Ячейки и связи с порядком

В связи с этим в течение 1 сек ион fe раз будет переходить из одной ячейки ближнего порядка в другую. Эта диффузия будет [c.10]

Итак, во втором приближении средняя концентрация растворителя в ячейке связана с концентрацией у мембраны (с внутренней ее стороны) дифференциальным уравнением первого порядка. Действительно, процесс изменения средней концентрации требует некоторого времени. Постоянная времени внутреннего распространения частиц в этом приближении [c.143]

В большинстве случаев пространственные группы таковы, что молекулы в элементарной ячейке связаны друг с другом операциями симметрии. Если каждая молекула содержит тяжелый атом, то межатомный вектор таких связанных симметрией атомов попадает на паттерсоновской карте в легко идентифицируемую область. Рассмотрим пример, приведенный на рис. 13.31. Это моноклинный кристалл с двумя молекулами в элементарной ячейке и пространственной группой Я2,. Направлению Ь параллельна винтовая ось второго порядка. Если в положении лг а + > Ь + г с имеется тяжелый атом, то другой такой атом должен находиться в положении —х а + ( у + 1/2)Ь — г с. Соответствующий межатомный вектор на паттерсоновской карте есть 2л а — (1/2)Ь + 2г с. Таким образом, х к z можно определить путем нахождения пика в плоскости (1/2)Ь паттерсоновской карты. [c.377]

Результаты, полученные для простых гомогенных реакций, нетрудно распространить на гетерогенные реакции, а также процессы, включающие произвольное число реакций первого порядка. В случае гетерогенной реакции эффективной константой скорости к будет произведение константы скорости гетерогенной реакции, отнесенной к единице активной поверхности, на площадь активной поверхности в единице объема ячейки. Для этой величины останутся справедливыми все выделенные выше соотношения. Реакция на пористой частице катализатора может рассматриваться как гомогенная реакция, протекающая только в застойных зонах, но не в проточной части ячейки. Степень превращения, достигаемая в результате такой реакции, по-прежнему определяется формулой (VI.58), но функция А к) в этом случае должна быть связана с функцией распределения времени пребывания только в застойных зонах, а не во всем объеме ячейки. Эта видоизмененная функция А (к), в отличие от (VI.59), будет иметь вид [c.233]

Для описания связей в графе будем использовать два типа таблиц 4-таблицу связей и Б-таблицу связей, -таблица связей строится следующим образом. Она содержит столько строк, сколько имеется вершин в графе каждая строка соответствует вершине графа. Рассмотрим строчку, отвечающую произвольной А -ой вершине. В первой ячейке у нее ставится номер к этой вершины, во всех остальных ячейках в произвольном порядке ставятся вершины, положительно-инцидентные вершине к. I [c.48]

Однако применение законов кинетической теории газа к электронному газу приводит к значению а, отличающемуся от эксперимента. Делокализация валентных электронов-в кристаллической решетке металла, а следовательно, отсутствие в ней направленных валентных связей объясняет тот факт, что металлы имеют большое координационное число К, плотнейшую сферическую упаковку, а также чаще всего кубическую объемно-центрированную элементарную ячейку решетки. Некоторые металлы могут кристаллизоваться в различных типах решеток например, при температуре <768 °С магнитное -железо имеет /( = 8, а при температуре >906 °С устойчивым является немагнитное у-железо с /С=12. Впрочем, для некоторых тяжелых металлов наряду с металлической связью, образованной З -электронами, реализуются слабые ковалентные связи между атомами, в то время как 45-электроны образуют электронный газ. Для такой смешанной металлической и межатомной связи характерно образование пар электронов как с параллельными, так и с антипараллельными спинами (для марганца— антипараллельные, для железа — параллельные). Этим объясняется различие в магнитных свойствах металлов параллельные спины обусловливают ферромагнетизм, т. е. положительная магнитная восприимчивость на два или три порядка [c.138]

Для бора и кислорода это условие нарушается, в связи с чем имеет место соответ-ствуюш,ее уменьшение потенциала ионизации первого порядка (В — 8,31 О — 13,61 эВ). Повышенная устойчивость электронных структур с полностью вакантными внешними квантовыми ячейками, а также наполовину заполненными электронами является следствием взаимного отталкивания друг от друга электронов, находящихся на одной и той же орбитали. [c.49]

Схема другого устройства с оптическим блоком детектирования представлена на рис. 15.3-1. В своей основе он состоит из устройства ввода с делением потока (контролирующего порции пробы, вводимой в колонку), самой колонки, специальной прокладки, удерживающей наполнитель в колонке, и ячейки детектора. Для достижения удовлетворительной чувствительности при детектировании, основанном на флуоресценции пробы, необходимо, чтобы длина оптического пути была порядка 1 мм. В связи с этим световой поток пропускают по всей длине канала детектора (для чего на внешнюю стенку наносят отражающее алюминиевое покрытие) и направляют в фотоумножитель через оптическое волокно. При общем объеме колонки 490 нл объем детектора составляет 2,3 нл. На рис. 15.3-3 представлен пример хроматографического разделения двух флуоресцентных красителей (флуоресцеина и акридинового оранжевого), реализованного менее чем за 1 мин. [c.643]

Структура тетрагонального В50 сравнительно проста. Из 50 атомов, приходящихся на элементарную ячейку, 48 образуют четыре почти правильных икосаэдра, которые связаны непосредственно друг с другом и через оставшиеся атомы бора. Последние образуют тетраэдрические связи атомы икосаэдров связаны с пятью своими соседями по группе В12, а шестую связь образуют с атомом другого икосаэдра или с отдельным атомом В. Координация всех атомов В в икосаэдре соответствует пентагональной пирамиде, но для 8 из 12 атомов В наблюдается существенное отклонение (20°) внешней связи от направления оси пятого порядка икосаэдра. Длины связей в этой структуре равны 1,60 А для атомов В с КЧ 4, 1,68 А для связей [c.173]

Естественное решение этого противоречия — переход к рассмотрению реальной хаотической структуры частиц, в которой деформация ячеек существенно связана с перетеканием иммобилизованной воды из одних ячеек в другие через относительно узкие зазоры (см. рис. 57, в, г). Следуя этой схеме, полагаем, что сдвиг Е вызывает изменение объема ячеек в среднем на величину и соответственно влечет перетекание через зазоры между ячейками объемов воды V = 3/ е, где р — фактор (порядка нескольких единиц), учитывающий, что в хаотической неправильной структуре частиц микропроцесс перетекания охватывает несколько соседних элементарных объемов. Если течение происходит в зазоре толщиной а, шириной Ь и длиной с (рис. 48), то средняя скорость в потоке составляет = Р 1аЫ. Распределение скорости в потоке определяется при этом, как известно, параболическим законом [c.241]

Необходимо рассмотреть еще два вопроса, которые, однако, уже не приводят к каким-либо новым осложнениям. Во-первых, расчет ф2 заметно упрощается, если предположить наличие равновесия в двойном слое, т. е. если ток через ячейку не протекает. Конечно, такой случай не реализуется при кинетических измерениях, однако, как будет показано в разд. 5, структура двойного слоя мало меняется при протекании тока, если плотность тока не очень велика. Во-вторых, для случая смешанной кинетики, когда скорости переноса вещества и заряда имеют одинаковый порядок, следует учитывать также взаимное влияние диффузного двойного слоя и диффузионного слоя. Эта проблема связана с предыдущей. К счастью, на практике такие трудности не возникают, так как толщина диффузного двойного слоя на несколько порядков меньше толщины диффузионного слоя даже при использовании высокочастотных методов на пределе их современных возможностей. Поэтому при внесении поправки на перенос вещества не требуется учитывать структуру двойного слоя и можно непосредственно использовать уравнения раздела 4 гл. УП. [c.216]

На верхнем рисунке Т-атомы расположены в вершинах многогранников. Ионы кислорода, обозначенные номерами от 1 до 4, лежат вблизи середин ребер, но смещены таким образом, что образуют тетраэдры вокруг Т-атомов. Четыре оси вращения третьего порядка проходят через гексагональные призмы и центр содалитовой ячейки и (на рисунке показаны три оси, так как четвертая проходит перпендикулярно плоскости рисунка). Внизу показано сечение, проходящее через точки, обозначенные буквами на верхнем рисунке. Сечение проходит через ионы кислорода (1-4) и через места локализации катионов, обозначенные римскими цифрами. Штриховыми линиями показаны связи катионов, занимающих места I и Г, с кислородом. [c.57]

Наилучшим образом картина состояния дислокаций в реальном кристалле иллюстрируется полученными Хеджем и Митчеллом [20] микрофотографиями внутреннего выделения фотолитического серебра в бромистом серебре. Эти авторы применяли материал высокой чистоты, кристаллизованный из расплава. Предварительно он был пластически деформирован до некоторой степени при охлаждении между стеклянными пластинами с различным коэффициентом расширения и отжигался перед экспозицией на свету. Очень. мелкие частицы выделившегося серебра проявили линейные сетки внутри кристалла, имеющие все ожидаемые характеристики дислокационных систем. Они образовали сетки, для расстояний между которыми типична величина полмикрона или близкая к ней. Сетки состояли иногда из параллельных линий, иногда из линий, перекрещивающихся под тройными узлами с образованием гексагональных узоров с рядами промежуточных узоров из удлиненных шестиугольников. Эти двухмерные дислокационные сетки связаны вместе подобно мыльным пленкам в пене и разделяют кристалл на ячейки размером порядка 10 микрон, внутренняя часть которых свободна от линий или содержит только небольшое количество их. В материале, несколько менее отожженном, линии находятся в менее упорядоченных расположениях, в основном трехмерного характера. Нет реальных оснований сомневаться в том, что эти линии обнаруживают положение дислокационных линий (и, вероятно, всех их в материале). Эти наблюдения подтверждают впервые, что термин мозаичная структура может быть весьма удовлетворительным описанием состояния несовершенства реального кристалла. [c.28]

Приведем конкретный пример связной диаграммы процессов в полупроницаемой мембране для простейшего случая системы с компонентами А ж В, участвующими в реакции А В. Соответствующая диаграмма связи приведена на рис. 2.7, Если бы в реакции участвовало большее число компонентов, то каждому из них соответствовала бы своя (К—С)-цепочка диффузии, причем в каждой 1-й ячейке (К — С)-звено было бы связано через ТР-преобразователи сдвухсвязным диссипативным К-элементом химического превращения. По сути процесса в построенной диаграмме важно отразить тот факт, что молекулы-носители не проникают через границы мембраны, т. е. диаграммная сеть должна начинаться и заканчиваться К-элементами диффузионных сопротивлений, причем крайнее левое диффузионное сопротивление (на участке 1 ) и крайнее правое диффузионное сопротивление (па участке ) должны быть бесконечно велики (практически на несколько порядков выше, чем внутренние сопротивления). Для этого в связной диаграмме полное сопротивление диффузии /с-го компонента в г-й ячейке [c.133]

Кристаллическую решетку ионного соединения можно рассматривать как бесконечное повторение минимального трехмерного участка (параллелепипеда), называемого элементарной ячейкой. В соответствии с симметрией элементарной ячейки кристаллическую решетку относят к одной из кристаллических систем (сингоний) кубической, тетрагональной, гексагональной, тригональной, орторомбической, моноклинной и триклинной (в порядке убывания симметрии). Нена-сыщаемость и ненаправленность ионной связи приводят в большинстве ионных кристаллов к образованию структур так называемых плотнейших упаковок. Это кубические решетки типов Na I и s l (рис. 60), сфалерита (ZnS) и флюорита (СаРг), гексагональные типа ZnO и др. [c.129]

Последующее молекулярное описание одноосного деформирования неориентированного частично кристаллического полиэтилена характеризует пластическую деформацию волокон, образующих термопласты со сферолитной структурой. Оно может служить иллюстрацией большого разнообразия механизмов деформирования. При деформациях менее 1 % выявляют анизотропные упругие свойства кристаллов (орторомбического) полиэтилена [57] и аморфного материала [53]. При тех же самых условиях имеют место неупругие деформации СНг-групп и сегментов цепей, которые обусловливают низкотемпературные Р-, у- и б-релаксационные механизмы [10, 56]. При больших деформациях (1—5%) происходит дополнительное изменение сегментов цепи, их относительного положения и конформационные изменения (поворот связей). Подробное исследование поведения цепей в аморфных областях было выполнено Петракконе и др. [53]. В кристаллических областях под действием деформаций такого же порядка возникают дислокации и дислокационные сетки (наблюдаемые в ламеллярных кристаллах в виде муаровых узоров). В зависимости от условий внешнего нагружения и типа дислокаций их движение вызывает пластическую деформацию кристалла путем двойникования, смещения плоскостей или фазового перехода орторомбической ячейки в моноклинную. Обширный обзор деформирования полимерных монокристаллов был дан Зауэром и др. [57] и в книге Вундерлиха [3]. Детальный расчет вклада различных структурных элементов и дефектов в деформирование частично-кристаллических полимеров можно найти во многих статьях, из которых здесь приводятся только некоторые [47—62]. Хотя упомянутые выше эффекты обусловливают нелинейность зависимости напряжение—деформация, первоначально существовавшая надмолекулярная организация все еще сохраняется. Подобная деформация называется однородной. [c.41]

Основные недостатки высокочастотного метода связаны с тем, что емкостное сопротивление при частоте 1 Л4гг имеет величину иа1—2 порядка меньше, чем объемное сопротивление электролита в ячейке. Поэтому для создания амплитуды напряжения на ячейке порядка 10 мв необходимо пропускать сравнительно большой ток, что приводит к нагреванию раствора. Большая плотность тока па электроде создает большое падение иапряжения в электролите, которое затрудняет измерение амплитуды потенциала электрода. Кроме того, зависимость напряжения на ячейке от концентрации при поляризации напряжением высокой частоты нелинейна. [c.229]

Жидкое состояние вещества является промежуточным между твердым и газообразным (рис. 1.1). Сбласть существования жидкости ограничена со стороны низких температур переходом в твердое состояние (точки сМ ), а со стороны высоких — переходом в газообразное состояние (точки с, е). Линия АК, разделяющая жидкую и газообразную фазы, заканчивается критической точкой, соответствующей температуре и давлению р р, выше которых невозможно существование жидкости в равновесии с паром. Линия равновесия жидкость — твердая фаза критической точки не имеет. У металлов температура плавления повышается с увеличением давления (кривая АВ) у льда, кремния, гер1иа-ния — понижается (кривая АВ ). Точка А на диаграмме состояния соответствует температуре и давлению, при которых в закрытом сосуде находятся в равновесии твердая, жидкая и газообразная фазы. Жидкости сочетают некоторые свойства как твердых тел, так и газов. Твердые тела бывают кристаллические и аморфные. По типам связи кристаллы подразделяют на атомные, ионные, металлические и молекулярные. Они обладают ближним и дальним порядками. Ближний порядок означает правильное расположение около фиксированного атома, иона или молекулы определенного числа ближайших соседей. Дальним порядком называется расположение частиц в определенной последовательности с образованием единой трехмерной решетки. При наличии дальнего порядка расстояние до любого атома кристалла вычисляется через параметры элементарной ячейки по формуле [c.7]

В случае полного вытеснения среды из зазора (при прорыве адсорбционно-сольватной оболочки или в вакууме) достигается непосредственное точечное (по одной или нескольким атомным ячейкам) соприкосновение частиц (см. рис. XI—16, б). При этом наряду с ван-дер-ваальсовыми силами в сцеплении частиц могут участвовать также близкодействующие (валентные) силы, реализуемые на площади непосредственного контакта. Их вклад в прочность контакта можно оценить по порядку величины как р1 хЛ 1ЬЧлеа, где Jf — число валентных связей, возникающих в контакте, е — заряд электрона, ео — электрическая постоянная, Ь — характерное межатомное расстояние (несколько А). В таком случае при несколько единиц находим значения И и ниже, т. е. для микронных и более крупных частиц в лиофобных системах вклад близкодействующих сил в прочность контакта оказывается того же порядка (или меньше), что и вклад ван-дер-ваальсовых сил. [c.317]

ФАРАДЕЕВСКОГО ВЫПРЯМЛЕНИЯ МЕТОД, метод исследования механизма и кинетики процессов на фанице электрод - электролит. Основан на измерении эффектов нелинейности вольтамперной характеристики электрохим. системы. Вольтамперная характеристика, выражающая связь между напряжением и током, пропущенным через ячейку, м. б. представлена в виде разложения в стеленной ряд, при этом, как правило, Офаничиваются квадратичными членами (дифференциалами второго порядка). В регистрируемом отклике ячейки на воздействующий синусоидальный ток выделяют на той же частоте синусоидальное напряжение, отстающее от тока по фазе (амттлитуда и фаза характеризуют линейные параметры), и сигналы второго порядка малости постоянная составляющая, составляющая на еторой гармонике, составляющие комбинационных частот. [c.57]

Наличие элементов симметрии в элементарной ячейке приводит к одинаковым величинам Ihki, что характерно для многих кристаллических систем. Винтовые оси и плоскости скольжения, в которых всегда имеется параллельный перенос, связаны с систематическими разрушающими интерференционными эффектами (систематические погашения) в случае некоторых типов брэгговских отражений (например, Of O, к = 2п + 1), для 21-винтовой оси второго порядка в направлении Ь. Систематические интерференционные эффекты также возникают в центрированных решетках Браве (например, для объемно-центрированной решетки Тьы, где h + к + I = 2n-f-l, отражения отсутствуют). В случае гомогенных образцов, содержащих два или более микрокристаллических вещества, можно использовать характеристические порошковые линии для количественного анализа индивидуальных компонентов. Интенсивность Ifiki такой линии должна, в принципе, быть прямо пропорциональной количеству компонента, ответственного за ее появление. Однако поглощение рентгеновских лучей другими веществами, наличествующими в образце, может привести к систематическим погрешностям. Следовательно, в этих случаях весьма рекомендуется использовать метод внутреннего стандарта. В этом методе строят градуировочную зависимость при добавлении известных количеств исследуемого вещества к исходному образцу. Также важным условием является случайный характер ориентации кристаллитов в пространстве, а их размеры должны составлять от 5 10 до 5 10 " см. [c.404]

Проекция кубической сетки (10,3) на грань кубической ячейки (сплошные кружки и линии на рис. 3.28,6) показывает, что сетка строится из спиралей с винтовыми осями четвертого порядка и одинаковым направлением вращения (против часовой стрелки). Цифры обозначают высоты точек, выраженные в единицах с/8, где с —длина ребра ячейки. В том же объеме может быть расположена вторая сетка, и если она зеркально равна первой, то всегда расстояния между связанными точками сетки короче, чем расстояния между точками разных сеток. Во второй сетке на рис. 3.28,6 (штриховые кружки и линии) спирали закручены по часовой стрелке. Такой тип структуры, представляющей собой трехмерный рацемат, пока неизвестен, но ввиду ее сходства со структурой р-гидрохинона, описанной ниже, нет оснований отрицать возможность ее возникновения в подходящем соединении. Еще более интересной структурой обладает [(Нд2)з02Н]С1з (разд. 26.3.3), где присутствуют четыре взаимопроникающие сетки (10,3) данного типа, причем атомы О расположены в точках сетки и связаны через спаренные атомы Нд. [c.139]

Кинетика реэкстракции H2SO4 из раствора TOA в 0,1 н. серную кислоту не зависит от интенсивности вращения мешалки в диффузионной ячейке [18], что указывает на значительное поверхностное сопротивление. При низких концентрациях TOA HHSO4 в органической фазе 0,15 М) наблюдается первый nojjHflOK по соли, при высоких (>0,15 М) — нулевой. Изменение порядка от первого до нулевого с ростом концентрации образующегося бисульфата связано с поверхностно-активными свойствами соли. При высоких концентрациях бисульфата поверхность раздела фаз полностью насыщена I солью, о чем свидетельствует независимость скорости реэкстракции от концентрации бисульфата. Это явление аналогично десорбции с твердой поверхности, протекающей по механизму лангмюровской кинетики. [c.414]

Дислокационная структура и процессы роста. Собирание ростовых дислокаций в жгуты и стенки по мере развития акцессорного рельефа — весьма характерный процесс для пинакои-дальных кристаллов кварца. Как уже отмечалось, дислокации не являются причиной формирования ячеистого рельефа. Такой рельеф образуется и на полностью бездислокационных кристаллах как форма проявления неустойчивостей при нормальном механизме отложения вещества. Характерная особенность рельефа типа булыжная мостовая — наличие нескольких порядков ячеистости. Это наблюдалось во всех без исключения исследованных кристаллах с таким видом рельефа. На толстых кристаллах наблюдается до трех порядков ячеистости, причем самые мелкие ячейки имеют размер 0,5—1,5 мм. Можно предполагать, что именно этот размер и будет характерным. Существование более крупных (более ранних по времени образования) ячеек связано с тем, что границы между ними, очевидно, закреплены скопляющейся там примесью. [c.94]

Структура кристаллического н-додециламмоний бромида (ДАБ) приведена в работе [8]. Данное катионное ПАВ при его кристаллизации из ацетона организуется в виде моноклинической структуры с единицами констант ячейки а, 6 и с 6,030 А, 6,958 А и 35,639 Е соответственно Р = 92,09°. На одну единичную ячейку приходится четыре молекулы ПАВ. Установлено существование трех фазовых переходов при 56, 62 и 73 °С, предшествующих плавлению с разложением при 200 °С, что соответствует ранее полученным данным [9]. Как показано на рис. 5.2, катионы упаковываются в гребенчатые бислои, где углеводородные цепи упаковываются на площади с поперечным сечением 18,8 А и имеют угол наклона к нормали всего 27°. Данные цепи октаэд-рически скоординированы с двумя аксиально- и двумя экваториально-связанными аммонийными группами, а также двумя бислоями. Бромид-ионы экваториально связаны с метильными группами. Таким образом, пространство, занимаемое концевой полярной группой (головой), составляет порядка 42 А . [c.142]

Так, например, в статистической теории упорядочения (гл. III) метод статических концентрационных волн открывает новые возможности для теории. Он позволяет учесть взаимодействие атомов в произвольном числе координационных сфер и связать потенциалы межатомного взаимодействия со строением кристаллической решетки упорядоченных фаз. Представление вероятности распределения с помощью статических кондентрационных волн может быть полезным и в отношении интерпретации экспериментальных данных по рассеянию рентгеновских лучей упорядоченными сплавами и интерпретации картин электронной микродифракции. В самом деле, если обратиться к рассмотренному примеру сплава uAuI, то можно заметить, что мы не только определили параметр дальнего порядка, но и нашли стехиометрический состав и атомно-кристаллическое строение упорядоченной фазы. При этом мы воспользовались лишь тем, что картина дифракции рентгеновских лучей содержит только один сверхструктурный вектор ко = 2лаз в каждой примитивной ячейке Бравэ, образованной сверхструктурными векторами обратной решетки. [c.31]

При двухэлектродном режиме работы ячейка содержит рабочий электрод (поляризуемый электрод, катод) и электрод сравнения (неполяризуемый электрод, анод). В действительности в этом режиме поляризуется также и электрод сравнения, но вследствие того, что используется электрод с большой площадью поверхности, поляризация на единицу поверхности его оказывается незначительной. Однако при анализе сложных растворов природа материала электрода сравнения (ЭС) изменяется. Это приводит к изменению его потенциала и к ошибке в качественном анализе. Если в раствор поместить третий электрод и его включить в цепь обратной связи компенсатора, то второй электрод, называемый вспомогательным (ВЭ), будет находиться в токовой цепи ячейки и служить для образования этой цепи, а третий электрод — электрод сравнения — будет находиться в бестоковой цепи. Через ЭС проходят токи порядка 10- —10 ° А, и он может быть почти идеальным электродом, относительно которого можно отсчитывать потенциал РЭ. В такой конструкции благодаря обратной связи компенсируется не только г я, но и (7сэ, и поэтому допускается поляризация поверхности вспомогательного электрода. Можно, например, использовать электроды с малой площадью поверхности, большим сопротивлением. А при применении электрода, который может вводиться в приэлектродную область, в трехэлектродном режиме компенсируется падение напряжения за счет омического сопротивления раствора, и требования к проводимости фона становят- [c.110]

Рентгеноструктурный анализ кристаллических полимеров в принципе может давать сведения о координатах атомов в элементарной ячейке, однако, ввиду не очень совершенного порядка число отражений мало и прямые решения структурной задачи невозможны [19]. Рентгенограммы растянутого образца дают информацию о периоде идентичности (с) вдоль оси волокон. Чтобы получить другие параме.тры спирали — трансляцию вдоль оси при переходе от одной эквивалентной мономерной к следующей (с1) и угол поворота в плоскости, перпендикулярной оси спирали (0 = 2ят/тг), обычно действуют методом проб и ошибок, т. е. делают некоторые предположения относительно симметрии спирали, или (что то же) относительно числа мономерных звеньев в витке. Например, предполагаю , чго спираль имеет симметрию 3[ (т. с. 3 мо номерных единицы в одном витке — п/т = 3), 4ь 7г и т. д. Некоторые типы симметрии спиралей приведены на рис. 2. Далее для выбранного типа симметрии рассчитывают теоретическое распределение интенсивности и сравнивают его с наблюдаемым. Теория рассеяния рентгеновских лучей на спиралях была разработана Кокреном, Криком и Вандом [20] в связи с интерпретацией рентгенограмм спиральных полипептидов и в дальнейшем использовалась для предсказания структуры ДНК, регулярных полимеров и т. д. (см. также [19]). [c.10]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология