Водород влияние галогенид-ионов

Влияние концентрации кислоты, ионов водорода и галогенид-ионов. [c.29]

Выше, на примере изучения влияния галогенид-ионов на механизм выделения водорода, было показано, что в присутствии добавок анионного типа ослабляется зависимость перенапряжения от pH. Как следует из табл. 2.3, аналогичное явление происходит и в присутствии ФАК. Это подтверждает предположение о том, что торможение процесса выделения водорода связано с адсорбцией ФАК в виде соответствующего аниона. [c.46]

Выведено общее выражение для коэффициента распределения О галогенида металла между органическим растворителем и водным раствором галогеноводородной кислоты. Рассмотрены катионные, нейтральные, анионные и полимерные (ассоциированные) формы галогенида металла. Показано изменение коэффициента распределения с изменением концентрации галогенидных ионов, ионов водорода, концентраций другой галогенидной соли и другой сильной кислоты, а также с изменением общей концентрации галогенида металла. С повыщением концентрации одного из этих веществ величина О изменяется таким образом, что преимущество имеет та фаза, в которой формы, содержащие металл, включают больще этого вещества, т. е. больше металла, галогенида или водорода. Но даже в тех случаях, когда в обеих фазах находятся одни и те же металлсодержащие галогенидные соединения, О все же может изменяться в связи с влиянием общего иона. Например, О может изменяться с изменением общей концентрации металла, если даже в обеих фазах находятся одни и те же диссоциирующие на ионы металлсодержащие соединения это возможно в том случае, когда присутствует другое вещество с общим ионом и общий ион из этого вещества преобладает в одной и только в одной фазе. [c.257]

Как и в системе Ое — галогенид-ионы, предельный каталитический ток в системе Sn — галогенид-ионы возрастал с увеличением концентрации ионов водорода. Причина этого недостаточно ясна и не может быть только связана с протонизацией Sn , хотя этот фактор полностью отбрасывать нельзя. Необходимо учесть, что в системах Sn — полифенолы (см. ниже), в отличие от системы Ge — полифенолы, ток i p уменьшается с ростом [Н+] [143] и, следовательно, здесь проявляется влияние новых факторов и среди них скорее всего влияние гидролитического равновесия, исследованного Назаренко и сотр. [144]. Поэтому приходится принимать во внимание значительное нарастание концентрации менее гидролизованных форм Sn с увеличением [Н+] и отсюда изменение скорости комплексообразования. Более четко это прослеживается для систем Sn — полифенолы. [c.221]

Проведен ряд исследований по влиянию излучений на различные водные растворы. Кинетика этих процессов очень сложна результаты исследований во многих случаях являются противоречивыми, а поэтому можно сделать лишь небольшое число обобщений. Протекающие процессы обычно согласуются с постулированным начальным образованием Н- и ОН-радикалов из воды или (в случае присутствия газообразного кислорода) образованием пергидроксила в дальнейшем протекают реакции этих радикалов с растворенным веществом, хотя Лефор и Гайсинский сообщают о случае, когда арсенит в водном растворе, по-видимому, перешел в элементарный мышьяк под прямым действием излучений [90]. В ряде случаев скорость образования перекиси водорода оказы-ваб гся более высокой, чем при облучении чистой воды так, например, ионы галогенидов в растворе повышают количество образующейся перекиси водорода, причем йодид более эффективен, чем бромид, который в свою очередь эффективнее хлорида. В недавно проведенной дискуссии на заседании Фарадеевского общества [84] были сообщены результаты ряда новейших исследований по влиянию растворенных веществ. В этих сообщениях содержатся также ценные ссылки иа предыдуш ие работы. Из других новых работ нужно указать на облучение рентгеновскими лучами водных растворов йодноватокислого калия [101], йодистого калия [102], дезоксирибонуклеиновой кислоты [103] [c.63]

Подстановка ака в уравнение (361) позволяет найти направление и величину момента (1,10 D), которые почти совпадают с экспериментальными значениями (1,08D [38]). Представление об ионной паре было с успехом использовано при рассмотрении галогенидов щелочных металлов [39], но такое описание молекулы хлористого водорода в настоящее время представляет лишь исторический интерес, поскольку не существует никаких физических обоснований для применения к этой молекуле уравнения (359). Следует отметить, что в классических работах Дебая значение поляризации было, вероятно, несколько переоценено. Однако в 30-е годы эти работы значительно повлияли на теоретические исследования, посвященные индуктивному эффекту [40], влиянию растворителя [41, 42] и дипольным моментам. [c.181]

Изменение потенциала нулевого заряда металлов под влиянием галогенид-ионов является специфичным для каждого хметалла. На ртути адсорбция галогенид-ионов, по Фрумкину [70], является обратимой, она носит электростатический характер, а отчасти и специфический, обусловленный образованием связей, близких к ковалентным. Энергия активации адсорбции из растворов невелика. При адсорбции галогенид-ионов на ртути они участвуют в формировании ионной части двойного электрического слоя, поэтому смещают потенциал нулевого заряда в отрицательную сторону. Однако на железе характер адсорбции иной и адсорбция, по мнению многих исследователей, носит необратимый характер. Ионы галогенидов, адсорбируясь необратимо, входят в состав металлической обкладки двойного слоя, их заряды составляют часть заряда поверхности металла, поэтому возникающие на поверхно-сти металла диполи смещают потенциал нулевого заряда в положительную сторону. Различный характер адсорбции галогенид-нонов на железе и ртути подтверждается емкостными и поляризационными измерениями на ртути адсорбция анионов увеличивает емкость двойного электрического слоя и ускоряет разряд ионов водорода, а на железе емкость падает и разряд ионов водорода замедляется. [c.131]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология