Количество дифракционных лучей

В структурах средней сложности число независимых координатных параметров не превышает 150 — 200, а общее количество дифракционных лучей, даваемых таким кристаллам, достигает нескольких тысяч. Следовательно, число экспериментально определенных значитель- [c.87]

Количество дифракционных лучей [c.184]

Общее количество дифракционных лучей определяется соотношением между длиной волны % и параметрами решетки а, Ь, с. Перепишем первое условие Лауэ в виде [c.184]

Более подробно вопрос о точном определении количества дифракционных лучей рассматривается в части третьей в связи с представлениями об обратной решетке и сфере отражения (см. стр. 325). [c.184]

Дополнительные возможности для уточнения пространственной группы дает систематический анализ интенсивности дифракционных лучей. Суть дела в следующем. Понятно, что интенсивность любого дифракционного луча зависит от структуры кристалла и в принципе индивидуальна для каждого вещества. Однако статистическое распределение дифракционных лучей по их интенсивности, т. е. относительное количество дифракционных лучей АЛ /Л общ с интенсивностью в заданном интервале А///тах, подчиняется некоторым общим закономерностям, которые не зависят от индивидуальности исследуемого вещества, но определяются его симметрией. В частности, это распределение различно для центросимметричных и нецентросимметричных кристаллов. Поэтому, анализируя статистическое распределение по интенсивности лучей, дифрагированных исследуемым кристаллом, можно судить, содержит ли его пространственная группа центры инверсии. К сожалению, этот критерий срабатывает не во всех случаях, так как разница в распределении отражений по интенсивности у центросимметричных и нецентросимметричных кристаллов не столь уж велика. [c.73]

Каждый дифракционный луч характеризуется своей тройкой чисел р, q, г, называемых индексами дифракционного луча. Физический смысл индексов очевиден. В условии (22) целое число т означает разницу в количестве длин волн, укладывающихся на пути лучей, рассеянных соседними атомами атомного ряда. Следовательно,, индексы р, q. г равны разности хода лучей (в, длинах волн), рассеянных в данном дифракционном направлении соседними атомами, расположенными соответственно на осях X, У я Z. [c.184]

Дополнительное ограничение на размер кристалла накладывается поглощением кристаллом дифракционных лучей. С другой стороны, желательно выбрать кристалл возможно больших размеров, так как интенсивность дифракционных лучей пропорциональна количеству рассеивающего материала, т. е. объему кристалла. Таким образом, существует оптимальный размер кристалла, зависящий от коэффициента линейного поглощения. [c.41]

В I томе при обсуждении вопросов геометрии дифракционного эффекта была введена упрощенная модель кристалла реальный кристалл был заменен трехмерной совокупностью одинаковых точечных атомов, расположенных по закону простой решетки . В этих условиях все дифракционные лучи должны обладать одинаковой амплитудой, пропорциональной количеству элементарных ячеек кристалла, так как для любого дифракционного направления лучи, отраженные соседними атомными плоскостями, имеют разность фаз в целое число периодов (рис. 1а). [c.7]

Каждый член разложения представляет собой синусоидальное распределение электронной плотности. Эксперимент позволяет найти его ориентацию, периодичность и амплитуду неопределенной остается лишь величина сдвига гребня распределения из начала координат. Справедливо и обратное утверждение какова бы ни была величина этого сдвига при заданной ориентации, периодичности и амплитуде синусоидального распределения, мы всегда получим один и тот же результат—дифракционный луч определенного направления с одними и теми же индексами и одной и той же интенсивностью. Это положение справедливо по отношению к каждому члену разложения. При совмещении всех электронных волн можно получить бесконечное количество различных суммарных распределений в зависимости от принимаемых значений фазовых сдвигов этих волн, и все они будут давать одну и ту же совокупность дифракционных лучей—одинаковых как по направлениям, так и по интенсивностям. Отсюда ясно, что по одним только результатам измерения интенсивности отражений, даваемых кристаллом, в принципе структура не может быть определена однозначно. [c.316]

Чтобы получить достаточное количество дифракционных данных, необходимых для определения структуры кристалла, следует измерить направления и интенсивности как можно большего числа дифрагировавших лучей. Поэтому на опыте всегда вращают или колеблют кристалл неким определенным образом. Это приводит к тому, что сфера отражения последовательно пересекается многими узлами обратной решетки, и можно соответственно произвести большое количество измерений (рис. 13.24). Заметим, что именно дискретный характер обратной решетки затрудняет получение дифракционных данных в [c.360]

НЫХ элементов (штифт Нернста) или карборунда, накаленный добела (или докрасна) электрическим током. Пучок света направляется и фокусируется в точке размещения образца зеркалами. Схема (рис. 32.3) ИК-спектрометра во многом сходна со схемой спектрофотометра видимой и ультрафиолетовой области. Здесь также с помощью системы зеркал (М1 и Мг) световой поток разделяется на два строго одинаковых луча, один из них пропускается через кювету с исследуемым веществом, другой — через кювету сравнения. Прошедшее через кюветы излучение поступает в монохроматор, состоящий из вращающейся призмы, зеркала и щели и позволяющий выделять излучение со строго определенной частотой, а также плавно изменять эту частоту. Оба луча встречаются на зеркальном секторе М3. При вращении зеркала в монохроматор попеременно попадают либо отраженный опорный луч, либо прошедший через прорезь луч от образца. Кюветы и окна для защиты детектора, как и призма монохроматора, выполняются из отполированных кристаллов минеральных солей (табл. 32.1), пропускающих инфракрасный свет. В современных приборах призма заменяется дифракционной решеткой, позволяющей значительно увеличить разрешающую способность спектрометров. Для фиксации количества поглощаемой веществом энергии используют два типа детекторов, действие которых основано на чувствительности к тепловому действию света или на явлении фотопроводимости. [c.760]

Целесообразность привлечения, помимо электронно-микроскопического, тех или других методов определяется характером изучаемого объекта и содержанием поставленной задачи. Это будет ясно из приводимых далее примеров. Здесь лишь отметим, что значительное, если не подавляюш,ее количество комплексных работ проведено с применением дифракции электронов или рентгеновских лучей. Это вполне естественно, так как в ряде случаев методы в значительной степени дополняют друг друга. В большинстве случаев рентгеновский и электронографический методы характеризуют первичную структуру объектов, т. е. тип кристаллической решетки и размеры кристаллитов, тогда как электронный микроскоп показывает так называемую вторичную структуру частиц, обусловленную способом упаковки кристаллитов. Можно сказать, что если первые методы дают сведения о кирпичах, из которых построено здание, то электронный микроскоп позволяет видеть это здание в целом, которое иногда имеет неожиданную и своеобразную архитектуру. Особенно часто проводятся параллельные электронно-микроскопические и электронографические исследования, так как любой электронный микроскоп современного типа легко превратить в электронограф и получить дифракционную картину от только что сфотографированного препарата. Возможность осуш,ествления в электронном микроскопе микродифракции, несомненно, способствует повышению научной ценности электронно-микроскопических данных. [c.128]

Последняя важная особенность рассеяния электронов связана с тем, что амплитуды их рассеяния оказываются на три порядка больше амплитуд рассеяния рентгеновских лучей (а интенсивность в 10 раз). С этим связана возможность получения дифракционных картин при очень малых количествах вещества (напрнмер, от отдельных частиц или пленок малой толщины). [c.434]

Поскольку коротковолновая граница спектра зависит от приложенного к трубке напряжения, число дифракционных напряжений и число гармоник в каждом луче определяется режимом работы трубки чем выше напряжение на трубке, тем богаче дифракционная картина и тем больше набор отражений разных порядков в каждом пятне. Поскольку допустимое напряжение на трубке зависит от материала анода, для увеличения количества пятен выгодно пользоваться трубками с анодами из тяжелых металлов. Не менее важно и то, что увеличение атомного номера и напряжения на трубке значительно сокращает экспозицию. [c.216]

Поэтому возникала необходимость в новых диспергирующих элементах. Фраунгофер предложил для этой цели дифракционную решетку. Спектр, даваемый дифракционной решеткой, возникает вследствие дифракции света, проходящего через систему очень тонких щелей, и последующей интерференции дифрагированных лучей в точке наблюдения. Последовательность линий в спектре, даваемом дифракционной решеткой, противоположна последовательности линий в спектре призмы. В современных спектральных приборах с высокой разрешающей способностью применяются главным образом отражательные дифракционные решетки с максимальным количеством штрихов (щелей) на 1 мм в интервале 2000—2400 [1]. [c.223]

Хотя рассеивающая способность газов меньше, чем рассеивающая способность серебра, тем не менее можно легко получить дифракционную картину, характерную для монослоя того или иного газа на поверхности твердого тела, если атомы газа образуют на поверхности двухразмерную решетку, до некоторой степени отличную от решетки твердого тела, как это обычно и бывает. Оказывается возможным также обнаружить присутствие газа на поверхности в таких малых количествах, как несколько процентов одного монослоя. Некоторые лучи, отраженные от решетки, образуемой газом, могут возникать уже при малой энергии первичного пучка, например 10 эв. При адсорбции нескольких монослоев газа внешние слои аморфны и полностью уничтожают дифракционную картину от кристаллов, лежащих под ними. Следовательно, для того чтобы получить какую-либо дифракционную картину, необходимо, как правило, очистить поверхность твердого тела термической обработкой или другими методами в высоком вакууме. [c.491]

В качестве внутреннего стандарта в первом из этих методов была использована окись магния MgO, предварительно прокаленная до 700°С, в количестве 20% от веса образца. Окись магния была выбрана потому, что ее дифракционные пики относительно свободны от наложения со стороны дифракционных пиков исследуемых компонентов. Интенсивность основных пиков MgO фактически не подвержена воздействию размалывания, необходимого для приготовления образцов. Окись магния обладает средним коэффициентом поглощения рентгеновских лучей (105,7 инертна по отношению ко всем исследованным объектам при комнатной температуре. [c.101]

В ЭТОМ плане необходимо обратить особое внимание на влияние рассеянного света. Закон Ламберта — Бэра был выведен применительно к монохроматическому излучению. Большинство приборов имеют источники света, которые дают излучение в более или менее широком спектральном интервале. Используя комбинацию фильтров, призм и дифракционных решеток, можно выделить излучение определенной длины волны и исключить излучение других длин волн из луча, падающего на образец. Эта процедура не приводит, однако, к тому, что излучение становится абсолютно монохроматическим, т. е. пучок света, проходящий через образец, как правило, содержит некоторое количество паразитного света, длина волны которого отличается от требуемой. Одним из важнейших критериев качества спектрофотометров является количество паразитного света, проходящего через образец. [c.504]

Сильное рассеяние электронов, наблюдаемое при их прохождении через вещество, вызывает появление рефлексов в 10 —10 раз большей интенсивности, чем при рассеянии рентгеновских лучей при одинаковых условиях. Интенсивность рефлексов настолько велика даже для очень тонких слоев, что можно наблюдать дифракционную картину рассеяния непосредственно на флуоресцирующем экране. Поэтому для получения фотографического изображения дифракционной картины время экспозиции составляет всего несколько секунд, в то время как для получения рентгенограммы необходима экспозиция в несколько часов. Еще одним преимуществом высокой рассеивающей способности в случае электронного пучка является возможность использования малых количеств вещества для получения электронограмм. Так, при благоприятных условиях съемки требуется всего около 10 г вещества. Однако, с другой стороны, именно это свойство ограничивает область использования методов, основанных на дифракции электронов. Увеличение толщины образца вызывает настолько сильное поглощение электронов, что в этом случае уже не удается наблюдать дифракционной картины рассеивания. В результате этого использование методов, основанных на дифракции электронов, требует специальных методов препарирования, которые для полимеров будут рассмотрены в разделе Б-2. [c.231]

Принцип действия дифрактометра основан на количественной зависимости интенсивности дифракционных отражений фазы от ее содержания в смеси. Отраженный от образца рентгеновский луч фокусируется на приемной щели детектора. Импульсы детектора усиливаются, пропускаются через дискриминатор, отсекающий шумы и импульсы рассеянного излучения, и фиксируются пересчетным устройством. Суммарное количество импульсов за определенный промежуток времени может служить мерой количества [c.10]

Эффект экстинкции тем значительнее, чем больше количество энергии, передаваемой в отраженный луч, т. е. чем больше дифракционная способность данного отражения hkl. [c.74]

Предположим, что множество идентичных объектов расположено в кристаллической решетке и на них направлен пучок каких-то лучей (рис. 4-28). В этом случае общее количество рассеянного излучения значительно выше. Однако излучение, рассеянное одной молекулой, будет интерферировать с излучением, рассеянным другими молекулами. В некоторых направлениях индивидуальные рассеянные лучи будут усиливаться, образуя на дифракционной картине яркое пятно. Полная [c.190]

Мозли применял в качестве антикатода в рентгеновской трубке различные элементы. Пользуясь поверхностью кристалла как дифракционной решеткой (стр. 657), он измерял длины волн рентгеновских лучей. Рентгеновский спектр металла довольно прост, он содержит лишь небольшое количество линий. С увеличением атомного веса элемента эти линии смещаются в направлении более коротких длин волн. Мозли обнаружил, что зависимость корня квадратного из частоты колебаний рентгеновских линий от атомного номера элемента 2 дает почти прямую линию. Эта зависимость математически выражается следующим уравнением [c.510]

Идентификация дисперсного материала методом электронной дифракции во многих отношениях сходна с исследованием при помощи метода Дебая-Шеррера дифракции рентгеновских лучей на порошке. В основе его лежит измерение диаметров дифракционных колец на пленке, преобразование этих данных в величины межплоскостных расстояний с1 (в ангстремах) и оценка относительной интенсивности линий. Полученные данные сравнивают с табличными значениями для различных минералов с целью найти соответствия. Эта идеальная ситуация редко встречается при дифракции электронов, поскольку образец имеет, как правило, преимущественную ориентацию, а малое количество гранул не позволяет получить достаточно полную картину. [c.242]

С помощью электронографического анализа можно в принципе решать те же задачи, что и рентгенографическим анализом исследование кристаллической структуры, проведение фазового анализа, определение межплоскостных расстояний и периодов решетки, определение текстуры и ориентировки кристаллов и т. д. Однако особенности волновых свойств пучка электронов обусловливают и определенную специфику их использования, а также преимущества и недостатки по сравнению с рентгенографическим методом исследования кристаллов. Преимущество электронограмм заключается прежде всего в том, что в связи с малой длиной волны и сильным взаимодействием электронов с веществом этим методом можно получить резкие и интенсивные рефлексы при меньших размерах кристаллов и-меньшем количестве вещества, чем при рентгенографическом анализе, В рентгенографии, например, расширение линий начинается при р.эзмере частиц 500—900 А, а в электронографии оно становится заметным лишь при размерах 20—30 А. Интенсивность электронного луча гораздо больше, а необходимая экспозиция гораздо меньше, чем рентгеновских лучей, что дает существенные методические преимущества. Интенсивность отражений при дифракции электронов обычно настолько велика, что позволяет визуально на флюоресцирующем экране наблюдать дифракционную картину. Указанные особенности электронографии делают ее особенно ценной, например, при исследовании зародышей новых фаз. Электронография может использоваться также при изучении положений легких атомов в кристаллической решетке, хотя для этого более пригодна нейтронография, [c.105]

В качестве простейшего и наиболее ясного примера использования этих явлений можно указать случай, иозволяюш пй вывести закон отран<ения рентгеновских лучей от поверхности кристалла — закон Брэгга—Вульфа. В самом деле, каждый атом или ион в кристалле действует в качестве центра, от которого излучение рассеивается во всех направлениях, совместимых с законами оптики. Однако излучение, рассеянное в направлении связи между двумя атомами, многократно усиливается рассеянием излучения в том же направлении другими атомами. Суммарная дифракция в избранном направлении составляет одно из брэгговских отражений. Другое применение, некоторые обоснования которого были даны в гл. VII, принадлежит Дебаю, Менке и Принсу опо позволяет установить распределение атомов в жидкости. Наконец, метод смешанных порошков, развитый независимо Гуллом, а также Дебаем и Шерером, позволил сэкономить большое количество труда. В этом методе рентгеновские лучи рассеиваются во всех направлениях маленькими частицами смеси кристаллов, причем структура одного из них (обычно каменной солп) долл<на быть известна. В этом случае измерение межъядерных расстояний производится относительным методом, который сводится к измерению диаметров дифракционных колец, принадлежащих изученному и неизученному рассеивающим веществам. [c.463]

Преимущество метода заключается в том, что площадь под дифракционной кривой пропорциональна количеству дифрагирующего вещества. Эту особенность полезно использовать для контроля количества металла, которое может находиться в слишком малых для обнаружения частицах. Осуществить такой контроль можно, сопоставляя количество, определенное из площади под дифракционной кривой, с общим количеством металла, известным из химического состава образца. Этот способ требует калибровки. В принципе можно взять другой катализатор того же состава, о котором известно, что весь металл обнаруживается рентгеновской дифракцией, но исследовать этот катализатор можно только в строго таких же условиях. Чтобы упростить задачу, применяют внутренний стандарт, например окись магния в случае катализатора Pd/SiOj [201]. Малоугловое рассеяние рентгеновских лучей. В этом методе исследуется излучение, рассеянное в пределах нескольких градусов (<5°) относительно первичного пучка. Применение метода для определения размера металлических частиц катализаторов ограничено [202], однако принципы его достаточно хорошо известны [195, 203—212]. Теория применяется к разбавленной системе частиц. [c.373]

Ниже дается лищь краткое изложение теоретических основ метода (подробнее см., например, у Робертсона [22]). Для кристаллов характерна трехмерная рещетка, определяемая тремя векторами а, Ь я с, которыми ограничивается элементарная ячейка кристалла. Параметры элементарной ячейки могут быть определены, исходя из геометрических характеристик рентгенограммы. В решетке могут быть проведены параллельные плоскости таким образом, чтобы каждый узел решетки лежал на плоскости. Такое семейство плоскостей характеризуется тремя целочисленными индексами (/г, к, I). Эти числа таковы, что если одна плоскость проходит через вершину элементарной ячейки, то следующая плоскость отсекает на ребрах а, Ь, с элементарной ячейки, соответственно, отрезки а//г, Ь к и с//. Число таких семейств плоскостей не имеет предела, так как нет ограничений для к, к я I однако плоскости с низкими индексами имеют наибольшее межплоскост-ное расстояние с и заселены весьма большим количеством узлов. Можно сказать, что дифракционные максимумы получаются при отражении от семейства плоскостей (/г, к, I) с межплоскост-ным расстоянием й луча, падающего под углом скольжения 0 при условии [c.177]

При исследовании поверхности металлов принято считать, что структура чистой поверхности должна быть такой же, как структура объемной фазы, определенная по дифракции рентгеновских лучей. Если при этом окажется, что некоторые межпло-скостные расстояния отличаются от характерных (обычно представляющих целые кратные значения) для данного кристалла, то, следовательно, поверхность загрязнена. Структуры с такими нетипичными расстояниями дают дифракционные картины, имеющие дробный порядок отражений от поверхностной решетки. Примесь может также покрывать поверхность аморфным слоед , который уменьшает интенсивность дифракционной картины несущей поверхности и увеличивает плотность фона за счет рассеивания. Возможные источники таких загрязнений — остаточный окружающий газ и примеси объема кристалла. В первом случае обычно можно наблюдать изменение эффекта во времени. Часто бывает полезно впустить небольшое количество известного газа, чтобы посмотреть его действие на дифракционную картину. Во втором случае результат должен зависеть от температуры и времени прокаливания. Следует подчеркнуть, что получение воспроизводимой дифракционной картины не обязательно является свидетельством чистоты поверхности. [c.276]

Очевидно, что сведения, которые можно получить с помощью функции Паттерсона, недостаточны для определения полной структуры кристалла. В случае простых структур с помощью этой функции можно в значительной степени ограничить количество возможных положений атомов в элементарной ячейке и таким образом исключить многие неудачные исходные предположения в методе проб и ошибок, используемом для вычисления распределения электронной плотности. Для более сложных структур, таких, как макромолекулярные кристаллы, нет смысла прибегать к помощи функций Паттерсона, поскольку она не вносит в этом случае каких-либо существенных ограничений. Один из методов исследования таких кристаллов, приведенный в следующем разделе, заключается в сравнении дифракционных картин исследуемого и какого-нибудь изоморфного кристалла, в элементарной ячейке которого содержится небольшое число тяжелых атомов металла. Огновное различие между двумя картинами будет обусловлено дифракционными максимумами, возникающими при рассеянии рентгеновских лучей тяжелыми атомами. Поскольку число тяжелых атомов мало, функцию Паттерсона вполне можно использовать для определения положений этих атомов. [c.51]

Дифракционная решетка. Дифракционные решетки бывают прозрачные и отражающие. Первые делаются путем нанесения тонких штрихов острым алмазным резцом на тщательно стполирснанные, плсскопараллельные, стеклянные пластинки. Отражающие решетки делаются подобным нанесением штрихов, но на плоских или сферических металлических, чаще алюминиевых (для ультрафиолетовых лучей) зеркалах. Дисперсия решетки пропорциональна количеству штрихов на единицу длины (на 1 мм). Решетка дает несколько спектров, обладающих разной дисперсией и называющихся спектрами разных порядков, из которых рабочими являются один или два. На решетки наносят обычно от 200 до 1200 штрихов на миллиметр если учесть, что полная ширина решетки составляет 10—18 см, то, следовательно, нужно нанести до 240 ООО совершенно идентичных штрихов. Из-за сложности изготовления решеток дифракционные спектрографы были менее распространены, чем призменные. Однако за последнее время техника изготовления решеток значительно развилась и дифракционные спектрографы начинают заменять призменные. особенно для ультрафиолетовых лучей. Дисперсия решетки постоянна во всем интервале длин волн, т. е. расстояние между двумя спектральными линиями, различающимися на одну величину Дл, во всех участках спектра одинаково. Спектр, образуемый решеткой, называется норл.албнбш. [c.156]

Представим себе, что лучи падающей волны расрростра-няются параллельно. Если поместить на пути лучей перпендикулярно их направлению экран с узкой щелью, то на другом экране, помещенном за щелью, в силу прямолинейного, распространения света, получим изображение щели. Однако, кроме этого изображения, по обе стороны от него будет наблюдаться ряд чередующихся светлых и темных полос. Щелтг в экране можно представить как некоторое число новых вспомогательных источников, испускающих свет по всем направ- лениям. Следовательно, в каждом направлении за экраном со щелью будет накладываться столько волн, сколько вспомогательных источников света имеется в щели. Воображаемое число таких источников будет зависеть от длины волцы падающего света и направления лучей, выходящих из щели Естественно, что интенсивность света в каждом направлении, согласно правилам интерференции, будет зависеть от разности фаз накладывающихся волн. Такая зависимость интенсивности результирующей волны от направления носит название дифракции. Светлые полосы, возникающие от одной щели и называемые дифракционными максимумами, очень слабые. Значительно усиливается эффект дифракции при прохождении света через экран с большим количеством таких щелей. Такой экран называется дифракционной решеткой. Картина распределения максимумов существенно меняется по сравнению с дифракцией от одной щели. [c.55]

Для того чтобы вызвать направленную ориентацию частиц в образцах исследуемых смазок, Волд [59] выдавливала небольшие их количества в плоскую формочку, разглаживала шпателем для удаления пузырьков воздуха, после чего переворачивала формочку на пло-ское стекло и терла по стеклу взад и вперед. Помешая затем исследуемые образцы под различными углами к направленному пучку рентгеновских лучей, она получала дифракционную картину, которая отражала расположение частиц в кристаллической плоскости, находящейся под углом о к поверхности образца. [c.47]

Наиболее точные данные о расположении атомов в кристаллах можно непосредственно получить с помощью дифракционных методов — рентгеноструктурного анализа, нейтроцо- и электронографического методов. Эти методы основываются на измерении интенсивности пучков рентгеновских лучей, нейтронов или электронов, отраженных от различных плоскостей кристаллической решетки исследуемого вещества. Количество получаемых таким путем интенсивностей весьма велико для кристаллических структур средней сложности оно составляет несколько сотен, а для кристаллов белков достигает многих тысяч. Для получения информации о расположении атомов в кристалле на основе этих экспериментальных данных (полученных одним из методов) необходимы громоздкие и сложные вычисления. Однако широкое распространение вычислительных машин значительно облегчило труд кристаллографов и сделало возможным применение новых, более точных методов вычислений. В этой главе будут рассмотрены основные методь расчета, применяющиеся в современной кристаллографии, в том числе и программа вычислений, разработанная во Вроцлавском центре для счетной машины Эллиотт-803. [c.233]

Структура кристаллов. Первые определения структуры кристаллов были проведены в 1913 г. В. Л. Брэггом, в то время студентом Кембриджского университета, исследовавшим по методу Лауэ строение каменной соли (Na l), сильвина (K l) и бромистого калия (КВг). Из распределения интенсивностей Брэгг одновременно устанавливал структуру этих кристаллов и находил длины волн рентгеновских лучей, соответствующих каждой дифракционной картине. В настоящее время строение таких кристаллов определяется гораздо проще, а именно путем облучения кристаллов рентгеновскими лучами известной длины волны, так как теперь измерение длин волн рентгеновских лучей производится очень просто, с использованием для этой цели кристаллических дифракционных решеток с известными межплоскостными расстояниями. Брэгг установил, что решетки кристаллов каменной соли, сильвина и бромистого калия имеют строение, приведенное иа рис. 44. Отдельные точки (узлы) в таких решетках поочередно заняты атомами (точнее — ионами, ибо атомы, как будет видно из дальнейшего, заряжены) щелочного металла и галогена. Несмотря на то что три упомянутых вещества изоморфны и в соответствии с рентгеноструктурными данными имеют одинаковое строение, распределение интенсивностей в интерференционных картинах Na I и КВг все же заметно отличается от распределения интенсивностей для K L Согласно Брэггу, интенсивность отраженных лучей зависит не только ог количества узлов решетки, но и от атомного веса частиц, занимающих эти узлы. Брэгг установил, что эта интенсивность пропорциональна квадрату атомного веса. Так как атомные веса К и С1 близки между собой, то кристалл КС1 практически ведет себя так, как если бы его решетка была построена исключительно из однородных атомов он дает рентгеновскую картину простой кубической решетки (рис. 45). Очевидно, приведенная иа рис. 44 решетка уже не будет соответствовать этому типу, если образующие ее атомы будут различными. Поэтому для Na l и КВг рентгеновская картина не будет уже больше обнаруживать интерференций, соответствующих простой кубической решетке, а будет содержать интерференции, отвечающие двум, вставленным одна в другую гранецентрированным кубическим решеткам. [c.211]

V. Много трудов было посвящено определению относительных количеств кристаллизованных и аморфных областей в данном образце целлюлозы. Один из методов состоит в сравнении интенсивности рентгеновских лучей, рассеянных внутри дифракционных пятен с интенсивностью лучей, которые диффузно рассеяны между пятнами [39, 40, 99]. В образцах нативной и регенерированной целлюлозы, по-видимому, всегда имеется сравнительно большое количество неупорядоченного материала. Путем измерения абсолютных интенсивностей рассеивания рентгеновских лучей в рами Хенгстенберг установил, что они соответствуют 70—80% максимально возможной величины, что указывает на соответствующий процент кристалличности. Во многих образцах целлюлозы П таких, как целлофан, вискозный шелк и т. п., доля кристаллизованных областей, по-видимому, значительно меньше. Ингерсолл [39] и Германе недавно усоверикнствовали технику получения рентгенограмм, пригодных для оценки кристалличности целлюлозы, а [c.136]

Дифракция Фраунхофера. По мере увеличения размера частицы и приближения его к длине волны источника света X, количество света, рассеянного в направлении падающего луча, увеличивается и становится намного больще, чем количество света, рассеянного в других направлениях. Когда размер частицы й много больше X, теория дифракции Фраунхофера (РО) описывает свойства частицы в отношении рассеяния света в направлении падающего луча, что можно рассматривать как предельный случай теории Лоренца-Мая. Теория РО показывает, что интенсивность рассеяния (дифракционная картина) пропорциональна, а величина угла рассеяния обратно пропорциональна размеру частицы (рис. 6.15). При этом используется Фурье-преобразованная линза (линза, расположенная между частицами и детектором таким образом, что детектор находится в фокальной плоскости линзы). [c.192]