Зонд электронный

Рентгеноспектральный локальный микроанализ. Наиболее распространенным видом этого анализа является рентгеноспектральный микроанализ с электронным зондом (электронно-зондовый микроанализ). В этом случае анализируемая зона образца имеет микронные размеры, эффективная навеска пробы составляет менее 10 ° 3, а предел обнаружения достигает 10 г, или 0,01% в объеме 10 мкм [41]. Электронным зондом обычно исследуют шлифы образцов с высоким качеством их полировки [4861 наиболее удобный размер образца диаметр 25,8—32,2 мм, толщина 13 мм. Для проведения анализа измеряют интенсивность рентгеновских лучей от исследуемого образца по отношению к их интенсивности стандарта подобного состава или нескольких стандартов отдельных элементов в виде металлов или окисей. Используют два варианта 1) укрепляют стандарты в одном держателе с образцом и вместе их полируют 2) в камере образца большинства промышленных электронных зондов делают приспособления для установки нескольких отдельных образцов. Одним из важнейших недо- [c.117]

Таким образом, измеряя с помощью электродов потенциал Е в некоторой точке по отношению к потенциалу на границе I (используя в качестве зонда электронный проводник), можно найти 1 (М) как функцию х. Далее из уравнения (XX 1.27) следует, что [c.598]

В научных исследованиях наибольшее применение получили РЭМ, с помощью которых можно, например, выполнять рентгеновский структурный анализ, исследовать распределение магнитных и электрических полей по поверхности объекта. Основное достоинство РЭМ, в котором магнитная отклоняющая система развертывает зонд (электронный луч) по заданной площади на объекте, - высокая информативность, обусловленная возможностью наблюдать изображение, используя сигналы различных детекторов. Для откачки электронных микроскопов используются диффузионные насосы с азотными ловушками, перспективные турбомолекулярные насосы с магнитными опорами ротора. [c.76]

Рентгенографический метод, в частности, микроанализ с помощью электронного зонда пригоден для исследования продуктов, образующих пленку на металлах определения размеров и ориентации кристаллов, а также измерения параметров кристаллической решетки. [c.436]

Универсальные электронные приборы, которые можно использовать для настройки и регулирования ректификационной аппаратуры, описаны в работе Фишера [27 ]. Как указано в этой работе, наряду с электронным реле для регулирования температуры в интервале от —200 до 800 °С можно применять пропорциональные регуляторы. В этом случае в качестве измерительного зонда используют термометр сопротивления со стандартным шлифом или фланцем. Преимуществом этих приборов является возможность их использования для регулирования мощности электронагревателей с малой тепловой поверхностной нагрузкой, что особенно необходимо, если для обогрева применяют электронагреватель, который при замыкании цепи включается сразу же на полную мощность. [c.436]

Ввиду важности количественной характеристики качества псевдоожижения — параметра б, как для исследований структуры кипящего слоя, так и для ее регулирования в производственных условиях, необходимо было автоматизировать процесс ее измерения. Простейшим и наиболее удобным в лабораторных условиях явилась непосредственная подача вырабатываемого емкостным зондом переменного напряжения U (), пропорционального плотности р (/), в интегрирующие блоки аналоговой ЭВМ. Использованная нами схема такой системы, содержащей фильтр верхних частот, набранный на операционных усилителях ЭВМ, приведена в [1 ]. Разработанные в дальнейшем различными группами исследователей [108] электронные схемы с применением аналоговых или цифровых ЭВМ или в виде специально сконструированных приборов, позволяют в настоящее время измерять значения р и б практически непрерывно и использовать этот метод для контроля и автоматического регулирования качества псевдоожижения. [c.88]

Практически все системы с электронным управлением смесеобразования оборудуются датчиком кислорода (Х-зонд), позволяющим поддерживать стехиометрический состав горючей смеси (а=1), необходимой для нормальной работы трехкомпонентного нейтрализатора (см. ниже). [c.93]

Действие сил растяжения вдоль оси молекулярной связи К1—Кг проявляется в ослаблении кажущейся энергии ее образования и, таким образом, способствует увеличению вероятности разрыва связи. Если ослабление кажущейся энергии связи существенно, то механическое воздействие можно считать основной причиной деструкции цепи. Поскольку разрыв цепной молекулы сопровождается образованием органических радикалов, а последующее появление неспаренных свободных электронов регулируется механическими силами, то изучение процесса образования радикалов и их реакций дает необходимую с точки зрения молекулярной теории информацию относительно сил, действующих па цепь. Исследования свободных радикалов методом парамагнитного резонанса усиленно развивались в течение последних 30 лет [1, 2]. С тех пор данный метод успешно применялся для объяснения механизма образования свободных радикалов в химических реакциях и под действием облучения видимым и ультрафиолетовым светом, рентгеновским и 7-излучением и облучением частицами [1, 3]. Дополнительно изучались величина фактора спектроскопического расщепления магнитное окружение неспаренного спина свободных электронов и структура свободного радикала. Во всех этих случаях спин свободного электрона действует как зонд, который, по крайней мере временно, присоединяется к определенной молекуле, принимает участие в ее движении и взаимодействует с окружающим магнитным полем. [c.156]

II. В высокочастотной области, соответствующей колебательным движениям малых и даже очень малых групп (атомы водорода, отдельные электроны), зондирование структуры основано на несколько ином принципе. Возникновение организованных, в первую очередь кристаллических, структур сразу же резко ограничивает подвижность наблюдаемых при соответствующей частоте групп. По аналогии с температурными искажениями релаксационного спектра это должно приводить к смещению или размазыванию резонансных линий. В радиочастотном диапазоне это может быть расширение линий протонного магнитного резонанса при введении в полимер. электронного парамагнитного зонда — какого-либо устойчивого свободного радикала— характер его ЭПР-сигнала меняется в зависимости от плотности окружения, т. е. от того, находится ли он в кристаллической, жидкокристаллической или изотропной (аморфной) области. В оптическом диапазоне по тем же причинам могут изменяться форма, положение и интенсивность полос колебательных спектров (часто приходится, например, встречаться с термином кристаллическая полоса ). Можно вводить в-полимер электронный зонд— люминофор (например, антрацен) и по изменениям спектральных характеристик поляризованной люминесценции снова судить о подвижности или плотности тех участков, в которых расположен люминофор. [c.54]

Исследуемый образец материала шлифуют и полируют до получения плоского и ровного шлифа. Качество полированного ш,лифа проверяют под микроскопом. Поскольку клинкер и другие вяжущие материалы — диэлектрики, на поверхности их шлифов электроны создают отрицательные заряды, вследствие чего падающий на поверхность электронный пучок начинает скакать , в беспорядке по поверхности, что затрудняет проведение анализа. Поэтому на поверхность полированного шлифа в вакууме напыляют слой хром толщиной 5—10 нм, который предотвращает скопление поверхностного заряда, но вместе с тем не затрудняет доступ электронного зонда к поверхности образца. [c.151]

Некоторые конструкции рентгеновских микроанализаторов позволяют получать изображение распределения элементов на поверхности образца с помощью характеристических рентгеновских лучей. Для этого электронный зонд, падающий на образец, специальной электромагнитной системой отклоняется так, что пробегает по некоторой площади (метод сканирования). Время, затрачиваемое электронным зондом для пробега одного растра, равно 8 с, число строк — 400. Возможные увеличения 300, 600 , 1200 и 2400. Спектрометр прибора настраивается на характеристическую линию определенного элемента. Рентгеновские кванты, попадающие в спектрометр, преобразуются счетчиком в электрические импульсы, которые модулируют электронный луч телевизионной трубки. В результате каждому зарегистрированному кванту соответствует яркая точка на экране. Поскольку развертка электронного зонда синхронна с разверткой электронно-лучевой трубки, то светящиеся точки располагаются на экране в соответствии с характером распределения элементов на анализируемой площади. [c.153]

Опущенный в коллоидный раствор зонд представляет собой короткозамкнутый гальванический элемент, в котором, вследствие перехода электронов через место спая с цинка на медь, цинковый электрод заряжается положительно, а медный — отрицательно. Коллоидные частицы отталкиваются от электрода, имеющего одноименный заряд с зарядом частиц, вследствие чего около этого электрода появляется светлая полоска. На другом электроде происходит осаждение коллоидных частиц. [c.230]

Для разработки и прогнозирования адсорбционных процессов необходимо детальное и.зучение структуры конкретной поверхности и ее изменений в процессе адсорбции, достигаемое применением экспериментальных методов исследования структуры, состава и возбужденных состояний поверхностей как чистых, так и покрытых адсорбционным слоем. В последние годы все шире применяют оптические, дифракционные и спектроскопические методы. Развитие сверхвысоковакуумной техники привело к разработке и широкому использованию нескольких десятков методов, в которых зондами являются электроны, ионы и электромагнитное излучение в них сравниваются данные, полученные до адсорбции, после адсорбции и после десорбции. Современный обзор дан в монографии Адамсона [7]. [c.126]

Различные ХИТ с литиевым анодом и органическим электролитом нашли применение в метеорологических зондах, медицинском электронном оборудовании, вычислительных машинах и даже в бытовой технике благодаря их высокой удельной энергии. Однако эти источники не могут работать в интенсивном режиме ввиду невысокой электропроводимости электролита. [c.83]

Волновая функция говорит нам о вероятности нахождения электрона в бесконечно малом элементе объема в каждой точке пространства. Мы можем представить себе зонд чувствительного объема йт, движущийся внутри ядра. Поскольку в основном состоянии вероятность изменяется но закону [c.482]

Научно-производственное объединение (НПО) Буревестник Министерства приборостроения, средств автоматизации и систем управления СССР разрабатывает конструкции новых приборов для рентгеновских методов анализа и выпускает серии этих приборов. Правда, разрабатывая все новые и новые приборы, это НПО не всегда обеспечивало тиражирование зарекомендовавших себя устройств, в результате чего потребности аналитической службы удовлетворялись в недостаточной степени. Можно в качестве примера назвать ряд аппаратов для рентгеновского микроанализа, созданных объединением микроанализаторы МАР-1, МАР-1М, МАР-2, Зонд , электронный микроскоп с приставкой для микрорентге-носпектрального анализа ЭММА. Разрабатывается агрегатный комплекс средств автоматической техники для рентгеноспектрального микроанализа. [c.72]

Для понимания процессов, происходящих вблизи анода или при высокочастотном ионном распылении, необходимо рассмотреть участок вольт-амперной характеристики зонда Ленгмюра, соответствующий коллектиро-ванию зондом электронов. По мере уменьшения отрицательного потенциала на зонде относительно плазмы толщина ионной оболочки уменьшается. При этом быстрые электроны плазмы смогут проникать сквозь оболочку и достигать зонда. В плазме низкого давления нет термического равновесия между электронами и газом (плохой обмен энергией вследствие большого различия в массах). Электроны имеют широкий спектр скоростей, соответствующий температуре п десятки тысяч градусов. По мере приближения потенциала зонда к потенциалу плазмы ток зонда, состоящий из тока собираемых электронов (и положительных ионов), будет экспоненциально увеличиваться. Наконец, электронная составляющая полного тока зонда более чем на два порядка превысит ионную составляющую, поскольку плотность электронного тока [c.365]

Однако и в той области давлений, где справедлива зондовая теория (р 1 Тор), внесение зонда в плазму вызывает ее возмущение, существенно искажающее результаты определения ФРЭЭ. Сюда относятся сток медленных электронов на зонд и обеднение плазмы [114, 226, 227], тепловые возмущения плазмы зондом и держателем (их можно свести к минимуму, вводя зонд на большую глубину по оси разрядной трубки, где температура постоянна, или используя зонды, нагретые до температуры газа в плазме). Необходимо учитывать конечность сопротивления плазмы между зондом и опорным электродом (в теории полагается, что оно равно нулю) [И4], изменение потенциала плазмы вдоль зонда, загрязнение поверхности зондов, в частности, из-за отложения на ней пленок из органических и неорганических материалов. Последний эффект уменьшается путем очистки зондов электронной или ионной бомбардировкой, а такн<е нагревом от независимого источника. Тем не менее в ряде случаев, например в плазме с углеводородными газами, влияние пленки настолько велико, что делает измерения ФРЭЭ практически неосуществимыми. В работе [228] предложено использовать это явление для определения скорости роста полимерной пленки, а в [229] и для исследования ряда ее свойств. [c.43]

Здесь первое число, записанное в каждом уравнении,— наблюдаемый скалярный сдвиг для комплекса, — доля неспаренного электрона на а-орбитали, а у — доля неспаренного электрона на я-разрыхляющей орбитали. Решения этой системы уравнений дает х = 4,20-10 и у = = 8,08-10 . Ион металла рассматривается просто как зонд для внесения спина на молекулярные орбитали металла. Мы снова подчеркиваем, что, если механизм я-спинового вклада включает я-поляризацию, на молекулярной орбиталн комплекса, составляющей главным образом эту я-систему, плотность неспаренного электрона отсутствует. Величина у говорит о вкладе я-орбитали в результирующую спиновую делокали- [c.182]

Температуры, существенно превышающие уровень температур в печах и камерах сгорания, наблюдаются в дугах, в ударно нагретых газах перед движущимися с гиперзвуковон скоростью аппаратами, такими, как планетарные зонды, возвращающиеся космические корабли, и в ядерных взрывах. При столь высоких температурах в спектрах появляются линии одноатомного газа и электронные системы полос многоатомных газов, обязанные переходам между электронными уровнями энергии — связанно-связанным переходам. Фотоионизация, или свя-занно-свободные переходы, возникают в том случае, когда процессы с участием фотонов и термического возбуждения достаточны для ионизации газа. Эти переходы дают непрерывный спектр, являющийся противоположностью линиям или полосам поглощения, поскольку фотон, обладая энергией ниже требующегося для ионизации минимального значения, тем не менее может вэаи- [c.487]

Последний вывод подтверждается исследованиями Бехта и Кауша [44—48], относящимися к деформированию высокоориентированных частично кристаллических волокон. В правильной сэндвич-структуре критические осевые силы могут оказывать воздействие на проходные сегменты только в том случае, если кристаллические ламеллы могут выдержать напряжения, сравнимые с прочностью цепи. Иными словами, разрушение кристалла предшествовало бы разрыву цепи. С помощью калориметрических измерений и измерений молекулярной массы методом спинового зонда Бехт [44—47] показал влияние деформации на целостность кристалла. Он облучал высокоориентированные образцы ПА-6, ПА-12, ПП, ПЭТФ и ПЭ электронами с энергией 1 МэВ при температуре жидкого азота. Затем все образцы в течение по крайней мере 5 мин нагревались до своей температуры стеклования (или выше ее). Таким образом, все радикалы в аморфной фазе исчезали, а оставались лишь радикалы в кристаллитах. Затем образцы деформировались в резонаторе ЭПР-спектрометра при комнатной температуре. [c.239]

Наряду с исследованием топофафии поверхности в атомно-силовой микроскопии возможны исследования распределения поверхностного потенциала. Данные исследования заключаются в регистрации электрически индуцированного возбуждения колебаний кантилевера (зонда) под действием силы пропорциональной изменению разности потенциалов между кантилевером и образцом. Этот метод позволяет определять положение эмиссионных центров на рабочей поверхности автокатода и детально исследовать работу выхода электронов этих центров [2]. [c.50]

Метод ЭПР может быть сделан вполне релаксационно-спектро-метрическим при использовании принципа электронного парамаг-интного зонда (ЭПЗ), или спиновой метки. [c.280]

Важная область применения спектроскопии ЭПР — изучение химических процессов в биологических объектах, в частности метаболизма, при использовании парамагнитных зондов (меток). Это основывается на исключительно высокой чувствительности метода к крайне малому содержанию парамагнитного вещества. Так, например, используемый иногда в калибровочных целях для определения числа неспаренных электронов радикал 1,1-дифенил-2-пикрилгидра-зил (ДФПГ) обнаруживается по сигналу ЭПР при нахождении в резонаторе в количествах 10" г. Как один из примеров можно привести изучение кинетических закономерностей взаимодействия дифениламина с ДФПГ. Лимитирующей стадией процесса является [c.75]

Существование свободных атомов и радикалов было доказано различными методами. Так, в реакционную смесь вводят специальные зонды, снабженные чувствительными малоинерционными термопарами, покрытыми катализаторами. На поверхности таких катализаторов происходят процессы рекомбинации атомов и радикалов, сопровождающиеся значительным выделением тепла. Например, катализатор 2пОСГгОз ускоряет реакцию рекомбинации атомов водорода. По повышению температуры зонда можно определить концентрацию свободных частиц. Спектроскопическим путем определяют концентрацию радикалов ОН (В. Н. Кондратьев). В последнее время возникающие при цепных реакциях радикалы исследуются методом электронного парамагнитного резонанса (см. гл. XXIV). [c.350]

Методы вторично-ионной масс-спектрометрии, атомного зонда в полевом ионном микроскопе и полевой ионной масс-спектрохмет-рии разрушают поверхность. Методы же электронной Оже-спектро-скопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифракции электронов низкой энергии и рассеяния медленных ионов не разрушают поверхность. При исследовании адсорбентов часто желательно применение методов, минимально возмущающих поверхность, а при использовании методов, требующих распыления вещества поверхности, необходимо обращать особое внимание на то, чтобы исследуемая поверхность не оказалась разрушенной, прежде чем будут получены этими методами сведения о ее состоянии и диффузии к ней атомов из глубины твердого тела. [c.110]

Томашпольский Ю. Я. Методы электронного зонда в исследованиях поверхности и тонких пленок. — В кн. Физическая химия. Современные проблемы/ /Под ред. Я, М. Колотыркина.—М. Химия, 1982, с. 214. [c.346]

MOB водорода. По повышению температуры зонда можно определить концентрацию свободных частиц. Спектроскопическим путем определяют концентрацию радикалов ОН (В. Н. Кондратьев). В последнее время возникающие при цепных реакциях радикалы исследуются методом электронного парамагнитного резонанса (см. гл. XXIV). [c.457]

Спектроскопия ЯКР принципиально отличается от других физических методов и дополняет их по крайней мере в двух отношениях во-первых, поскольку квадрупольные ядра являются локальными зондами, она дает особую информацию об электронной структуре, которую невозможно получить другими методами, и, во-вторых, результаты спектроскопии ЯКР помогают совмещать данные других методов (ИК-, ЯМР-спектроскопии и рентгеноструитурного анализа). В целом данные спектроскопии ЯКР имеют фундаментальное значение для понимания изменений в электронном распределении как в системе связей лигандов, так и на центральном атоме при комплексообразовании. [c.745]

Ядра, обладающие магнитным моментом, представляют собой тончайший естественный зонд, помещенный в электронную систему кристалла, с помощью которого методами ЯМР (см. выше) можно получить много важных сведений о свойствах этой системы. С этой же целью в известной мере применяют и эффект Мёссбауэра (15, 24]. [c.392]

Микродемпферы и зонды- В настоящее время большое внимание уделяется защите электронной аппаратуры от шумов, вибра-504 [c.504]

Каковы будут вероятности, если тот же самый зонд введен в молекулу Н , п которой электрон позбуждсн на разрыхлякадую орбиталь (и молекула, однако, пе распалась) [c.555]

После охлаждения образцы по грани 8 х 35 мм шлифовали, исследовали их структуру на металлографическом микроскопе МИМ-8М и по методу Глаголева определяли объемное содержание связующего сплава по длине образцов. Распределение меди и кобальта по длине образцов исследовали методом локального рентгеноспектрального анализа на установке Микроскан-5 . Облучение образцов проводили электронным зондом длиной 1000 и шириной 2 мкм. Это позволило замерять усредненную интенсивность рентгеновского излучения исследуемых элементов и избежать влияния структуры сплава (зернистости) на измерение интенсивностей. Пять участков измерения интенсивностей располагались на грани 8 X 35 жж по линии, перпендикулярной продольной оси грани, расстояние между этими линиями составляло 0,5 мм. В образцах, контактировавших с расплавом кобальта, количественное содержание связующего металла находили также путем сравнения отношений интенсивностей кобальта и вольфрама (/со// у) с отношением интенсивностей этих элементов в эталонах. Абсолютная ошибка определения содержания кобальта составляла 0,5 об. %. Разность результатов определения содержания связующего металла по методике Глаголева и путем измерения отношений интенсивностей не превышала 0,8 об.%. [c.95]

Рентгеноспектральный микроанализ основан на возбуждении электронным зондом характеристич. рентгеновского излучения исследуемого образца (см. Рентгеновская спектроскопия). Рентгеновские микроанализаторы создают на основе просвечивающих и растровых электронных микроскопов. Они состоят из электронной пушки с системой линз для формирования электронного зонда, рентгеновского спектрометра, к-рый разлагает излучение в спектр и преобразует его в электрич. сигналы, и регистрирующей системы. В приборе поддерживается высокий вакуум. По спектру характеристич. рентгеновского излучения определяют атомные номера элементов, а по интенсивности спектральных линий — их концентрации. Метод примен. для качеств. и количеств, определения всех хим. элементов, начиная с В абсолютные и относит, пределы обнаружения соотв. 10" —10 г и 10 —10 %. Относит, стандартное отклонение при количеств, анализе 0,02—0,05. Объем образца, к-рый можно анализировать данным методом, зависит гл. оор. от энергии первичных электронов [1—50 кэВ, или (0,16—8)-10 Дж], плотности образца, степени поглощения излучения и составляет 0,1—10 мкм . Рентгеноспектральный анализ примеп. для определения состава микровключений, распределения элементов в тонких слоях и фазового анализа твердых в-в, [c.701]

Осн. характеристики спектров ЭПР число линий, расстояния между ними (константы СТВ), относит, интенсииности линий и их ширины. По спектру ЭПР можно идентифицировать природу радикала. Для этой цели составлены атласы спектров ЭПР. По константам анизотропного и изотропного СТВ можно вычислять плотность неспарениого электрона на з- и р-орбиталях радикала, определять область делокализации неспарениого электрона и положения химически активных центров в радикале. Ширина и форма линий позволяют получить информацию о взаимод. частиц внутри в-ва, характере и скорости мол. движений и жидких и ТВ. телах (см. Парамагнитного зонда метод), внутри- и межмолекулярных обменных процессах, о структуре и конформации своб. радикалов, бирадикалов и частиц в триплетных состояниях (как основных, так и возбужденных). [c.702]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология