Вторичные ионы также Эмиссия ионов вторичных

Следующий метод, применяемый для исследования поверхностных явлений,— это метод вторичной ионно-ионной эмиссии. При бомбардировке поверхности твердого тела первичным пучком положительно заряженных ионов (обычно ионами инертного газа, например, Аг+) происходит эмиссия с поверхности вторичных положительных и отрицательных ионов — вторичная ионно-ионная эмиссия, а также нейтральных и некоторых других частиц [3, 8—11]. Прямое масс-спектрометрическое изучение вторичных ионов, а в ряде случаев дополнительное изучение вторичных нейтральных частиц (с ионизацией их электронным ударом) дает ценную информацию о поверхности твердого тела. [c.49]

Анализ термически нестабильных, труднолетучих соединений с использованием традиционных методов ионизации (электронный удар, химическая ионизация, ионизация в сильном электрическом поле) неизбежно связан с возможностью разложения образца в процессе его введения в ионный источник. В отдельных случаях разложения можно избежать, переводя анализируемые объекты в более летучие и термически более стабильные производные (дериватизация). Ограничения этого приема очевидны поиски иных способов ионизации привели к созданию методов, основанных на эмиссии ионов из вещества в конденсированном состоянии. Масс-спектры вторичных ионов, получаемые под действием ионных, электронных и атомных пучков, а также лазерного излучения содержат интенсивные пики молекулярных и осколочных ионов. Их совокупность позволяет определять молекулярную массу и структуру исследуемого образца. [c.176]

Вторичные эмиссионные методы включают эмиссию ионов с поверхностей, обработанных органическими соединениями, под воздействием ионов высокой энергии (вторичная ионно-ионная эмиссия), ускоренных незаряженных атомов, быстрых электронов (вторичная электронно-ионная эмиссия) или фотонов (лазерная десорбция) [22]. Порог чувствительности чаще всего применяемого варианта вторичной ионной эмиссии под действием ускоренных атомов аргона с энергией около 10 эВ сравним с другими способами ионизации и составляет примерно г вещества. При этом возможно образование и детектирование как протонированных молекулярных ионов [М+Н] + и образующихся из них фрагментов, так и анионов [М — Н]-. Выход и характер вторичных ионов зависят от чрезвычайно большого числа факторов типа металла подложки, свойств раствора, из которого наносится образец, температуры и размеров мишени и от энергии и природы ионизирующих частиц. Влияние этих факторов столь велико, что в настоящее время еще сложно говорить о воспроизводимости масс-спектров вторичной ионной эмиссии, а также о возможностях использования их в количественном масс-спектрометрическом анализе. [c.30]

Эмиссионный электронный микроскоп. В эмиссионном микроскопе изображение объекта создается электронами, испускаемыми поверхностью самого объекта. Эмиссия электронов с поверхности образца инициируется нагреванием последнего (термоэлектронная эмиссия), бомбардировкой поверхности электронами или ионами (вторичная электронная эмиссия) и облучением фотонами (фотоэлектронная эмиссия). Испускаемые поверхностью электроны собирательной линзой (иммерсионным объективом) ускоряются и направляются на экран. Вследствие того что разные участки поверхности объекта имеют различную эмиссионную способность, на экране возникают участки неодинаковой яркости, что и является изображением реальной поверхности. На яркость изображения влияет также и рельеф поверхности. [c.155]

Изотопная М.-с. со вторично-ионной эмиссией применяется также для локального анализа твердых тел. В этом случае для ионизации создают пучок первичных ионов (Аг" , О , 0 ), к-рый направляют на выбранный участок исследуемой пов-сти диаметром 1-500 мкм. Производится изотопный анализ локальных участков, и устанавливается распределение заданного изотопа и соотв. элемента в структуре зерна минерала или в породе. [c.663]

NHз N2. Нг Продукты распада — радикалы N—, КН—, NH2—) и ионы (ЫН+, КН ) Pt метод вторичной ионной эмиссии [1547, 1548] Pt, Pt—Rh 837—1086 С [232]. См. также [233, 239] Pt (проволока) 10 —1 торр, 75—1300 С, масс-спектрометрический метод [1549] Pt (проволока) 10 торр, 770—1830° С [1550] [c.414]

NH, H2O, N2, NO Pt Р 10 торр, метод вторичной ионной эмиссии. Рассматривается механизм реакции [1681] Платиновый в исходной смеси 30—35% NH3, напряженность катализатора 300—350 кг NHg/jn в сутки, конверсия 95% [1682], См. также [1683, 1684] Платинированная платина рН=14, анодное окисление [1685] Pt (проволока) в протоке, 750—1020° С, линейная скорость потока 43,4, 56,9 63,8 см/сек. Конверсия NH, при 750° С — 24%, при 1020°С— 50% 1686] Pt на SiO, 300—350° С, 5% NH3 в воздухе, поток 120 л/ч [1687] Pt (сетка) конверсия NHg— 93—96% [1688] [c.426]

При бомбардировке диэлектрической мишени пучком ускоренных нейтральных атомов ее потенциал также может меняться, в основном за счет эмиссии вторичных электронов. Однако при регистрации положительных вторичных ионов эмиссия вторичных электронов в значительной степени подавляется электрическим полем, которое создается для ускорения положительных вторичных ионов, тормозящих вторичные электроны. Поэтому единственным источником заряда поверхности остается эмиссия положительно заряженных вторичных ионов, которая не велика и, как правило, не приводит к заметным изменениям потенциала поверхности. Например, изменение потенциала на поверхности пленки политетрафторэтилена толщиной 0,6 мм, которая бомбардировалась пучком атомов аргона с энергией 2 кэБ и плотностью потока 10 ° атом/(см2-с), не превышало нескольких вольт. [c.180]

Трудно предположить, что закономерности вторичной ионной эмиссии, характерные для металлов, будут справедливы и для молекулярных диэлектриков. Действительно, металл состоит из атомов только одного сорта, связанных друг с другом одинаковым образом в молекулярном диэлектрике атомы разного типа связаны между собой различными типами химических связей, т. е. объединены в молекулы, между которыми в свою очередь имеется более слабое межмолекулярное взаимодействие. В диэлектрике отсутствуют свободные электроны, наличие которых в металлах резко уменьшает вероятность выхода распыленной частицы в заряженном состоянии. Существенным образом различаются и те изменения, которые вызывает в твердом теле облучение потоком ускоренных частиц в чистом металле происходит разрушение кристаллической решетки, а в молекулярном диэлектрике, поми.чо изменения надмолекулярной структуры образца, возможны также необратимые химические превращения. [c.184]

Приведенный здесь обзор не является исчерпывающим, в нем приведены лишь основные характеристики масс-спектрометрических методов анализа поверхностей и тонких пленок. Приборы с искровым, лазерным источниками ионов и источником с вторичной ионной эмиссией имеют большие возможности. Сфера применения каждого из этих методов будет расширяться по мере развития и дальнейшего усовершенствования техники, а также более глубокого понимания очень сложных процессов, происходящих во время анализа. В ближайшие несколько лет эти исследования должны бурно развиваться, поскольку предельная чувствительность и пространственное разрешение, достигаемые в масс-спектрометрии, значительно выше, чем в случае других инструментальных методов. [c.422]

Так как существование самостоятельного разряда зависит только от эмиссии достаточного числа электронов с катода за счет его бомбардировки положительными ионами из области отрицательного свечения, то изменение расположения анода будет слабо влиять на электрические характеристики разряда. Так например, если анод начать все ближе и ближе придвигать к катоду, это заметно скажется на электрических характеристиках разряда лишь после того, как последовательно исчезнут положительный столб, фарадеево темное пространство и, наконец, большая часть отрицательного свечения. Когда же анод приблизится к границе катодного темного пространства, то заметно уменьшится число генерируемых ионов, и напряжение, необходимое для поддержания разряда в этом случае, резко возрастет, так как для компенсации уменьшения числа ионов должен увеличиться коэффициент вторичной электронной эмиссии. Такой разряд называется затрудненным тлеющим разрядом. Если анод придвинуть прямо к краю темного пространства (следовательно, расположить его от катода на расстоянии, меньшем средней длины пробега электронов, необходимой для ионизации атомов газа), то ионизации газа происходить не будет, и поддерживать разряд не удастся, даже прикладывая к электродам большие напряжения. Как уже указывалось ранее, в экспериментах по ионному распылению используется аномальный разряд. Это главным образом объясняется тем, что в нормальном разряде для получения нужных скоростей распыления материала катода плотность тока слишком низка кроме того, вследствие низкой величины падения напряжения в нормальном разряде коэффициенты распыления также малы. [c.410]

Признавая определенный смысл и значение этих работ, а также успехи практического применения масс-спектров отрицательных ионов, полученных техникой традиционной масс-спектрометрии, нельзя не указать, что неоднозначность процессов, приводящих к образованию отрицательных ионов в этих работах, снижает теоретическое значение получаемых результатов и, являясь препятствием для правильного истолкования масс-спектров, затрудняет их практическое использование. Отрицательные ионы в названных выше работах образуются в результате наложения в основном двух процессов — диссоциативного захвата электронов молекулами и диссоциации молекул на ионную пару АВ + е->А" + В+-)-е. Диссоциативный захват происходит при встрече молекул с электронами, потерявшими часть своей энергии нри различного рода столкновениях (в том числе и столкновениях со стенками ионного источника), и электронами вторичной электронной эмиссии. Относительный вклад каждого их этих двух процессов в общий ток отрицательных ионов зависит от конструкции камеры ионизации, ее материала, т. е. от условий эксперимента, трудно поддающихся стандартизации. Отсюда — плохая воспроизводимость такого рода масс-спектров отрицательных ионов. [c.135]

Метод МСВИ также часто применяется для анализа поверхности. В нем в качестве источника возбуждения используются первичные ионы, тогда как вторичные ионы являются продуктами эмиссии при взаимодействии с поверхностью. В качестве первичных служат ионы инертных газов (Аг" или Хе" ) с энергией порядка кэВ, что позволяет первичным ионам проникать в твердое тело на глубину в несколько атомных слоев. Энергетика этого процесса такова, что он сопровождается эмиссией нейтральных и заряженных частиц с поверхности затем эти частицы анализируются масс-спектрометрически. Метод позволяет определять любые элементы и соединения. Проблемы могут возникать из-за накопления заряда (так же, как и в сканирующей электронной микроскопии) и ионно-инициируемых реакций на поверхности. [c.206]

Электризация частично проникающими электронными или ионными пучками проводится в вакууме, причем энергия электронов выбирается таким образом, чтобы, с одной стороны, длина пробега электронов в полимере была значительно меньше толщины иленки, а с другой стороны, чтобы коэффициент вторичной электронной эмиссии был меньше единицы, ибо только в этом случае заряжаемая поверхность приобретает устойчивый заряд отрицательного знака. Кинетика зарядки полимерных пленок электронным пучком в вакууме также свидетельствует об экспоненциальном возрастании 1/з с течением времени зарядки, причем время релаксации т определяется силой тока электронного пучка. [c.192]

Бомбардировку вторичными частицами высокой энергии можно устранить, вводя сетку с отрицательным потенциалом относительно экрана. Как подтверждают опыты, это подавляет эмиссию вторичных электронов. Однако, несмотря на это, слой водорода при возникновении изображения Не" удаляется. Образования электронов при столкновениях ион—атом также можно избежать, если работать при низких давлениях Не. (<10 мм рт. ст.) без изменения нестабильности адсорбированного водорода. [c.241]

Образующиеся в результате ионизации молекул электроны начинают двигаться, как и первичные электроны, по винтообразным траекториям, принимая участие в поддержании разряда. Ускоренные электрическим полем положительные ионы бомбардируют катоды, вызывая эмиссию вторичных электронов, которые, в свою очередь, также ускоряются и ионизируют газ. Кроме того, ионная бомбардировка катодов вызывает распыление материала, из которого они изготовлены. [c.61]

На рис. 46 приводится зависимость коэффициента вторичной эмиссии у,- (число выбитых электронов на один падающий положительный ион в вакууме) от кинетической энергии К ионов для различных металлов. Как и можно было ожидать, у,- увеличивается с /Г и достигает максимума вблизи 100 кэв. Для —N1 этот максимум составляет 3 электрона/ион. Наличие максимума объясняется, вероятно, столь глубоким проникновением быстрых ионов внутрь металла, что при этом испускается только часть всех вторичных электронов. На рис. 46 приводятся также данные для медленных ионов инертных газов, из которых видно, что у, тем больше, чем выше потенциал ионизации газа и чем ниже работа выхода металла. Численные результаты сильно зависят от чистоты поверхности и от количества [c.99]

Вначале вторичные эффекты связывали с выбиванием электронов из катода положительными ионами. Теперь мы знаем, что эмиссия вторичных электронов обусловлена не только потенциальной и кинетической энергией положительных ионов, но также и другими процессами, как, например, приходом на катод фотонов, нейтральных и метастабильных частиц (стр. 98). Таким образом, отклонение кривой рис. 89 от прямой объясняется тем, что при больших межэлектродных расстояниях электроны, испускаемые катодом, состоят из двух групп. Одна группа — первичные электроны — обусловлена излучением внешнего источника и создает постоянную плотность тока 7 другая группа — вторичные электроны, которые для простоты могут рассматриваться как электроны, выбитые положительными ионами, ударяющимися о катод. Число вторичных электронов равно произведению числа положительных ионов, приходящих на катод — 1 на один первичный электрон), на число вторичных электронов У) образованных каждым пришедшим положительным ионом. [c.184]

Благодаря размножению в области между катодом и границей отрицательного свечения число электронов, способных ионизовать, увеличивается и возникает большое число положительных ионов, образующих сильный положительный объемный заряд. Эти положительные ионы двигаются через темное катодное пространство и ударяются о катод. Метастабильные атомы, быстрые невозбужденные атомы (возникшие благодаря перезарядке) и кванты излучения также попадают на катод и вызывают вторичную электронную эмиссию. Чтобы имело место стационарное состояние, каждый электрон, испущенный катодом, должен произвести такое число ионизаций и возбуждений, которое необходимо для освобождения еще одного электрона с катода. [c.227]

Таким образом, возрастает с увеличением средней энергии необходимой для образования одной пары ионов в газе. Последняя зависит от природы газа. также растет при уменьшении коэффициента вторичной электронной эмиссии катода у. Эта величина зависит от вещества катода, природы газа и геометрии прибора. Выражение (8.3) дает верный порядок величины Для молекулярных газов и металлического катода [c.232]

В масс-спектрометрах для регистрации ионов применяются метод электрического заряда и метод вторичной эмиссии. Известно также применение сцинтилляционного счетчика ионов. [c.219]

Конц. элемента С определяют по интенсивности I вторичной ионной эмиссии, к-рая зависит также от потенциалов ионизации атомов, работы выхода электрона и может меняться для разл. элементов и образцов на неск. порядков. Изменение I м. б. связано и с т. н. реакционной вторичной ионной эмиссией, к-рая возникает при анализе хим. соед., наличии оксидных пленок на пов-сти образца, при использ. химически активных первичных ионов, в присут. реакционноактивных остаточных газов в ионных микроаналиэато-рах. Реакционная эмиссия может приводить к ошибкам в анализе, однако ее использ. для увеличения воспроизводимости и чувствительности метода. [c.225]

Проведенные эксперименты ие подтверждают также имидную гипотезу Завадского. В работе [3] было показано, что первой стадией реакции разложения аммиака на платине является образование NH благодаря днссоцнацнн аммиака на NH и П.,. Образование NH в этой реакции проявлялось как в масс-спектре вторичной ионной эмиссии, так и в масс-спектре газовой фазы. Для проверки гипотезы Завадского об образовании NH в реакции окисления аммиака было исследовано влияние добавки кислорода к аммиаку на интенсивность линии с массой 15 (NH ) в спектре вторичных ионов. Кривая за-В1ГСИМ0СТИ интенсивности этой линии от давления кислорода изображена на рис. 2. Как видно из рисунка, при давлении кислорода — 7-10 мм рт. ст. эмиссия иона NH исчезает Это полностью противоречит представлению Завадского об образовании имида в реакгщи (III). Таким образом, нрове- [c.311]

В разделе 5.4 указывалось на важность сочетания разных методов исследования поверхностных соединений. Количественное определение углерода и других элементов в модифицирующих поверхность соединениях производится элементным анализом, а ИК спектры помогают установить, какие именно группы и в каком количестве содержатся в поверхностном соединении. Содержание элементов в поверхностных соединениях можно определить с помощью зондирующего воздействия различных пучков на поверхность твердого тела, служащего рассеивающей мишенью для такого воздействия. Для зондирования используются направленные пучки фотонов, электронов, ионов илц атомов, вызывающие эмиссию вторичных частиц (также фотонов, электронов, ионов или атомов), лзучение которой и позволяет судить о свойствах мишени. Помимо элементного анализа, с помощью зондирующего воздействия на поверхность в благоприятных случаях можно получить сведения о структуре поверхности и адсорбции на ней. В табл. 5.4 представлены некоторые из этих методов. Перечисленные в таблице методы. анализа поверхности, за исключением рентгеновской эмиссионной спектроскопии, позволяют исследовать поверхностные слои на глубину менее 10 нм. В этих методах зондирование поверхности и ана--лиз рассеиваемых или эмиттируемых частиц проводится в очень высоком вакууме. Для дополнительной очистки поверхность часто подвергается предварительной бомбардировке частицами высокой энергии, обычно аргонной бомбардировке. С этим связаны ограничения в применении некоторых из этих методов для исследования поверхности недостаточно стойких адсорбентов. Преимуществом этих методов является возможность локального исследования не- [c.109]

У М. наблюдается термоэлектронная эмиссия (способность испускать электроны при высокой т-ре). Эмиссия электронов возникает также под действием электромагн. излучения в видимой и УФ областях спектра (фотоэлектронная эмиссия), внеш. электрич. поля высокой напряженности (туннельная, или автоэлектронная, эмиссия), при бомбардировке пов-сти М. электронами (вторичная электронная эмиссия) или ионами (ионно-электронная эмиссия), при взаимод. пов-сти М. с хшазмой (взрывная электронная эмиссия). Перепад т-ры вызывает в М. появление электрич. тока (термоэдс). [c.53]

Все эти обстоятельства находят свое объяснение в том случае, если принять, что в 90- и 60-градусных приборах отрицательные пики являются следствием вторичной эмиссии с краев щелей коллектора или с близлежащих поверхностей эмитируемые электроны благодаря своей малой массе могут достигнуть коллектора при движении по криволинейному пути в магнитном поле рассеяния [2018]. В 180-градусных приборах магнитное поле у коллектора достаточно велико, для того чтобы подавить вторичные электроны путем возвращения их к тому электроду, у которого они образовались [2132]. Подавление всех отрицательно заряженных частиц с низкой кинетической энергией легко может быть достигнуто путем установки антидинатронной сетки между щелью коллектора и коллектором оба эти электрода находятся под потенциалом земли. Действие потенциала 60 в, отрицательного по отношению к земле и приложенного к антидинатронному электроду, показано в правой части рис. 92. Такой электрод весьма эс[)фективно предотвращает собирание вторичных частиц со всех поверхностей, находящихся под потенциалом земли и подвергающихся бомбардировке положительными ионами, а также подавляет вторичные электроны, выбиваемые из коллектора. [c.208]

Кастенг, Жоффри и Слодзиан [83] получили многообещающие предварительные результаты относительно возможности локального анализа металлических поверхностей путем исследования вторичной эмиссии ионов. Определения были сделаны для очень малых количеств свинца [3431, плутония с применением в качестве метки плутония-242 [508], а также урана в загрязненных растворах [473]. Уточненная методика определения позволила получить абсолютную точность измерения отношения к неразделенному урану в иРб 0,00003% при содержании 0,038% и 0,02% для гексафторида, содержащего 1,9% [457]. [c.656]

При бомбардировке твердого тела быстрыми положительными ионами, например а-частицами с энергией >10 эв, коэффициент вторичной эмиссии достигает 10—30. При бомбардировке металлических фольг энергия вторичных электронов может достигать нескольких тысяч электроновольт. Доказано также, что выход вторичных электронов увеличивается с увеличением энергии ионизации атома газа, образующего ион. [c.99]

В результате разряда образуются положительные ионы спирта и лишь малое количество положительных ионов аргона, так как спирт обладает меньшим ионизационным потенциалом, чем аргон. Положительные ионы спирта, приближаясь к катоду, вырывают из него электроны и превращаются в возбужденные молекулы. Длительность жизни возбулсденной молекулы спирта настолько мала, что молекула разлагается раньше, чем приблизится к катоду на расстояние, где возможна вторичная эмиссия электронов. Фотоэмиссия электронов за счет высвечивания воз- бужденных атомов спирта также очень мало вероятна. [c.90]

В первых главах рассматриваются физика вакуумного разряда, а также основные принципы масс-спектрометрии с двойной фокусировкой и измерение ионных токов при помощи электрической или фотографической систем регистрации. Далее следуют главы, в которых обсуждаются проблемы количественной расшифровки масс-спектров и определение на основании полученных данных действительного состава образца. Подробно изложены специальные приемы анализа изоляторов, порошков, микрообразцов, биологических образцов, агрессивных, радиоактивных и легкоплавких веществ, а также определение газов в твердых телах. Последние главы посвящены использованию лазера в масс-спектрометрии для анализа твердых тел и исследованию поверхности главным образом методом вторичной ионной эмиссии. [c.8]

Из экспериментального графика (рис. 3,6), характеризующего распределение потенциала по длине трубки, мы видим, что значительная часть падения потенциала в разряде приходится на область между катодом и границей отрицательного свечения. Эта разность потенциалов по.дучила название катодного падения потенциала. Соответственно в этой зоне относительно велика и напряженность электрического поля Е. Именно благодаря этому сильному полю полоу кительпые попы, проходя через область катодного темного пространства, приобретают необходимую энергию для образования интенсивной вторичной электронной эмиссии с катода, без которой тлеющий разряд не мог бы существовать. В поле этой же области вторичные электроны также ускоряются и при последующих соударениях с атомами газа на пути к аноду создают новые лавины электронов и ионов. [c.8]

Применение вакуума возможно только при использовании кессонного охлаждения, так как требуется абсолютная тазоплотность ограждения. В данных случаях не может быть использовано понятие температуры в термодинамическом смысле, и поэтому нельзя говорить о разности температур между внутрипечным пространством и внутренней поверхностью ограждения. Тепло генерируется на внутренней поверхности ограждения за счет облучения ее плазмой (тормозное и рекомбинационное излучения), а также за счет кинетической энергии электронов и ионов, попадающих на внутреннюю поверхность ограждения вследствие эффекта рассеивания заряженных частиц и вторичной эмиссии электронов с анода. Сюда следует, однако, добавить непосредственное излучение раскаленного анода, а также поверхности расплава. Все вместе взятое создает приток тепла на внутреннюю поверхность ограждения, требующий отвода его за счет охлаждения водой. Унос тепла с водой охлаждения может быть существенным и в энергетическом балансе достигает 20—40%-Таким образом, ограждение вакуумно-дуговых и электроннолучевых печей энергетически несовершенно, однако этот недостаток перекрывается многими другими достоинствами печей данного типа, оправдывающими с технико-экономической точки зрения применение холодного ограждения. [c.243]

Гелий может влиять тремя способами. 1) Острие непрерывно бомбардируется нейтральными частицами, имеющими поступательную кинетическую энергию порядка 0,15 эв. 2) В процессе ионизации на острие попадает ливень электронов. Эти электроны образуются непосредственно из атомов гелия, ионизирующихся вблизи края области ионизации, за счет случайных столкновений ионов и нейтральных атомов газа, а также вследствие вторичной эмиссии с экрана. 3) Ионы Не+, образующиеся вблизи поверхности, могут ускорять удаление адсорбированных атомов Н. В присутствии гелия слой водорода подвергается воздействию, даже если поле сильно ослаблено. Предварительные исследования показывают, что этот эффект исчезает только в том случае, когда ионизация поля становится незначительной (при 3 в/А). [c.239]

Метод отличается исключительно высокой чувствительностью— порядка 10- —10 7 моль/л и чаще всего используется для определения низких концентраций ионов металлов, связанных в форме, подходящих флуоресцирующих комплексов, а также для определения некоторых органически веществ типа рибофлавина, витаминов группы В, алкалоидов и др. Так, комплексы 8-оксихинолина с рядом таких ионов металлов, как А1 , Оа +, Мд +, используются для ояределения этих ионов при концентрациях, достигающих 0,01 мкг/мл. Алюминий определяется при помощи флуоресцентных методов с 8-оксихинолином, морином или понтахромом сине-черным Р при содержании от Ы0- до 1% в различных сплавах и минералах. Флуоресцентный метод можно использовать не только для анализа растворов, но и для анализа веществ в твердой фазе. Так, уран в абсолютных количествах порядка Г-10- г можно определить при помощи-сплавления исследуемого вещества с бо-раксом или фторидом натрия до маленьких бусинок, облучения бусинок ультрафиолетовым светом и измерения вторичной эмиссии в видимой области спектра. . [c.399]

Эмиссия вторичных электронов с металлической поверхности под действием падающего луча положительных ионов обсуждалась ранее, поскольку это явление лежит в основе действия детекторов-умножителей. При падении пучка ионов на металлическую поверхность с последней могут быть вырваны положительные ионы масс-спектрометр открывает благоприятную возможность для определения масс и количества таких ионов, а при наличии дополнительного источника ионизации — и нейтральных частиц, вырываемых с поверхности. Этот процесс можно рассматривать как чисто механическое столкновение между ионами и поверхностными атомами мишени. Трудность проведения успешного эксперимента состоит в получении чистой поверхности, поскольку даже при остаточном давлении адсорбируемых примесей менее 10- мм рт. ст. наблюдается фон углеводородных ионов [972]. В большинстве опубликованных работ [ 1868, 2078, 2079] описывалось выделение только одноатомных ионов с поверхности. Однако Хониг [972] обнаружил положительные и отрицательные многоатомные ионы, а также нейтральные частицы. Например, при бомбардировке поверхности германия ионами инертных газов он получил положительные частицы Ое+, Се , СеН+, СеОН", СегО" , Ыа+, [c.456]

Другой причиной расхождения выражения (7.22) с экспериментальными данными является электродный эффект. Вторичные электроны испускаются катодом, когда о него ударяются положительные ионы, фотоны или метастабильные атомы, при наличии у катода достаточно сильного поля, понижающего потенциальный барьер (автоэлектронная эмиссия), или когда положительные ионы образуют двойной слой на сложных катодах, облегчая тем самым вытягивание электронов из катода. Совершенно очевидно, что, помимо величины микрополей у поверхности катода, на эмиссию существенным образом влияют также размеры, форма и микроструктура поверхности. [c.202]

Последующие ошибки могут быть связаны с самой системой регистрации. Например, при собирании ионов коллектором приемника энергии ионов вполне достаточно, чтобы выбить из материала коллектора электроны (вторичная электронная эмиссия), в результате чего потенциал коллектора повышается и, следовательно, вносится систематическая ошибка. В общем случае эффективность вторичной электронной эмиссии зависит от энергии иона и свойств материала коллектора. Полностью этот эффект не изучен. Некоторую интерпретацию эджекций из металлической поверхности дал Гош [99] и Измайлов [100]. Кроме того, анализируемое вещество можег осаждаться на коллекторе в виде нейтральных молекул, изменяя тем самым характеристики материала коллектора, что также влечет за собой ошибку. Причиной такого эффекта при регистрации изотопов урана может служить тот фа1кт,1у что когда ионы иГс, + с высокой энергией ударяются о поверхность коллектора, получается разбрызгивание материала коллектора с освобождением нейтральных молекул и положительных ионов. В результате этого ионы иГа + будут формировать монослой ир4. Сама электронная схема также не свободна от искажений, особенно в случае применения электронных умножителей. Нелинейность входных высокоомных сопротивлений (зависимость от напряжения), вариации коэффициента усиления усилителя постоянного тока, погрешность компенсационных схем [72, 76] и выходных регистрирующих приборов —все эти ошибки приводят к большому искажению результатов при измерении распространенности изотопов элементов. Иногда приходится калибровать отдельные узлы масс-спектро-метра. Например, сул1мар1Ное искажение, соответствующее регистрационной части маос-спектро-метрической установки, в которое входят все погрешности индекса (И) (согласно нашей схеме), может быть учтено либо при помощи калибровки прибора моноизотопами [97], либо посредством специального приспособления в предусилителе приемника, состоящего из двух эталонных емкостей, после-10- 147 [c.147]

Значения коэффициентов ][ и при энергии бомбардирую-гцих катод положительных ионов в десятки и сотни э.лектрон-вольт лежат в пределах сотых и десятых долей единицы. С увеличением кинетической энергии ионов у и уд увеличиваются. При энергии ионов в несколько тысяч электрон-вольт увеличивается до 4. Ещё ббльшие значения по.лучаются при исследовании вторичной эмиссии под действием быстрых а-лучей (у = 20), а также в опытах с другими сверхбыстрыми ионами. [c.91]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология