Электронная бомбардировка поверхностей

Другие варианты испарения металла — индукционный нагрев, электронная бомбардировка поверхности, нагрев лучом лазера. Лиганд испаряют либо из чистого образца, либо из раствора в инертном растворителе. [c.407]

ЭЛЕКТРОННАЯ БОМБАРДИРОВКА ПОВЕРХНОСТЕЙ [c.73]

Необходимо отметить, что процессы очистки, определяющие в значительной степени качество покрытия, имеют особенно большое значение в процессах вакуумной металлизации.. Состояние поверхности металла в первые моменты осаждения покрытия определяет качество его адгезии, пористость, хрупкость и когезионную прочность. Применяемые химические и электрохимические процессы не обеспечивают достаточной степени очистки и имеют другие недостатки, в частности, требуют больших количеств технической воды, которая большей частью затем сбрасывается в сток. Поэтому весьма перспективны новые методы, например электронно-лучевая обработка и ионная бомбардировка. При ионной бомбардировке поверхность металла почти не разогревается, в то время как при электронно-лучевой обработке поверхность металла нагревается до высоких температур. При помощи ионной бомбардировки очистка поверхности происходит значительно быстрее, чем при традиционных методах химической или электрохимической обработки, кроме того, она может заменить процесс травления. [c.83]

Даже свежеприготовленные образцы часто оказываются для ФЭС сильно загрязненными. Например, металлические поверхности на воздухе сразу покрываются оксидными пленками. Даже в вакууме почти всегда по сигналу С 15 обнаруживается пленка масла (от вакуумного насоса). Правда, этот сигнал бывает полезен и часто используется для калибровочных целей. Специальные камеры для подготовки образцов при спектрометрах позволяют без вынесения на воздух обрабатывать образцы, чистить поверхности ионной или электронной бомбардировкой, менять и т, д. [c.149]

Эмиссионный электронный микроскоп. В эмиссионном микроскопе изображение объекта создается электронами, испускаемыми поверхностью самого объекта. Эмиссия электронов с поверхности образца инициируется нагреванием последнего (термоэлектронная эмиссия), бомбардировкой поверхности электронами или ионами (вторичная электронная эмиссия) и облучением фотонами (фотоэлектронная эмиссия). Испускаемые поверхностью электроны собирательной линзой (иммерсионным объективом) ускоряются и направляются на экран. Вследствие того что разные участки поверхности объекта имеют различную эмиссионную способность, на экране возникают участки неодинаковой яркости, что и является изображением реальной поверхности. На яркость изображения влияет также и рельеф поверхности. [c.155]

Из схемы на рис. 9-1 ясно, что здесь можно прекратить плавление металла и использовать всю мощность печи для нагрева поверхности жидкой ванны, причем эта поверхность не экранируется расходуемым электродом. По этим причинам при достаточных мощности электронной пушки и производительности вакуумной системы электронная плавильная печь является весьма эффективным рафинировочным агрегатом, позволяющим применять практически все средства очистки металла от примесей в условиях высокого вакуума. Последнее обусловлено тем, что нормальное прохождение электронного луча в рабочей камере печи и эффективное осуществление электронной бомбардировки (электронного нагрева) возможны только тогда, когда в рабочей камере поддерживается вакуум не ниже 1 10 мм рт. ст. [c.235]

Мощность, уходящая с поверхности металла, подвергаемого электронной бомбардировке, в виде рентгеновского излучения, определяется из выражения [c.236]

Расчеты по формуле Ричардсона показывают, что ток термоэлектронной эмиссии должен в электронных печах достигать нескольких тысяч ампер. Однако измерения показали, что в действительности его величина достигает только десятков или сотен ампер, что объясняется действием пространственного заряда, создающегося в процессе электронной бомбардировки над поверхностью металла. В связи с тем, что энергия электронов тепловой эмиссии, уходящих с поверхности металла, невелика (составляет всего несколько электрон-вольт), ее также можно не учитывать при энергетических расчетах. [c.237]

Контраст от атомного номера в режиме вторичных электронов очень чувствителен к условиям на поверхности образца. Напыленный слой углерода или слой загрязнения, возникающий под действием электронной бомбардировки, может полностью подавить контраст, который мы видим на рис. 4.28, а. [c.141]

Диэлектрики обычно заряжаются положительно при бомбардировке вследствие эмиссии электронов с поверхности образца. Эффект зарядки можно уменьшить использованием отрицательных первичных ионов (0 ) и устранить практически во всех случаях при помощи одновременной электронной бомбардировки во время анализа. МСВИ в этом отношении имеет существенное преимущество перед ОЭС. Несколько важных применений МСВИ для анализа диэлектриков связаны с композиционным анализом керамических покрытий (полученных, например, нанесением методом химического испарения) или стекол (для изучения явлений ионного обмена на поверхности). [c.365]

Дополнительная энергия может быть передана электронам различными способами. При бомбардировке поверхности металлов пучком быстро летящих электронов бомбардирующие электроны передают свою энергию электронам металла и некоторые из последних в состоянии покинуть металл. Такой же результат получается за счет поглощения световой энергии. Явление вырывания электронов при облучении называется фотоэмиссией или внешним фотоэффектом. [c.205]

Рентгеновские спектры возникают при бомбардировке поверхности анализируемого вещества пучками частиц высокой энергии (десятки килоэлектронвольт) — электронов, рентгеновских квантов, протонов, ионов. Наиболее распространены первые два способа возбуждения рентгеновских спектров. [c.3]

В зависимости от свойств анализируемых веществ и характера решаемой задачи ионы атомов и молекул могут быть получены несколькими способами, в том числе электронным ударом, бомбардировкой поверхности пробы пучком электронов, ионов или нейтральных атомов, испарением с накаленных металлических поверхностей, фотоионизацией, в газовом разряде, в вакуумном высоковольтном разряде, плазменными методами. Многие из этих способов оформлены в виде конструкций, дающих возможность ионизировать вещества в газовой, жидкой и твердой фазах, обеспечивать более или менее одинаковую ионизацию всех компонентов смеси или селективное усиление ионизации веществ определенной структуры, получать положительные и отрицательные ионы. Разнообразие способов ионизации является одной из сильных сторон масс-спектрометрии, что дает возможность в зависимости от задач исследования и природы веществ менять вид воздействия на молекулы. [c.842]

Следующий метод, применяемый для исследования поверхностных явлений,— это метод вторичной ионно-ионной эмиссии. При бомбардировке поверхности твердого тела первичным пучком положительно заряженных ионов (обычно ионами инертного газа, например, Аг+) происходит эмиссия с поверхности вторичных положительных и отрицательных ионов — вторичная ионно-ионная эмиссия, а также нейтральных и некоторых других частиц [3, 8—11]. Прямое масс-спектрометрическое изучение вторичных ионов, а в ряде случаев дополнительное изучение вторичных нейтральных частиц (с ионизацией их электронным ударом) дает ценную информацию о поверхности твердого тела. [c.49]

Прививка даже небольших количеств полиметилметакрилата или полистирола делает поверхность более однородной. Можно предположить, что при обработке в тлеющем разряде в результате бомбардировки поверхности политетрафторэтилена ионами и электронами происходит окисление поверхности пленки с образованием некоторого количества гидроперекисных групп. При нагревании пленки в мономере гидроперекисные группы распадаются с образованием свободных радикалов, которые инициируют процесс привитой полимеризации. Опыты, проведенные со стабилизированными мономерами, показали, что в присутствии гидрохинона реакция прививки не протекает. На основании этого можно сделать вывод о радикальном механизме этой реакции. Помимо этого, известно, что поверхности, обработанные в тлеющем разряде, обнаруживают явления электронной эмиссии. Можно предположить, что наряду с радикальным процессом прививки может идти процесс, стимулируемый центрами эмиссии. [c.518]

Оказалось, что одна электронная бомбардировка не может быть причиной эрозии полимеров при воздействии разрядов. Так, ИК-спектр полиэтилена изменяется при электронной бомбардировке только в тонком приповерхностном слое, тогда как воздействие разрядов приводит к увеличению концентрации СО-групп по всей толщине пленки [4, с. 106]. Ионная бомбардировка является более вероятной причиной эрозии. Однако отмеченная выше большая роль окислительных реакций, инициированных разрядами, и независимость скорости эрозии от полярности коронирующего электрода заставляют предположить, что вызывающая эрозию реакция окисления может инициироваться за счет энергии рекомбинации ионов и электронов на поверхности диэлектрика. [c.171]

Дальнейшее исследование [101] показало, что при проведении тлеющего разряда в атмосфере углеводородов образуется множество свободных радикалов, участвующих в многократной рекомбинации или дающих начало цепной полимеризации. При применении паров бензола и мотана получаются полимеры, напоминающие рядом своих свойств обычные полистирольные пленки, подвергнутые интенсивной электронной бомбардировке. Механизм протекающих здесь процессов все же остается неясен. Некоторые факты свидетельствуют в пользу предположения, что основная масса продукта образуется непосредственно на поверхности объекта за счет разложения адсорбированных молекул под влиянием электронной или ионной бомбардировки [102]. [c.102]

Для приготовленной серии катализаторов измерены магнитная восприимчивость и экзоэлектронная эмиссия. Магнитную восприимчивость измеряли на крутильных весах системы Озерецковского [5]. Эмиссию возбуждали электронной бомбардировкой и регистрировали вторичным электронным умножителем [6] (см. рис. 1). Из рисунка видна хорошая коррекция между каталитической активностью, магнитной восприимчивостью и экзоэлектронной эмиссией образцы при содержании платины, соответствующем 0,0088 монослоя, обладают наибольшей эмиссионной способностью. При этой же активной структуре [Pt2] наблюдается и максимум магнитной восприимчивости. На основании симбатности между каталитической активностью исследуемых образцов катализаторов, экзоэлектронной эмиссией и магнитной восприимчивостью можно сделать вывод о том, что на поверхности платиновых катализаторов имеется адсорбированный парамагнитный кислород, количество которого находится в прямой связи с числом активных, по-видимому, двухатомных центров платины на поверхности образцов. [c.297]

Использование для локального плавления поверхности металла лазеров позволяет повысить разрешающую способность до 20-40 мкм. Преимуществом ионного зонда является возможность послойного анализа при последовательном стравливании ионным лучом слоя за слоем металла. Дпя анализа водорода в тонких поверхностных слоях металла и адсорбированных слоях применяют оже-спектроскопию, основанную на анализе энергий вторичных электронов, образующихся при электронной бомбардировке пробы. Граница обнаружения водорода равна примерно 0,01% [51]. [c.23]

Источники с электронной бомбардировкой, используемые обычно на секторных масс-спектрометрах, снабжены, как правило, вспомогательным магнитом источника , магнитное поле которого, ориентированное по направлению электронного пучка, составляет несколько сот эрстед. Был сконструирован ряд источников без этого магнитного поля [216, 360, 361], однако до сих пор источники с вспомогательным магнитом имеются почти во всех аналитических, приборах, так как наличие магнита обеспечивает образование в источнике ионов на эквипотенциальной поверхности и улучшает разрешение и чувствительность. Общепринято мнение, что работа с подобным магнитным полем вводит нежелательную дискриминацию по массам, однако до сих пор не была проверена возможность включения влияния этого поля при вычислении дискриминации, возникающей в источнике. Инграм [1012] установил, что дискриминация масс, вызванная указанным выше фактором, не изменяется, если отношение этого поля к полю основного магнита поддерживается постоянным,. В этих условиях сравнительные измерения могут быть проведены с удовлетворительной точностью. Однако изменение траектории электронов, связанное с изменением поля источника, вызывает изменение траектории положительных ионов, что приводит к меняющейся дискриминации. Поэтому единственным путем устранения одной из причин дискриминации по массам может быть лишь исключение этого поля. Изменение электростатического ускоряющего или магнитного полей приводит к изменению поля внутри ионизационной камеры, однако эти колебания могут быть сведены к минимуму при тщательном расчете прибора. Было показано [1068], что колебания магнитного или электростатического полей в ионизационной камере приводят, благодаря смещению электронного пучка, к незначительным систематическим ошибкам при измерении относительного содержания различных ионов. Из-за смещения электронного пучка и изменения условий образования объемного заряда [108] в источнике ионы образуются в различных точках, что обусловливает дискриминацию,. [c.76]

Важным преимуществом источников рассматриваемого типа является то, что ионизация сложных молекул может осуществляться с диссоциацией или без нее кроме того, количество и типы осколочных ионов могут изменяться в зависимости от энергии ионизирующих электронов, и с помощью масс-спектров могут быть получены сведения относительно структурной формулы ионизируемых молекул. Ионы, образующиеся в источнике с электронной бомбардировкой, характеризуются одинаковой энергией в пределах 0,05 эв. Вследствие большой разницы в массах электрона и бомбардируемой молекулы последняя будет получать при электронном ударе незначительную кинетическую энергию. Так как пучок ионизирующих электронов узкий, ионизационная камера представляет собой область, практически свободную от полей, и ионы образуются на более или менее эквипотенциальной поверхности, то они будут получать одинаковую энергию от ускоряющих полей. Благодаря тому что образующиеся ионы имеют небольшие различия в энергиях, источники с электронной бомбардировкой особенно пригодны для масс-спектрометров с простой фокусировкой, без фокусировки по скоростям. [c.116]

Основным недостатком источников с электронной бомбардировкой является то, что все газы, находящиеся в ионизационной камере, будут ионизироваться. Благодаря наличию катода область ионизации имеет температуру выше комнатной, и вакуумная система должна быть очень чистой, чтобы уменьшить эффект десорбции со стенок камеры. Разложение образца в ионизационной камере может вызвать образование изолирующих отложений [1971], и они в свою очередь могут привести к возникновению различных потенциалов, особенно на поверхностях, подверженных действию электронного луча, что повлечет за собой нестабильность в работе. Для устранения этих явлений приходится разбирать и чистить источник. При анализе углеводородов это необходимо делать каждые 3 месяца у кислородсодержащих соединений этот эффект наблюдается в меньшей степени. Конечно, в том и в другом случаях следует проводить чистку источника только при исследовании большого количества образцов. [c.119]

При бомбардировке металлов и солей ионами с энергией 20 кв возникает моноэнергетический пучок положительных ионов низких энергий, который может быть использован в качестве источника в масс-спектроскопии [875]. Как и следовало ожидать, бомбардировка поверхности электронами значительно менее эффективна для переноса материала бомбардируемой поверхности [1609]. [c.135]

Наиболее частой причиной ухудшения вакуума в процессе работы является прогрев ранее не прогретых поверхностей. Источники газовых молекул сконцентрированы в локальных зонах повышенной десорбции например на участках с неудаленным слоем вещества, осевшим на арматуру внутри камеры при предыдущем осаждении. При горении разряда в случае ионного распыления происходит десорбция газов с поверхности арматуры в зоне разряда, что вызвано ионной и электронной бомбардировкой поверхности. Такая десорбция интенсивнее термодесорбции. [c.133]

Исследуя трение между металлическими поверхностями, необходимо различать трение между действительно чистыми металлами и металлами, покрытыми адсорбированными газами или окисными пленками. Если с помощью электронной бомбардировки поверхность, предварительно прогретая в вакууме, полностью освобождена от всех загрязнений, то коэффициент трения, например, вольфрама, меди, никеля и золота может быть довольно велик. Боуден и Хьюз [15] показали, что коэффициент трения очищенных металлов колеблется от 3 до 6. Приведенные в контакт и слегка потертые друг о друга чистые (обработанные указанным способом) поверхности никеля так прочно схватываются, т. е. фактически свариваются, что для их разъединения требуется приложить значительное усилие [16]. При комнатной температуре поверхности железа характеризуются х, равным 3,5 однако схватываются они лишь при 300 °С. Маклин и Янки [17] показали, что полученные путем механической обработки в инертной атмосфере свежие поверхности металлов обычно так же схватываются между собой. В опытах с парами разнородных, и в частности взаимно нерастворимых, металлов схватывание наблюдается далеко не всегда. Так, взаимно нерастворимые кадмий и железо, если их потереть друг о друга, действительно схватываются между собой, однако пара серебро—железо не схватывается. Образующиеся при схватывании двух поверхностей перешейки, по-видимому, обладают большой прочностью, во всяком случае, прочность схватывания двух подобных металлов, по существу, не отличается от прочности схватывания поверхностей одного и того же металла. [c.347]

Электронная бомбардировка поверхностей применялась неоднократно для исследования критических потенциалов или уровней энергии атомов металла или адсорбированного газа с целью о1преде-ления сил сцепления между атомами и для исследования состояния адсорбированных газов [c.74]

В большинстве случаев в электропике используются пленки толщиной несколько тысяч ангстрем, поэтому каждая посторонняя частица, будь то пылинка или молекулярный слой газа, может ухудшить адгезию. При очистке поверхности должны быть удалены жиры, адсорбированная вода и другие загрязнения, которые могут препятствовать образованию сплошного слоя на покрываемой подложке. Способ очистки подложки выбирается в зависимости от ее материала. Для очистки поверхности стекла могут быть применены такие способы, как химическая очистка, обработка подложки тлеющим разрядом, электронная бомбардировка поверхности, ультразвуковая очистка. Эти приемы применимы также для очистки керамики, полупроводниковых пластин и некоторых других видов используемых подложек. [c.194]

Еа рис. 6-17 показана схема установки, предназначенной для получения полимерных пленок при электронной бомбардировке поверхности подложки в присутствии паров кремгшйорганических соединений. В верхней части вакуумной камеры 9, изготовленной из нержавеющей стали, имеется резервуар о для жидкого азота, нижняя часть которого (6) изготовлена из меди и служит для крепления подложки 7. Резервуар 5 применяется для охлаждения подложек ниже комнатной температуры. Электронная трубка 8 имеет вольфрамовый катод, закрепленный па низковольтных тоководах 1, элект- [c.204]

Удалось вырастить трубки под разными угла.ми к поверхности и получить пленку из нанотруб. Проводимость вдоль трубок гораздо выше, чем поперек, так как на движущийся электрон не действуют большие силы связей волокон. 4икротвердость приближается к твердости алмаза. Электронный спектр поверхности пленки близок к спектру молекул С-60, то есть большинство трубок- закрыто половинка.ми фуллеренов. Если же- их разрушить ионной бомбардировкой, спектр повторяет спектр графита [8]. [c.16]

Анализируемое вещество в виде остатка после испарения раствора, порошков, брикетов или кусков проб помещается в полость катода. Переход в газовую фазу материала катода или помещенного внутрь его определяемого вещества происходит вследствие бомбардировки поверхности катода высокоэнергетпческнми положительно заряженными иоиами инертного газа. Ионы разгоняются в юле полого катода л разряжаются при столкновениях с ним. Этот процесс обеспечивает прохождение электрического тока через газ. Образовавшиеся в результате бомбардировки атомы в газовой фазе возбуждаются ири столкновениях с электронами. [c.68]

Вакуумная рабочая камера печи / имеет патрубок 2 значительного диаметра для присоединения высо-ковакуумного насоса большой производительности. Переплавляемый металл 3 подается под электронный луч 4, генерируемый электронной пушкой 5, и, расплавляясь под действием электронной бомбардировки, стекает в кристаллизатор, где он, застывая, образует слиток 7. Поверхность 8 жидкой ванны образующегося слитка также подвергается бомбардиров ке электронами, генерируемыми пушкой 5. По мере наплавления слиток 7 вытягивается соответствующим механизмом из кристаллизатора 6. [c.234]

Фотоактивности адсорбционных катализаторов отвечает также специфичность их люминесцентных и отражательных свойств. В работах [22,70] было найдено, что нанесение небольших количеств 10 монослоя) платины на силикагель и алюмогель резко снижает их отражательную и люминесцентную способность. Это тушащее действие зависит от природы металла и носителя, например для платины оно в 20 раз сильней, чем для серебра. Наиболее сильное тушение малыми дозами нанесенной платины происходит на носителях типа диэлектриков — на алюмогеле, сернокислом барие, двуокиси циркония и менее эффективно на полупроводниковых носителях, что соответствует найденному ряду фоточувствительности адсорбционных катализаторов. Эти центры высвечивания (они же центры люминесценции) представляют ловушки энергии, в которых поглощенная энергия излучается в виде световых квантов без значительной растраты на тепловые колебания. Чтобы прощупать более глубокие слои носителя и состояние его электронного газа, автором с Крыловой [55] были развиты исследования адсорбционных катализаторов методом экзоэлектронной эмиссии [71—75], вызывавшейся обработкой катализатора рентгеновыми лучами или бомбардировкой электронами с энергией в несколько киловольт. Экзоэлектронная эмиссия (эффект Крамера) представляет последствие такой обработки образцов и выражается в низкотемпературном доричардсоновском испускании электронов их поверхностью. Изучение экзоэлектронной эмиссии с пустого носителя и носителя, заполненного в той или иной степени атомами катализатора, позволяет охарактеризовать степень влияния электронного газа носителей различной природы на активность нанесенного металла и обратно — влияния этого металла на экзоэлектронную активность носителя. Было найдено, что концентрация и состояние электронного газа на разных носителях при разных степенях заполнения поверхности платиной сильно отлично. Однако это единообразно не сказывается на катализе. Следовательно, электронный газ носителя, в который погружены атомные, например платиновые, активные центры, определенным образом не сказывается [c.35]

Если активацию катализатора интерпретировать как некоторого рода структурные изменения элементов, каталитические поверхности которых являются лишь потенциально активными, то применим дрзггой, еще не опубликованный способ активации — бомбардировка электронами свежеприготовлен ных поверхностей. Бомбардировка поверхности катализатора потоком электронов, источником которых служит накаленная металлическая полоска или нить, покрытая тонким слоем окислов щелочноземельных металлов, может привести к активации. Когда ток высокого напряжения проходит через газы, находящиеся под низким давлением, от катода отделяются электроны. Электроны, полученные таким образом, способны проникать через тонкие листы металла и могут выходить из разрядной трубки через алюминиевое окно, подобно тому как это было в первых опытах Ленарда поэтому они могут быть непосредственно направлены в приемник, в котором либо приготовляется катализатор, либо ведется каталитическая реакция. Предполагается, что достигаемая в этом случае активация соответствует механическим ударам электронов о поверхность катализатора другими словами, соответственно гипотезе Писаржевского, это приводит не только к желаемой электронной конфигурации, но также и к более высокому энергетическому уровню, превращая катализатор в активную систему. от процесс может быть назван процессом импульсной активации С. Беркман). [c.304]

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами [7]. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными электроны, эмиттирован-ные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмиттироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ на отражение ), так и — в тонкопленочных эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ на прострел ), Отношение числа электронов N2, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов N1 называется коэффициентом ВЭЭ о данного тела 0 = N 2 N1 = ИгОи /а — первичный и вторичный токи соответственно). Значение а зависит от свойств и структуры эмиттера, состояния его поверхности, энергии первичных электронов Ер и угла падения первичного пучка на поверхность эмиттера. В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов истинно вторичные — электроны вещества, получившие от первичного пучка достаточно энергии для выхода в вакуум, и отраженные (упруго и неупруго) — часть первичного пучка, отразившаяся от поверхности эмиттера. При малых Ер (Ер < < 0,1 кэв) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ер доля упруго отраженных электронов быстро уменьшается и при Ер > 0,1 кав составляет лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно первичные электроны имеют энергии от О до 50 эе. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эв и при Ер > > 20 эв практически не зависит от Ер. Неупруго отраженными условно принято считать электроны вторичного пучка, энергия которых превышает 50 эв. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов Т] = N2 (Е2 > 50 эв)Иг называется коэффициентом неупругого отражения (в /2 входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на величинеТ1 не сказывается). В металлах и полупроводниках максимальное значение ст лежит в пределах 0,5—1,8. В некоторых диэлектриках (MgO, щелочногалоидные кристаллы) о значительно больше (10—20). Это обусловлено тем, что в таких материалах запрещенная зона велика Eg 6-Н12 эв), сродство к электрону мало (х < 1 эв), вследствие чего медленные электроны с энергией, лежащей между % и Eg, могут из большой глубины без потерь энергии подходить к поверхности тела и выходить в вакуум. При наложении на диэлектрик сильного электрического поля, направленного от эмиттирующей поверхности вглубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны к поверхности), о значительно возрастает. Обычно сильное поле создается бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на металлической подложке электронами с Ер, при котором о > 1. В результате поверхность диэлектрика заряжается положительно относительно металлической подложки до потенциала, близкого к потенциалу коллектора, на который отсасывается ток ВЭЭ. Ток ВЭЭ, возникающий в присутствии сильного электрического поля в эмиттере, состоит из двух компонент малоинерционной, быстро следующей за изменениями первичного тока (эта часть ВЭЭ называется вторичной электронной эмиссией, усиленной полем, ее инерционность <10 сек), и само-поддерживающейся, существующей и при отсутствии первичного пучка, после того как осуществлена первоначальная зарядка слоя. В некоторых случаях ВЭЭ с электродов вакуумных приборов, подвергающихся бомбардировке электронами, является нежелательным паразитным эффектом. Для его устранения электроды покрывают веществами с малым а углерод (сажа, ак-вадаг), титан, цирконий, дисилициды переходных ме- [c.457]

Таким образом, точность метода реплик при правильной работе можно считать вполне удовлетворительной, во всяком случае пока речь идет об определении структурных элементов с размерами 100 А и более. Для этих условий, как отмечается в литературе, практически безразлично, применяют ли предварительно оттененную реплику, или же оттеняют уже снятую с объекта реплику. Несомненно, ренлики с успехом могут применяться и применяются для изучения более мелких деталей, но здесь положение становится менее определенным. С одной стороны, егце недавно считали, что углеродные реплики могут воспроизвести детали размером в 20 и даже 10 А [79]. На высокую точность углеродных реплик указывают также Лабав и Уайкофф [136]. Авторы при помощи предварительно оттененных углеродных реплик изучали расположение макромолекул в кристаллах различных вирусов и для наиболее низкомолекулярных соединений обнаружили частицы со средним размером 30—40 А. Они пришли к заключению, что лимитирующим фактором здесь является не точность самого метода реплик, а чистота препаратов (белковые и другие загрязнения биологических препаратов нередко настолько прочно удерживаются на поверхности, что они как бы входят в состав самого объекта), а также возможные деформации реплик под действием электронной бомбардировки нри больших увеличениях. С другой стороны, как отмечалось ранее, исследования последнего времени позволили установить существенные искажения в передаче изображения мелких деталей углеродными репликами из-за деформации последних. Однако имеющегося пока материала недостаточно для того, чтобы делать более определенные заключения. Несомненно, этот вопрос нуждается в весьма тщательном дальнейшем изучении. Можно лишь сказать, что наиболее благоприятные условия для передачи изображения будут в случае частиц простейших геометрических форм — сферической и кубической [79]. [c.112]

Ионизация молекул или атомов,находящихся на твердой поверхности подложки, происходит также яри электронной бомбарлдровкв поверхности иди при бомбардировке ионами (например, ионами инертных газов - Аг и др.). Энергия бомбардирующих частиц, а следовательно их ионизирующая способность может быть регулируемой. [c.293]

ТЕРМОЭМИССИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ, термо электронные материалы — материалы, применение которых основано па явлении термоэлектронной эмиссии — испускании (выходе) электронов с поверхности при нагреве. Используются с начала 20 в. Осн. требования к Т. м. высокая плотность тока эмиссии, низкая скорость испарения, стабильность термоэлектронной эмиссии во времени, стохшость к ионной бомбардировке, механическая прочность, технологичность и инертность к химически активным средам при рабочих т-рах (обычно выше 1280 К). Одной из важнейших характеристик Т. м. является работа выхода электронов, которая в зависимости ог типа материала составляет 1-4-5 эв. Различают Т. м. металлические (преимущественно с металлическим типом связи), металлоподобные (с ковалентно-металлическим типом связи) и полупроводниковые (с ионным типом связи), к металлическим Т. м. относятся тугоплавкие металлы с относительно низкой испаряемостью, в первую очередь вольфрам, тантал, ниобий, молибден и рений, характеризующиеся работой выхода электронов [c.555]

С использованием масс-спектрометра изучали [545] диссоциацию отрицательных молекулярных ионов, происходящую благодаря столкновениям с нейтральными атомами газа. Использовали спектр отрицательных ионов, образующийся при испарении металлической поверхности под воздействием бомбардирующих положительных ионов [972, 1408, 1609]. Отрицательные ионы железа, кобальта и никеля были получены при электронной бомбардировке паров их хлоридов [550]. Брэнскомб и соавторы [265, 266] рассмотрели воздействие фотонов на О" и экспериментально определили сечение и пороговое значение реакции [c.296]