Кристаллы равновесные поверхности

Избыток растворенного вещества VA (где V — объем растворителя, м АС — избыточная концентрация растворенного вещества по сравнению с равновесной для отходящего потока жидкости, кг/м растворителя) расходуется (снятие пересыщения) на образование новых кристаллов (нуклеация, зародышеобразование) и на рост уже возникших или введенных извне кристаллов. При совмещении процессов грануляции и кристаллизации происходят также образование новых центров грануляции за счет термического или механического разрушения гранул и рост гранул за счет закрепления выделившихся из капель раствора кристаллов на поверхности гранул, а также за счет их агломерации. Все про- [c.318]

Согласно теории, на равновесной поверхности раздела двух фаз концентрируются те вещества, которые слаборастворимы в обеих фазах. Именно такие вещества уменьшают поверхностную энергию границы раздела и являются поверхностно-активными. Указанное правило может быть использовано для выявления поверхностно-активных веществ при выращивании кристаллов. Из этого правила следует также, что для подавления действия неизвестной нам вредной примеси можно попытаться добавить в раствор некоторое количество того или иного растворителя, обладающего хорошими растворяющими свойствами. [c.54]

Выше был рассмотрен ряд вопросов, связанных с образованием равновесной поверхности кристалла, характеризующейся правильным расположением атомов. Но если на поверхности протекают даже [c.44]

Таким образом, читатель найдет в книге двух авторов изложение фундаментальных проблем кристаллизации на двух уровнях , что несомненно расширяет сферу действия этой книги. Здесь рассматриваются термодинамические движущие силы кристаллизации, дефекты кристаллов, зарождение кристаллов, строение поверхностей кристаллов в равновесии и в процессе кристаллизации, кинетика процессов на этой поверхности и в объемах прилегающих к ней фаз, термодинамически равновесное и неравновесное распределение примесей, образование форм роста кристаллов и их устойчивость, возникновение дефектов при росте монокристаллов. Все эти вопросы обсуждаются на основе как теоретических, так и, в несколько меньшей мере, экспериментальных результатов. [c.6]

Здесь Гпл(оо) — температура плавления кристалла с плоской поверхностью Гпл(р)—температура плавления кристалла с поверхностью, радиус кривизны которой равен р — поверхностное натяжение (свободная поверхностная энергия) поверхности раздела кристалл/расплав ре — плотность кристалла. Кроме поверхностной энергии, Темкин включил в рассмотрение кинетические явления на поверхности раздела фаз, которым соответствует линейная зависимость скорости роста от переохлаждения на фронте кристаллизации. Рассматриваемые в гл. V кинетические явления на поверхности раздела фаз — это молекулярные процессы, определяющие, какой должна быть степень отклонения температуры этой поверхности от равновесной, чтобы скорость перехода молекул из расплава в кристалл приобрела данное значение. Линейная зависимость скорости роста от переохлаждения выражается следующим образом [c.403]

Какова их структура или форма Отложим вопрос о возникновении ступеней до дальнейшего обсуждения источников ступеней, отметив здесь только то, что, по расчетам Бартона и Кабреры [40], на поверхности кристалла присутствуют лишь одиночные адатомы и отсутствуют их скопления, так что образования ступеней по механизму поверхностного плавления не происходит. Разумеется, могут существовать равновесные формы из плоских участков и ступеней,например вицинальные поверхности (мы видели это по расчетам поверхностной энергии). Однако в соответствии с теорией роста кристаллов эти поверхности в условиях роста должны быстро выклиниваться, оставляя позади себя сингулярную поверхность, на которой для продолжения роста требуется возникновение новых ступеней. Таким образом, на сингулярных поверхностях должны существовать источники ступеней. [c.441]

Свойства молекул на границе раздела фаз и в объеме отличаются в связи с изменением ближнего порядка и силового поля на поверхности и в объеме. Это приводит к тому, что удельные значения экстенсивных параметров — объема, энтропии, энергии, теплоемкости, химического состава и ряда других величин— в общем случае окажутся различными для объема и поверхностного слоя каждой фазы. К поверхностным явлениям относят все эффекты, связанные с различием термодинамических свойств изучаемых систем, зависящим от различного поведения молекул в поверхностном слое и объеме непрерывной фазы. Этими же причинами объясняется возникновение определенных форм огранения кристаллов, равновесных форм капель жидкости, изменение термодинамических свойств в зависимости от дисперсности частиц (капель или кристаллов). [c.207]

В. И. Соммер (1988 г.) считают, что предварительное охлаждение перед гидратообразованием необходимо для компенсации большого количества скрытой теплоты, выделяющейся при быстром образовании большого количества зародышей кристаллов на поверхности минеральных частиц и, следовательно, этот эффект присущ только гидратообразованию в лабораторных условиях. Однако все авторы сходятся в мнении о том, что температурой начала гидратообразования, зафиксированной в опы--тах, является не равновесная температура, а температура начала образования зародышей кристаллов газогидратов. [c.149]

В любом идеальном кристалле при температуре выше абсолютного нул [ как в объеме, так и на поверхности имеется термодинамически равновесное количество дефектов кристаллической решетки [c.337]

Твердые вещества в данных условиях тоже могут находиться в состояниях, обладающих различной термодинамической устойчивостью, например, в различных кристаллических формах. В свою очередь для любой из этих форм более устойчивым является состояние, соответствующее идеально правильному кристаллу. Дефекты структуры, вызванные условиями образования кристалла или последующей деформацией под действием внешних механических сил, в какой-то степени уменьшают его устойчивость, так как образование этих деформаций связано с затратой энергии и сопровождается возрастанием энтропии. Точно так же кристаллическое тело в измельченном состоянии, т. е. обладающее большей поверхностью, менее устойчиво. Во всех подобных случаях уменьшение устойчивости сопровождается возрастанием изобарного потенциала. В таких состояниях вещество обладает большей химической активностью и меньшей химической стойкостью, большей способностью к фазовым переходам (большим давлением насыщенного пара, большей растворимостью и т. д..) Выделение вещества в более активных формах и состояниях может происходить самопроизвольно только из состояний с еще большим изобарным потенциалом (еще более активных в данных условиях). Обычно такими состояниями служат сильно пересыщенный раствор или переохлажденная жидкость. Кроме того, такое вещество может получаться при химической реакции, происходящей в условиях, достаточно далеких от равновесных. [c.227]

Раствор, равновесный с крупными кристаллами данного вещества, является ненасыщенным по отношению к мелким кристаллам вследствие большей их растворимости ( 142). Пар, насыщенный по отношению к плоской поверхности жидкости и крупным каплям ее, не насыщен по отношению к очень мелким каплям тон же жидкости ( 141). То же имеет место и при других фазовых или химических равновесиях ( 140—141). При отсутствии готовых зародышей, для того чтобы возможно было самопроизвольное образование частичек новой фазы, [c.490]

Свободные валентности (электроны и дырки) могут перемещаться (блуждать) по кристаллу. Поэтому прочная связь может переходить в слабую, а слабая в прочную. При данных условиях (температура, содержание примесей и т. п.) на поверхности полупроводника имеются определенные равновесные доли слабой связи %, прочной [c.455]

Когда вся поверхность капель покрыта кристаллами, новые кристаллы могут образовываться лишь в случае, если ранее образовавшиеся кристаллы отклонятся от равновесного положения, что может происходить в результате флуктуации. При этом обнажается часть поверхности капли и на этом участке образуются новые кристаллы комплекса, мешающие отклонившемуся кристаллу занять свое первоначальное положение. Дальнейшее комплексообразование и нормальная ориентация кристаллов комплекса на границе раздела фаз происходят благодаря флуктуации. Достижению нормальной упаковки кристаллов комплекса на границе раздела фаз способствуют слияние и дробление капель нефтепродукта, вызываемые перемешиванием при слиянии капель уменьшается общая величина поверхности, что приводит к уплотнению кристаллической оболочки, а при дроблении капель величина поверхности возрастает — при этом она покрывается кристаллами в результате перехода части имеющихся кристаллов в тангенциальное положение и образования новых кристаллов. [c.29]

Структура кристалла образуется самопроизвольно. Структурные единицы в процессе кристаллизации складываются в должном порядке, так как только при этом они достаточно прочно присоединяются к поверхности кристалла, теряя часть своей энергии, которая выделяется в окружающую среду. При данных температуре и давлении другие кристаллические структуры для данного состава вещества обычно не существуют. Другое дело самопроизвольное образование структуры некристаллического вещества. Насколько его энергетическое состояние отличается от равновесного, какой из бесчисленного количества возможных вариантов структуры реализуется, в каждом данном случае зависит от условий, прежде всего от скорости отвердевания. [c.178]

Одна группа теорий объясняет это с термодинамических позиций. Полагают, что благодаря некоторой коррелированности колебаний звеньев полимерной цепи по мере удлинения ее участка, входящего в кристалл, амплитуды поперечных колебаний звеньев в решетке возрастают, что вызывает эффективное уменьшение энергии межмолекулярного взаимодействия и соответствующее увеличение свободной энергии кристалла [в терминах уравнения (VI. 3) — возрастание значения yI- Поэтому при достижении закристаллизованным участком некоторой определенной длины дальнейшее удлинение кристалла в направлении оси цепи становится термодинамически невыгодным и гибкая цепь складывается так, что складка оказывается частью торцевой поверхности растущего кристалла. Чем выше температура кристаллизации (т. е. чем меньше переохлаждение ЛГ = Т л — Гкр), тем менее коррелированы колебания отдельных звеньев цепи и тем слабее действие указанного фактора. Поэтому с повышением температуры кристаллизации длина складок должна возрастать, а следовательно, увеличиваться равновесная толщина кристалла. Это и наблюдается на опыте. [c.185]

Из уравнения (VI.5) следует, что температуры плавления реальных кристаллов всегда меньше идеальной равновесной температуры, и тем меньше, чем больше их удельная поверхность и удельная поверхностная энергия, чем больше концентрация в них объемных дефектов. [c.186]

Из приведенных примеров видно, что переход системы из одного равновесного состояния в другое проходит через промежуточные неравновесные состояния. Такой процесс называют неравновесным процессом. Степень неравновесности промежуточных состояний системы в ходе некоторого процесса, а тем самым и степень неравновесности процесса в целом, могут быть охарактеризованы максимальным в пределах системы перепадом того свойства, которое изменяется в рассматриваемом процессе. Так, максимальная неравновесность при нагревании сферического тела наблюдается в начальный момент нагревания и равна Т — Т . В случае растворения КС1 при повышении температуры максимальная неравновесность может быть охарактеризована разностью растворимостей хлористого калия при начальной и конечной температурах j — С , поскольку в начале процесса в верхней части раствора концентрация еще равна С , а в нижней, вблизи поверхности растворяющихся кристаллов, С . [c.180]

Рекристаллизация порошков с укрупнением частиц, так называемая собирательная рекристаллизация, свойственна не только кристаллическим телам, но и аморфным (стеклообразным). В последнем случае исходные частицы с неправильной формой при рекристаллизации стремятся к равновесной форме, которой является сфера. Равновесная форма дисперсных частиц кристаллических веществ определяется условием минимума поверхностной энергии Гиббса и может быть воспроизведена по правилу Вульфа с уточнением, внесенным Ландау, она будет содержать плоские участки, соответствующие кристаллическим плоскостям с небольшими значениями индексов, при этом размер участков уменьшается с увеличением индексов. Практически это означает, что в равновесной огранке кристалла будет представлено небольшое число плоских поверхностей, которые не пересекаются вдоль прямых, а соединены закругленными участками. [c.214]

При выполнении этого условия, т. е. в том случае, когда контактная разность потенциалов между полупроводником и металлом превосходит по величине 0,5—1 в, а по знаку соответствует обогащению полупроводника неосновными носителями, на поверхности последнего возникает так называемый инверсионный слой. Из сказанного понятно, что основные носители в объеме полупроводника и в инверсионном слое на поверхности имеют противоположный знак. Так, в разобранном выше примере основными носителями в объеме кристалла являются дырки, а основными носителями на поверхности — свободные электроны. Отсюда следует, что потенциальный барьер в слое пространственного заряда полупроводника соответствует образованию р—п перехода. Поскольку термодинамическая концентрация носителей заряда на контактной поверхности полупроводника близка к единице, то потенциальный барьер между этой поверхностью и металлом практически отсутствует. Поэтому в рассмотренном случае, так же как и в предыдущем, на границе раздела образуется потенциальный барьер простейшей формы. Вольт-амперная характеристика этого барьера совпадает с вольт-амперной характеристикой р—п перехода. Сказанное поясняется энергетической диаграммой, приведенной на рис. 50. Из диаграммы видно, что равновесная высота потенциального барьера, расположенного в слое пространственного заряда полупроводника, равна расстоянию между уровнем электрохимического потенциала и уровнем наиболее удаленной от него зоны (проводимости или валентной) в объеме полупроводника. [c.181]

Образующие кристалл молекулы поступают к твердой поверхности, на которой появляется подвижный адсорбционный слой. Из этого слоя некоторые молекулы возвращаются в газовую фазу, другие присоединяются к кристаллической решетке. Скорость образования кристалла J пропорциональна разности парциального давления Р кристаллизующегося вещества в газовой фазе и равновесного давления Яр, т. е. У Р—Яр). Равновесное давление над кристаллом зависит от его размеров — над очень малыми кристаллами давление больше. [c.263]

Зависимость термодинамических свойств от дисперсности объясняется тем, что с изменением размера частиц (капель или кристаллов) изменяется доля вещества, относящаяся к поверхностному слою. Поскольку соотношение между объемом и поверхностью равновесной частицы является однозначной функцией от ее линейного размера, определение экстенсивных термодинамических величин можно провести однотипно. Поэтому достаточно рассмотреть одну из этих величин, в качестве которой удобно выбрать G или F. Предварительно следует только отметить, что удельное значение величины G/n для дисперсных фаз всегда отличается от производной дО/дп, так как поверхность равновесной частицы яв- [c.176]

Выращивание кристаллов с краевым углом 02 (см. рис. 34), меньшим, чем его значения, определяемые условием равновесия прих = г ( .7), приводит к уменьшению высоты поднятия жидкого столбика. Так как равновесная поверхность границы раздела кристалл— расплав почти плоская для промышленных радиусов кристаллов (г>0,5 см), уменьшение высоты столба /1 = Утах ДОЛЖНО быТЬ ОграНИЧеНО значениями Ута.х>Уй (рис. 34). Следует заметить, что выращивание монокристаллов по методу Чохральского с малыми значениями (/тах весьма затруднительно и часто приводит к кристаллизации свободной поверхности расплава и примерзанию слитка. Поэтому скорость вытягивания надо поддерживать такой, чтобы плоская изотерма кристаллизации не опускалась ниже высоты Н=утах, соответствующей 01= л/2. [c.106]

Стационарную скорость выделения водорода определяли путем снятия зависимости ток—потенциал при медленной скорости наложения потенциала (0,01 в/сетс). Были сопоставлены удельные активности осажденных катализаторов при смещении потенциала от равновесного значения на 0,025 в (вое данные отнесены к 1 лi истинной поверхности платины). На рисунке 3, а показана зависимость удельной каталитической активности от удельной поверхности платины. Точка 1 относится к гладкой монолитной платине, а прямые 2—5 — к платинированным электродам с различным отношением истинной поверхности платины к геометрической поверхности образца. Как видно, скорость реакции возрастает с увеличением удельной поверхности, т. е. с уменьшением размеров кристаллов. Но еще большее влияние оказывает степень заполнения носителей платиной (рис. 3, б). С уменьшением заполнения носителя платиной каталитическая активность, отнесенная к единице истинной поверхности платины, может превышать каталитическую активность гладкой платины более чем в 10 раз. Образцы с одинаковой удельной поверхностью платины (одинаковым средним размером кристаллов) обладают разной удельной активностью в зависимости от количества кристаллов на поверхности. Это указывает на возможное влияние платины на каталитические свойства носителя. Приближенные оценки показали, что такое активирующее влияние для исследованных нами образцов заметно при среднем расстоянии между [c.221]

Достаточно большой отрицательный вклад от изменения поверхност-юй свободной энергии в свободную энтальпию зародышеобразования кС приводит к отрицательному ее значению. Здесь величина Укр—распл )значает удельную свободную энергию на поверхности раздела крис- алл-расплав, - свободную энтальпию кристаллизации в расче- е на 1 смз и в - угол смачивания (макроскопический равновесный) лежду кристаллом и поверхностью инородного тела. Если зародыши лавятся при дальнейшем повышении температуры, то они образуют-зя вновь только при более низких температурах. Они возникают на юверхности одной стороны пустоты, которая должна действовать юдобно плоской поверхности. Эго не может приводить к отрицатель-юй величине изменения поверхностной энергии. [c.91]

Формула (111-41) выведена применительно к гомогенному соосаждению для случая, когда конечные состояния вещества внутри кристалла равновесны с конечными состояниями вещёства в растворе. Если захват примеси твердой фазой происходит также и за счет гетерогенного соосаждения, например вследствие адсорбции примеси поверхностью твердой фазы, то величина коэффициента распределения при этом будет несколько отличной. [c.111]

ДОК серебра, полученный из цианлстой ваины, — гладкий и с кристаллической структурой, не заметной на глаз, в то время как электролиз азотнокислых растворов серебра приводит к образованию на катоде вместо желаемого оплошного мелкокристаллического осадка ограниченного числа сравнительно больших кристаллов серебра. Количество энергии, затрачиваемое на осаждение серебра на существующий серебряный кристалл, меньше, чем затрачиваемое на образование центра нового кристалла таким образом пока потенциал сохраняет значение, близкое к равновесному, ток расходуется главным образом на увеличение существующих кристаллов, а не на образование новых. Кроме того, если на катоде один кристалл начинает вырастать, конец кристалла постоянно находится в тех частях раствора, где концентрация соли сравнительно высока, в то время как в пространстве между растущими кристаллами может иметь место обеднение раствора. Даже при одинаковой концентрации соли, вследствие разницы в электросопротивлениях, осаждение преимущественно будет происходить на заостренной части предмета. Ясно, что если нельзя препятствовать осаждению металла в местах, где оно уже началось, получение шероховатых, грубых и пористых осадков почти неизбежно. Как было указано Портевеном и Симболистом для получения мелкокристаллического осадка обыкновенно необходимо уменьшать скорость роста уже существующих кристаллов и стимулировать образование новых центров кристаллизации. Глазунов 2 разграничивает скорость роста кристаллов под прямым углом к поверхности и параллельно ей. Ясно, что рост кристаллов под прямым углом к поверхности в большей степени способствует образованию шероховатостей, чем рост кристаллов параллельно поверхности. [c.668]

Ускорение ползучести в условиях действия адсорбционноактивных сред отмечалось неоднократно. В работе [261] рассматривается один из возможных механизмов влияния снижения свободной поверхностной энергии на некоторые механические характеристики твердых тел, в том числе и на скорость ползучести. Сущность механизма заключается в том, что свободная поверхность, наряду с межзеренной, рассматривается как основной источник точечных дефектов (вакансий) в объеме поликристалла. Мощность этого источника зависит от равновесной концентрации С - изломов на поверхностных ступенях атомарной высоты. Элементарный акт образования вакансии на поверхности заключается в переходе атома твердого тела на излом атомарной ступени. Следовательно, поток вакансий с поверхности кристалла в его объем должен возрастать при уменьшении поверхностной энергии о в соответствии с выражением 1п (—с1кТ). [c.90]

Изучение механизма комплексообразования н-алканов, находящихся в нефтяных фракциях, с водно-этанольно-карбамидным раствором [Ю] показало, что реакция комплексообразования протекает в тонком слое, прилегающем к поверхности раздела двух жидких фаз. Изучая механизм комплексообразования с водным раствором карбамида, исследователи установили [32], что мельчайшие кристаллы комплекса возникают на поверхности капель эмульсии, образующейся при перемешивании двух фаз нефтепродукта и водного раствора карбамида. Авторы этрй работы считают, что первые порции кристаллов комплекса располагаются ио отношению к капле тангенциально, так как энергетгетески такое расположение на поверхности капли является наиболее выгодным. Когда вся поверхность капель покроется кристаллами, новые кристаллы могут появиться лишь в случае, когда уже образовавшиеся кристаллы отклонятся от равновесного положения, что может произойти в результате флуктуации. [c.40]

Пересыщение раствора иногда приводит к снижению растворимости примесей и их выпадению из раствора. Чем меньше размеры кристалла, тем относительно больше на его поверхности остается маточного раствора, менее чистого, чем сам кристалл. Степень чистоты кристаллов повышается г ри промывке. Для получения особо чистых кристаллов их подвергают перекристаллизащги. Остатки влаги обычно удаляют нз кристаллов путем сушки, доводя их влажность до состояния, близкого к равновесному. [c.637]

Наряду с получением алмаза в условиях, когда он является термодинамически устойчивым веществом (при высоких давлениях), алмазы можно синтезировать в области его неустойчивости, т.е. при относительно низких давлениях. Для этого проводят термическое разложение углеродсодержащих газообразных веществ, например метана, ацетилена, оксида углерода и др. В реакционный сосуд предварительно вводят кристаллы алмаза. Если имеется граш. кристалла алмаза, вблизи которой концентраты атомов углерода в виде пара превышает соответствующую равновесную, то избыток атомов углерода будет осаждаться на этой грани, воспроизводя кристаллическую структуру алмазной решетки. Процесс этот очень медленный. Кроме того, рабочие условия благоприятствуют образованию на поверхности подложки графита, который нужно периодически удалять с нее. Удельная производительность таких установок невелика, и сам процесс пока не нашел промышленного применения. [c.50]

Для кристаллизации полимеров в равновесных условиях их надо подвергнуть переохлаждению. Скорость кристаллизации чистого полимера определяется произведением скоростей двух процессов зародышеобразования и роста кристаллов. Скорости зароды-шеобразования высоки при низких температурах, когда полимерные цепи находятся на низком энергетическом уровне. С другой стороны, высокие температуры кристаллизации благоприятствуют высоким скоростям роста кристаллов это связано с тем, что цепи, участвующие в кристаллизации, должны извлекаться из расплава и перемещаться к поверхностям кристаллообразования. Повышение температуры, снижая вязкость, увеличивает подвижность цепей и скорость роста кристаллов. [c.54]

В свою очередь изучение равновесных и неравновесных свойств газов, структуры кристаллов, диэлектрических, оптических и других свойств вешеств дает много для понимания природы межмолекулярных сил. Спектроскопия в ее различньк формах — интенсивное средство исследования межмолекулярных сил. Наиболее мощным и перспективным для их исследования является метод рассеяния молекулярных пучков. Межмолекулярное взаимодействие играет большую роль и в химических процессах, оно проявляется в реакциях, протекающих в растворах, на поверхностях и в катализе. Исследование этих процессов также дает многое для поним шия межмолекулярного взаимодействия. Межмолекулярные силы сейчас исследуются очень интенсивно из-за большой важности для физики, химии, молекулярной биологии, кристаллографии, науки о полимерах, коллоидной химии, химии поверхностей и других естественных наук. [c.263]

При кристаллизации равновесную форму кристаллов можно изменить адсорбцией на их гранях поверхностно-активных примесей — модификаторов. Адсорбируясь на гранях с большим поверхностным натяжением, модификаторы понижают его до значений, более низких, чем малые поверхностные натяжения, существовавшие в кристалле на других гранях. Введением небольших добавок модификатора к раствору можно получить в равновесных условиях кристаллы поваренной соли октаэдрической формы и кристаллы квасцов кубической формы. Ребиндер и его сотрудники рассмотрели ряд общих вопросов модифицирования поверхностей твердых тел в процессе их кристаллизации с помощью добавок ПАВ. Семенченко с сотрудниками эксперим енталь-но исследовал поверхностную активность в жидких металлических растворах (расплавах) в связи с модифицированием металлов и сплавов. [c.35]

Высокоосновный третичный гидросиликат кальция кристаллизуется в виде волокнистых (нитевидных) кристаллов. Последние образуют внешнюю сферу гидратных оболочек и поэтому чаще всего наблюдаются при микроскопических исследованиях. Видна отчетливая граница раздела между негидратированным ядром и первичным гидратом, а между первичным и вторичным ( внутренним ) гидратом и третичным ( внешним ) гидратом межфаз-. ной границы практически не наблюдается (рис. 9.4). Степень гидратации С3З при температуре 298 К в разные сроки составляет за 1 сутки — 25—35%, за 10 сут — 55—65, за 28 сут — 78— 80%. Размеры кристаллов гидросиликатов кальция менее 1 мкм, их общая удельная поверхность 350—450 м7г. Таким образом, при нормальных температурах и давлении и невысоких значениях В/Ц=0,4. .. 0,7 равновесные гидросиликаты кальция, образующиеся при гидратации 3S, имеют отношение a0 Si02=l,6. .. 3. В отдельных случаях отмечается образование также и афвиллита 3S3H3. [c.317]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология