образования энергия образования

Для соединений каждого класса или данного гомологического ряда существует минимальная длина цепи, необходимая для образования комплекса. Для и-алканов при комнатной температуре и нормальном давлении она равна 6 атомам углерода. Высшим членом гомологического ряда н-алканов, способным образовывать комплекс с карбамидом, может быть тот углеводород, для которого энергия образования комплекса еще превышает энергию его кристаллической решетки. Комплекс с карбамидом могут образовывать и длинноцепные углеводороды с короткими боковыми цепями или циклическими структурами, расположенными на конце цепи. Так, при наличии в парафиновом углеводороде одной ме- [c.210]

Энергией связи называется такое количество энергии, которое необходимо затратить для разрыва (диссоциации) определенного типа связи между атомами. При возникновении связи, т. е. при соединении атомов в молекулы, происходит переход системы в более устойчивое состояние, сопровождающееся выделением тепла. Энергия образования связи, следовательно, положительна. При распаде молекул тепло поглощается и энергия разрыва связи отрицательна. [c.173]

В ММВ на расстояниях, характерных для жидкого состояния, когда соседние молекулы находятся в непосредственном контакте друг с другом, основную роль играют слабые химические связи с энергией 1...10 кДж/моль. а вклад дипольного, лондоновского и поляризационного взаимодействий незначителен и им можно пренебречь [17... 19]. Влияние же дипольного момента на свойства жидкости объясняется возникновением реактивного поля, которое уменьшает энергию образования ассоциатов и комплексов при одновременном снижении их устойчивости [18]. [c.64]

В процессе образования кристалла происходит перекрывание внешних электронных облаков атомов по аналогии с образованием химической связи в молекулах. В соответствии с методом МО при взаимодействии двух атомных электронных орбиталей образуются две молекулярные орбиТали связывающая и разрыхляющая. При одновременном взаимодействии N микрочастиц образуется N молекулярных орбиталей. Величина N в кристаллах может достигать огромных величин (порядка 10 ). Поэтому и число электронных орбиталей в твердом теле чрезвычайно велико. При этом разность между энергиями соседних орбиталей будет ничтожно мала. Так, в кристалле натрия разность энергетических уровней двух соседних орбиталей имеет порядок 10 Дж. Таким образом, в кристалле металла образуется энергетическая зона с почти непрерывным распределением энергии, называемая зоной проводимости. Каждая орбиталь в этой зоне охватывает кристалл по всем его трем измерениям. Заполнение орбиталей зоны проводимости электронами происходит в соответствии с положениями квантовой механики. Так, из условий минимума энергии электроны будут последовательно заполнять все орбитали, начиная с наинизшей, причем на каждой орбитали в соответствии с запретом Паули может располагаться лишь два электрона с антипараллельными спинами. С повышением температуры за счет теплового возбуждения электроны будут последовательно перемещаться на более высокие энергетические уровни, передавая тепловую энергию с одного конца кристалла на другой и обеспечивая таким образом его теплопроводность. [c.82]

Таким образом, процесс образования и роста скоплений является энергетически выгодным, однако сферическая форма скопления пе обязательно должна обладать минимальной энергией. Действительно, если п вакансий объединены в скопление, имеющее форму плоской круг-ЛОЙ поры радиусом / диск и толщиной й в одну вакансию (<3 1 = 0 /з), то в рамках модели жесткой среды энергию образования такого скопления можно записать как [c.47]

В дальнейшем мы будем пользоваться терминами теплота образования , энергия образования и изменение теплосодержания , как эквивалентными, обозначая этими терминами величину ДЯ°. Иногда, для краткости, мы будем говорить теплосодержание вместо более громоздкого термина изменение теплосодержания . [c.116]

Если же изомерное превращение осуществляется при высоких температурах, при которых множитель TAS является достаточно большим, то энтропийный фактор имеет существенное значение для изомерного превращения, и равновесие может быть сдвинутым в сторону изомера, теплота образования (энергия образования) которого меньше (см. рис. 39, стр. 523). [c.510]

Доклад признает, что (я цитирую доклад) энергия образования соединений с сопряженными кратными связями или соединений ароматического ряда больше, чем энергия изомерных соединений с изолированными двойными связями, и что этому различию в энергиях сопутствует широко известная в химии тенденция к образованию сопряженных систем . [c.176]

Такая симметричность бензольного ядра, обусловленная сопряжением, придает ему особую устойчивость. Энергия образования молекулы бензола, рассчитанная исходя из наличия трех простых С-С- связей, трех двойных и шести связей С — Н, равна 3-81 + 3-147 + 6-99 = 1278 ккал моль. Однако реальная теплота образования бензола равна 1314 ккалЫоль. Разница между этими значениями составляет 36 ктл моль и является энергией сопряжения, или энергией резонанса бензольного ядра. Именно такое количество энергии необходимо затратить, чтобы нарушить сопряжение в бензольном ядре, — этим и объясняется его устойчивость (см. стр. 137). [c.134]

Чтобы произвести эндотермическую реакцию, я должен не только подвести реагенты друг к другу, но и сообщить им еще добавочную энергию. Эта энергия в случае упомянутых проф. Петерсом механохимических реакций имеет первичной механическую работу, которую я, например, затрачиваю, растирая материал пестиком в ступке. Можно ли с атомистической точки зрения говорить о том, что эта энергия до момента завершения реакции, т. е. до образования нового соединения, сохраняет свою природу механической энергии или же будет более правильным считать, что эта энергия находилась в каком-то промежуточном состоянии тепловой энергии [c.102]

В литературе известны попытки установить корреляцию между шириной запрещенной зоны АЕ полупроводника АВ и тепловым эффектом его образования из простых веществ А и В [13]. Ранее ( IV.21) мы уже говорили о неправомерности попыток выводить какие бы то ни было свойства твердых фаз — химических соединений — из тепловых эффектов или свободных энергий их образования из простых веществ. Величина свойства данной фазы АВ может зависеть лишь от ее собственного состава, строения, от прочности ее связей и, значит, в случае ионных решеток — от величины борновской энергии решетки (Уда, в случае атомных решеток — от величины энергии атомизации Qab. Энтальпия же или свободная энтальпия 18—736 [c.529]

На рис. 9 изображена зависимость величин свободных энергий образования углеводородов от температуры эти величины отнесены к 1 атому угле-)ода. Зависимость от температуры исследована в пределах 700—1200° К-3 связи с тем, что уравнения, приведенные ниже в табл. 18, будут использованы для вычислений равновесий при температурах более высоких, чем 1200° К, следует указать, что результаты, полученные экстраполированием за указанные пределы температур, нельзя считать вполне достоверными. Графический способ выражения зависимости свободной энергии образования, отнесенной к одному атому углерода, от температуры дает ясное представление об относительной стабильности индивидуальных углеводородов. [c.88]

Явления, аналогичные поверхностным эффектам, могут возникать внутри кристаллов вблизи дислокаций [38]. При этом, если энергия образования заряженных дефектов на дислокациях меньше для одного типа дефектов, чем для другого, то дефектов первого типа будет образовываться больше. В результате дислокация оказывается заряженной, а ее заряд компенсируется цилиндрическим пространственным зарядом в кристалле вокруг дислокации. Эта картина применима как к электронным, так и к атомным дефектам. В качестве примера можно привести германий, в котором энергия образования свободных дырок вблизи дислокаций меньше, чем энергия образования свободных электронов, или, применяя терминологию физики полупроводников, дислокация в этом случае обладает свойствами акцептора [391 . В результате дислокация заряжается отрицательно при этом ее линейный отрицательный заряд компенсируется цилиндрическим каналом свободных дырок (или в случае п-типа — ионизированными донорами), расположенным вокруг нее [40]. При наличии ориентированных под небольшими углами границ зерен, где на одной плоскости может присутствовать больше дислокаций, каналы могут соединяться, образуя непрерывный слой р-типа. В таком случае, если объем кристалла обладает высоким сопротивлением или свойствами п-полупроводника, проводимость этой пленки можно исследовать отдельно [41]. [c.563]

Свойства полисилоксанов в значительной степени определяются свойствами силоксановой группировки. Связь кремния с кислородом отличается большей термической стабильностью, чем органических полимеров, что определяется большей энергией образования связи. Так, энергия связи 81—О равна 89 ккал моль, а энергия [c.150]

Энергия образования, ккал/моль. .......... 14,990 [c.51]

Энергия образования (газ) при 25 С, ккал/моль. . . —12,86 [c.101]

Энергия образования, ккал/моль......................56,2 [c.143]

Энергия образования, ккал/моль..................—33,8 [c.204]

Свободная энергия образования Гиббса. Методы, использующие принцип аддитивности, дают возможность рассчитать термодинамические функции (энтальпию, энтропию и свободную энергию образования Гиббса), если известна структурная формула молекулы. Существует много способов вычисления значений этих величин от простых и наименее точных, основанных на суммировании долей атомов, до сложных и очень точных, в которых учитываются конститутивные факторы (соседство групп и т. д.). В качестве примера рассмотрим аддитивный метод расчета свободной энергии образования Гиббса, разработанный Ван Кревеленом и Чермином [c.82]

В последнее время стала развиваться радиационная химия углеводородов и появились исследования радиол иза алканов, доложенные на симпозиуме по радиационной химии углеводородов в 1957 году [146]. Под влиянием облучения таза пучком электронов с энергией порядка 1,5 мэв при обыч-ной температуре могут свободно происходить процессы расщепления молекул алкана на радикалы и непосредственного отщепления молекул водорода и метана На основе изучения цримесей этилена и пропилена в качестве веществ, поглощающих атомы водорода и метил-радикалы, а также результатов изотопического исследования радиолиза смеси этана и полностью замещенного дейтероэтана на масспектрометре, было показано, что большая часть водорода образуется при радиолизе этана путем прямого отщепления его молекул от молекул этана в первичном процессе [146]. Изучение изото-лического распределения метана, образованного при радиолизе системы этан и дейтероэтан, дало доказательство того, что метан возникает путем непосредственного отщепления его молекулы от исходных молекул этана. Таким образом, процессы радиолиза алканов могут происходить под воздейст- вием больщой энергии облучения при обычных температурах по другому механизму, с отщеплением молекул в первичном акте, без участия радикалов. В этом отношении радиолиз несколько схож с высокотемпературным крекингом, при котором относительный вес радикально-цепных процессов снижается и возрастает роль процессов распада, проходящих по молекулярному механизму, что соответствует более высоким порядкам энергий в том и другом случаях. Интересно также, что в условиях радиолиза (25°) могут возникать горячие радикалы, энергия которых соответствует гораздо более высоким температурам, чем температура экспериментов, т. е. распределение по энергиям для таких радикалов не является Максвелл-Больцмановским. С другой стороны, при действии радиации на алканы возникают и радикалы, которые могут тшициировать процессы распада. В этих случаях важной характеристикой инициированного крекинга является общий выход радикалов, способных индуцировать крекинг, отнесенный к определенному количеству поглощенной энергии. Вследствие того, что ионизирующее излучение поглощается молекулами не избирательно, количество поглощенной энергии пропорционально общему числу электронов в единице объема и не зависит от химического строения алкана [147]. В то же время выход радикалов, отнесенный к одинаковой поглощенной энергии, весьма зависит от строения поглощающих молекул. С процессами образования радикалов конкурируют процессы спонтанной де.чактивации возбужденных молекул алканов, связанной с превращением энергии элект- [c.71]

Поскольку при содержании НгЗ 10—1000 млн- сульфиди-зация никеля не может происходить при обычных температурах метанирования, то отравление серой является результатом образования неактивного слоя поверхностного сульфида. Проблема заключается в предотвращении его образования. В соответствии с некоторыми отрывочными- данными, образование кластера или сплава может уменьшить отравление [21]. Принципиальное требование заключается в том, чтобы свободная энергия образования сплава была достаточно велика, чтобы ингибировать образование поверхностного сульфида из сероводорода. Исследование Делла Бетта с сотр. [19] указывает на удивительно высокую метанирующую активность никеля на некоторых носителях в присутствии 10 ч. НгЗ на 1 млн. Причнна этого недостаточно выяснена, но может быть связана с поверхностным слоем, содержащим углерод, который ингибирует образование неактивного сульфида [20]. Слой углерода на никеле недостаточно устойчив, чтобы полностью исключить образование сульфида, так как свойства носителя и присутствие паров воды в реакционной среде являются причинами широких вариаций наблюдаемой стойкости к отравлению серой. [c.237]

Весьма показательно в этом отношении исследование [222], в котором наблюдали сложную зависимость поверхностной энергии разрушения у от температуры, содержания наполнителя и поверхностной обработки наполнителя в системах эпоксидные смолы — стеклянные сферы. При низких температурах, при которых эпоксидная смола является хрупкой, увеличение концентрации шариков вызывает монотонное возрастание у, чем сильнее адгезия, тем менее выражен этот эффект, хотя сами по себе эффекты умеренны. При более высоких температурах, когда смола становится более податливой, обработка наполнителя силанами, увеличивающими адгезию, приводит к уменьшению энергии разрушения (см. рис. 12.19 и 12.20). Максимальные значения у наблюдаются в этом случае при обработке наполнителя силиконовым антиадгезивом пластифицирующее действие непрореагировавшего отвер-дителя также увеличивает у- Изучение поверхностей разрушения (рис. 12.21) показывает, что у может качественно коррелировать с шероховатостью поверхности разрушения, свидетельствующей о работе, затраченной на распространение трещины (на номинальную площадь поверхности), аналогичную корреляцию наблюдали Брутман и Сах [133], которые обнаружили образование подповерхностных трещин, дающих дополнительный вклад в рассеяние энергии. Эти наблюдения не противоречат предыдущим результатам, иллюстрирующим отрицательное влияние стеклянных шариков на V в системе стеклянные шарики — ПФО [938, 974]. [c.338]

Однако этот механизм не означает, что реакция действительно протекает таким образом, но эти стадии удобны для рассмотрения термодинамики процесса. Первая стадия включает спаривание электронов, причем энергия спаривания частично компенсируется повышенной энергией СКП для низкоспиновой конфигурации (180д по сравнению с 80д). Лиганды с сильным полем способствуют протеканию этой стадии. Вторая стадия, т. е. удаление электрона, занимающего высокоэнергетический е -уровень, будет эндотермической (высокое значение энергии ионизации /3 для перехода Со +Со +), но энергия СКП будет способствовать ионизации (изменяется от 180 до 240д), причем чем сильнее поле, тем больше значение Од. Возможно, надо учитывать также энтропийный фактор при образовании хелатных циклов. По-видимому, именно он определяет различия в последовательности лигандов в вышеприведенных уравнениях и в спектрохимическом ряду [27]. [c.268]

Многие радиационно-химические исследования основаны на обстоятельном изучении образования водорода, поскольку таким путем можно проверить различные модели-предположения. В случае применения излучения с малым ЛПЭ к чистым ароматическим углеводородам только малая доля суммарного реакционного процесса и примерно меньше 0,5% поглощенной энергии приводят к образованию водорода. Соответственно должны учитываться даже те первичные процессы, которые играют исключительно малую роль в реакционном процессе как целом. Образование водорода частично вызвано мономолекулярными и частично бимолекулярными диссоциативными процессами, как можно видеть из изотопного соотношения На НВ Вз, получаемого для облученных смесей дейтерированных и недейтерированных ароматических соединений [35, 100, 103, 104, ЬЗб, 202]. Шулер [202] доказывает, что для отношения 0(Н) С(В) (69% 31%), измеренного им в бензоле, статистическое распределение водорода и дейтерия должно приводить к отношению Нз НО Вз = 43 47 10. Поэтому наблюдаемое отношение 52,1 33,1 14,8 соответствует 14,7% Щ + 5,8% + (37,5% Н + + 34,2% НВ Ц- 7,8% Ва), где числа в скобках представляют часть, для которой распределение изотопов—статистическое. Избыток Нд и В около 23%, вызванный мономолекулярными реакциями, представляет малый вклад в общее образование водорода. Барр и Скарбо-роу [35] показали, что в жидкой смеси дифенила с дифенилом- щ вклад мономолекулярного и некоторых видов бимолекулярного разложения в образование водорода почти одинаков. Сравнивая выходы водорода из смесей дейтерированных в определенных положениях толуолов, Ингаллс [136] предположил, что примерно 38% водорода, образующегося из атомов водорода, связанных с ароматическим ядром толуола, производится по внутримолекулярным и 62% — по меж-молекулярным реакциям. В то же время для водорода, выделяющегося из метильных групп, 18% связаны с внутримолекулярным и 82% — с межмолекулярным процессами. [c.140]

Кроме связей О — Н...0 в жидких спиртах, по-видимому, существуют связи С — Н...0 и С —H....С. Энергия их образования в 4—5 раз меньше, чем энергия образования связей О — Н...0. Прямые доказательства присутствия связей С — П...О и С — П...С между молекулами спирта неизвестны. Но связи С — Н...О и С — Н...С дают о себе знать в тех системах, где отсутствуют более сильные связи О — Н...С или им подобные. Так, например, в дальних ИК спектрах жидких бензола, н-гексана, н-гептана и ряда других алканов, в области частот от 1,5 10 Гц до 3 10 Гц (или от 50 см- до 100 см ) наблюдается полоса поглощения, обусловленная слабыми водородными связями С — Н...С между соседними молекулами. Энтальпия образования этих связей составляет около 4 кДж/моль. Возникновение слабых связей С —Н...С сопровождается перераспределением электронной плотности. В результате из неполярных молекул мономеров бензола или СпН2п+2 при их ассоциации образуются слабополярные молекулы ассоциатов (СвНа) или (СпН2п+г)р. имеющие дипольные моменты порядка Зх X 10-1-2 < д. рд (или 0,1 D). Это приводит к дипольной поляризации и диэлектрической релаксации, отчетливо наблюдаемой методами диэлектрической спектроскопии в миллиметровом радиодиапазоне. [c.280]

Экспериментальные данные по кинетике образования трехмерных зародышей ртути, свинца, кадмия и железа на шаровидном монокристаллическом платиновом электроде показывают [12], что число образующихся зародышей возрастает с увеличением перенапряжения и длительности первого потенцностатического импульса и при достаточно больших временах ( 3 с) достигает насыщения. Чем выше перенапряжение, тем быстрее достигается насыщение. Распределение зародышей по граням монокристалла неравномерное, что указывает на существование активных центров, расположенных вблизи полюсов [111], [001], [110]. В этом ряду происходит увеличение перенапряжения, при котором начинается образование зародышей и увеличение времени, необходимого для их образования. Энергия образования трехмерных зародышей составляет 10 " —10 эрг. [c.31]

Рисунок 27,а поясняет наиболее простой тип недиссоциативного присоединения электрона электрон с энергией между и Ег захватывается молекулой АВ, образуется колебательно-возбужденный комплекс АВ. Ионы, образованные таким образом, обладают т 10 сек и не регистрируются непосредственно масс-спектрометром. При положительном сродстве молекулы к, электрону, ЕА (АВ) > О, возможен другой механизм недиссоциативного захвата электронов (рис. 27, б) кривая потенциальной энергии АВ не пересекает область Франка—Кондона, основное состояние иона располагается ниже основного состояния молекулы. Однако запас колебательной энергии отрицательного иона может превышать энергию ЕА молекулы, и колебательные уровни иона будут лежать выше основного состояния молекулы. Захват электрона на колебательные уровни иона и представляет собой колебательно-возбужденный фешбаховский резонанс (см. 1.1). Добавочный электрон в ионе находится в связанном состоянии, но обилий запас внутренней энергии иона, распределенной по разным колебательным степеням свободы, достаточен для выброса (автоотщепления) электрона. Однако выброс электрона затруднен распределением энергии по многим колебательным степеням свободы. Пользуясь этими представлениями, Комптон, Христофору и др. [101] рассматривая реакцию [c.113]

Таким образом, ориентирующие силы атомов исходной фазы могут облегчать появление новой лишь при известных условиях, определяемых величиной энергии деформации. Последнюю можно определить как разность между энергией образования трехмерного зародыша и работой ориентирующих сил решетки материнского кристалла. Она может, следовательно, принимать различные значения от нуля (рост кристалла из расплава того же вещества) до некоторого Ещах> равного в пределе работе образования трехмерного зародыша новой фазы. [c.392]

Известно, что бензол может давать я-комилексы с различными электрофилами, причем лучше всего (из числа изученных) с ионом серебра и хлористым водородом. Продукты очень неустойчивы, даже при низких температурах, и их образование сопровождается очень небольшими изменениями энергии. Образование я-комплекса как начальная (но обратимая) стадия электрофильного замещения может вполне быть принято как общее явление, но неясен основной вопрос о том, является ли оно кинетически важной стадией в Е-реакциях. Имеются данные, что в некоторых реакциях образование я-комплекса является лимитирующей стадией, а в других — нет, и невозможно а priori утверждать, в какой именно из реакций образование я-ком-плексов будет лимитирующей стадией. Так, даже в рамках реакции одного типа, нитрования, имеются данные, согласно которым для случая нитро-ниевых солей скорость определяется стадией образования я-комплекса, в то время как кинетика нитрования другими реагентами — образованием о-комплекса. [c.226]

Константы равновесия реакций образования других углеводородов определяются аналогичным образом. Для точных расчетов нужно пользоваться не парциальными давлениями, а летучестями. Однако при низких и средних давлениях (1—30 ат), т. е. при обычно применяемых для синтеза давлениях, ошибка, допускаемая при использовании парциальных давлений, очень мала. Константы равновесия образования разветвленных насыщенных и ненасыщенных углеводородов по реакциям А к Б отличаются от констант равновесия для изомеров с прямой цепью не более чем на один порядок. Поэтому данные по разветвленным углеводородам не приводятся. Необходимо отметить, что в общем неразветвленные углеводороды термодинамически несколько менее устойчивы, чем разветвленные изомеры (см. ниже табл. 9). На рис. 2—4 графически представлены в зависимости от температуры изменения стандартной свободной энергии образования различных углеводородов, отнесенные на один углеродный атом углеводорода по реакции А. Эти кривые характеризуют тенденцию протекания различных реакций. Отрицательные изменения свободной энергии соответствуют константам равновесия, большим единицы, как это следует из общепринятого уравнения — = ЙТ In/iTp. Здесь Д ° — изменение свободной энергии в стандартном состоянии. На рис. 2, 3 и 4 также показано изменение свободной энергии для реакции водяного газа. Изменения свободной энергии для образования углеводородов по реакции типа Б получаются сложением кри-BOII реакции водяного газа с кривыми образования углеводородов по реакции Л. [c.14]

Рассмотрение роста единичной грани при постоянной силе тока показывает, что механизм с упорядоченным возникновением и распространением одного слоя по грани осуществляется при минимальном перенапряжении, определяемом в основном энергией образования двухмерного зародыша. Происходящее при этом нарастание концентрационной поляризации в зоне прохождения фронта роота слоя осуществляется за счет снижения эффективного перенапряжения без увеличения потенциала всего катода. Если бы рост грани осуществлялся путем образования зародышей по всей поверхности, то потенциал катода следовало бы поддерживать на уровне, обеспечивающем как образование двухмерных зародышей, так и преодоление концентрационной поляризации, сохраняющейся в процессе формирования зародышей. [c.229]

Me-[-MgO —> MeO-bMgraa-Наряду с аналогичными процессами, применяемыми для получения кальция, бария и лития, этот процесс относится к области вакуумной металлургии. Приведенная реакция возможна в том случае, если убыль свободно11 энергии образования МеО (отнесенная к 1 г-молъ кислорода) при температуре реакции больше убыли свободной энергии образования MgO. Поэтому в качестве восстановителей могут применяться металлы, окислы которых характеризуются большими отрицательными величинами свободной энергии образования. Такими восстановителями для окиси магния могут быть алюминий и кремний как таковые или в виде их сплавов — силико-алюминия и ферросилиция. [c.396]

Величины свободных энергий многих компонентов могут быть взяты из справочников (см., например, Роби и др. 330]). Обычно приводятся величины стандартной свободной энергии образования 0 , т. е. свободной энергии реакции образования одного моля компонента в определенном стандартном состоянии из чистых элементов, находящихся также в стандартных состояниях. Применяются различные стандартные состояния, среди которых одно самое предпочтительное. Большинство справочников дают величины стандартной свободной энергии при 298,15 К (26 °С) и 1 атм (1,013 бар или 101,325 кПа) давления, но многие нетрологи-экспериментаторы предпочитают работать со стандартным состоянием, выбранным при интересующей их температуре н давлении 1 бар (10 Па). По определению чистые элементы в их стандартном состоянии, т. е. при давлении 1 бар и интересующей нас температуре, имеют энтальпию образования, равную нулю. Свободная энергия и энтальпия сейчас даются в единицах кДж-моль" а энтропия — в Дж- 1С моль Ч [c.161]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология