Эмиссия ионов энергии

Ионно-электронная эмиссия. Ион, падающий на поверхность электрода, выбивает из нее электроны, имеющие энергию не более 10—30 эе (рис. 23.1 и 23.2). [c.427]

В дуге постоянного тока происходит также эмиссия ионов, что еще более усложняет спектр. Из-за высокой температуры в дуге постоянного тока могут образовываться ионы некоторых элементов, особенно щелочных и щелочноземельных, имеющих относительно низкие энергии ионизации. Эмиссионный спектр этих элементов состоит не только из атомных, но и из ионных эмиссионных линий. [c.709]

За счет скачка потенциала происходит ускорение потока ионов к катоду достигая поверхности, они нейтрализуются электронами металла. Бомбардировка ионами обеспечивает необходимую температуру эмитирующей поверхности. Доля ионного тока в прикатодной области существенно выше, чем в столбе дуги. Из второго слоя в первый движутся не только ионы, но и электроны. Из-за тормозящего влияния поля до поверхности катода доходит лишь небольшая их часть ( обратные электроны), а именно электроны, обладающие энергией, достаточной для преодоления барьера. Сумма токов эмиссии, ионов и обратных электронов равняется полному току разряда. [c.73]

При использовании пучков нейтральных атомов устраняется взаимосвязь между потенциалом мишени и ускоряющим потенциалом ионной пушки. Так, если потенциал мишени должен быть -ЬЗ кэВ и мишень бомбардируется положительными ионами с энергией 2 кэБ, то в пушке ионы должны быть ускорены до энергии 5 кэБ. При исследовании эмиссии отрицательных ионов энергия бомбардирующих частиц будет определяться суммой ускоряющего потенциала ионной пушки и потенциала мишени. Энергия же нейтральных атомов определяется только энергией ионов, из которых они получены. [c.180]

Эмиссия ионов из веществ в конденсированном состоянии представляет собой сложный процесс, в котором количество и тип образующихся вторичных ионов зависит от массы и энергии бомбардирующих частиц, элементного и химического состава образца, его кристаллической структуры [250, 256]. [c.184]

ЭМИССИЯ ИОНОВ под ДЕЙСТВИЕМ ПУЧКА ЭЛЕКТРОНОВ ВЫСОКОЙ ЭНЕРГИИ [c.226]

Механизм образования положительных ионов на нагретой поверхности электрода, а также убывание термоэмиссии ионов во времени состоит, вероятно, в испарении адсорбированных щелочных ионов. Для тренированного электрода эмиссия ионов определяется балансом между приходом адсорбируемых (из глубины вещества и из окружающей газообразной фазы) на поверхность электрода атомов и их тепловым испарением. Установлено, что наложение электрического поля способствует увеличению эмиссии ионов с нагретой поверхности зонда-электрода, имеющего положительный потенциал. Это явление может быть объяснено тем, что внешняя энергия электрического поля уменьшает работу выхода иона с нагретой поверхности электрода (эффект Шоттки). [c.74]

Вторичные эмиссионные методы включают эмиссию ионов с поверхностей, обработанных органическими соединениями, под воздействием ионов высокой энергии (вторичная ионно-ионная эмиссия), ускоренных незаряженных атомов, быстрых электронов (вторичная электронно-ионная эмиссия) или фотонов (лазерная десорбция) [22]. Порог чувствительности чаще всего применяемого варианта вторичной ионной эмиссии под действием ускоренных атомов аргона с энергией около 10 эВ сравним с другими способами ионизации и составляет примерно г вещества. При этом возможно образование и детектирование как протонированных молекулярных ионов [М+Н] + и образующихся из них фрагментов, так и анионов [М — Н]-. Выход и характер вторичных ионов зависят от чрезвычайно большого числа факторов типа металла подложки, свойств раствора, из которого наносится образец, температуры и размеров мишени и от энергии и природы ионизирующих частиц. Влияние этих факторов столь велико, что в настоящее время еще сложно говорить о воспроизводимости масс-спектров вторичной ионной эмиссии, а также о возможностях использования их в количественном масс-спектрометрическом анализе. [c.30]

При взаимодействии ионного микрозонда с твердым телом регистрируют катодное распыление и вторичную ионную эмиссию— ионный микроанализ. Бомбардировку поверхности образца производят пучком ионов с энергией - 10 КэВ. Ионное изображение сепарируют при помощи масс-спектрометра и после преобразования наблюдают на экране ионного микроскопа. С помощью ионных микроанализаторов возможно определение всех элементов и их изотопов. Пределы обнаружения отличаются на несколько порядков (могут достигать 10 % при абсолютной чувствительности 10- г). Локальность послойного ионного микроанализа достигает нескольких десятков ангстрем. [c.102]

Хемосорбированные атомы и ионы довольно сильно изменяют некоторые свойства адсорбентов. Особенно сильное изменение претерпевает работа выхода при электронной эмиссии (а следовательно, также и сродство к электрону), которая при этом может как уменьшаться, так и увеличиваться. Изменения работы выхода в свою очередь также оказывают влияние на величину энергии адсорбции. [c.109]

Тлеющий разряд возникает при малых давлениях газа (единицы и десятые доли кПа) и значительных сопротивлениях во внешней цепи. Тлеющий разряд представляет собой совокупность нескольких значительно отличающихся светящихся и темных участков в газовом промежутке (рис. 111.59). Наибольшее падение напряжения наблюдается в зоне 2 (катодном темном пространстве), где имеет место увеличение кинетической энергии электронов за счет электрического поля. Электроны вылетают из катода в результате ударов положительных ионов и быстрых атомов о материал катода (вторичная ионно-электронная эмиссия). Движущиеся к аноду электроны, соударяясь с молекулами и атомами, возбуждают и ионизируют их. Переход из возбужденных состояний в нормальное сопровождается свечением. Тлеющий разряд используется в газосветных лампах, наполненных аргоном, неоном с добавками паров ртути. [c.251]

Металлы характеризуются специфическим блеском, высокой электропроводностью, теплопроводностью и пластичностью. В то же время пары металлов — такие же диэлектрики, как и инертные газы, и отличаются от последних сравнительно малой энергией ионизации. Большая электропроводность и теплопроводность металлов, их термоэлектронная эмиссия обусловливается наличием свободных электронов. Считают, что при сближении атомов в процессе формирования металла происходит делокализация валентных электронов. Металл рассматривается как система правильно расположенных в пространстве положительных ионов и перемещающихся среди них делокализованных электронов. Эти электроны компенсируют силы отталкивания между ионами и связывают их в единую кристаллическую решетку. Металлы отличаются большой прочностью связи, мерой которой служит теплота сублимации, т. е. энергия, которую необходимо затратить для разделения твердого металла на изолированные атомы. Значение этой энергии достигает 836 кДж/моль. [c.167]

Интенсивность эмиссии вторичных ионов 1-го элемента (/,) сильно зависит от параметров первичного ионного пучка (типов ионов, их энергии, плотности тока), анализируемой пробы (характера хим связей, физ. св-в, потенциала ионизации атомов, работы выхода электронов бомбардируемой пов-сти и др.), давления и состава остаточных газов в приборе. Величина /, характеризуется величиной вторичного ионного тока (в А) или скоростью счета импульсов (имп/с). Дифференц. выход вторичных ионов у, = К,/С где К,= = представляет собой отношение числа испускае- [c.260]

В катодном темном пространстве происходит сильное ускорение электронов и положительных ионов, выбивающих электроны из катода (автоэлектронная эмиссия). Здесь наблюдается резкое падение потенциала, связанное с высокой концентрацией положительных ионов на границе перехода от катодного темного пространства к катодному свечению. В зоне отрицательного смещения электроны те1)яют энергию при ударной ионизации газовых молекул. В результате образуются положительные ионы, необходимые для поддержания разряда. Любое тело, погруженное в газоразрядную плазму, заряжается отрицательно. [c.146]

Для экспериментального определения величины сродства к электрону существуют прямые методы, такие, как метод фотоэлектронной эмиссии, метод захвата электронов и т. п. Кроме того, ее можно вычислить при помощи круговых процессов из энергий решеток ионных кристаллов известны также примеры теоретического расчета. Благодаря прогрессу современных экспериментальных методов исследования многие из этих величин теперь известны с высокой степенью точности (табл. 2.9). Анализ всей периодической таблицы показывает, что в изменении сродства к электрону нет какой-либо особенно четкой закономерности, однако в пределах одной подгруппы отмечается периодическое увеличение или уменьшение соответствующих значений. Следует отметить, что процесс присоединения электрона к системам со стабильной электронной конфигурацией (р у нулевой группы, 8 у подгруппы ПА и т. п.) протекает с затратой энергии, а образование двухзарядных ионов всегда происходит [c.70]

С целью уменьшения влияния первичного ионного пучка на изучаемые поверхностные процессы и для возможности исследования мопослоя адсорбированного вещества бомбардировка поверхности ведется при небольших плотностях тока и энергиях такого пучка. Однако при применении метода вторичной ионно-ионной эмиссии для послойного анализа твердого материала по глубине и для определения примесей в объеме используются значительно большие плотности и энергии первичного ионного тока [10, И]. [c.49]

Электризация частично проникающими электронными или ионными пучками проводится в вакууме, причем энергия электронов выбирается таким образом, чтобы, с одной стороны, длина пробега электронов в полимере была значительно меньше толщины иленки, а с другой стороны, чтобы коэффициент вторичной электронной эмиссии был меньше единицы, ибо только в этом случае заряжаемая поверхность приобретает устойчивый заряд отрицательного знака. Кинетика зарядки полимерных пленок электронным пучком в вакууме также свидетельствует об экспоненциальном возрастании 1/з с течением времени зарядки, причем время релаксации т определяется силой тока электронного пучка. [c.192]

При поверхностной ионизацпп эмиссия ионов с поверхности накаленного металла-эмиттера может осуществляться либо в результате эмиссии ионов основного вещества и примесных веществ эмиттера, либо в результате термодесорбции ионов адсорбированных на поверхности металла посторонних веществ. Применение этого масс-спектрометрического метода к проблемам поверхности твердого тела дает возможность изучать следующие вопросы природу адсорбента-эмиттера и его поверхности адсорбционные процессы реакции в хемосорбционных слоях на поверхности теплоты испарения ионов и их зависимость от степени покрытия энергии связи адсорбированных частиц процессы диффузии в объеме и на поверхности эмиттера определение температурной завргсимости выхода реакции в адсорбированном слое распределение ионов по энергиям. [c.51]

Исходя ИЗ результатов, полученных с помощью ионного проектора, Брилль, Рихтер и Рух [67] пришли к заключению, что азот адсорбируется преимущественно на грани (111) железа. Согласно представлению Руха, основанного на теории химической связи, хемосорбция молекулярного азота обусловлена перекрыванием заполненной л -орбитали N2 и незаполненной низко-энергетической поверхностной орбитали Fe. При этом связь в молекуле N2 ослабляется. Особенно благоприятные условия для этого имеются на грани (111). Однако грань (111) не является равновесной гранью железа, к которым принадлежат грани (100J и (110). Благодаря адсорбции N2 поверхностная энергия грани (111) уменьшается, и эта грань становится равновесной. Промышленный железный катализатор восстанавливают в потоке азото-водородной смеси, что создает условия для образования граней (111) на поверхности кристаллов. Цвитеринг и Вестрик [68] установили, что железный катализатор, полученный восстановлением магнетита, имеет главным образом грани (111). Таубе [69] провел синтез аммиака на усах железа, которые были огранены только гранями (100) и (ПО). Выход аммиака не составил и 1% получаемого на обычных железных катализаторах. Мольер и Берндт [70] исследовали эти усы методом ДМЭ и не смогли обнаружить адсорбции азота на них. Шмидт [71] методом масс-спектрометрии с эмиссией ионов полем показал, что первым промежуточным продуктом на поверхности катализатора, вероятно, является N2H. Соответствующий поверхностный комплекс может иметь строение, показанное на рис. 63. [c.138]

В слаботочных дугах отсутствует сколь-либо значительное гидроди-наМ Ичеокое течение, и ионы движутся от анода к катоду под действием электрического поля. Для поддержания этого постоянного потока ионов, необходимого с точки зрения электрической нейтральности столба дуги, если исключить эмиссию ионов с анода, связанную с его абляцией, должно происходить образование ионов в тонком слое, прилегающем к аноду. В соответствии с данными Хокера и Беза [Л. 8] образование ионов в этом слое может происходить либо за счет ионизации полем, либо за счет термической ионизации. В первом случае падение потенциала в этом слое должно быть равно по крайней мере первому потенциалу возбуждения (полагая ступенчатую ионизацию) газа, образующего атмосферу дуги во втором случае падение напряжения в слое меньше, чем первый потенциал возбуждения. В обоих случаях для получения ионов необходима затрата определенной энергии электрического поля. Эта энергия поля передается электронам, в результате чего они приобретают способность производить ионы путем столкновения. Однако, так как соотношение между числом электронов и числом ионов, проходящих через произвольное сечение столба дуги, пропорционально отношению скорости дрейфа, то только незначительная доля электронов (менее 1%) участвует в процессе ионизации. Большая часть электронов проходит через прианодный слой, не отдавая тяжелым частицам вновь полученную энергию. Таким образом, в слаботочных дугах практически энергия поля прианодного слоя передается аноду путем соударения электронов. Согласно Хокеру и Безу [Л. 8] толщина прианодного слоя, образованного отрицательным пространственным зарядом, имеет порядок величины одного свободного пробега электронов (от одного до нескольких микрон). Это значение толщины хорошо согласуется с величиной, измеренной Блоком и Финкельнбургом [Л. 9] с помощью зонда согласно их измерениям толщина слоя равна 2 мк. Непосредственно я 115 [c.115]

Для исследования высокомолекулярных органических соединений в конденсированном состоянии применяют эмиссионную масс-спектрометрию, которая является эффективным аналитическим методом определения химического состава и надмолекулярной структуры полимеров, органических и биорганических соединений (седьмая глава). Разработке методов, позволяющих получить сведения о молекулярном составе, предшествовало установление механизма и выявление основных закономерностей эмиссии ионов при бомбардировке твердого тела ускоренными атомными частицами, ионами, лазерным пучком и электронами высокой энергии. [c.7]

В процессе взаимодействия твердого тела с пучком электронов высокой энергии при переходе вещества в паровую фазу из копденсированной ее структура ближнего порядка сохраняется, несмотря на разрушение связей. Таким образом, паровая фаза отражает особенности структуры исходного образца, исследование которого может быть реализовано путем рассмотрения масс-спектра эмиссии ионов, полученных при испарении твердого образца. [c.227]

Уравнение теплового баланса у катодного пятна. Приток тепла обусловлен главным образом кинетической энергией бомбардирующих ионов, энергией ионизации и теплотой сублимации. Омическим и радиационным нагревом пренебрегают. Тепло рассеивается благодаря охлаждающему эффекту эмитти-рованных электронов согласно теории термоавтоэлектронной эмиссии, испарению нейтральных атомов и нагреву катода. Потерями на излучение пренебрегают. [c.40]

Герцог и др. [105] сообщили об исследовании выбивания частиц из мишени, бомбардируемой ионами с энергией 12 кэВ. В случае облучения алюминия ионами аргона было обнаружено испускание молекул вплоть до A1 , а присутствие Als было лишь едва заметно. Ситуация существенно изменялась, когда та же алюминиевая мишень облучалась ионами ксенона. При этом уже выбивались целые скопления атомов ( кластеры ) AI, вплоть до AIi8. Исследовав распределение таких кластеров по энергиям, авторы этой работы вполне убедились в том, что распыление материала происходило путем выбивания ионами таких кластеров и что эти кластеры не образовывались в паровой фазе. В работе не было отмечено каких-либо изменений в относительных интенсивностях максимумов, соответствующих различным выбиваемым молекулам алюминия в результате облучения мишени ионами ксенона для энергий ионов от 12 до 4 кэВ. О получении аналогичных, в определенном смысле, результатов сообщи. Юрела и Перович [106]. Они исследовали эмиссию положительных ионов поликристаллическими мишенями из алюминия и кобальта под действием бомбардировки ионами аргона с энергией 40 кэВ. В случае кобальтовой мишени, например, они обнаружили эмиссию ионов Со+, Со+г, Со+з и Со +. В настоящее время механизм, определяющий выбивание из мишеии таких атомных кластеров, не выяснен. [c.388]

Чтобы получить изображение поверхности с помощью эмиссии ионов гелия, требуется поле напряженностью около 4,5 в/А. Однако в электрическом поле может произойти не только десорбция ионов гелия, но также и десорбция ранее адсорбир.ованных молекул или даже отрыв атомов металла с поверхности. Поэтому изображение эмиссии можно наблюдать только для таких металлов, для испарения которых требуется поле напряженностью выше 4,5 в/А (W, Та, 1г, Nb, Мо, Pt). о не удается для других металлов (Fe, Си, Ni), которые также представляют интерес как катализаторы. Аналогично эффекты, связанные с адсорбцией, можно наблюдать только тогда, когда прочность связи адсорбированных атомов с металлом превышает энергию поля, требуемого для образования ионного изображения. Эти обстоятельства сильно ограничивают применение ионного микроскопа, так что до настоящего времени этим методом исследованы лишь немногие системы, как, например, адсорбция на вольфраме окиси углерода и азота—газов, прочно связывающихся с этим металлом. [c.139]

Механизм, который предложили Кабрера и Мотт (]949 г.), исходит и из существования на металле образовавшейся в процессе хемосорбции кислорода пленки, в которой ионы и электроны движутся независимо друг от друга. При низких температурах диффузия ионов через пленку затруднена, в то время как электроны могут проходить через тонкий еще слой окисла либо благодаря термоионной эмиссии, либо, что более вероятно, вследствие туннельного эффекта (квантово-механического процесса, при котором для электронов с максимальной энергией, меньшей, чем это требуется для преодоления барьера, все же характерна конечная вероятность того, что они преодолеют этот барьер, т. е. пленку), обусловливающего высокую проводимость окисной пленки при низких температурах. При этом на поверхности раздела металл— окисел образуются катионы, и на поверхности раздела окисел— газ—анионы кислорода (или другого окислителя). Таким образом, внутри окисной пленки создается сильное электрическое поле, благодаря которому главным образом ионы и проникают через пленку, скорость роста которой определяется более медленным, т. е. более заторможенным, процессом. [c.48]

Применение вакуума возможно только при использовании кессонного охлаждения, так как требуется абсолютная тазоплотность ограждения. В данных случаях не может быть использовано понятие температуры в термодинамическом смысле, и поэтому нельзя говорить о разности температур между внутрипечным пространством и внутренней поверхностью ограждения. Тепло генерируется на внутренней поверхности ограждения за счет облучения ее плазмой (тормозное и рекомбинационное излучения), а также за счет кинетической энергии электронов и ионов, попадающих на внутреннюю поверхность ограждения вследствие эффекта рассеивания заряженных частиц и вторичной эмиссии электронов с анода. Сюда следует, однако, добавить непосредственное излучение раскаленного анода, а также поверхности расплава. Все вместе взятое создает приток тепла на внутреннюю поверхность ограждения, требующий отвода его за счет охлаждения водой. Унос тепла с водой охлаждения может быть существенным и в энергетическом балансе достигает 20—40%-Таким образом, ограждение вакуумно-дуговых и электроннолучевых печей энергетически несовершенно, однако этот недостаток перекрывается многими другими достоинствами печей данного типа, оправдывающими с технико-экономической точки зрения применение холодного ограждения. [c.243]

В литературе по эмиссии электронов можно найти много примеров, когда этот эффект, несомненно, имеет место [46]. Если в результате хемосорбции кислорода работа выхода у вольфрама сильно возрастет, то на его поверхности будут хемосорбироваться в виде ионов не только атомы щелочных и щелочноземельных металлов, но и атомы металлов, обладающих значительно более высокими энергиями ионизации. Подобные явления имеют место также при воздействии кислорода на поверхности железа, меди и никеля, когда ионы этих металлов при своем движении по поверхности приближаются к хемосорбированным ионам кислорода или располагаются поверх них (раздел УИ, 6), вызывая проникновение хемосорбированного кислорода внутрь поверхностных слоев металла при этом происходит обращение поверхностного потенциала. Цезий, адсорбированный поверх кислорода, хемосорбированного на вольфраме, значительно прочнее связывается с. металлом, чем цезий, хсмосорбированный на чистой поверхности вольфрама. В результате oднoвpeмeнf oй хемосорбции обоих веществ работа выхода падает до такой [c.165]

Говоря об оптических методах изучения адсорбции на электродах органических веществ, следует упомянуть также метод фотоэлектронной эмиссии. В этом методе электрод освещают монохроматическим светом с длиной волны X, которая должна быть меньше некоторого порогового значения Ао (красная граница фотоэффекта). При < о электроны выбиваются из металла в раствор, теряют там часть своей энергии (термализуются), соль-ватируются молекулами растворителя и, наконец, захватываются специально добавленными в раствор акцепторами электронов (молекулы N2O, ионы Н3О+, NO3- и др.). Если толщина двойного электрического слоя d<, то между регистрируемым током фото-эмиссии /ф в степени 0,4 и потенциалом Е наблюдается линейная зависимость (закон пяти вторых 5/2= 1/0,4). Адсорбция органических молекул приводит, как правило, к раздвнженню обкладок двойного слоя, т. е. к увеличению d. Если при этом будет нарушено условие d< k, то произойдет искажение зависимости [c.35]

В разделе 5.4 указывалось на важность сочетания разных методов исследования поверхностных соединений. Количественное определение углерода и других элементов в модифицирующих поверхность соединениях производится элементным анализом, а ИК спектры помогают установить, какие именно группы и в каком количестве содержатся в поверхностном соединении. Содержание элементов в поверхностных соединениях можно определить с помощью зондирующего воздействия различных пучков на поверхность твердого тела, служащего рассеивающей мишенью для такого воздействия. Для зондирования используются направленные пучки фотонов, электронов, ионов илц атомов, вызывающие эмиссию вторичных частиц (также фотонов, электронов, ионов или атомов), лзучение которой и позволяет судить о свойствах мишени. Помимо элементного анализа, с помощью зондирующего воздействия на поверхность в благоприятных случаях можно получить сведения о структуре поверхности и адсорбции на ней. В табл. 5.4 представлены некоторые из этих методов. Перечисленные в таблице методы. анализа поверхности, за исключением рентгеновской эмиссионной спектроскопии, позволяют исследовать поверхностные слои на глубину менее 10 нм. В этих методах зондирование поверхности и ана--лиз рассеиваемых или эмиттируемых частиц проводится в очень высоком вакууме. Для дополнительной очистки поверхность часто подвергается предварительной бомбардировке частицами высокой энергии, обычно аргонной бомбардировке. С этим связаны ограничения в применении некоторых из этих методов для исследования поверхности недостаточно стойких адсорбентов. Преимуществом этих методов является возможность локального исследования не- [c.109]

ИОННЫЕ РАДИУСЫ, см. Атомные радиусы ИОННЫЙ выход, см. Радиационно-химические реакции. ИОННЫЙ МИКРОАНАЛИЗ, метод локального анализа, основанный на регистрации масс-спектров вторичных ионов с микроучастков пов-сти твердых тел. Исследуемый образец в вакууме бомбардируют сфокусированным п>чком первичных ионов (Аг" , Oj, О , s диаметр пучка 1-100 мкм, энергия 10 — 10 Дж, плотн. тока 0,1-10 А/м ). Первичные ионы при взаимод. с пов-стью упруго и неупруго рассеиваются, перезаряжаются, испытывают многократные соударения с атомами твердого тела. При этом часть атомов вблизи пов-сти получает энергию, достаточную для их эмиссии в вакуум в виде нейтральных частиц (катодное распыление) или в виде вторичных ионов (вторичная ионная эмиссия) [c.260]

Детектирование ионов посредством электронного умножителя основано на эмиссии вторичных электронов в результате столкновения частицы, обладающей определенной энергией, с соответствующей поверхностью. Количество вторичных электронов можно увеличить при бомбардировке ими нескольких последовательных поверхностей. Существуют непрерывные динодные умножители и системы дискретного типа. Дискретный динодпый умножитель состоит из 12-20 бериллиево-медных динодов, связанных посредством резистивной цепи. Непрерывные системы или канальные умножители состоят из покрытой свинцом изогнутой воронкообразной трубки. Напряжение, прикладываемое между концами трубки, создает непрерывное поле по всей ее длине. Вторичные электроны ускоряются в трубке, постоянно сталкиваясь с внутренней Степкой. Типичный коэффициент усиления электронного умножителя составляет 10 . Ток, протекающий через электронный умножитель, усиливается и оцифровывается для последующей обработки системой обработки данных. [c.264]

Термин распыление относится к эмиссии частиц вещества мишени под действием бомбардировки ионами. Распыление становится доминирующим процессом при взаимодействиях ионов с твердым телом, когда ионы средней массы (или более тяжелые) и средних энергий (в килоэлектронвольтном диапазоне) бомбардируют мишень. Процесс распыления можно описать на основе ядерных взаимодействий и функций экранирования. Это значит, что взаимодействия ионов с электронами атомов мишени будут играть важную роль в процессе. [c.355]

Впервые получены зависимости для величин флуктуации энергии от давления и температуры в вершине трещины и в зоне контакта соуда-ряемых тел. Они позволяют рассматривать процессы фрактоэмиссии различного типа (эмиссии электронов, излучения квантов электромагнитного излучения, отщепления компонентов решетки в виде ионов, атомов, молекул, а также в виде субнаноразмерных и наноразмерных кластеров) путем анализа величин давлений и температур, возникающих в вершине трещины в момент удара. Полученные соотношения позволяют оценить диапазон энергий и размеры частиц, вылетающих из вершины трещины, а также величину области перенапряжения. [c.7]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология