Зародыши кристаллов гетерогенное

Процесс гетерогенного образования зародышей кристаллов является первой стадией возникновения катодного осадка на индифферентной подложке. Индифферентными подложками считают такие, которые покрыты оксидными пленками либо изготовлены из металла, в котором диффузия осаждаемого металла покрытия очень мала. [c.236]

Инкрустации образуются в результате гетерогенного образования зародышей кристаллов на поверхности. Такой механизм образования инкрустаций может иметь место в том случае, если поверхностная энергия на границе раздела кристалл — твердая поверхность меньше поверхностной энергии на границе раздела кристалл — раствор . [c.13]

На кинетику процесса зарождения кристаллов влияют многие факторы, в особенности присутствие в расплаве различных механических примесей. Последние, как правило, снижают степень переохлаждения и увеличивают вероятность зарождения кристаллов. Процесс зарождения кристалла на поверхности постороннего твердого тела часто называют гетерогенным. Соответственно снижению требуемой степени переохлаждения изменение общей энергии, связанное с образованием критического зародыша, в гетерогенных условиях должно быть меньше, чем в гомогенных условиях, т. е. [c.53]

Следует заметить, что процесс образования кристаллов на поверхности другого тела зависит от того, насколько близки их кристаллические структуры и межатомные расстояния. Существенное влияние на этот процесс оказывают примеси как растворимые, так и нерастворимые. Именно влиянием примесей объясняются расхождения между экспериментальными данными, касающимися определения скорости образования зародышей и размеров метастабильной области. Установлено, что по мере уменьшения в расплавах (растворах) количества нерастворимых примесей увеличивается ширина метастабильной области. При наличии же в расплаве (растворе) включений, обладающих кристаллографическим сродством с образующейся фазой, ширина метастабильной области уменьшается, что приводит к меньшим переохлаждениям, необходимым для возникновения зародышей кристаллов. Заметим, что растворимые при гетерогенном образовании зародышей нарушают соответствие между подложной и возникающей кристаллической фазой. Эти примеси как бы отравляют зародыши и для достижения заданной скорости протекания процесса приходится значительно увеличивать переохлаждение. [c.131]

В этих случаях растворение твердой фазы неизбежно должно предшествовать кристаллизации. Образование зародышей кристаллов начинается, очевидно, лишь тогда, когда в жидкой фазе таких гетерогенных смесей достигаются соответствующие концентрации и соотношения компонентов. [c.24]

Для предотвращения гетерогенной (первичной) кристаллизации достаточно блокировать находящиеся на поверхности мембран активные центры образования зародышей кристаллов, [c.118]

Теория гетерогенного образования зародышей. Гетерогенным называется образование зародышей на поверхностях раздела фаз на посторонних частицах, стенках сосудов, поверхностях уже имеющихся кристаллов и т. д. Размер зародышей при переохлаждениях, которые обеспечивают практически обнаруживаемую скорость их образования, не превосходит 10 см. По- [c.279]

Закономерности образования новых фаз. В ряде случаев в гетерогенных процессах образуются новые конденсированные фазы При этом новая фаза сначала появляется в виде небольших кристалли ков или капелек ( зародышей ), которые обладают избыточным запа сом энергии и поэтому в дальнейшем самопроизвольно объединяются [c.263]

Основы гетерогенного зарождения кристаллов были рассмотрены Гиббсом и Фольмером. Фольмер показал, что работа образования гетерогенного зародыша связа- [c.237]

Процесс кристаллизации как из растворов, так и расплавов протекает в две последовательных стадии 1) образование зародышей (центров кристаллизации) 2) рост кристаллов. При этом различают зарождение гомогенное и гетерогенное. Гомогенное зарождение происходит при отсутствии в исходной фазе твердых частиц, на которых могут образоваться кристаллы, и определяется флуктуациями энергии. Гетерогенное зарождение происходит на твердых поверхностях и на взвешенных в исходной фазе твердых частицах. Направление фазовых превращений определяется, как известно, изменением свободной энергии системы. Из двух фазовых состояний устойчиво то, которое соответствует меньшей свободной энергии. Следовательно, кристаллизация возможна в тех случаях, когда переход веш,ества из жидкого в твердое состояние сопровождается уменьшением свободной энергии системы. [c.683]

Образование зародышей на стенках тигля зависит от газовой среды в печи, что связано с влиянием газов на смачиваемость железа слюдяным расплавом. Так, в водородной среде материал тигля хуже смачивается (краевой угол 0 около 90°), чем в азоте и аргоне. Это способствует достижению более значительного переохлаждения расплава и более массовому характеру кристаллизации. Чем меньше краевой угол смачивания, тем легче происходит образование зародыша, и уже при 0 — 45° высота потенциального барьера для зарождения на поверхности на порядок меньше, чем для зарождения в объеме. При гетерогенном зарождении кристаллов расплав слюды характеризуется высокой кристаллизационной способностью. Максимальная скорость зародышеобразования по данным подсчета центров кристаллизации (сфе-ролитов) в образцах, полученных в условиях переохлаждения на несколько десятков градусов, составляет примерно 100 зародышей на 1 см2 поверхности в течение 1 с. [c.39]

Первичное возникновение кристаллов слюды происходит на поверхности тигля и кристаллах периклаза и форстерита. Судя по мелкокристаллической текстуре роста слитка, образование новых генераций слюды происходит на протяжении всего времени существования расплава. Новые центры кристаллизации образуются как на примесях, так и на первичных кристаллах слюды. Гетерогенный и неупорядоченный характер образования кристаллических зародышей определяет появление большого числа одновременно растущих и хаотично расположенных в тигле кристаллов фторфлогопита. [c.30]

Между образованием зародышей и их ростом имеется тесная связь. Разграничение процесса кристаллизации на две стадии в известной мере условно. Это является одной из причин того, что до сих пор не разработана теория роста кристаллов, способная объяснить все особенности такого сложного гетерогенного процесса, как процесс кристаллизации. [c.364]

Сюда же относятся разнообразные влияния адсорбционных слоев на кинетику гетерогенных процессов и, в частности, процессов образования новой фазы действие ПАВ — ингибиторов коррозии и растворение твердых тел, например металлов в кислотах адсорбционное модифицирование зародышей кристаллизации и самих кристаллов в процессе роста — понижение скорости кристаллизации и изменение формы кристаллов вследствие избирательной адсорбции на возникающих гранях [14]. Особое значение имеет модифицирование электрокристаллизации для повышения дисперсности и плотности катодных покрытий. [c.18]

К первой ступени относятся явления, происходящие на атомно-молекулярном уровне и связанные с образованием кристаллической фазы — это гомогенное и гетерогенное зародыше-образование. Вторая ступень определяет кинетические закономерности роста отдельных граней кристаллов. Явления переноса количества движения, массы и энергии при взаимодействии дисперсных частиц с кристаллизуемой системой характеризуют третью ступень. Четвертая ступень связана с моделированием процесса массовой кристаллизации. Замыкает структурную схему пятая ступень, на которой рассматривается гидродинамика непосредственно дисперсных систем и вопросы разработки конструкций кристаллизаторов и создания методики их расчета. [c.12]

Наконец, следует установить связь понятия частоты образования зародыша / с понятиями и обозначениями, обычно принятыми в реакционной кинетике, и показать целесообразность введения этого понятия. Скорость реакции в гомогенных системах принято определять через —йс/йЬ или +(1х/с11, где с обозначает устанавливающуюся на данный момент молярную концентрацию исчезающего, х — образующегося вещества, t — время. Для сравнения с кинетическим числом соударений в последнее время чаще вместо молярных используют молекулярные концентрации. В гетерогенных системах обозначения менее единообразны. В извест-еом законе Нойеса — Нернста скорость растворения выражается через прирост концентрации +йх/М. Напротив, скорость испарения обычно описывается числом или весом молекул, испаряющихся ежесекундно с 1 см поверхности. Скорость кристаллизации обы що дается в виде линейного или пространственного продвижения кристалла и т. д. [c.87]

Параллельно с образованием зародышей из гомогенного пересыщенного раствора в реальных процессах кристаллизации наблюдается возникновение зародышей будущих кристаллов вследствие истирания (измельчения) кристаллов при их столкновениях друг с другом, со стенками аппарата или с лопастями механической мешалки. Такой процесс называют вторичным, гетерогенным зародышеобразованием он имеет не термодинамическую, а чисто механическую природу. [c.497]

Пытаясь представить себе картину образования идеальных кристаллов с выпрямленными цепями на основании большого числа Экспериментальных данных, автор и его сотр. пришли к выводу о том, что недостаточно наличия гетерогенной системы, в которой происходит непрерывное осаждение молекулярных цепочек, а должны выполняться еще и следующие условия [18]. Во-первых, реакция инициирования должна происходить на самой ранней стадии процесса полимеризации затем должны образовываться зародыши с активными центрами, благоприятствующими последующему росту цепи (т. е. росту кристаллов) в ходе полимеризации (желательно, конечно, чтобы реакция роста протекала по механизму живущей полимеризации), и, наконец, сегменты образующегося полимера непосредственно после возникновения химических связей должны встраиваться в кристаллическую решетку. Если процесс полимеризации не удовлетворяет перечисленным выше условиям, то должно происходить непрерывное отложение образующихся макромолекул на уже закристаллизовавшийся полимер, в результате которого активные концы растущих ценей окажутся погребенными в последующих наслоениях, и рост совершенных кристаллов будет затруднен. [c.271]

Экспериментально было найдено, что скорости роста кристаллов полностью согласуются со вторым из этих выражений Аф. Более того, первое выражение Аф хорошо описывает скорости первичного зародышеобразования в тех случаях, когда принимаются меры для исключения первичного зародышеобразования, обусловленного присутствием в расплаве загрязняющих частиц постороннего вещества (гетерогенное зародышеобразование). Однако существуют серьезные основания полагать, что если такие предосторожности не соблюдаются, то количество первичных зародышей гетерогенного происхождения будет значительно превосходить число зародышей, образующихся в расплаве в результате гомогенных процессов. При этих условиях на температурную зависимость скорости первичного зародышеобразования будут в большой степени влиять все особенности происходящих процессов зародышеобразования. Если зародыши возникают в результате адсорбции молекул полимера на посторонних частицах, скорость их образования соответствует скорее зависимости Аф /(АТ), а не Аф АТу. Во всяком случае, ясно, что для любого из этих возможных механизмов движущая сила зародышеобразования уменьшается при более высоких температурах, но в то же время скорость, необходимая для преодоления молекулами барьера, характеризуемого значением Еп, при более низких температурах также уменьшается. В связи с этим следует ожидать, и это наблюдается в действительности, что выше или ниже определенной оптимальной температуры общая скорость кристаллизации уменьшается. [c.411]

Несмотря на общую чувствительность скорости кристаллизации к температуре, между полимерами остаются достаточно большие различия, позволяющие свободно и с полным основанием говорить о полимерах, которые кристаллизуются быстро, и о полимерах, которые кристаллизуются медленно. Например, пленки расплавленного полиэтилена кристаллизуются, даже если их закаливать в жидком азоте, тогда как пленки полиэтилентерефталата или найлона легко закаливаются с образованием аморфного стекла. Значительные различия в этих свойствах могут быть следующим образом связаны со структурами различных рассматриваемых здесь молекул. Как мы видели, лимитирующей стадией, определяющей скорость кристаллизации полимеров, является зародышеобразование, причем более значительную роль играет в этом отношении первичное зародышеобразование. Независимо от того, имеют ли первичные зародыши гомогенное или гетерогенное происхождение, а также от того, образован ли каждый из них несколькими соседними молекулами, вытянутыми в длину, или одной многократно сложенной молекулой, их рост до критического размера требует согласованного, или кооперативного, перераспределения молекул в пределах значительного объема расплава. Молекулы вынуждены совершать поступательное и вращательное движение относительно своих соседей, и кристаллическая упаковка будет достигнута гораздо быстрее, если эти движения происходят свободно и в ограниченных пределах. Аналогичные условия необходимы также для образования поверхностных зародышей при дальнейшем росте кристалла из первичных зародышей, и в общем случае более высоким скоростям первичного зародышеобразования соответствуют более высокие скорости вторичного зародышеобразования. Для быстрой кристаллизации очень желательно, чтобы повторяющиеся химические звенья цепи не были слишком длинными и чтобы профиль молекулы отличался высокой симметрией. Низкая симметрия уменьшает число возможных положений молекулы и, кроме того, препятствует вращательному движению, необходимому для переориентации. Особенно нежелательны большие боковые группы, так как они могут служить серьезным препятствием движению одной цепи относительно другой. Наличие полярных групп может явиться дополнительным препятствием кристаллизации, особенно если они находятся далеко друг от друга (или неравномерно расположены) в цепи молекулы, и необходимы значительные перемещения, чтобы полярные группы соседних молекул заняли в кристалле соответствующие положения. Более того, в расплаве между беспорядочно расположенными молекулами могут устанавливаться локальные полярные связи, которые должны быть затем разорваны и заново образованы в кристалле между другими парами групп. [c.412]

Гетерогенное зародышеобразование на уступах, трещинах, дырках и других нерегулярностях должно, по-видимому, происходить легче, чем на плоской поверхности раздела. На такой грубой поверхности раздела зародыши кристаллов могут использовать большую часть поверхности. Предполагая, что уступ на поверхности подложки в направлении /, в котором образуется зародьш], имеет неограниченную [c.58]

Реакция полимеризации олефинов обычно должна быть инициирована, после чего она протекает как реакция последовательного присоединения мономера. Процесс может быть гомогенным при использовании растворимого инициатора или гетерогенным на поверхности твердой частички катализатора. Для нас представляют интерес те реакции, которые приводят к образованию кристаллического полимера. В гомогенных реакщмх образование первичного кристаллического зародыша происходит или из активных растущих олигомерных молекул, или при складывании продолжающей расти полимерной молекулы, как это показано в разд., 5.1.2.3 и 5.1.2.4. В гетерогенных реакциях сама частица катализатора может служить первичным гетерогенным зародышем кристалла. [c.361]

По теории дислокаций при массовой кристаллизации решетка кристалла искажается за счет температурных градиентов у поверхности кристаллов, а также за счет адсорбции примесей. Наличие дислокаций в узлах кристаллической решетки исключает необходимость образования двухмерных зародышей — кристалл растет при незначительном пересыщении у его поверхности, так как энергетический барьер при включении частицы в решетку в месте дислокации значительно ниже. Существует так называемая блочная теория, которая объясняет рост кристаллов наличием агломератов или блоков субмикрокристаллов в пересыщенном растворе, представляющем собой структурованную гетерогенную систему. За счет блоков идет быстрый, но неравномерный рост граней кристаллов. [c.437]

Из общей теории фазовых превращений, созданной М. Фольмером, на основании термодинамичских работ И. Гиббса и получившей дальнейшее развитие в трудах Я. И. Френкеля, известно, что большинство процессов, протекающих в реальных системах, совершается по гетерогенной кинетике. Указанное положение применимо в полной мере к процессам пузырькового газовыделения (дегазация жидкого металла) и к процессам образования центров кристаллизации в затвердевающем расплаве. Другими словами, в обоих перечисленных выше случаях маловероятно гомогенное образование зародышей газовых пузырьков в пересыщенном газом расплаве и зародышей кристаллов в перео.хлажденном расплаве. Образование же зародышей критических размеров новой фазы происходит, как правило, не вследствие фазовых и гетерофазных флуктуаций, а связано с наличием в жидком металле подходящей поверхности в виде, например, твердой частицы, взвешенной в жидком метал- [c.442]

Силикаалюмогели, используемые при синтезе цеолитов и образующиеся при смешении щелочных растворов силиката и алюмината, представляют собой гетерогенные коллоидные системы, состоящие из твердой и жидкой фаз. Развиваемые представления о механизме кристаллизации таких щелочных силикаалюмогелей базируются на признании исключительной роли жидкой фазы гелей в процессах образования зародышей кристаллов при допущении, что дальнейший рост кристаллов обеспечивается растворением твердой фазы гелей, продолжающимся до полного перехода в раствор ее компонентов, и через раствор в кристаллическую фазу. Показано, что гели, полученные из золя SiOg и раствора алюмината, в отличие от гелей, полученных из щелочных растворов силиката и алюмината, обладают специфическими особенностями химической структуры, с которыми, очевидно, связаны оставшиеся без объяснения особенности их кристаллизации. Изложенные представления о механизме кристаллизации цеолитов из силикаалюмогелей позволяют удовлетворительно объяснить все многообразие экспериментальных фактов, относящихся к кристаллизации цеолитов. Библ. — 20 назв., рис. — 2, табл. — 1. [c.261]

Пусть пересыщения в системе недостаточно для образования зародышей гомогенным или гетерогенным путем и зародыши возникают за счет истирания кристаллов несущей фазой. Зародыши будем считать самостоятельной фазой, средняя плотность и объемное содержание которой р, и з (причем рз=р2"ПаЛ ЯзГз= = , Пз=/зГз —число зародышей в единице объема). Перейдем к выводу уравнений термогидромеханики для описания процесса массовой кристаллизации с учетом роста кристаллов и бесконтактного вторичного зародышеобразования. [c.39]

Большое влияние на процесс кристаллообразования в расплаве оказывают различные примеси. Особенно важную роль в этом отношении играют механические примеси, находящиеся в расплаве в виде взвешенных частиц микронного и субмикронного размера и играющие роль затравки при образовании зародышей. Последнее объясняется тем, что работа образования зародышей на готовой поверхности (гетерогенное зародышеоб-разование) меньше, чем работа флуктуативного образования зародышей (гомогенное зародышеобразование) в объеме расплава. Такое гетерогенное зародышеобразование возможно лишь, когда расплав является лиофильным по отношению к поверхности частицы. Возникающий на ней в этом случае адсорбционный слой вызывает соответствующее структурирование прилегающего расплава, что приводит к облегчению образования зародышей на данной поверхности по отношению к зародыше-образованию в объеме расплава. Вследствие этого начало кристаллообразования обычно смещается в сторону меньших переохлаждений по сравнению с тем, что было бы, если бы исходный расплав был тщательно очищен от взвешенных частиц. Аналогичное явление имеет место и в случае кристаллизации на специально вводимых в расплав затравочных кристаллах, что широко применяется в различных способах выращивания монокристаллов. [c.109]

Чем пересыщеннее раствор, тем больше он структурирован. Пересыщенный раствор — это гетерогенная (или псевдогетерогенная) система, содержащая агломераты или блоки субмикрокристаллов (зародышей). Согласно блочной теории кристаллизации за счет этих блоков происходит преимущественный, особенно быстрый, но неравномерный рост граней кристаллов, что приводит к искажению их формы и к образованию кристаллических сростков. [c.246]

По Каишеву, последние соотношения справедливы для зародышей любой формы, и, как показывает анализ, они определяют собой связь между работой гетерогенного и гомогенного зарождения кристалла при одинаковом пересыщении (перенапряжении). Отсюда следует, что во всех случаях работа гетерогенного зарождения меньше работы гомогенного зарождения и только в пределе становится ей равной. [c.238]

Различают гомогенную и гетерогенную электрохим. нукле-ацию, т. е. зарождение кристаллов новой фазы. Первая имеет место, напр., при восстановлении ионов в объеме р-ра с образованием коллоидных частиц, вторая - при восстановлении ионов,на пов-сти электрода. Зарождению кристаллов на пов-сти электрода может предшествовать образование слоев адсорбир. атомов (адатомов) осаждаемого в-ва, чаще всего металла. Возникновение моноатомных (иноща двух- и трехатомных) слоев происходит при электродных потенциалах, на неск. десятков мВ положительнее равновесного. Степень заполнения пов-сти адсорбир. аТомами влияет на скорость зарождения кристаллов нойой фазы (число зародышей в единице объема, образующихся за единицу времени). [c.430]

Как следует нз таб г. 4.4, параметр п неоднозначно характеризует механизм роста кристаллов. Так, прн к —3 могут образовываться или сферы (чаще всего сферолнты) при гетерогенном зародышеобразовании, илн диски прн гомогенном механизме образования зародыша. Поэтому дтя по учення однозначных результатов необходимо оценивать морфологию кристаллов другими методами, иапример чикроскоиическими. Иногда в киистических расчетах получаются дробные значения [c.271]

Приведенные уравнения и выводы относятся к гомогенному зарождению кристаллов. При наличии поверхности раздела фаз в виде стенок сосуда, охлаждающих элементов, взвешенных твердых частиц и т. п. процесс (гетерогенный) образования зародышей облегчается. Это явление объясняется понижением энергетического барьера АФмакс результате адсорбции молекул исходной фазы на указанных поверхностях раздела. В данном случае АФмакс = = фАФмакс, где О < ф < 1. Величина ф зависит от сродства свойств межфазной поверхности и кристаллической фазы. В случае расплавов величина ф зависит от угла смачивания межфазной поверхности В, стремясь к нулю при 6 — О и к единице при 0 —> -> 180°. [c.685]

Пример 7.5.5.1. Стохастическая модель зародышеобразования. Необходимо в рамках стохастических представлений построить модель гомогенного и гетерогенного зародышеобразования (см. подраздел 8.7.1) для описания скорости образования кристаллов из жидкой фазы на основе представления о рождении и гибели кластеров [120]. При решении поставленной задачи считается, что зародышеобразование протекает по известной схеме случайного процесса гибели и рождения с конечным числом состояний [29, 99, 121, 122]. Пусть объем пересыщенного пара, незначительно превосходящий объем критического зародыша, содержит ( + 1) атомов или молекул. Символом Ео обозначим состояние этого объема, когда в нем содержится ( + 1) одиночных атомов пара, символом — состояние системы, заключающееся в образовании одного комплекса из двух атомов, — одного комплекса из трех атомов и, наконец, — одного комплекса из и атомов. Этот комплекс представляет собой критический зародыш жидкой фазы, который после присоединения еще одного атома (переход в состояние ) способен к дальнейшему самопроизвольному росту. Обозначим через ко вероятность перехода из состояния Ео в Ei, через А,] — вероятность перехода из состояния Ei в Ei а так далее, т. е. вероятности присоединения одиночных атомов к соответствующим комплексам. Через Ц] обозначим вероятность перехода из состояния Ei в Ео, через р2 — вероятность перехода из состояния в i и так далее, т. е. вероятности отрыва одиночш.1х атомов от соответствующих комплексов. Тогда граф-схема процесса будет иметь вид, представленный на рис. 7.5.5.1. Вероятность перехода системы из состояния Е в состояние 1 полагаем равной нулю ц( = 0), т. е. состояние Е для этой схемы является поглощающим. [c.689]

В тиурамных вулканизатах поперечные связи, возникающие в результате гетерогенной реакции, скорее всего не образуют гетерогенных вулканизационных структур вследствие малой сульфидности (поперечные связи десорбируются и переходят в объем эластомера). В этом случае зародышами являются только частицы оксида цинка или частицы, содержащие продукты его превращений (ДТКЦ и т. д.). Их число невелико в сравнении, например, с числом частиц в сульфенамидных вулканизатах, а распределенные в объеме эластомерной фазы поперечные связи входят в состав растущих ламелей, поэтому рост кристаллов не ингибируется. Все это и обусловливает слабую зависимость Т1/2 —1/Л1с и небольшое изменение степени кристалличности в результате вулканизации. Сравнительно большим размером дисперсных частиц объясняется, очевидно, и высокая скорость изотермической кристаллизации серных вулканизатов с ДТКЦ. [c.259]

Наряду с процессом гомогенной нуклеации наблюдается возникновение зародышей будущих кристаллов, связанное в основном с истиранием (измельчением) кристалликов при их соударениях друг с другом, со стенками аппарата или с механической мешалкой. Этот процесс называют вторичной нуклеацией или гетерогенным зародышеобразо-ванием существенно, что механизм этого явления имеет не термодинамическую, а механически-статистическую природу. [c.152]

Как известно, еще Гиббс в своем замечательном трактате о равновесии в гетерогенных системах выяснил факторы, определяющие стабильность пересыщенных систем. Однако лишь в 1926 г. Фольмер на этой основе построил свою известную теорию образования новых фаз и роста кристаллов, введя понятия о трехмерных и двумерных зародышах и связав их возникновение флуктуационным путем с проблемами скорости зародышеоб-разования и линейной скорости кристаллизации. Рассмотрев работу образования этих зародышей как энергию активации соответствующих процессов, Фольмер открыл путь количественной интерпретации фазообразования и кристаллизации. [c.4]

На основании этих результатов можно было предположить, что наличие надмолекулярных структур в растворах кристаллизующихся полимеров может определенным образом сказаться па кинетике кристаллизации полимеров из растворов па стадии, например, зародышеобразовапия, т. е. можно было предположить, что образующиеся в растворе устойчивые ас оциаты будут выполнять функции атермических зародышей. Если такое предположение справедливо, то, очевидно, изучение индукционного периода кристаллизации, величина которого в существенной степени зависит от того, имеет ли место гомогенное или гетерогенное зародышеобразование новой фазы [13], может дать сведения о характере структурирования раствора. Для того чтобы проверить это предположение, нами была разработана методика для изучения кинетики кристаллизации полимеров из разбавленных растворов [14]. Используя метод, основанный на принципе деполяризации света кристаллами [151, на примере раствора полиэтилена в декалине была изучена зависимость индукционного периода кристаллизации от термической предыстории раствора. [c.188]

Отметим теперь некоторые особенности кинетики начального роста зародышей ло механизму обратного осажде- ния. Формирование зародышей, преодолевших стадию флук-туацирнного образования, идет в соответствии с законами гетерогенной кинетики [37]. В начале формирования площадь кристаллов В , намного меньше исходной поверхности сплава. Поэтому без особой погрешности можно считать, что скорость обратного осаждения определяется только катодной поляризационной кривой процесса (3.14.2). При постоянной величине АЕ—е перенапряжение на зародыше АЕг станет нарастать по мере его укрулнения [135] [c.123]

Одна из важнейших проблем массовой кристаллизации связана с определением эффективности процесса. Данная задача не может быть решена без учета кинетических факторов. Скорость процесса массовой кристаллизации лимитируется скоростью зарождения кристаллов и скоростью их роста. В соответствии с теорией гетерогенных флуктуаций [78, 79], при возрастании размера зародыша до критического на его поверхности происходит обновление молекул за счет присоединения новых молекул из расплава. При этом вероятность возникновения кристаллических зародышей в расплаве определяется вероятностью преодо.тения системой энергетического барьера. Образовавшиеся зародыши являются центрами формирования кристаллов. Рост кристаллов также связан с преодолением энергетического барьера [78]. В [80] для описания этих процессов предлагаются следующие зависимости [c.304]

Если использовать обобщенный подход, учитывающий размеры растущих кристаллов, то уравнение Аврами сохраняет вид (5.6). Показатель степени п зависит как от геометрии процесса роста кристаллов, так и от типа зароды-шеобразования. Активные центры могут быть гетерогенными (заранее имеющиеся зародыши), и гомогенными (в этом случае зародыши постоянно обра-зуются) Показатель Аврами совпадает со значением степени многомерности [c.103]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология