Изменение работы выхода при хемосорбции

Следовательно, уменьшение теплоты хемосорбции обусловлено теми же причинами, которые были рассмотрены в предыдущих разделах. Будар [255] путем математической обработки недавно показал, что, исходя из изложенных представлений, можно объяснить порядок величины экспериментально наблюдаемого уменьшения теплоты хемосорбции. В своих уравнениях Будар использует понятие об электрическом двойном слое с равномерно распределенными зарядами. Однако, поскольку уменьшение теплоты хемосорбции Q по своей численной величине меньше, чем изменение работы выхода Дф, Будар вводит соотношение [c.140]

Так, изменение работы выхода электронов при хемосорбции на металлах свидетельствует о возникновении дипольных адсорбционных слоев, а знак изменения работы выхода позволяет судить о направлении дипольного момента хемосорбированной связи. Изменение электропроводности образцов позволяет судить об изменении числа носителей тока, т, е. об участии свобод- [c.686]

Таблица 34. Изменение работы выхода электрона Дф и электропроводности Ла/а катализатора при хемосорбции на нем пропилена и кислорода [137, 138]

В течение многих лет теоретическое рассмотрение этих каталитических реакций отставало от практики, а практика в свою очередь мало помогала теории. Изменение наступило, когда Лэнгмюр предположил [5], что промежуточными веществами в этих реакциях являются поверхностные соединения, образованные путем хемосорбции реагирующих веществ в виде ионов, радикалов или атомов на поверхности твердого тела. Точная идентификация этих промежуточных веществ оказалась затруднительной во всех случаях, и во многих гетерогенных реакциях скорость-определяющая стадия не была точно установлена. Здесь оказали помощь количественные исследования величины, скорости и энергий хемосорбции газов, а также измерения дипольного момента адсорбированного слоя (определяемого по изменению работы выхода) или измерение его электропроводности. Совсем недавно исследование ИК-спектров позволило установить тип связи в адсорбированных молекулах, тогда как методы электронного проектора и электронной микроскопии помогли в определении положения адсорбированных молекул относительно граней и ребер кристаллических решеток. Отсутствие ясности в вопросе о механизмах реакций не дает возможности количественно объяснить каталитическую активность даже чистых твердых тел, хотя имеется много обнадеживающих подходов к решению этой проблемы пройдет некоторое время, прежде чем удастся полностью понять поведение сложных поверхностей промышленных катализаторов. [c.19]

Согласно электронной теории хемосорбции, локализация свободных носителей вблизи адсорбированного атома или на нем приводит к заряжению поверхности относительно объема полупроводника. Последнее-можно однозначно констатировать по изменению работы выхода Аф и электропроводности полупроводника Да. Нейтральная (слабая) форма хемосорбции не изменяет До, но, создавая дополнительный потенциальный барьер на поверхности, приводит к изменению До (дипольная слагающая работы выхода [25]). Но физическая адсорбция полярных и сильно поляризующихся молекул также приведет к изменению Дф. Таким образом, в эксперименте по данным измерения Дф мы не можем отличить физическую адсорбцию от нейтральной формы хемосорбции, хотя их теоретическое рассмотрение, согласно существующим представлениям, требует различных подходов. [c.95]

Экспериментальные данные, которые, как полагает автор, подтверждают его соображения, можно разбить на две группы. К первой относятся данные по адсорбции паров воды на германии. О сильном влиянии адсорбции такого рода молекул (с неподеленной электронной парой) на электрофизические свойства поверхности германия (в том числе и на заряжение) известно давно, и в настоящее время этот факт ни у кого не вызывает сомнения, так как адсорбцию такого характера считают разновидностью хемосорбции, протекающей с образованием ион-радикалов. Новых экспериментальных данных, которые дали бы основание сомневаться в установившейся точке зрения, сообщение В. Ф. Киселева не содержит. Более того, идея заряжения поверхности под влиянием дипольного момента адсорбированной воды противоречит работам [3, 4], где установлено соответствие между изменением работы выхода и величиной изгиба энергетических зон именно для системы Ge -(- HjO. Поэтому пока нет оснований говорить о механизме заряжения, индуцированного динольным моментом. Нам удалось показать (стр. 111) возможность ионизации адсорбированных на германии молекул с высоким ионизационным потенциалом. Сильное возмущение энергетических характеристик соседних центров на поверхности в этом случае легче объяснить более мощным полем иона, чем диполя. Возмущение особенно велико, когда два иона и А" находятся на смежных центрах. Такая модель объясняет и высокие энергии адсорбции молекул с неподеленной парой. [c.102]

Гипотеза прямого участия носителей тока в катализе никогда не подвергалась серьезной прямой проверке. Из этой гипотезы вытекает наличие связи между каталитической и хемосорбционной активностью, с одной стороны, и электропроводностью — с другой, изменение работы выхода и электропроводности при катализе и хемосорбции, возможность мощного воздействия на реакцию дополнительной искусственной генерацией в твердом теле новых носителей тока облучением светом и другими видами радиации. Интерес к полупроводниковому катализу вызвал десятки работ, в которых для разных катализаторов сопоставлялись вели- [c.7]

Заметим далее, что зависимость Де от Р, описываемая выражением (3), может быть определена также и экспериментально по изменению работы выхода (или, что то же самое, по изменению контактного потенциала), вызываемому хемосорбцией и возрастающему по мере увеличения давления. Интересно, что, измеряя одновременно изм-енение контактного потенциала Де и заполнение поверхности N. как функции давления Р, можно экспериментально разделить слабую и прочную формы хемосорбции и определить их относительное содержание на поверхности. Такой экспериментальный метод разделения слабой и прочной форм хемосорбции был предложен Ш. М. Коганом и [c.28]

В работе вычисляется относительное содержание на поверхности различных форм хемосорбции, соответствующее установившемуся электронному равновесию. Рассматриваются эффекты, обусловленные заряжением поверхности (изменение работы выхода, изменение электропроводности полупроводника). Показывается, каким образом одни и те же адсорбированные молекулы могут вызывать в одних случаях уменьшение, а в других — увеличение работы выхода и соответственно проводимости полупроводника (с заданным типом проводимости). [c.50]

Во второй части работы проведено термодинамическое рассмотрение теплоты адсорбции также в аспекте электронной теории хемосорбции. Показано, что дифференциальная теплота адсорбции для заряженных молекул адсорбата определяется расстоянием соответствующего поверхностного локального уровня энергии от уровня Ферми. Получено соотноще-ние между теплотой адсорбции и потенциалом поверхности. Показано, что по экспериментальным данным для теплоты адсорбции, изотермы адсорбции и изменению работы выхода при адсорбции можно разделить тепловые эффекты, обусловленные заряженными и нейтральными молекулами . [c.58]

Данные расчета теплоты хемосорбции (до) водорода на металлах Ш, Со, Ее, РЬ, КЬ, W, Та, Сг и Си для v = l, 2, 3, 4 приводятся в таблице 1 (столбец 7). В столбце 8 приведены экспериментальные значения qo, полученные хорошо известными исследователями. Для сравнения в последнем столбце представлены данные расчетов, проведенных авторами [2]. Все исходные данные для Ем—м, за исключением цитированных в таблице, взяты из [3]. Данные по работе выхода электрона на чистых металлах (Фо) взяты из справочника [4]. Для поверхностных дипольных моментов (х (О) использованы результаты расчетов [2], проведенных на основании экспериментальных данных изменения работы выхода (значения в скобках оценены интерполяцией). Значения с н-м также заимствованы из работы [2]. Как видно из таблицы 1, для некоторых металлов, как и следовало ожидать, имеются разные величины начальных теплот хемосорбции, экспериментально полученные разными авторами. Так например, для N1 Бик [5] дает значение 31 ккал/моль оно в пределах ошибки опыта совпадает со значением qo (32,8 ккал/моль), полученным нами путем расчета при v = 4. Это значит, что экспериментальное определение до проводили на совершенно чистой поверхности N1. С другой стороны, по данным [6], экспериментальное значение до равно 27 ккал/моль и почти совпадает с расчетным его значением — 27,1 ккал/моль для у = 3. Значит, в экспериментах Квана [6] центры типа 4 были блокированы. Точно так же для Ее экспериментальное значение до, по данным [7], составляет [c.201]

ОТ способа выщелачивания или поверхностного травления. Наши результаты измерения отчасти согласуются с выводами авторов [12] относительно структуры водорода и его заряда при хемосорбции водорода на катализаторах-электродах. Если изменение работы выхода электрона при адсорбции газа характеризует заряд поверхности, то изменение электропроводности дает возможность судить о том, произошел ли полный электронный обмен между катализатором и хемосорбированными частицами газа. [c.217]

Участие я-электронов адсорбированных молекул в хемосорбционной связи наглядно иллюстрируется Зурманом [22, стр. 378] по изменению работы выхода при хемосорбции бензола на платине, никеле и других металлах. При этом методы измерения сопротивления металлических пленок позволяют отчетливо выделить два эффекта электронного взаимодействия между бензолом и поверхностью эффект поляризации молекулы и эффект смещения я-электронов к поверхности металла. [c.277]

Б. Изменение работы, выхода при хемосорбции [c.178]

Изменение работы выхода, наблюдаемое при адсорбции газа на поверхности металла, обусловлено электронным взаимодействием между металлом и адсорбатом. В большинстве случаев хемосорбция сопровождается процессом перехода электронов , природа которого зависит от электронного строения и поверхностных свойств металла. Поэтому желательно прежде всего рассмотреть в общих чертах процесс адсорбции и образование химических связей с поверхностью металла. [c.79]

Знание изменения работы выхода, происходящего в процессе физической адсорбции или хемосорбции на поверхности металла, может помочь в выяснении механизма поверхностной реакции. [c.136]

Таким образом, по изменению работы выхода электрона в присутствии ПАВ можно ориентировочно оценивать их влияние на нулевую точку металла. Возникающие между отдельными участками металлов и трущимися элементами электрические поля той или иной напряженности способствуют либо адсорбции и хемосорбции присадок на металле, либо их десорбции и доступу к металлу электролитов. Оценивая способность органических соединений к адсорбции вблизи нулевой точки и к десорбции при поляризации металла, можно прогнозировать смазочное и защитное действие их поверхностных пленок на металле. [c.93]

С другой стороны, так как хемосорбция, влияющая на работу выхода, зависит от электронного состояния поверхности, а величины, характеризующие фотопроводимость и ее кинетику, также зависят от электронной структуры полупроводника, должна существовать взаимосвязь между этими величинами и изменениями работы выхода при адсорбции. Следует указать, что в [4] установлена корреляция между каталитической активностью и временами релаксации фотопроводимости. [c.101]

Изменение работы выхода и электропроводности полупроводника под влиянием хемосорбции — это первое [c.105]

Под влиянием хемосорбции происходит изменение работы выхода и электропроводности полупроводника (см. 7, в). Это есть следствие заряжения поверхности при хемосорбции, что в свою очередь является следствием самого факта существования прочных форм хемосорбции. [c.175]

Из основных результатов электронной теории Волькенштейна вытекает ряд следствий. Первое из них — это два эффекта, обусловленные заряжением поверхности при хемосорбции эффект, выран аю-щийся в изменении электропроводности, и эффект, связанный с изменением работы выхода полупроводника в зависимости от природы адсорбирующихся частиц и степени заполнения. Оба эти эффекта были теоретически подробно рассмотрены и экспериментально исследованы многими советскими и иностранными авторами. Вторым следствием теории является наличие корреляции между объемными свойствами полупроводника и его поверхностными свойствами. При сдвиге уровня Ферми внутри кристалла (вверх или вниз) уровень Ферми на поверхности также, вообще говоря, сдвигается и притом всегда в ту же сторону. Этим дается рецепт того, как нужно изменять объемные свойства полупроводника, чтобы получать желаемые изменения его поверхностных свойств. [c.127]

Отрицательное значение изменения поверхностного потенциала в процессе адсорбции кислорода на серебре при малых заполнениях поверхности свидетельствует о том, что в процессе хемосорбции осуществляется перенос зарядов с атомов серебра на адсорбированный кислород и поверхность заряжается отрицательно [53]. Этот вывод подтверждается работами по изучению изменения работы выхода электрона при адсорбции кислорода на серебре. Большинство исследователей считает, что адсорбция кислорода на серебре сопровождается диссоциацией его на атомные ионы (атомарная адсорбция) [54, 55]. В то же время в области больших заполнений поверхности имеет место и недиссоциативная (молекулярная) адсорбция [56]. Однако взаимодействие кислорода с серебром не ограничивается одной адсорбцией. В поверхностных слоях серебра, происходит растворение кислорода в металле [52], причем растворенный кислород, в свою очередь, оказывает влияние на дальнейшую адсорбцию кислорода из газовой фазы [57]. [c.35]

Для окислов п.-типа (VaOs, ZnO) концентрация свободных электронов в приповерхностном слое будет уменьшаться вследствие перехода электрона от твердого тела к хемосорбированной молекуле. Для окислов р-типа (NiO, СнгО) концентрация дырок в слоях, расположенных вблизи поверхности, будет возрастать при хемосорбции акцепторных молекул. Направление перехода электрона зависит от положения уровня Ферми в кристалле и энергетического уровня хемосорбированной молекулы. Положение уровня Ферми определяет концентрацию дырочного и электронного газа на поверхности. При хемосорбции, когда электрон или дырка из твердого тела переходит на адсорбированную молекулу, поверхность полупроводника заряжается, и в приповерхностном слое возникает объемный заряд противоположного знака. В результате такого процесса наблюдается искривление энергетических зон вблизи поверхности полупроводника [162 J. Вследствие искривления зон положение уровня Ферми на поверхности кристалла сдвинуто по сравнению с положением его в объеме на величину Ае. Такое изменение положения уровня Ферми сопровождается изменением концентрации свободных электронов и дырок и вызывает изменение электропроводности Аа чем больше As, тем больше Аст. Работа выхода электрона ф — есть расстояние от уровня Ферми до уровня, соответствующего значению потенциала в пространстве над твердым телом. Изменение работы выхода Дф = —Ае (если пренебречь влиянием динольного момента у нейтральной молекулы). Работа выхода электрона изменяется в зависимости от степени заполнения поверхности адсорбированными молекулами. Увеличение работы выхода наблюдается при адсорбции акцепторных, а уменьшение — при адсорбции донорных молекул на поверхности полупроводника. Согласно [c.54]

При адсорбции электроноакцепторных молекул полупроводник всегда заряжается отрицательно, а при адсорбции электронодонбр-ных — положительно. Хемосорбция также может вызвать заметное изменение электропроводности полупроводника в случае полупроводника р-типа хемосорбция электроноакцепторных молекул О2 приводит к увеличению электропроводности, а хемосорбция элект-ронодонорных (углеводород) — к ее уменьшению. Изменение работы выхода электрона Аф из твердого тела во время адсорбции позволяет установить знак заряда адсорбированной молекулы. [c.67]

При хемосорбции пропилена на очищенной поверхности оловосурьмяного катализатора [137] изменение работы выхода электрона Аф и электропроводности Аа/а составляет соответственно 0,30 эВ и 0,4 (табл. 34) при действии пропилена на поверхность, частично уже покрытую кислородом, эти величины возрастают до [c.70]

II на Ф. Изменение АУ при адсорбции газов на металлах исследуют, непосредственно определяя изменение работы выхода. В настоящее время этот способ используют очень щироко (см. рг13Д. V-6Б). Многие ранние работы Лэнгмюра по хемосорбции на металле, возможно, стимулировались пониманием практической важности изучения влияния адсорбированных газов на работу вакуумных ламп. [c.192]

В настоящее время техника эксперимента находится на таком высоком уровне, что можно наблюдать эмиссию электронов одного-единственного атома (например, измеряя интенсивность отдельного пятна) в зависимости от V и, таким образом, находить работу выхода отдельного атома. Можно определять также изменение работы выхода адсорбции атома на активном центре поверхности. Так, в результате адсорбции азота па вольфраме работа выхода плоскости (ТОО) уменьшается с 4,71 до 4,21 В [112]. Фактически при этом почти на атомном уровне определяется изменение поверхностного потенциала АУ [119] (см. разд. Ш-ЗБ). Отсюда можно сделать интересные выводы относительно величины и направления диполя, создаваемого адсорбированным атомом. Например, азот, адсорбированный на плоскости (100) вольфрама, по-видимому, является отрицательным концом образующегося при этом поверхностного диполя, тогда как при адсорбции на плоскости (111) возникает обратная ситуация, т. е. он несет положительный заряд. Более подробно этот вопрос обсуждается в монографии Гомера [120] (см. также [104]). Некоторые сведения о применении автоэмисси-онных методов для исследования хемосорбции даны также в гл. XV. [c.235]

Возможен и совершенно иной подход. Изучение деплетивной хемосорбцин на окислах-полупроводниках (стр. 197) привело к применению теории граничного слоя к кинетике и величине хемосорбции [56, 57]. Таким путем были выведены изотермы, точно описывающие хемосорбцию, причем оказалось возможным представить ее скорость уравнениями, соответствующими медленным процессам хемосорбцин, описанным в разд. 6 (Б) данной главы. Эта теория была распространена и на кумулятивную хемосорбцию, что свидетельствует о ее успехе. Кумулятивная хемосорбция в большой степени подобна хемосорбции на металлах, и так как адсорбент проявляет свои дефекты в кумулятивной хемосорбцин, целесообразно исследовать ее как основу хемосорбцни на металлах. Волькенштейн [87] считает, что вместо ряда центров, идентичных с решеткой металла, в качестве первоначальных центров хемосорбции действуют дефекты кристалла и что, кроме ряда врожденных дефектов поверхности, новые центры могут создаваться термически или при адсорбции газа на дефекте. Медленную хемосорбцию рассматривают скорее как результат медленного образования центров термическим путем, являющегося активируемым ско-рость-определяющим процессом реакции, а не как простое взаимодействие центров с газом. Кроме того, он показал, что можно вывести обычные изотермы при соответствующем выборе кинетики реакций, приводящих к образованию дефектов. Такие расчеты пока еще не очень распространены и проверены. Аналогичные расчеты были использованы Тэйлором и Тоном [88] для объяснения медленной активированной хемосорбцни. Предположение, что уменьшение теплоты адсорбции с увеличением заполнения поверхности [(е), стр. 208] обусловлено изменением работы выхода [77, 78], так что уже адсорбированный газ влияет на центры, доступные последующей адсорбции, совпадает с представлениями Волькенштейна. Существуют некоторые несомненные доказательства того, что хемосорбция на пленках начинается на дефектах или вблизи от них. [c.210]

Шагом вперед в этом направлении было применение двух электрических методов изучения хемосорбции фотоэлектрического (Лейпунский [16] и Зурман с сотрудниками [17]) и метода контактных потенциалов (Босворс и Ридил [18]). Оба эти метода связывают адсорбцию с изменением работы выхода электрона (на что указывал еще Лэнгмюр), позволяя найти значение дипольного момента адсорбированной, т. е. уже измененной, молекулы и ее ориентацию по отношению к поверхности. В 40-х годах были разработаны методы, основанные на измерениях электропроводности (или сопротивления) катализаторов-адсорбентов (Вент[19], Туиг[20], Грей[21]). Эти методы позволяли до некоторой степени решать задачи, связанные с механизмом хемосорбции одного или нескольких реагентов и с характером образующейся связи А—К. Большое значение в этом направлении имели работы Зурмана и сотрудников [22], развившего методы различных определений электронного взаимодействия А—К- По изменениям работы выхода электронов, квантового выхода фотоэлектронов и по изменениям сопротивления металлических катализаторов, вызванным адсорбцией различных молекул, Зурман сделал ряд заключений о направлении электронных переходов при адсорбции и о характере связей А—К. [c.267]

Для случая в основном ковалентных хемосорбционных связей, к которым относится, например,, большинство связей водорода с металлами. Будар [61 ] сделал попытку найти связь между изменением работы выхода и изменением теплоты хемосорбции AQ по мере увеличения покрытия поверхности 6. Будар принимает, что изменение дифференциальной теплоты при добавлении аО атомов к хемосорбированному слою эквивалентно работе переноса оЬ электронов из металла в середину двойного слоя (мы допускаем, что в этом случае отрицательные концы диполей направлены наружу). Однако это равносильно предположению, что связь является на 100% ионной, поскольку на каждый адсорбированный атом переносится один электрон, и в то же время на 100% ковалентной, так как электрон переносится только на расстояние //2, где й—толщина двойного слоя. В случае, когда хемосорбционные связи являются в основном ковалентными, только часть заряда на каждый хемосорбированный атом участвует эффективно в образовании двойного слоя, и поэтому, как указал Кемболл [47], вычисленное значение ЛQ должно быть значительно меньше величины 0,5 полученной Бударом. К аналогичным выводам пришел Гомер [43]. Тем не менее следует ожидать, что этот эффект, которому Будар дал название индукция , приведет к снижению дифференциальных теплот хемосорбции. Из-за малочисленности экспериментальных данных по значениям Аф и AQ для одних и тех же систем нельзя сделать каких-либо определенных выводов относительно величины отношения Аф/Ар. Оптимальная для определения этого отношения область заполнения поверхности лежит в пределах от 0= -=О,3 до 6= 0,7, поскольку, как будет показано ниже, при малых заполпе-ииях теплоты увеличиваются благодаря биографической неоднородности, а при больших покрытиях вследствие поверхностного взаимодействия нельзя ожидать линейной зависимости между Ф и Q. [c.499]

В случае кумулятивной хемосорбции у барьера находится достаточно большое количество электронов или дырок и скорость хемосорбции будет определяться исключительно скоростью прохождения через барьер. Энгелл и Хауффе [79 ] выразили эту скорость в виде экспоиенциональной функции от Аф, где Аф—-изменение работы выхода, обусловленное наличием хемосорбированного слоя. Ввиду того что Аф является приблизительно линейной функцией от 9, это непосредственно приводит к уравнению (15). Слабое место данной теории состоит в следующем. Поскольку для кумулятивной хемосорбции барьер очень узок, то можно было бы ожидать, что пересечение его электронами будет определяться главным образом туннель-эффектом. Однако адсорбция Og на NiO и Hg на ZnO согласуется с указанным уравнением (см. табл. 1). [c.518]

В настоящем обзоре затрагиваются следующие основные вопросы 1) вопросы, связанные с изучением поверхности металла и влияния адсорбированных частиц на поверхностные свойства 2) экспериментальное определение работы выхода 3) интерпретация результатов измерения работы выхода и 4) использование этих результатов. Вначале мы даем определение работы выхода для чистой металлической поверхности и рассматриваем влияние поверхностного дипольного слоя, возникающего вследствие присутствия адсорбата. Далее следует экспериментальный раздел, в котором рассматриваются способы получения чистых металлических поверхностей, определение изменений работы выхода и интерпретируются получаемые результаты. Зате.м изменения работы выхода обсуждаются с позиций современной теории адсорбции, причем особое внимание уделяется процессам образования связи при ван-дер-ваальсовом взаи.модействии и при хемосорбции. В заключение мы останавливаемся на использовании результатов работы выхода для определения энергий активации десорбции и поверхностной миграции и для расчета теплот адсорбции. [c.84]

Г. Эрлих (Q. Ehrli h, G. Е. Resear h Lab.) Трудность интерпретации картин газовой адсорбции, полученных при помощи эмиссионного микроскопа, известна давно, и в сущности она состоит в выяснении причины различных изменений работы выхода, наблюдаемых для различных участков поверхности. Д-р Брок считает (статья 48), что эти различия обусловлены избирательной хемосорбцией, приводящей к более высоким концентрациям газа на некоторых участках поверхности по сравнению с остальными. Любое другое объяснение, по-видимому, требовало бы изменения инкремента работы выхода на одну молекулу для данной поверхности с заполнением, что казалось невероятным. Однако Гомер на симпозиуме по автоэлектронной эмиссии (университет Нотр Дам) предложил модель, которая, по-видимому, допускает такие изменения инкремента, и, следовательно, аргументация, приведенная Броком, ослабляется. [c.557]

Одним из следствий электронной теории катализа является корреляция между каталитической активностью и хемосорб-ционной способностью катализатора. При хемосорбции реагента изменяется заполнение поверхностных уровней полупроводникового катализатора, следовательно, смещается уровень Ферми, в результате чего изменяется работа выхода. Работа выхода должна увеличиваться или ул1еньшаться в зависимости от донорного или акцепторного характера адсорбированных молекул, т. е. от знака заряда, образующегося на поверхности, а соответственно изменениям работы выхода, вызванным смещением уровня Ферми, должна изменяться каталитическая активность. [c.101]

Фрейдлиха, логарифмические изотермы и др. Вид изотерм зависит от изменения во времени характера связи молекулы, адсорбированной на данном центре адсорбции, а также от кулоновского взаимодействия между адсорбированными молекулами. Хемосорбция на поверхности приводит к изменению работы выхода электрона из кристалла. Причиной этого изменения является появление поверхностного заряда, возникающего из-за наличия сильных адсорбционных связей. Зависимость между электропроводностью полупроводника и его каталитической активностью понятна, поскольку обе эти величины зависят от положения уровня Ферми в кристалле. Эти величины в ходе реакции могут изменяться в ту или иную сторону, в зависимости от характера реакции, протекающей на поверхности. Введение примесей в кристалл полупроводника меняет равным образом как его каталитическую активность, так и электропроводность, поскольку при этом изменяется концентрация электронов и дырок, а следовательно, и положение уровня Ферми. На основании этих представлений можно объяснить электронный механизм действия промоторов и каталитических ядов, а также явления фотосорбции и фотоката-лиза, поскольку облучение светом с определенной длиной волны способно изменить концентрацию электронного и дырочного газа на поверхности. Можно также понять влияние степени дисперсности полупроводникового катализатора, принимая во внимание, что при достаточно большой степени диспе] )сности полупроводникового материала положение уровня Ферми зависит от размеров частиц. [c.134]

Такая различная прочность связи, а также 5-образ-ный характер температурной зависимости адсорбции указывает, по-видимому, на существование нескольких заряженных форм хемосорбции кислорода. Из различного вида термодесорбционных кривых следует, что для разных окислов соотношение между этими формами отличается. Так, после прогрева в О2 при 500° окиси тербия кислород десорбируется только в высокотемпературной форме. В общем случае кислород после 500° прогрева содержится как в высокотемпературной, так и в низкотемпературной форме вследствие того, что после прогрева образец остывает в кислороде до комнатной температуры, после чего и проводятся измерения ф. Количественные характеристики форм хемосорбции кислорода, приведенные в табл. 1, дают возможность сравнить величину изменения работы выхода при адсорбции кислорода при 20° и после прогрева при 500° на образцах Н02О3, УгОз, ЬагОз и ТЬ40у — различной предварительной тренировки. Изменение Аф при адсорбции кислорода (Р = 0,5 мм рт. ст.). Переход от образца, тренированного при 500° (образец № 1), к образцу, тренированному при 800 (ст. тр. образец), в определенном смысле обратим, хотя и ие возможен с помощью одного только прогрева в кислороде. [c.277]