Поверхностная актив свободная

При адсорбции поверхностно-агрессивных веществ, ориентирующихся своими полярными группами к поверхности адсорбента, свободная поверхностная энергия адсорбента, а следовательно, и поверхностное натяжение на границе раздела фаз падают. Поэтому величина поверхностного натяжения на границе раздела фаз может служить критерием наличия поверхностно-актив-ных веществ в масле. Последние улучшают смазочную способность масла, создавая адсорбционные пленки на поверхности металла, однако при этом они, как правило, повышают эмульгируемость и вспениваемость масла. [c.48]

Дальнодействующие силы, приводящие к утоньшению пленки, возникают в процессе десорбции поверхностно-актив-ного вещества, диффузии его к поверхности раздела вода— воздух и адсорбции на ней. Так как адсорбция поверхностноактивного вещества сопровождается понижением поверхностного натяжения, возникает пленочное течение в области пленки, свободной от поверхностно-активного вещества, способствующее ее утоньшению [22]. [c.147]

По схеме рис. 1.6, а поверхность обогащается радикалами, которые вступают в реакцию, как показано на рисунке, или могут за счет десорбции радикалов, слабо связанных с поверхностью, давать начало гомогенным цепным реакциям. По схеме 1.6, б молекула, обладавшая в свободном состоянии двойной связью, в адсорбированном виде приобретает свободную валентность и делается реакционноспособным поверхностным радикалом. В обоих случаях свободная валентность остается ненасыщенной и после акта адсорбции, но перемещается от атома поверхности катализатора к молекуле, участвующей в реакции. [c.23]

Таким образом, предложенные до настоящего времени теории первичного акта нуклеации, строго говоря, применимы только для полимеров бесконечно большого молекулярного веса. Все теории формально совпадают как друг с другом, так и с классической теорией нуклеации низкомолекулярных веществ. Единственные различия могут быть связаны со значениями поверхностной свободной энергии различных моделей на границе раздела фаз. Эти величины не поддаются оценке при любом теоретическом расчете. В связи с тем, что для полимеров поверхность свободной энергии, изображенная на рис. 82, по-прежнему определяет условия кристаллизации, ограничения, накладываемые на переход от зародыша критического размера к устойчивому кристаллиту, остаются в силе и для полимеров. [c.245]

Тщательное изучение кинетики и механизма каталитического окисления простейших непредельных углеводородов на металлах и полупроводниках, осуществленное Марголис и, Рогинским [85] с применением меченых атомов С и О , привело к совершенно новым выводам по сравнению с широко распространенными представлениями о последовательном окислении, которые охарактеризованы выше (см. стр. 106). В гл. VI были приведены основные реакции окисления, происходящие главным образом в объеме. Для них катализатор или стенка сосуда служат прежде всего в качестве инициатора цепей, развитие же цепей происходит в объеме в результате статистического процесса столкновений свободных радикалов с молекулами. Для этих реакций представления о последовательном образовании стабильных продуктов разной степени окисления (по крайней мере формально), очевидно, еще не утратили значения. Однако наряду с этими цепными реакциями имеются и такие, которые не только инициируются поверхностью, но протекают на ней. Поверхность от начала и до конца каталитического акта участвует в процессе окисления, образуя различные промежуточные поверхностные формы. Представления о последовательном образовании в ходе реакции устойчивых промежуточных продуктов возрастающей степени окисления, как показали Марголис и Рогинский, в этом случае оказываются несостоятельными. Каждый такой продукт окисления — альдегид, окись, кислота, СО, СО2— образуется параллельно другому по своему особому направлению превращений. В этом направлении представлена последовательность промежуточных поверхностных форм, т. е. плоская цепь, заканчивающаяся образованием и десорбцией данного продукта. [c.285]

Первичный акт взаимодействия СОг+С заключается в адсорбции углекислоты на поверхности углерода и образовании поверхностного комплекса С Оу из адсорбированных молекул углекислоты и свободных поверхностных атомов углерода (реакция первого порядка — стадия а) [c.90]

Как показали измерения [284, 520], скорость миграции атомов углерода в твердом теле при всех температурах, при которых изучалась реакция с кислородом, практически слишком мала, чтобы непосредственно влиять на механизм реакции. В обычном диапазоне температур вплоть до 600°С все вероятные механизмы включают первичный акт цепной реакции. Реагирующие вещества, например молекулярный Ог, закрепляются в некоторых местах углеродной сетки (обычно на дефектах). В благоприятных случаях неустойчивые продукты, которые образуются в результате взаимодействия молекул на начальной стадии, можно определить как поверхностные окислы . Если температура достаточно высока, эти продукты распадаются. Газообразная молекула отделяется от решетки обычно таким образом, что оставляет некоторый дефект в макромолекуле углерода, от которой она отделилась. Это часто дает возможность свежей молекуле реагирующего вещества снова присоединиться, так что повторные стадии могут следовать за первичным актом в известном смысле аналогично цепным реакциям свободных радикалов. [c.200]

Элементарные акты, результатом которых оказывается изменение химического состояния системы, могут быть названы элементарными реакциями. Такими элементарными реакциями являются, в частности, образование атомов, ионов и свободных радикалов из других молекул и атомов, превращения, приводящие к продуктам другого состава или к возбужденным частицам, например образование поверхностных соединений с катализатором и изменения в результате их взаимодействий. [c.19]

Формальным аналогом кинетического закона действующих масс для элементарных процессов на твердых поверхностях является закон действующих поверхностей Лэнгмюра [24, 105 108]. Согласно его первоначальной формулировке скорость реакции пропорциональна поверхностным концентрациям реагирующих веществ в степенях, равных стехиометрическим соотношениям, в которых они вступают во взаимодействие. Кроме того, если реакция протекает с увеличением числа частиц, скорость ее также пропорциональна концентрации свободных мест поверхности в степени, равной увеличению числа адсорбированных частиц в элементарном акте поверхностного взаимодействия. [c.41]

Нужно, однако, заметить, что проблема путей подбора и поиска оптимальных гетерогенных катализаторов окислительного дегидрирования углеводородов нуждается в. дальнейшей теоретической проработке. В этой проблеме одним из центральных следует считать вопрос о механизме элементарных актов взаимодействия дегидрируемого вещества с поверхностью катализатора. В общем случае возможны три типа поверхностных реакций, конкурирующих между собой. Одни из них связаны с одновременным отщеплением двух атомов водорода от соседних реагирующих групп под влиянием поверхностного кислорода. и окислением их до НгО. Другие отражены реакциями, при которых стадии распада С—Н-связей разделены во времени, в силу чего на поверхности появляются свободные гидроксилы. [c.61]

Разложение высокомолекулярных соединений под действием УФ-света и излучений высокой энергии, к которым относят как частицы, движущиеся с большими скоростями В -частицы, нейтроны), так и электромагнитные излучения (рентгеновские и у-лучи), связано с явлением электронного возбуждения и с образованием свободных радикалов, инициирующих цепные реакции. Процессы фотохимического и радиационного распада различаются распределением поглощаемой энергии. Фотоны видимой и ультрафиолетовой частей спектра имеют энергию примерно такого же порядка, как и химические связи они поглощаются в поверхностных слоях вещества, вследствие чего фотохимические реакции являются негомогенными каждый квант участвует только в одном первичном акте взаимодействия с определенными атомами или связями макромолекул. Радиационные излучения обладают высокой проникающей способностью, и поэтому радиационно-химические реакции в облучаемой среде протекают достаточно равномерно по всему объему вещества. В отличие от квантов УФ- и видимого света для проникающих излучений характерно множественное взаимодействие каждого кванта с различными атомами или связями макромолекул, и селективность взаимодействия имеет здесь меньшее значение . [c.307]

Как сказано выше, при химическом взаимодействии молекулы с насыщенными связями с поверхностью первым актом должен явиться разрыв одной из связей адсорбирующейся частицы. Этот разрыв осуществляется при встрече молекулы со свободной валентностью (свободным электроном или электронной дыркой) поверхности. Дальнейший характер образования адсорбционного соединения существенно зависит от того, содержит молекула одинарные или кратные связи. На рис. 122, а показана схема адсорбции молекулы, в которой два атома (или радикала) А и В соединены простой связью. Разрыв этой связи приводит к образованию поверхностного соединения с прочной (на схеме атом А — поверхность ) и слабой ( атом В — поверхность ) гомеополярными связями. В результате обратимых процессов электронного об- [c.500]

Если в некоторой точке начинается восстановление, то, повидимому, бесспорно, что очень быстро восстанавливается часть магнетитового зерна. На основании известных нам данных нельзя решить вопрос о том, имеют ли те участки, которые претерпевают быстрое превращение в самом начале процесса восстановления, размеры вплоть до 30 (что, как было найдено Вильчинским, является верхним пределом для монокристаллов), или же они представляют собой гораздо более мелкие мозаичные блоки. В первом случае при каждом инициированном акте восстановления может образоваться ряд кристаллитов железа во втором случае скорее всего будет получаться только один кристаллит железа. При сравнении величины поверхности и данных по хемосорбции СО можно видеть, что на этой стадии поверхность кристаллитов железа восстановлена не полностью. Полное восстановление поверхностных участков железа, обладающих большой свободной энергией, следует проводить медленно при этом требуется, чтобы отношение водорода к парам воды в газовой фазе было достаточно велико. При каждой данной величине этого отношения все места, имеющие избыток свободной энергии, восстанавливаются до определенного предела. [c.25]

Сделаны первые попытки создания радикально-цепной теории, основанной на трактовке активных центров как свободных валентностей [58, 2] и на механизмах полупроводникового катализа. Влияние контактных реакций на орто-шра-превращение водорода и изотопный обмен целыми радикалами при этих реакциях [59] указывают на существование лабильных радикалов или радикалоподобных форм при классическом органическом ка-та лизе. В то же время делается очевидным, что как и в гомогенном катализе, в жидкостях в качестве отправного элементарного акта чаще, чем образование обычных ковалентных связей и переход электронов, происходит образование лабильных комплексов присоединения со всем широким набором химических связей, встречающихся в электронной химии лигандов и твердых тел. Дальнейшая конкретизация структуры и свойств этих соединений и изучение закономерностей химии двухмерных поверхностных координационных соединений — задача ближайшего времени. Вторая актуальная задача — установление роли свободных радикалов и цепных реакций в осуще- [c.511]

Глава 2 посвящена вопросам элементарного акта флотации - определению количественных соотношений, связывающих условия равновесия частиц на границе жидкость—газ с ее удельной свободной поверхностной энергией и совокупностью различных характеристик частиц. Сформулированы задачи флотации, показана возможность их решения на основе применения уравнений капиллярной физики. [c.3]

Колебания коэффициента а объясняются колебаниями в характере состава сточных вод, а также в некоторых характеристиках системы аэрации (температура, давление и пр.). Из табл. П1.1 видно, что с уменьшением концентрации загрязнений в сточных водах коэффициент качества сточных вод приближается к единице. В некоторых случаях значение а превосходит единицу в несколько раз. Исследователи объясняют это влиянием поверхностно-актив-ных веществ ПАВ в аэрируемой воде на величину коэффициента массопередачи. При этом отмечено, что при низких концентрациях ПАВ величины Kl, Klu уменьшаются. Затем при более высоких концентрациях ПАВ обе величины начинают возрастать, при этом значения объемного коэффициента массопередачи возрастают более интенсивно по сравнению со значениями коэффициента массопередачи жидкой пленки. Каллэн и Дэвидсон полагают, что при низких концентрациях мицеллы ПАВ адсорбируются на поверхности раздела фаз, создавая барьер диффузии кислорода, а при высоких концентрациях они снова десорбируют в жидкость. Было показано, что величина отклонений коэффициента массопередачи зависела не только от концентрации загрязнений, но и от техники аэрации, гидродинамических условий в аэротенке, а также вида ПАВ. Последние, у которых на границе раздела фаз равновесие адсорбции устанавливается быстро, имеют более глубокое влияние на процесс массопередачи, чем ПАВ, медленно достигающие значения равновесий концентрации на границе раздела фаз. Это означает, что постоянно обновляющаяся поверхность будет менее подвержена влиянию ПАВ, чем поверхность с длительным временем экспозиции. При этом в зависимости от вида ПАВ коэффициент массопередачи может быть как ниже, так и выше значения его в воде, свободной от ПАВ. [c.83]

Этот процесс во многом определяется интен-сиввюстью, продолжительность [О и частотой растягивающих и сдвиговых деформационных нагрузок (сжимающее нагрузки обычно способствуют релаксации микротрещин). При этом известная роль в разрушении может принадлежать адсорбции поверхностно-актив-пых веществ (ПАВ) вновь вскрытыми свободными поверхностями. Указанное представляется более перспективным для случаев сухого разрушения горных пород, так как при мокром процессе применение ПАВ не дает какого-либо существенного эффекта. [c.33]

Механизм, посредством которого действуют указанные добавки, не вполне ясен, и в опубликованных работах имеется мало данных по этому вопросу. Однако некоторые общие принципы могут быть установлены. Обычной практикой является введение в нефтяное производное некоторых поверхностноактивных добавок. Эти добавки адсорбируются поверхностью металла значительно сильнее, чем вода, образуя при этом трудносмещаемый, плотноупакованный, ориентированный слой, сквозь который вода проникает с трудом. Поверхностно-актив-ный агент обычно состоит из молекул с длинной цепью, имеющей полярную группу на одном конце ее. Толщина адсорбционной пленки на поверхности металла, повидимому, не превышает толщины нескольких молекулярных слоев. У многих соединений свободные молекулы с внешней стороны адсорбционной пленки связывают избыток влаги, который, проникая во внешний слой покрытия, образует пенистую эмульсию. Таким образом создается полутвердая структура мелких капелек, каждая из которых состоит из слоя полярных молекул в масляной фазе, окружающих водяную каплю. Полярные соединения ориентируются своими гидрофобными углеводородными хвостами наружу, так что при длительном пребывании в воде образуется полутвердая, плотноупакованная структура, толщина которой может в несколько раз превышать первоначальную толщину нанесенной пленки. Эта пленочная эмульсия имеет свойства отталкивать воду и препятствует диффузии воды и кислорода. В некоторых случаях защита обеспечивается тонкой химически связанной или хемисорбированной пленкой, которая затрудняет. доступ к поверхности коррозионно-активных ионов. В других случаях может иметь место адсорбция пленки преимущественно на катодных участках, что препятствует электрохимическому действию окислителя [И]. [c.304]

Ускорение ползучести в условиях действия адсорбционноактивных сред отмечалось неоднократно. В работе [261] рассматривается один из возможных механизмов влияния снижения свободной поверхностной энергии на некоторые механические характеристики твердых тел, в том числе и на скорость ползучести. Сущность механизма заключается в том, что свободная поверхность, наряду с межзеренной, рассматривается как основной источник точечных дефектов (вакансий) в объеме поликристалла. Мощность этого источника зависит от равновесной концентрации С - изломов на поверхностных ступенях атомарной высоты. Элементарный акт образования вакансии на поверхности заключается в переходе атома твердого тела на излом атомарной ступени. Следовательно, поток вакансий с поверхности кристалла в его объем должен возрастать при уменьшении поверхностной энергии о в соответствии с выражением 1п (—с1кТ). [c.90]

Процесс кипения состоит из единовременных и многочисленных актов испарения жидкости в замкнутые полости, образованные пузырями. Пузыри увеличиваются и, достигнув определенного размера, отрываются от поверхности нагрева. В процессе свободного движения оторвавшиеся пузыри пара продолжают расти при условии, что жидкость по всей толщине имеет перегрев. Если этого нет, то пузыри конденсируются. Кипение на поверхности нагрева при условии, что жидкость в своей массе недогрета до температуры насыщения, называется поверхностным. [c.161]

Поверхностные концентрации реагентов и активных центров пропорциональны доле поверхности, приходящейся на соответствующие вещества и свободные активные центры 0о- Если последние участвуют в химическом акте, то для химического процесса, описываемого стехиомет гческим уравнением [c.737]

Ло — расстояние между поверхностями частиц при равновесии сил притяжения и отталкивания Лс — критическая толщина пленки е — заряд электрона Е — напряженность электрического ноля Р — свободная энергия F s свободная энергия двойного слоя Рй—площадь, приходящаяся на одну молекулу поверхностно-активного вещества в поверхностном слое р1 — площадь, приходящаяся на одну молекулу иоверхностно-актив-ного вещества в поверхностном слое при концентрации Са Ь — постоянная Планка 5 — ионная сила раствора к — постоянная Больцмана п — коэффициент преломления п — число ионов в 1 см раствора N — число коллоидных частиц в единице объема Ыа — число Авогадро. Р,- — сила ионно-электростатического взаимодействия частиц Рщ сила молекулярного взаимодействия частиц Ph — сила тяжести Ра— капиллярные силы д — заряд частицы [c.8]

Коагуляции или флокуляция является самопроизвольным процессом, приводящим к уменьшению свободной энергии системы (АР) в результате уменьшения избытка свободной поверхностной энергии (поверхностного натяжения ст) дисперсной фазы в местах контактов АР = Дст5) при сохранении общей поверхности раздела. В случае коалесценции (также самопроизвольного процесса) уменьшение свободной энергии обеспечивается уменьшением поверхности раздела (5) между частицами дисперсной фазы (А = аА8) при сохранении постоянства поверхностного натяжения на границах раздела жидких фаз. Такое разделение процессов коагуляции и коалесценции во времени невозможно достигнуть при использовании низкомолекулярных стабилизаторов, так как в этом случае акты, приводящие к коагуляции, в скором времени приводят и к коалесценции. Исследование формирования и свойств межфазных структурированных слоев интересно не только для выяснения механизма их эмульгирующего действия, но и для решения многих биологических проблем, связанных с образованием и функциями биомембран. [c.156]

Коллоидные системы, образованные мицеллами новерхностно-актив-ных веществ или высокомолекулярных соединений, являются термодинамически равновесными и при данных условиях устойчивыми. К ним можно применять термин лиофильные коллоиды (но, разумеется, не к истинным растворам тех же веществ, не содержащим коллоидных мицелл). Понятие лиофильный не означает какой-то исключительной способности к образованию мощных сольватных оболочек, оно указывает лишь на то, что величина удельной свободной поверхностной энергии на поверхности раздела с окружающей дисперсионной средой сравнительно невелика и соизмерима с энергией теплового движения мицелл. [c.40]

Характерно, что такое же действие на ползучесть монокристаллов свинца— смещение предела текучести и всей реологической кривой (но в обратном направлении — в сторону больших напряжений) вызывают твердые пленки соответствующей толщины на поверхности образцов, например, окиси свинца или поликристаллического цинка. Эти результаты в сопоставлении с известными данными о пластифицировании металлов при адсорбции органических ПАВ поаволяют уточнить наши представления о роли поверхностного потенциального барьера, препятствующего движению дислокаций в приповерхностном слое металла, и о механизме адсорбционного пластифицирования, который состоит в облегчении перемещения дислокационных сегментов в относительно глубоком приповерхностном слое (например до десятков микрон), что обусловливается при понижении свободной поверхностной энергии соответствующим уменьшением работы глементарного акта развития новых мо-нoaтOlJныx ячеек новерхности при ее прочерчивании точками выхода дислокаций. [c.163]

Каталитический акт осуществляется следующим образом. Заместители при А, В, С и О непосредственно не участвуют в реакции. Реагирующие атомы хемосорбируются, входя в ложбины поверхностной части кристаллической решетки и достраивая ее (а). Для того чтобы такая хемосорбция произошла, необходимо структурное соответствие между реагирующими молекулами и катализатором, т. е. части молекул, содержащие атомы А, В, С и В, должны находиться с катализаторохм в отношениях поверхностного изоморфизма. Так образуется мультиплетный комплекс (б), в котором связи А — В и С — О ослабляются как под влиянием собственно химической связи с ато1 4 ми катализатора, так и под влиянием некоторого удлинения расстояния между ядрами А и В, а также С и О. Завязывание новых связей А — О и В — С начинается в мультиплет Но.м комплексе еще до полио го разрыва исходных связей [10]. Таким образом, химическое изменение происходит по закону непрерывности без образования свободных радикалов. Условием такого изменения является энергетическое соответствие [c.15]

Из вышеприведенных опытов было выведено заключение, что азот в коксе связан химически с углеродом в виде углеродоазотного комплекса, причем азот в коксе проявил свойства, аналогичные азоту нитрильной группы. Это вытекает из того факта, что оба тина соединений выделяют свой азот в виде аммиака при обработке паром или водородом при высокой температуре. Азотсодержащие синтетические угли, приготовленные из обугленного сахара или акт вированного угля и аммиака, показали близкую аналогию с коксом. Азот не мог присутствовать в адсорбированном, состоянии, так как он превращался в аммиа при действии водорода при 600°. Считают, что азот в таких веществах, как синтетические угли, присоединен к ненасыщенным поверхностным углеродным атомам. Поверхностный атом углерода, с тремя свободными валентностями, реагирует с одной молекуло аммиака, освобождая водород и присоединяя азот к углероду, с образованием нитрильной группы. Чем выше активность угля, тем выше в нем содержание азота кристаллические виды углерода не сорбируют азот. Отсюда азотсодержащие синтетические угли рассматриваются как поверхностные соединения, в которых нитрильные группы [c.140]

Итак, вследствие особого (обменного) взаимодействия электронов, принадлежащих таким основным дискретным частицам вещества, как атомы, ионы, радикалы, молекулы, возникают химические связи и образуются самые разнообразные по своему строению, составу и свойствам химические соединения, что и представляет собой универсальный акт химического превращения. Это и есть химическое движение. Следовательно, атомы и образуемые ими вышеуказанные типы материальных частиц с более или менее сформировавшейся электронной оболочкой выступают как материальные носители химической формы движения. Характерным для каждой из этих частиц химического соединения является то, что она представляет единую квантово-механическую систему, устойчивость которой определяется минимумом энергии как функции межатомных расстояний . Кроме атомов, молекул, ионов и свободных радикалов В. И. Кузнецов к числу частиц—носителей химической формы движения правомерно относит молекулярные комплексы, коллоидные частицы, поверхностные соединения, твердые и жидкие фазы постоянного и переменного состава, а также некоторые (относительно долгоживущие) активные комплексы переходного состояния (например, муль-типлетные комплексы) 2. Все вышеуказанные частицы представляют тот уровень организации материи, на кото- [c.29]

Элементарным актом роста кристапла в рассмотренной нами клас сической модели является присоединение к кристаллу новой кристаллизующейся единицы вслед за предыдущей в том месте, в котором ее присоединение не вызывает увеличения поверхностной свободной энтальпии, т.е. по углам (в положении 3 на рис. 5.8). После зарождения нового ряда на поверхности кристалла такой трехгранный угол последовательно смещается в процессе роста ряда без изменения собственной конфигурации, и поэтому кристаллизация протекает в соответствии с уравнением (62). Процесс первичного образования таких углов при присоединении кристачлизующейся единицы к гладкому уступу может быть назван третичным зародышеобразованием (см. рис. 5.3,й). Выражение для свободной энтачьпии образования трет ич-ного зародыша выводится по аналогии с выражением для вторичных и первичных зародышей [уравнения (65) и (11)] [c.112]

Каталитический эффект материала катода в процессах электросинтеза остается во многих случаях невыясненным. -В теории катализа каталитические свойства металлов связываются с их электронным строением. Переход электронов с й-орбитали на в-орбиталь и наоборот приводит к возникновению свободных валентностей у поверхностных атомов металлов, что способствует адсорбции молекул органических соединений и деформации связей в них, облегчающих акт восстановления. Относительное число свободных валентвостей ( вес -состояний) коррелирует с каталитической активностью чем выше вес -состояний, тем выше каталитическая активность металла. [c.29]

В настоящее время еще неясно, однако, могут ли быть представления, развитые нами применительно к пластифицирующему действию органических поверхностно-активных сред, непосредственно, без учета каких-либо дополнительных факторов, приложимы к случаю пластифицирующего действия металлических расплавов. Именно, определенные трудности возникают при сопоставлении активационных энергий процесса для органических сред температурно-скоростная зависимость эффекта привела нас к значению и 0,5 эв, что хорошо согласуется с энергией образования новой моно-атомной ячейки свободной поверхности при перемещении конца дислокационной линии вдоль поверхности кристалла. В случае же цинк — олово пластифицирующее действие наблюдается при значительно более высоких температурах и малых скоростях растяжения. Это означает, по-видимому, что в данном случае активационная энергия процесса значительно выше, и что в качестве элементарного акта надо рассматривать уже не образование моноатомной ячейки на поверхности, а нечто более сложное, например, неконсервативное перемещение при обходе концом дислокации того или иного дефекта на контуре плоскости скольжения (в сочетании с образованием одной или сразу нескольких новых моноатом-ных ячеек поверхности) эффект может быть связан и с облегчением действия подповерхностных источников дислокаций [ИЗ, И7, 138]. [c.224]

Микроскопический подход позволяет представить себе изменение активности атомов на поверхности, рассмотреть элементарные акты химической реакции, например, в процессе адсорбции или катализа, разделить вклад поверхностных и внутренних атомов. Термодинамический подход дает возможность предсказать существование и оценить параметры, характерные для наноразмерного состояния вещества, например свободную энергию Гиббса и Гельмгольца, минимальный размер кластера при нуклеации, поверхностное натяжение поверхности нанокластера и перераспределение поверхностного натяжения для двухфазных наносистем. [c.586]

Материал сборника показывает разнообразие подходов к механизму первичного акта, характерное для современного гетерогенного катализа. При сохранении значения мультиплетной теории, теории поверхностных переходных комплексов, статической теории процесса на неоднородных поверхностях, электронной теории катализа на полупроводниках в одноэлектронном приближении, на первый план выходят новые концепции, отправляющиеся от квантовомеханической теории кристаллического поля и поля лигандов и теории неклассических форм химических связей. Большое место уделяется радикальным активным центрам и свободным радикалам и поверхностным цепям в катализе. [c.6]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология