Электронные переходы при хемосорбции

Механизм реакций гидрирования и дегидрирования. Эти процессы относятся к типу гомолитических превращений, в принципе подобных гетерогеннокаталитическим реакциям окисления. Важную роль играет хемосорбция реагентов на активных центрах (К), при которой за счет электронных переходов с участием катализатора ослабляются или полностью разрываются химические связи в адсорбированной молекуле. Разными методами показано, что, когда водород сорбируется металлами, за физической адсорбцией следуют частичное ослабление связей и диссоциация моле-1 улы [c.466]

Естественно, что эти окислительно-восстановительные процессы могут происходить только на поверхности металла. При этом осуществляется более или менее прочная связь карбонильного соединения с металлом (хемосорбция). По окончании переноса электронов хемосорбированная молекула снова десорбируется. На каждый отнятый электрон переходит в раствор соответствующее число атомов металла в виде катионов [c.114]

Высокие значения энергии связи, наблюдаемые пря хемосорбции кислорода, свидетельствуют о том, что в этом процессе участвуют силы, сходные с теми, которые образуют обычные химические связи и, следовательно, при анализе природы хемосорбционных связей необходимо учитывать электронные переходы между металлом и кислородом. Эти переходы, согласно современным представлениям, являются первой стадией в последующих химических реакциях, которые могут протекать между адсорбированной частицей и металлом. [c.37]

О. В. Никитина (Научно-исследовательский институт шинной промышленности, Москва). Одним из основных критериев хемосорбции, по мнению ряда исследователей, является наличие электронных переходов между твердым телом и адсорбируемой молекулой. Этот критерий, как было показано в [1], не однозначен. Фигуровской [2] показано, что адсорб- [c.108]

Процесс дегидрирования относится к типу гомолитических превращений, в которых важную роль играет хемосорбция реагентов на активных центрах (за счет электронных переходов с участием катализатора ослабляются или полностью разрываются химические связи в адсорбированной молекуле). В равновесном [c.299]

Инфракрасные спектры оказались особенно полезными при исследовании относительно простых молекул, например окиси углерода, хемосорбированной на никеле, для которой было обнаружено пять типов хемосорбции. Ультрафиолетовые спектры, обусловленные электронными переходами, оказались весьма ценными для характеристики более сложных промежуточных соединений типа ионов карбония и ион-радикалов. Границы спектроскопического изучения поверхности недавно были расширены в результате разработки методики эксперимента, позволяющей исследовать данный образец в обеих спектральных областях, и получить сведения как о ковалентных связях, так и об электронных состояниях в системе адсорбент — адсорбат. [c.7]

ПОНЯТИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДОВ В ТЕОРИЯХ ХЕМОСОРБЦИИ [c.69]

Рассмотрим случай адсорбции, сопровождаюш ейся заряжением поверхности ( заряженная форма адсорбции ). Ряд исследователей часто представляют электронный переход при хемосорбции как локализацию носителя непосредственно на адсорбированной частице с превращением ее в радикал или ионо-радикал. Однако такое рассмотрение значительно сужает представление об электронных процессах, происходящих в твердом теле. Поскольку адсорбент и адсорбат [1] рассматриваются как единая квантовомеханическая система, электронный переход в этом случае означает только переход носителя из одного энергетического состояния в другое, без указания геометрических параметров перехода. В общем случае максимум волновой функции локализованного электрона может не совпадать с хемосорбированной частицей. Последнее обстоятельство особенно вероятно для реальной дефектной поверхности. [c.96]

По Ф. Ф. Волькенштейну [8], понятие электронный переход в катализе и хемосорбции — некорректно. Правильнее говорить о той плп иной степени затягивания электрона иди дырки полупроводника на адсорбированную частицу (см. 1). [c.7]

Разобранные механизмы хемосорбции, связанные с электронными переходами в полупроводниковых кристаллах, можно использовать для описания простейших механизмов каталитических реакций. Наиболее простые результаты при этом получаются, если адсорбируемые частицы являются одновалентными радикалами. В связи с этим в большинстве работ по электронным механизмам в катализе рассматриваются радикальные механизмы реакций. [c.145]

Хемосорбция на поверхности полупроводниковых кристаллов 5. Электронные переходы в полупроводниковых кристаллах и [c.155]

Согласно электронной теории хемосорбции, молекулы одного и того же газа могут связываться с энергетически однородной поверхностью полупроводникового адсорбента различными типами связи, между которыми существуют переходы. На основе статистического метода Гиббса для систе.м с переменным числом частиц получены выражения для концентраций хемосорбированных частиц с каждым данным типом связи. Эти выражения содержат химический потенциал адсорбируемых частиц в газовой фазе, уровень Ферми для электронов адсорбента, энергии, соответствующие каждому типу связи и кратности вырождения состояний адсорбированных частиц. Найденные нами формулы дают возможность получить изотермы адсорбции в зависимости от объемных электронных свойств адсорбента (концентрация и природа примесей, структура энергетического спектра полупроводника) и свойств адсорбируемых молекул . [c.59]

Хемосорбция водорода сопровождается изменением концентрации свободных носителей заряда катализатора, что говорит о прямых электронных переходах между водородом и катализатором. [c.217]

Для реакций окислительно-восстановительного катализа, при которых промежуточное взаимодействие реагирующих веществ с катализатором, по-видимому, связано с электронными переходами, в случае полупроводниковых катализаторов для расчета промежуточного поверхностного взаимодействия может быть использована зонная теория. Этот подход, опирающийся на развитый аппарат теории полупроводников, был впервые предложен Ф. Ф. Волькенштейном [1] и использован во многих работах советских и зарубежных ученых. При хемосорбции и катализе в результате взаимодействия реагирующих веществ со свободными электронами или дырками твердого катализатора на его поверхности могут образоваться заряженные частицы, а расположенный у поверхности катализатора объем приобретает заряд противоположного знака. Это приводит к определенной связи хемосорбционных и каталитических свойств с полупроводниковыми свойствами твердых катализаторов, в частности к зависимости теплоты хемосорбции, а следовательно, и энергии активации хемосорбции от положения уровня Ферми. Отсюда вытекает заманчивая возможность сознательного регулирования каталитических свойств полупроводников путем смещения уровня Ферми, введением добавок или другими способами. Это стимулировало большое число экспериментальных исследований. В основном исследовалась связь каталитической активности с электропроводностью и ее температурной зависимостью. Для отдельных катализаторов, например для германия, связь отсутствовала. В большинстве же случаев, в частности для окислов переходных металлов, введение добавок, меняющих электропроводность, как правило, оказывало влияние и на каталитическую активность. В дальнейшем, однако, когда были проведены более подробные исследования, а именно, изучена хемосорбция отдельных компонентов на катализаторе и ее влияние на его проводимость, а также прямые измерения работы выхода электрона, обнаружилось много противоречий. [c.8]

Согласно обычному представлению, при катионной хемосорбции на полупроводниках р-типа электрон переходит от инородного атома на примесный уровень твердого тела. Инородный атом превращается в катион, а в твердом теле образуется обедненный слой. Это имеет место в областях АУ1 и (рис. 7) при условии, что уровень ) лежит выще примесных уровней. В этом случае уровень АШ свободен и водородоподобный инородный атом существует на поверхности в виде катиона. [c.412]

Из примеров, подобных этим, следует, что изучение электронного перехода при катализе зависит от наличия реакций, донорный или акцепторный тип которых точно установлен. За последнее время стало ясным, что в зависимости от условий одна и та же реакция может выполнять обе функции. Так, например, окисление окиси углерода является донорной реакцией на большинстве р-полупроводниковых катализаторов, подобных закиси никеля [13], когда хемосорбция окиси углерода определяет скорость реакции. Однако на окиси цинка стадию, определяющую скорость реакции, представляет собой хемосорбция кислорода, являющегося акцептором. [c.272]

Можно было ожидать, что начальная стадия хемосорбции характеризуется простой, хотя и активированной адсорбцией, скорость которой зависит от степени доступности адсорбционных центров. Несмотря на то что для хемосорбции требуется электронный переход, наблюдается лишь очень незначительное падение теплоты адсорбции с ростом заполнения [1]. Это наводит на мысль о том, что предположение о постоянстве энергии активации во время образования монослоя является не очень надежным приближением. [c.501]

Реальность последнего процесса и его важность в катализе можно считать безусловно доказанной результатами рассмотренных выше исследований с применением окислов двух противоположных типов. Однако детали его все еще остаются неясными, — в основном из-за отсутствия должных сведений о поверхностных состояниях. Хотя и желательно было бы обсудить разные предположения о направлении электронных переходов и роли уровня Ферми в адсорбции и катализе, мы пока не будем этого делать по ряду причин. Во-первых, следует ожидать, что сдвиг уровня Ферми повлечет за собой изменение теплоты хемосорбции однако, базируясь только на этом термодинамическом свойстве системы, нельзя высказать никаких утверждений относительно энергии активации адсорбции, если не вводить дополнительных предположений о связи последней с теплотой адсорбции. Во-вторых, [c.83]

В последнее время при изучении поверхностных явлений на ряде примеров была показана роль электронных переходов в хемосорбции, а также их значение в физике твердого тела и явлениях адсорбции и катализа. [c.288]

При кратком изложении выводов теории электронных переходов при хемосорбции отмечается важная роль потенциального барьера, связанного с двойным слоем между ионами, адсорбированными на поверхности, и ионизованными примесями противоположного заряда в полупроводнике. Показано также, что теория электронных переходов позволяет дать удовлетворительную интерпретацию многих аномальных кинетических эффектов на окиси цинка. Считая переход электрона лимитирующей стадией, удается объяснить медленные обратимые изменения электропроводности около 500° С, медленные обратимые и необратимые изменения электропроводности около 100° С, процессы медленного роста и падения фотопроводимости, изученные в основном в интервале от комнатной температуры до 100° С, и медленную адсорбцию водорода на окиси цинка. [c.288]

Электронные переходы при равновесной хемосорбции влияние поверхностного барьера [c.293]

Следует указать, что в приведенном рассуждении молчаливо предполагалось, что скорость адсорбции лимитируется электронным переходом. При применении теории хемосорбции это положение надо либо проверить для данной конкретной системы, либо принять его без доказательств. Во всех случаях рассматривался только поверхностный барьер типа Шоттки. Теория, очевидно, неприменима к адсорбции на чистых металлах или на полупроводниках, когда при адсорбции не возникает поверхностный барьер. [c.305]

Следует указать, что данные, изображенные на рис. 6, согласуются также с моделью, использующей адсорбционные уровни акцепторного типа не для кислорода, а для другого газа, обратимо адсорбирующегося при 100° С (или несколько ниже) на окиси цинка. Неясно, однако, имеется ли в воздухе газ с такими характеристиками. Можно предположить, что таким газом являются водяные пары, адсорбирующиеся на окиси цинка в этой области температур [29] (и особенно сильно при комнатной температуре). Однако, по данным Мельника [11], адсорбция водяного пара при комнатной температуре не влияет на сопротивление окиси цинка. Это означает, по-видимому, что данный конкретный процесс хемосорбции не сопровождается электронными переходами, в противоположность адсорбции кислорода при комнатной [c.315]

Выдвинутая далее гипотеза о переходе электронов как лимитирующей стадии адсорбции кислорода на окиси цинка подтверждается в основном согласованностью и простотой трактовки ряда опытных данных на ее основе. Характерные особенности адсорбции кислорода и сопутствующие ей изменения сопротивления находятся в соответствии с указанной гипотезой во всем температурном интервале. Медленные обратимые изменения проводимости при температуре порядка 150° С, связанные с существованием поверхностного уровня, отличного от первого ионизационного уровня кислорода, можно объяснить, рассматривая переход электрона как лимитирующую стадию при этом можно оценить высоту поверхностного барьера. Схема адсорбции водорода на окиси цинка также основана на модели электронного перехода. Наконец, и опыты по фотопроводимости хорошо объясняются этой моделью. Данные по кинетике хемосорбции кислорода после обезгаживания окиси цинка под действием света также позволяют оценить высоту поверхностного барьера, и результаты, полученные этим способом, хорошо согласуются с найденными по электропроводности. Количественное сравнение опытов по фотопроводимости с характеристиками модели электронного перехода свидетельствует о хорошем совпадении. [c.331]

Взаимодействие молекулы с поверхностью часто приводит к из-мепепию в ее оптических свойствах. Сильные взаимодействия с поверхностью обычно называют хемосорбцией, тогда как взаимодействие с меньшими величинами энергии рассматривают как физическую адсорбцию. Определения хемосорбции и физической адсорбции, основанные на энергиях взаимодействия молекул с поверхностью, хотя они используются в течение многих лет для описания и разграничения этих типов адсорбции, ие могут служить определениями для обсуждения изменений в оптических спектрах поглощения. Поэтому необходимо иначе сформулировать понятия хемосорбции и физической адсорбции. Физическая адсорбция, согласно спектральным изменениям, является адсорбцией, которая ведет к возмущению электронного или стереохимического состояний молекулы, но в остальном не затрагивает ни саму молекулу, ни ее электронное окружение . Так, например, изменение в симметрии, обусловленное вандерваальсовой адсорбцией, может привести к иоявлению или к усилению слабой полосы, которая в нормальном состоянии молекулы может соответствовать теоретически запрещенному переходу. Спектральные изменения, зависящие от образования водородной связи, и изменения, которые могут быть приписаны высокой полярности поверхности, также попадают под определение физической адсорбции. Силы взаимодействия при физической адсорбции могут влиять на спектр адсорбированной молекулы, приводя или к сдвигу положения максимума поглощения (сурфатохромный сдвиг )), или к изменению интенсивности полосы поглощения. Появление новых ) полос при исследовании физической адсорбции обычно не наблюдается, так как они в общем связаны с образованием нового химического фрагмента, откуда следует, что речь идет о явлении хемосорбции. Следовательно, хемосорбцию можно определить как адсорбцию, которая приводит к образованию новых химических соединений путем дробления молекулы или путем ее электронного дополнения . Хемосорбция способствует появлению полос поглощения, которые не являются типичными ни для адсорбата, ни для адсорбента. Наблюдение новых полос также может указывать на хемосорбцию [c.10]

При катализе с перейосом электронов хемосорбция должна в конечном счете заканчиваться переходом электрона окисляемого субстрата в систему электронов катализатора. Если катализатор действует по коллективному механизму, то систему адсорбированный субстрат — катализатор следует рассматривать как единую квантовомеханическую систему и электронный переход означает лишь переход носителя тока (электрона, дырки) из одного энергети-, ческого состояния в другое, без фиксации геометрии перехода. Очевидно, что возможности такого перехчэда целиком определяются энергетической характеристикой зонной структуры катализатора, прежде всего уровнем Ферми, а также соотношением между энергией [c.15]

ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ И РАВНОВЁТГИЕ РАЗЛИЧНЫХ ФОРМ ХЕМОСОРБЦИИ [c.144]

Сказанное не следует рассматривать как попытку полной дискредитации работы [1]. Феноменологическая часть последней в той мере, в какой она не зависит от конкретных аппроксимаций, допущенных при динамическом рассмотрении задачи, естественно, всегда сохра шт смысл и значение. Более того, в силу исключительной сложности реального объекта исследования развитие феноменологической (или полуфеноменологиче-ской) теории представляется здесь совершенно необходимым. Напомним, что именно переход к такого рода методам позволил дове<"ти электронную теорию хемосорбции на полупроводниках до возможности сопоставления с реальным экспериментом. Однако, как это было и в случае полупроводников, развитию феноменологической теории должен предшествовать корректный квантовомеханический расчет простейших случаев хемосорбции. В задачу таких расчетов должно входить исследование факторов, на которых в дальнейшем будет строиться феноменологическая теория. Конкретно надо выяснить следующее [c.141]

Шагом вперед в этом направлении было применение двух электрических методов изучения хемосорбции фотоэлектрического (Лейпунский [16] и Зурман с сотрудниками [17]) и метода контактных потенциалов (Босворс и Ридил [18]). Оба эти метода связывают адсорбцию с изменением работы выхода электрона (на что указывал еще Лэнгмюр), позволяя найти значение дипольного момента адсорбированной, т. е. уже измененной, молекулы и ее ориентацию по отношению к поверхности. В 40-х годах были разработаны методы, основанные на измерениях электропроводности (или сопротивления) катализаторов-адсорбентов (Вент[19], Туиг[20], Грей[21]). Эти методы позволяли до некоторой степени решать задачи, связанные с механизмом хемосорбции одного или нескольких реагентов и с характером образующейся связи А—К. Большое значение в этом направлении имели работы Зурмана и сотрудников [22], развившего методы различных определений электронного взаимодействия А—К- По изменениям работы выхода электронов, квантового выхода фотоэлектронов и по изменениям сопротивления металлических катализаторов, вызванным адсорбцией различных молекул, Зурман сделал ряд заключений о направлении электронных переходов при адсорбции и о характере связей А—К. [c.267]

Это открытие легло в основу современной электрон1юй теории полупроводникового катализа, важное место в которой занимают положения, отражающие реально существующую не-прерывиость элементарного акта активации посредством взаимодействия дискретной и непрерывной форм химической организации вещества. При этом промежуточными ступенями химического взаимодействия являются непрерывные электронные переходы делокализация электронов связей в молекуле реагента и в решетке кристаллического катализатора, образование электронного газа с его неравномерностями — лишними электронами у одних атомов решетки и дырками — у других, образование валентных связей за счет электронной системы молекулы реагента и электронного газа кристалла с различными значениями электронных зарядов этих связей, непрерывное изменение электронных зарядов всех связей в единой квантово-механической системе хемосорбции за счет непрерывного изменения самой этой системы в результате адсорбции и десорбции. [c.406]

Представление об электронных переходах при хемосорбции Найроп [53] применил в 30-х годах к широкому классу каталити- [c.495]

Наблюдаемое при хемосорбции изменение электропроводности металлических пленок, полученных испарением, также указывает на то, что элементарный акт хемосорбции сопровЬждается электронным переходом. Многочисленные результаты, полученные с помощью этого метода Зурманом и сотрудниками [52], вообще говоря, не согласуются с данными по изменению контактной разности потенциалов. [c.101]

Представления, высказанные в работе [28] о том, что центром полимеризации является углеводородный ион, адсорбированный на поверхности и возникший в результате потери электрона молекулой изобутилена, не могут быть приняты без дополнительных допуш,ений. Наши данные с учетом результатов, полученных в работах но исследованию взаимодействия атомов и радикалов с полупроводниками и влияния хемосорбции этих частиц на электропроводность адсорбента, приводят нас к выводу о том, что инициирование реакции нолимеризации в присутствии полупроводниковых окислов происходит на их поверхности в результате электронного перехода. При этом в случае карбониевой нолимеризации, например изобутилена на окиси цинка, электрон переходит от хемосорбированных атомов водорода к добавке. Возникший при этом протон взаимодействует с молекулой изобутилена, образуя карбониевый ион (СЩзС" , являюш,ийся начальным центром полимеризации. [c.64]

Разумеется, эти окислительно-восстановительные процессы могут протекать только на поверхности металла. При этом карбонильное соединение более или менее прочно связывается с шверхностью металла (хемосорбция). По окончании переноса электрона хемосорбированная молекула десорбируется. На каждый перенесенный электрон переходит в раствор соответствующее число атомов металла в виде катионов [c.121]

Трактовка на оспове зонной теории промежуточного взаимодействия при К. г. для полупроводниковых катализаторов была впервые дана Ф. Ф. Волькеи-штейном. Свободные электроны или дырки (отсутствие электрона в заполненной зоне) рассматриваются как свободные валеитности твердого катализатора, участвующие в поверхностном взаимодействии с реагирующими веществами. Различаются слабая связь, осуществляемая без участия свободного электрона пли дырки катализатора, при к-рой хемосорбирован-ная частица остается электрически нейтральной, и прочная связь, в к-рой свободный электрон или дырка принимают непосредствеиноо участие. Ири этом адсорбированная частица может связывать свободный электрон, что приводит к отрицательному заряжению поверхности (акцецторная связь), или связывать дырку, т. е. отдавать электрон, в результате чего поверхность заряжается положительно (донорная связь). Различные формы адсорбции могут переходить друг в друга в результате соответствующих электронных переходов. Концентрация частиц, адсорбированных в различной форме, зависят от положения уровня Ферми (уровня химич. потенциала электрона) на поверхности, определяющего работу выхода электрона. Так, наир., при повышении уровня Ферми (снижении работы выхода электрона) облегчается хемосорбция с помощью донорной связи и затрудняется осуществление акцепторной связи. Хемосорбирован-ные частпцы в различных формах обладают различной реакционной способностью. Скорость каталитич. реакции определяется, т. обр., концентрацией хемосор-бированных частиц в определенной форме и может меняться в зависимости от полон ония уровня Ферми. [c.233]

Введение. Имеется много данных как экспериментального, так и теоретического характера, свидетельствующих о том, что, по крайней мере для некоторых окислов, имеется важная связь между хемосорбцией, каталитической активностью и полупроводниковыми свойствами. При рассмотрении этой связи на основе теории граничного слоя [129—131] учитывается электронный переход между полупроводником и хемосорбированным слоем. Пространственный заряд, возникающий в пограничном слое между объемом и поверхностью полупроводника, изменяет плотность и потенциальную энергию электронов поверхности это приводит к изменению теплоты адсорбции и реакционной способности хемосорбированного вещества. По другой теории, развиваемой Волькенштейном [132], особое значение приписывается образованию ковалентной связи между полупроводником и адсорбатом при использовании электронов проводимости или свободных валентностей полупроводника. Связи рассматриваются, по существу, как локализованные, хотя концентрацию свободных валентностей на поверхности можно определить из объемных свойств твердого тела. При третьем теоретическом объяснении [133] исходят из образования ковалентной связи между адсорбированным веществом и ионами металла из окисла при использовании атомных орбит или электронов окисла, причем не учитываются полупроводниковые свойства твердого тела. Эти взгляды не обязательно взаимоисключают друг друга. [c.391]

При обоих этих типах адсорбции образуются группы 0Н , но электрон переходит к окиси цинка только во втором случае. Этой интерпретации соответствуют опытные данные Кубокава и Тойама [143], которые отмечают, что только высокотемпературная хемосорбция на окиси цинка вызывает (обратимое) увеличение электропроводности. [c.392]

При исследованиях каталитических свойств металлов в течение последней четверти века большое внимание уделялось электронному фактору. К началу 30-х годов Ленгмюр установил, что щелочные металлы связываются вольфрамом в виде ионов, а Ридиел и Вансбруг-Джонс высказали предположение о наличии связи между работой выхода металлов и скоростью каталитических реакций. Работы де Бура значительно углубили наши знания об ионной адсорбции и ее связи с работой выхода и ионизационным потенциалом адсорбированного газа. Кроме того, Леннард-Джонсом была сформулирована проблема перехода электронов при хемосорбции. [c.198]

На примере разложения муравьиной кислоты на никелевом катализаторе пока 1ано, как могут быть определены элементарные процессы реакции разложения, если известно направление электронного перехода при адсорбции возможных продуктов реакции. Род электронного взаимодействия изучен путем опреде.пения измеиеиия сопротивления прозрачной пленки никеля во время хемосорбции. [c.258]

Другая ВОЗМОЖНОСТЬ осуществления катализа с электронным переходом при низких температурах заключается в увеличении количества электронов в зоне проводимости при освенхении. В полупроводниках н-типа (мы ограничимся общим описанием полупроводников л-типа, но эти общие соображения сохраняют силу и для случая образования подвижных дырок при переходе электронов из валентной зоны на акцепторные уровни) донорные уровни благодаря замороженному термическому беспорядку или благодаря примесям расположены ниже зоны проводимости всего лишь на какую-то долю электрон-вольта. Эти донорные уровни создают возможность для хемосорбции подходящих веществ (например, кислорода) на поверхности при освещении. Таким образом, можно ожидать, что каталитические реакции акцепторного типа (или донорного типа в случае фото-активированных р-полупроводников), которые не протекают в темноте, могут осуществляться при освещении. Даже реакции, сопровождающиеся увеличением свободной энергии и, следовательно, термодинамически невозможные в темноте, также могут протекать при освещении, так как энергия сообщается светом по описанному механизму. [c.265]

Рассмотрим сначала только такие процессы хемосорбции, в которых имеет место переход электрона от полупроводника к хемосорбирующемуся газу. Результаты расчета в этом случае можно резюмировать следующим образом работа выхода должна расти, если при хемосорбции электрон переходит к хемосорбирующемуся газу. В случае адсорбента п-типа увеличение работы выхода описывается квадратичной, а в случае адсорбента р-типа — сложной линейно-логарифмической зависимостью от поверхностной концентрации хемосорбированного газа. Обратные соотношения будут получаться для хемосорбции с переходом электрона от газа к полупроводнику, например для хемосорбции Нг на ZnO или NiO. Количественных опытных данных в настоящее время пет. Качественно указанные соотношения подтверждаются исследованиями Ляшенко и Степко. [c.260]

Можно интерпретировать хемосорбцию СОг и несколько другим образом, без предположения о существовании комплекса СОГ> если обратиться к амфотерным свойствам СО2, т. е. принять во внимание, что хемосорбированные молекулы углекислого газа могут находиться на поверхности как в виде СОГ, так и в виде комплекса СО2. В случае хемосорбции СО2 на поверхностях металлов с малой работой выхода (т. е. с высоко лежащими электронными уровнями) преобладают электронные переходы в направлении к хемосорбирующейся СО2. Напротив, при хемосорбции СО2 на твердых телах р-типа с достаточно низким химическим потенциалом электронов (который еще дополнительно снижается на поверхности благодаря происшедшей предварительно хемосорбции кислорода) переход электронов происходит в противоположном направлении. Таким образом, электронные процессы, сопровождающие хемосорбцию СО2 на поверхности СигО, частично покрытой хемосорбированным кислородом, можно представить следующим образом [c.274]

Отметим снова, что в данном рассмотрении электропроводности окиси цинка исходят из двух предположений 1) о сильном влиянии хемосорбции кислорода на сопротивление окиси цинка и 2) об электронном переходе как лимитирующей стадии хемосорбции кислорода. Первое из этих предположений обосновывается как некоторыми косвенными аргументами, так и непосредственно. полученными опытными данными. В пользу второго говорит лищь [c.317]