Электронная дифракция разрешение

При осаждении на гладкие поверхности при определенных температурах и концентрациях получались зеркальные слои. Размер зерен этих микрокристаллических осадков является часто ниже продельного разрешения оптических микроскопов. Микрофотографические данные всегда показывают однородность структуры и низкую степень однородности на поверхности относительно тонких слоев. Электронная микроскопия тонких протравленных слоев показывает высокую степень зависимости размеров зерен от температуры разложения. Методами рентгенографии и электронной дифракции установлено, что слои содержат карбид кремния в количествах, достаточных для измерения. Анализ образцов, полученных при температурах между 1000 и 1150 С, не показал различия между общим содержанием углерода и угле-родо.и, связанным в карбиде. Это объясняется тем фактом, что и образование карбида кремния и выход кремния значительно увеличиваются в этом температурном интервале. Лучшая кристалличность Si при высоких температу- [c.232]

Очевидно, что трехмерная визуализация молекулярной структуры (как в случае оптического микроскопа для образцов с размерами в диапазоне 1-100 мкм) позволила бы получить требуемую информацию напрямую. Однако разрешающая способность (т. е. способность различить соседние объекты) такого прибора ограничивалась бы длиной волны излучения или частиц. Так как расстояния между химически связанными атомами обычно находятся в пределах 0,9-3 А(1 А = 10 см), то следовало бы ожидать, что рентгеновское излучение с длинами волн, лежащими в этом диапазоне или вблизи него, может быть использовано для наблюдения молекулярной структуры. К сожалению, такой прямой подход невозможен, так как еще не создан материал, способный фокусировать рентгеновское излучение так же, как это делает стеклянная линза оптического микроскопа. Однако электроны с высокими энергиями, которые имеют подходящую длину волны (которая дается уравнением де Бройля), можно сфокусировать электростатическим полем. Тем не менее электронная микроскопия, хотя и позволяет реально увидеть большие молекулы и в благоприятном случае атомы, все же не может добиться разрешения рентгеновской дифракции (разд. 11.2) и, следовательно, непригодна как метод массового структурного анализа. [c.389]

Значительный вклад в представления об упаковке молекул в твердых растворах н-парафинов внесла серия работ Д. Дорсета [216, 217,218, 220,221, и др.]. Принципиально новый подход заключался в использовании методов электронной микроскопии высокого разрешения и дифракции электронов. Д. Дорсетом были изучены некоторые составы из длинноцепочечных молекул в четных системах (преимущественно 1 1, мол. отн.) С32—Сз [221], С28— Сз4[216], Сзо—Сзб[216, 218], С30—С4о[216, 217, 218], jg—Qo [216] с Ли=4, 6, 10 и 22 соответственно в системах смешанной четности С33—С36 [220] и С32—С37 [221] с Дл=3 и 5 соответственно. [c.58]

Бактериальные клетки имеют средние размеры 1-10 мкм, клетки растений и животных по размерам сильно различаются от 10 мкм до 10" мкм. Вирусы имеют величину 10-100 нм и не видны в световой микроскоп (разрешение светового микроскопа 200 нм). Размер средней молекулы белка составляет примерно 6,5 нм надмолекулярного комплекса (рибосомы) -10 нм. Субклеточные структуры имеют размеры от 0,1 до 100 нм их изучают с помощью методов электронной микроскопии и дифракции рентгеновских лучей. [c.4]

Имеется множество доказательств того, что даже очень гладкие на вид поверхности на молекулярном уровне являются неровными. Природу таких неровностей можно исследовать электронно-микроскопиче-ским методом либо при малых углах отражения, либо с помощью углеродных реплик. Этими способами достигается разрешение до 10 А [1], что позволяет непосредственно увидеть не только дефекты, ступеньки и т. п. на поверхности (см. разд. У-4), но и борозды, оставляемые при скольжении одной поверхности по другой. Ценную информацию о структуре поверхностей можно получить также, изучая их методом дифракции медленных электронов и автоэмиссионными методами (см. разд. У-6). Оптические интерференционные методы позволяют выявлять изменения уровня поверхности всего на 10 А. В более грубом масштабе шероховатость поверхности можно контролировать по колебаниям иглы с алмазным кончиком, медленно движущейся по поверхности. [c.341]

Дифракция рентгеновских лучей (в широких углах) дифракция электронов инфракрасная спектроскопия ноглош,ения (в том числе поляризационная) ядерный магнитный резонанс (высокого разрешения) спектры комбинационного рассеяния ультрафиолетовая спектроскопия поглощения микроволновая спектроскопия другие спектроскопические методы рассеяние нейтронов [c.163]

Разрешающую способность микроскопа определяют путем измерения минимального расстояния между двумя точками, которые видны раздельно. Изображения точек, расположенных слишком близко, сливаются, поскольку из-за действия аберраций линз и дифракций лучей каждая точка объекта в принципе всегда изображается кружком рассеяния. В качестве тест-объекта для определения разрешающей способности микроскопа по точкам можно брать частицы золота (или тяжелого и тугоплавкого сплава Р1—1г), образующиеся при конденсации из пара на холодной подложке (рис. 20.12, а). Поскольку разрешение в современных электронных микроскопах расстояния близки к межплоскостным расстояниям в кристаллах, в качестве тест-объекта используют различные тонкие кристаллы (рис. 20.12,6). Надо иметь в виду, что в изображении системы плоскостей интерференции разрешение оказывается лучшим, чем в изображении точечного объекта. Дело в том, что в процессе дифракции на кристаллической решетке происходит монохроматизация излучения и на качестве изображения не сказываются хроматические аберрации. [c.448]

Обычно используют более совершенную технику рентгеновских измерений по сравнению с описанной выше. В принципе методы дифракции электронов и нейтронов аналогичны методу дифракции рентгеновских лучей, но иногда они обладают известными преимуществами. Коротковолновое электронное излучение позволяет добиться более высокого разрешения, чем рентгеновские лучи, и обычно его используют при исследовании структуры небольших образцов. Метод дифракции нейтронов позволяет исследовать вещества с легкими ядрами, такими, как протоны полезен он и при изучении магнитных структур. [c.27]

Разрешение карт электронной плотности. Поскольку данные по дифракции рентгеновских лучей представляют соответствующие наборы параллельных плоскостей отражения внутри кристалла, отстоящих друг от друга на расстояние d , теоретическое разрешение карты Фурье улучшается при уменьшении . После того как рентгеноструктурные данные представлены в виде полного набора рефлексов рентгеновских лучей вплоть до некоторого минимального расстояния между плоскостями min, предельное разрешение трехмерной карты Фурье определяется соотношением [c.20]

В течение двадцати лет, с 1939 по 1959 г., гидридные комплексы переходных металлов исследовались с использованием ИК-спек-троскопии, спектроскопии ЯМР высокого разрешения и широких линий, метода дифракции электронов вывод из всех этих независимых экспериментов, кратко рассмотренных выше, состоял в том, что атом водорода в гидридных комплексах не проявляет никакого стереохимического влияния и что он погружен в электронную оболочку атома металла. [c.39]

Возможность непосредственного наблюдения отдельных атомов и разрешения кристаллических решеток неоднократно обсуждалась в литературе [44—47]. Наблюдения, позволяющие разрешить детали атомного размера, возможны с помощью дифракционных методов при использовании излучения, длина волны которого сравнима с величиной разрешаемого размера. Для этой цели наиболее удобным представляется дифракция электронных волн с применением магнитной или электростатической фокусировки. Принципиально возможно при использовании соответствующей оптической системы электронного микроскопа получить снимок кристаллической решетки. Расшифровка соответствующих снимков связана с двумя задачами 1) необходимо преодолеть трудности теоретического и вычислительного характера для определения реальной структуры кристалла из экспериментальных данных, относящихся к обратному пространству 2) необходимо учитывать несовершенство строения реального кристалла. Это важно потому, что дифракционные методы приводят к усредненному эффекту для всего облучаемого объема или, другими словами, к сглаживанию несовершенств. [c.376]

РСА основан на дифракции рентгеновских лучей на хорошо сформированных белковых кристаллах. На основании дифракционных картин рассчитывают распределение электронной плотности в кристалле, а по картам распределения электронной плотности восстанавливают пространственную структуру молекул белка с атомным разрешением. Метод ЯМР позволяет получать ценную информацию о динамике белковых структур в растворах. Он основан на измерении времен релаксации по ширине линий резонанса. К настоящему времени методами РСА и ЯМР [c.70]

Теоретические принципы, лежащие в основе световой микроскопии, справедливы и для электронной, а электронный микроскоп во многих отношениях аналогичен световому. Длина волны электронного пучка зависит от величины ускоряющего напряжения. Так, при 50 кВ она равна 0,054 А, а при 1000 кВ — 0,0087 А, т.е. короче рентгеновского излучения и поэтому можно было бы ожидать, что такой микроскоп будет давать изображение с большим разрешением по сравнению с рентгеновской дифракцией. Однако по техническим причинам это неосуществимо и лучшие современные электронные микроскопы дают разрешение 2,0 А. [c.168]

Известно, что электронам с высокими скоростями тоже присущи волновые свойства, в том числе явление дифракции. Однако при достаточно больших скоростях, согласно формуле де Бройля, длина волны мала и соответственно мал предел разрешения. Так, если электроны ускоряются электрическим полем с напряжением 10 В, их скорость достигает 10 м/с, длина волны уменьшается и предел разрешения составляет порядка 0,1 нм, что позволяет рассмотреть отдельные детали строения биологических мембран. [c.12]

В последние годы благодаря развитию экспериментальной техники, в первую очередь электронной микроскопии высокого разрешения и высокоразрешающих методов рентгеновской и электронной дифракции, стали возможными экспериментальные исследования структуры границ на атомном уровне. С помощью этих методов, а также ионной микроскопии получены убедительные доказательства справедливости кристаллогеометрических теорий для описания структуры границ. Эти выводы относятся как к межзе-ренным, так и к межфазным границам. [c.90]

Разработка установок — комбайнов, сочетающих несколько методов и оборудованных вычислительных техникой, что позволяет производить измерения и анализ химических, геометрических, электронных и других свойств. Определяется переход от уникальных лабораторных установок к установкам, выпускаемым снециализи-рованиыми фирмами можно говорить о создании индустрии научного приборостроения, В качестве примера на рис. 3.29 приведен общий вид установки, в составе которой имеются Оже-снектрометр, рентгеновский электронный спектрометр, ионный микроскоп, электронный микроскоп на вторичных электронах с разрешением -З О мкм, Оже-микроскоп для элеметного анализа с разрешением до 1 мкм, ионная очистка, прибор для дифракции электронов и т, д. Установ- [c.148]

Механизм взаимодействия радикалов СН3 с окисленной поверхностью Мо(ЮО) был изучен методами ДМЭ (дифракция медленных электронов) и СПЭЭВР (спектроскопия потерь энергии электронов высокого разрешения) [120]. Были обнаружены на поверхности группы М0-СН3, а не М0-О-СН3 [c.52]

Уникальной особенностью таких природных кристаллов оказалась их очень высокая упорядоченность и радиационная стабильность. Последнее обстоятельство позволило провести их исследование без применения негативного контрастирования [610]. Методом электронной дифракции на таких кристаллах были определены амплитуды структурных факторов вплоть до разрешения 6-7 А в плоскости мембраны. Изображения неконтрастированных пурпурных мембран характеризуются низким контрастом (< 1%). Цифровая обработка их позволила рассчитать и значения фаз для этого набора структурных факторов. И хотя трехмерный набор данных, созданный в результате анализа "наклонных серий" изображений, имел разрешение в направлении нормальном к плоскости мембраны 14 А, реконструкция трехмерной структуры позволила описать не только внешнюю форму, но и внутреннее строение молекулы. Оказалось, что полипептидная цепь бактериородопсина, состоящая из 248 аминокислотных остатков, образует семь а-спиральных /лранс-мембранных сегментов (рис. 1.70). При этом общая высота [c.201]

Двумерные упорядоченные структуры, такие, как тонкие кристаллы или кристаллические мембраны, исследуют с помошью электронного микроскопа. Для одного и того же образца можно получить и картину электронной дифракции, и прямое изображение. Для оценки фаз структурных факторов это изображение подвергают преобразованию Фурье. Совместно с амплитудами, полученными из дифракционных данных, эти фазы используют при синтезе Фурье, результатом которого является детальный портрет структуры, полуденный с высоким разрешением. [c.450]

Однослойные углеродные ианотрубки средним диаметром 1.2-1.4 нм были исследованы после обработки высоким давлением 9.5-15 ГПа и температурой до 1500°С. Были использованы спектроскопия КРС, рентгеновская дифракция, электронная микроскопия высокого разрешения. Также были измерены плотность образцов и их твердость. Рентгеновские дифракционные картины обработанньге давлением образцов, также как и исходного материала, не содержат отчетливых пиков, поскольку трубки не были упорядочены. В то же время, отсутствие характерного для аморфного углерода пика в области межплоскостных расстояний [c.62]

Экспериментальные установки обычйо сочетают проведение в одной и той же вакуумной камере Оже-спектроскопии и измерений дифракции электронов низкой энергии. В результате получается информация как о химическом составе поверхности, так и о ее атомной структуре. Для изучения геометрической структуры поверхности используют электронный сканирующий микроскоп. Принцип действия этого прибора аналогичен передаче телевизионного изображения, только здесь на исследуемый объект направляется сфокусированный пучок электронов, а детектируется интенсивность отраженных электронов, которая затем передается на экран электронно-лучевой трубки. Движение сфокусированного пучка электронов вдоль исследуемого образца синхронизовано с движением луча электронно-лучевой трубки, в результате чего на ее экране получается изображение изучаемой поверхности. Разрешение современных сканирующих микроскопов составляет 5—10 нм. [c.86]

Электронография как метод изучения структуры кристаллов имеет след, особенности 1) взаимод. в-ва с электронами намного сильнее, чем с рентгеновскими лучами, поэтому дифракция происходит в тонких слоях в-ва толщиной 1-100 нм, 2) /з зависит от атомного номера слабее, чем /р, что позволяет проще определять положение легких атомов в присут. тяжелых 3) благодаря тому что длина волны обычно используемых быстрых электронов с энергией 50-100 кэВ составляет ок. 5-10 им, геом. интерпретация электронограмм существенно проще. Структурная электронография широко применяется для исследования тонкодисперсных объектов, а также для изучения разного рода текстур (глинистые минералы, пленки полупроводников и т. п.). Дифракция электронов низких энергий (10-300 эВ, X 0,1-0,4 нм)-эффективный метод исследования пов-стей кристаллов расположения атомов, характера их тепловых колебаний и т. д. Электронная микроскопия восстанавливает изображение объекта по дифракц. картине и позволяет изучать структуру кристаллов с разрешением 0,2-0,5 нм. [c.99]

Исследования при помощи дифракции электронов и крайне чувствительного темиопольного метода показали, что в пленках не содержится заметных кристаллов. Пленки вполне устойчивы во время электронной бомбардировки при увеличениях 40 ООО— 60 ООО, грануляция платины наблюдается лишь после облучения, которое но интенсивности во много раз превышает нормальное. После такого облучения, согласно данным темно-польного метода и электронографии, в пленках обнаруживаются кристаллиты, причем такую же картину грануляции дает платина, напыленная в отдельности на углеродную пленку. Полученные данные свидетельствуют о том, что этот способ является многообещающим для получения высокого разрешения при оттенении. При наблюдении в электронном микроскопе с высокой разрешающей способностью собственную структуру пленок обнаружить не удается, а тени представляются очень резкими даже в том случае, если расстояние от источника испарения до объекта составляло всего 2,5 см. Следовательно, источник можно рассматривать в качестве точечного. [c.88]

В последнее время при помощи электронной микроскопии и дифракции электронов было проведено исследование морфологических и структурных изменений частиц, наблюдаемых при старении ряда золей. Изменения такого рода отмечены для золей иодистого серебра [35, 36], трехокиси вольфрама [37], гидроокисей магния [38] и свинца [39]. В коллоидных частицах сернокислого бария были обнаружены поры размером от 70 А вплоть до предела разрешения микроскопа ( 15 А), появление которых, вероятно, обусловлено удерживанием гид-ратащгопной воды [40]. [c.144]

В отличие от микродифракции в электронном микроскопе дифракцию электронов исследуют в специальных приборах — электронографах. Неупруго рассеянные электроны можно отфильтровать электронным фильтром с тормозящим полем. Дифракция от тонких пленок происходит в электронографе на просвет , от массивных поверхностей — на отражение . Разрешение электронографа определяется как наименьшая разность межнлоскостных расстояний Л миш при котором разделяются максимумы (линии) на электронограмме. Мерой разрешения является Дс/мин/ . [c.230]

Теоретич. предельное разрешение электронных микроскопов составляет примерно 0,2 нм (2 А). Основные ограничения в эту величину вносят дифракция, обусловленная конечной длиной дебройлевско волны электронов [при ускоряющем напряжении 100 кв эта величина равна 0,004 нм (0,04 А)], и сферич. аберрация электромагнитных линз. Разрешение лучших серийных микроскопов практически достигло теоретич. предела, что в иринциие позволяет детально изучать тонкую структуру полимерных объектов. Однако разрешение, к-рое м. б. достигнуто при исследовании реальных объектов, отличается от разрешения самого прибора из-за несовершенства препаративных методов и радиационных повреждений и составляет 1,5—2,0 нм (15—20 А). Разрешение при использовании растровых микроскопов гораздо меньше 3—5 км (30—50 А). [c.475]

Предыдущий раздел был посвящен геометрическим условиям дифракции на решетке было показано, что кристаллическая решетка, пли элементарная ячейка, определяет, прн какой орпеи-тацпп возможна дифракция. Картина, наблюдаемая в разрешенных для дифракции точках (илп направлепнях), помимо других факторов, зависит от природы и расположения рассеивающих центров (атомов, ядер, электронов или других частиц) в элементарной ячейке. Для наших целей достаточно отметить, что ип-тенсивпость, наблюдаемая при любом измерении, может принимать любые значения от нуля (точно нуля или слишком малых величин, чтобы их можно было измерить) до относительно больших величин. [c.23]

Вовсе не очевидно, что в будущем при исследовании дифракции кристаллических белков удастся достигнуть значительного улучшения разрешения структуры. Кристаллы белков отличаются от кристаллов малых молекул высоким содержанием растворителя (>40%) в элементарной ячейке [63, 64]. Следовательно, белковые молекулы в кристаллическом состоянии не подвержены силам меж-молекулярного взаимодействия, сравнимым с силами решетки, удерживающими малые молекулы в гораздо более жестком состоянии. В связи с этим результаты рентгеноструктурного анализа белков часто основываются на участках карты электронной плотности с плохим качеством изображения. Классическим примером этого явления служит подвижность концевых областей а и Р субъединиц метгемоглобина лошади [16]. Высокие концентрации соли, используемые при кристаллизации, препятствуют образованию стабилизирующих полярных контактов между этими областями. Кроме того, нельзя не принимать в расчет роль гибкости полипептидной цепи белка, которая может оказаться существенной для ферментативной функции. Подобные факторы, относящиеся к описанию упорядоченной структуры растворителя и взамодействию молекул растворителя с белковыми остатками, препятствуют получению данных, необходимых для точного описания структуры молекулы. Очевидно, что к областям полипептидной цепи белковых молекул, которые на карте Фурье плохо различимы, методы уточнения не применимы. [c.22]

Значительные успех И были достигнуты и в исследовании плохоокристаллизованных и смешаннослойных минералов, благодаря применению дифракции электронов и развитию методов интерпретации и расчета ряда дифракционных эффектов. Особенности их решеток иногда удавалось наблюдать-и непосредственно в электронных микроскопах высокого разрешения, причем наблюдаемые периодичности можно было сопоставлять с результатами расчетов соответствующих картин микродифракции. [c.201]

Поэтому усилия должны быть направлены в сторону усовершенствования систем уравнений за счет разработки более совершенных теорий и привлечения более полных экспериментальных результатов, полученных с помощью методов прямого наблюдения (изотопы, Оже-спектроскопия, ЕЗСА, дифракция медленных электронов, электронная микроскопия сверхвысокого разрешения, мик. розонды и другие анализаторы и т. п.). В равной мере это требование относится как к периоду, предшествующему зародышеобразованию, и к ранним стадиям роста зародышей (дву- или трехмерных), так и к более поздним стадиям реакции, когда важно выяснить влияние границ блоков и дислокаций. [c.387]

Электронно-лучевые способы. Так как предел разрешения линий в фотолитографии обусловливается длиной волны ультрафиолетового света, а в последнее время все больший интерес представляет вопрос изго-тс влення рисунков в пределах 1 мкм, поэтому внимание исследователей все больше привлекает метод экспонирования фоторезистов с помощью электронного луча. Электронный луч можно очень быстро сфокусировать в точку диаметром 1000 А и даже 100 А [148]. На четкость изображения дифракция не оказывает влияния, потому что обычно используются электроны с энергией 10 кВ с длиной волны Де Бройля — порядка нескольких десятков ангстрем. Диаметр точечного изображения ограничен сферическими аберрациями электромагнитных линз, а это сказывается весьма незначительно, поскольку углы наклона пучков электронов очень малы. По этой же причине, глубина резкости для объектов субмикронных размеров больше 10 мкм [149]. Важной предпосылкой для экспонирования электронным лучом является наличие подходящих фоторезистов. Энергия ионизирующей радиации электронов, например, 10 кВ много больше, чем энергия ультрафиолетового света. Взаи.модействие таких электронов с органическими полимерами не ограничивается образованием хромофорных групп, и в молекулах могут произойти еще какие-то явления. В результате взаимодействия в макромолекулах могут образоваться временно разрушенные связи, что может привести к появлению поперечных связей с образованием трехмерных полимерных структур или к насыщению разрушенных связей с образованием мельчайших агрегатов. В первом случае растворимость облученного продукта уменьшается, тогда как разделение макромолекул ведет к увеличению растворимости. Оба этих процесса имеют место в большинстве органических полимеров. В зависимости от преобладания поперечных связей или их разрушения, одни данные предусматривают использование негативных, а другие позитивных фоторезистов. Обычные фоторезисты, а тжже другие полимерные системы были испытаны на пригодность их в качестве резистов для электронно-лучевого метода. Ряд таких материалов и их свойства представлены в табл. 5. [c.638]

Поскольку новые методы исследования тесно связаны со стереорегулярностью полимеров, в книге приведена отдельная глава но определению микротактичности. Только одна глава книги — фракционирование—составлена с препаративной точки зрения. Но даже в этом случае выбраи один метод — экстракционная хроматография применительно к полиолефинам. В шести главах изложены методы, которые можно отнести к категории оптических. К ним относятся использование поляризованного излучения и дейтерированных образцов в инфракрасной спектроскопии, двойное лучепреломление и светорассеяние твердыми полимерами, дисперсия оптического вращения, поляризационная флуоресценция, дифракция рентгеновских лучей под малыми углами и дифракция электронов. В главе о ядерном магнитном резонансе рассматриваются только спектры высокого разрешения. Двумя термометрическими методами являются дифференциальный термический анализ и новый метод измерения тепловых эффектов при механической деформации. Остальные пять глав посвящены свойствам растворов и некоторым другим свойствам светорассеянию и осмометрии при повышенных температурах, ультрацентрифугированию в градиенте плотности, двойному лучепреломлению в потоке, эластоосмометрии и полимерным монослоям. [c.7]

Химическое отделение Заведующий R. N. Haszeldine Направление научных исследований теория молекулярного строения применение рентгеновской дифракции для изучения молекулярного строения катализ и ингибирование реакций в газовой фазе электронный парамагнитный резонанс свободных радикалов в газовой фазе ЯМР высокого разрешения применение электронно-вычислительных машин для физико-химического анализа газожидкостная хроматография применение галогенов в аналитической химии гидриды металлов сильные неорганические кислоты химия фтора, висмута, фосфора, ванадия методы спектроскопического определения фтора в органических и металлорганических соединениях окисные катализаторы жидкофазное окисление углеводородов органические соединения азота использование полифосфорной кислоты в органическом синтезе кремний-, фосфор- и сераорганические соединения эмульсионные полимеры фторсодержащие полимеры фенол-форм альдегидные смолы силиконы, силоксаны, полисилоксаны масс-спектроскопическое изучение полимеров деструкция полимеров. [c.264]

Направление научных исследований расчет плотности электронов изучение строения сложных молекул с помощью рентгеновской и нейтронной дифракции ЯМР высокого разрешения четвертичные производные пиридина витамин К механизм фосфорили-рования in vivo и in vitro химия коэнзимов. [c.273]

Рис. 4-11. Изображение неокрашенных микротрубочек, наблюдаемое в интерференционном микроскопе. А. Исходное необработанное изображение Б. Изображение, полученное после электронной обработки, существенно увеличивающей контраст и снижающей шум . Хотя диаметр микротрубочек всего 0,025 мкм, вследствие дифракции они выглядят, как значительно более толстые филаменты (С любезного разрешения Bru e

Наибольшие успехи в раскрытии особенностей строения биологических мембран были достигнуты в электронно-микроскопических исследованиях. Как известно, световой микроскоп не позволяет рассмот1)еть детали объекта, меньшие примерно половины длины световой волны (около 200 нм). В световом микроскопе можно разглядеть отдельные клетки, однако он совершенно непригоден для изучения биологических мембран, толщина которых в 20 раз меньше предела разрешения светового микроскопа. Разрешающая способность микроскопа ограничена явлением дифракции. Поэтому, чем меньше длина волны по сравнению с деталями исследуемого объекта, тем меньше искажения. Предел разрешения пропорционален длине волны. [c.12]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология