или иных особенностей связи. Часто наблюдается тенденция сводить теорию химической связи в кристаллах к вопросу о распределении заряда, степени ионности и т. п. Такой подход, конечно, очень обедняет теорию, так как подавляющее большинство интервент,тх и важных свойств твердых тел связано именно с их зонпой структурой. [c.4]

Как отмечалось, одной из причин выбора принятого здесь полуэмпирического построения теории ххшической связи в кристаллах является отсутствие до последнего времени надежных неэмиирических ЛКАО-расчетов зонной структуры кристаллов А1 и [c.122]

Исследовав валентную зону, мы можем теперь приступить к изучению полосы проводимости и полной зоппой структуры кристаллов с решеткой алмаза. При атом, как мы увидим, в связи со специфическими свойствами полосы проводимости нужно будет перейти от упрош енного к полному варианту теории, а также более тш а-тельпо исследовать характер химической связи в соединениях элементов IV группы. [c.125]

Мы рассмотрели ряд проблем теории химической связи в кристаллах и теперь подведе.. г итоги. По-видимому, главный вывод, который можно сделать из всего обсуждения, заключается в следующем между молекулярной квантовой химией и теорией зонпой структуры кристаллов (или даже вообще между химией и физикой твердого тела) имеется гораздо больше параллелей, чем обычно принято думать. Так, одни и те же факторы по всей вероятности, определяют как своеобразный характер зонной структуры ал.маза, так и особенности химической связи в углеводородах. Аналогичным образом хорошо известный всем химикам феномен инертной пары Сиджвика приводит к закономерной эволюции зонной структуры в вертикальных рядах полупроводников А В и, в частности, связан с локализацией в точке Ь абсолютного минимума полосы проводимости кристалла германия. [c.222]

Эмиссия свободных электронов в жидкость дает возможность исследовать ряд явлений, связанных с проводимостью и пробоем жидких диэлектриков. Это может быть осуществлено несколькими способами а) фотоэффектом, б) термоэмиссией из нагретого электрода, в) холодной эмиссией электронов из катода, г) нанесением / -излучающего вещества на один из электродов. Изучение температурной зависимости самостоятельной проводимости чистых жидкостей показало линейную зависимость логарифма тока от обратной температуры. Вычисленная из этих данных энергия активации электропроводности для многих исследованных углеводородов составляет так же, как и в водных растворах электролитов, величину порядка 3 ккал/моль, что позволяет сделать предпо-ложепие о независимости самостоятельной проводимости от структуры жидкости. Правда, существуют и другие мнения о механизме проводимости. Поскольку многие явления в жидких и твердых диэлектриках обнаруживают большое сходство, поэтому теория, разработанная для твердых диэлектриков может быть применима и для жидких диэлектриков. В кристалличе ских структурах большое влияние оказывают различного рода примеси, создающие своеобразные ловушки , энергетиче ские уровни которых располагаются в промежутке между валентной зоной и зоной проводимости кристалла. Переход электрона, положим, с валентного уровня на промежуточный значительно облегчается, что и служит причиной увеличения проводимости загрязненных кристаллов. Точной теории подвижности заряженных частиц в жидких диэлектриках, а тем более в смесях или растворах, до сих пор нет. [c.191]

С другой стороны, чисто зонная модель тоже недостаточна для описания свойств окислов, так как неясна природа локализации -электронов в незаполненных оболочках. Для объяснения этого факта Мотт и Гуденаф предложили два различных подхода. Мотт исходит из зонной теории ионных кристаллов, рассматривая узкую -зону, расщепленную кристаллическим полем. Б окисле, где атомы металла разделены атомами кислорода, -зона еще больше сужается, самое понятие зоны теряет смысл. Перекрытие -состояний отсутствует, и электроны локализованы на ионах переходного металла. Гуденаф рассматривает окисел в приближении ковалентных связей, как в координационных соединениях, в которых переходный металл связан с окружением гибридными связями, включающими и -орбитали. В частных случаях, когда это согласуется со структурой, Гуденаф полагает, что может образоваться прямая ковалентная катион-катионная связь. Такой [c.4]

Различия между зонными структурами гексагонального и ромбоэдрического графитов [375] носят сложный характер, однако с помошью указанных выше исследований они должны отчетливо обнаруживаться. Слончевский [955] предложил использовать для описания зонной структуры графита другую теорию, впервые введенную Уоллесом для случая сильной связи (ср. [1161]). Для получения топологии зон Слончевский произвел подробное исследование теории групп для кристаллов. Вследствие большого расстояния между слоями взаимодействие между ними трактуется с помощью теории возмущений такой подход приводит к модели энергетических [c.126]

Стекла относятся к числу наиболее важных технических материалов с аморфной структурой, поэтому их основные свойства изучены довольно подробно [34]. Транспортные процессы в стеклах, находящихся в твердом состоянии, подчиняются, в общем, тем же закономерностям, что и в неметаллических кристаллических телах. Так, при низких температурах они обычно являются изоляторами. При повышенных температурах многие стекла, особенно содержащие щелочные металлы, являются ионными проводниками в других случаях, например, в халько-генидных стеклах, наблюдается электронная проводимость полупроводникового типа. Хотя зонная теория твердых тел описывает лишь кристаллы и неприменима к аморфным телам, тем не менее принято считать, что энергетический спектр электронов в стеклах в основном подобен полупроводниковому, в частности, содержит локальные уровни донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне, связанные с какими-то структурными особенностями, аналогичными дефектами решетки в кристаллах. [c.54]

Кристаллы, содержащие огромное количество атомов ( 1023), на первый взгляд кажутся намного сложнее подавляющего большинства молекул — систем из сравнительно небольшого числа атомов. Тем не менее зонная теория твердых тел достигла существенного прогресса уже в то время, когда в квантовой химии из-за отсутствия ЭВМ ограничивались применением для молекул лишь простейших полуэмпирических схем типа простого метода Хюккеля. В основе зонной теории с самого начала ее развития лежал учет периодичности структуры кристаллов (трансляционной симметрии), которая накладывает на электронные волновые функции существенно больше ограничений, чем точечная симметрия, присущая молекулам. Учет трансляционной симметрии позволяет еще до проведения конкретного расчета выявить фундаментальные свойства электронного энергетического спектра кристалла, в частности его зонный характер. Такой учет также дает возможность существенно понизить порядок решаемых уравнений и вместо 10 атомов рассматривать лишь примитивную ячейку кристалла, содержащую в большинстве слутаев всего несколько атомов. [c.7]

Если нас интересуют свойства реального (дефектного) кристалла, то даже и в этом случае важно знать, куда попал дефект , какими свойствами (оптическими, электрическими, упругими) обладает кристалл-матрица. Именно прп сопостав./ ен1П1 идеального (не искаженного дефектами) и реального кристаллов удается наиболее полно понять природу последнего и, более того, наметить путь такого искажения идеального кристалла, чтобы получившийся из него реальный обладал нужными свойствами. Абстрактная модель идеального кристалла (в которой не учитывается поверхность образца, дефекты), использованная в зонной теории твердых тел, позволила исследователям объяснить многие экспериментальные явления, для которых отклонения от идеальной структуры малосущественны. [c.204]

Одна нз основных трудностей в расчетах электронной структуры кристаллов связана с проведением самосогласовання при расчете в одноэлектронном приближении. В [1] отмечается В большинстве кристалов мы не можем обойтись без самосогласованного расчета. Это обстоятельство представляет собой основное препятствие прогрессу в теории зонной структуры . Реальный путь проведения самосогласовании связан с построением так называемых самосогласованных атомных потенциалов в кристалле — матричных элементов модельного (одноэлектронного) гамильтониана, входящих в атомный блок, с последующим испоьзованием их в несамосогласованном зонном расчете. [c.211]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология