Химические реакции дефектов поверхности

Химические реакции дефектов поверхности [c.158]

Процесс спекания можно определить как самопроизвольный процесс ликвидации дефектов и заполнения пор, протекающий в порошках и пористых телах. Главная движущая сила этого процесса — избыточная поверхностная энергия. Спекание начинается при небольших температурах со стадии протекания химических реакций на поверхностях и границах раздела твердофазных реакций. У металлических порошков обычно происходит восстановление оксидных пленок, что обеспечивает непосредственный контакт между частицами металла. С повышением температуры увеличивается давление паров вещества, которые конденсируются в соответствии с уравнением Кельвина в зонах контактов частиц, где имеется отрицательная кривизна поверхности. Скорость переноса вещества в этом случае определяется различными видами диффузии, характерными для пористых тел. [c.390]

В соответствии с теорией дислокаций в процессе роста кристалла, особенно при массовой кристаллизации, его решетка искажается. Температурные градиенты у поверхности кристалла, возникающие вследствие неизотермичности кристаллизации, адсорбция примесей и другие причины приводят к появлению дислокаций, дефектов поверхности грани, которая оказывается не идеально плоской, а имеющей неровный рельеф. При кристаллизации из растворов, из газов, при образовании твердой фазы в результате химической реакции рельеф поверхности кристалла может иметь точечные нарушения, но часто приобретает форму плоских или винтовых, спиральных, уступов (ступенек), имеющих молекулярные или немного большие размеры. При росте кристалла, образующие его частицы присоединяются к ступеньке (к ее ребру), в результате чего спираль закручивается вокруг некоторого центра. Это приводит к появлению новых слоев. [c.246]

Твердые вещества в данных условиях тоже могут находиться в состояниях, обладающих различной термодинамической устойчивостью, например, в различных кристаллических формах. В свою очередь для любой из этих форм более устойчивым является состояние, соответствующее идеально правильному кристаллу. Дефекты структуры, вызванные условиями образования кристалла или последующей деформацией под действием внешних механических сил, в какой-то степени уменьшают его устойчивость, так как образование этих деформаций связано с затратой энергии и сопровождается возрастанием энтропии. Точно так же кристаллическое тело в измельченном состоянии, т. е. обладающее большей поверхностью, менее устойчиво. Во всех подобных случаях уменьшение устойчивости сопровождается возрастанием изобарного потенциала. В таких состояниях вещество обладает большей химической активностью и меньшей химической стойкостью, большей способностью к фазовым переходам (большим давлением насыщенного пара, большей растворимостью и т. д..) Выделение вещества в более активных формах и состояниях может происходить самопроизвольно только из состояний с еще большим изобарным потенциалом (еще более активных в данных условиях). Обычно такими состояниями служат сильно пересыщенный раствор или переохлажденная жидкость. Кроме того, такое вещество может получаться при химической реакции, происходящей в условиях, достаточно далеких от равновесных. [c.227]

Механохимия изучает химические превращения, инициированные или ускоренные механическим воздействием. При воздействии механических сил происходит разрыв химических связей, изменение состояния поверхности твердых тел, образование неустойчивых высокоактивных частиц, дефектов в кристаллической решетке. Особенно заметные воздействия оказывают ультразвук на жидкости, сверхвысокое давление на твердые вещества, ударные волны на твердые тела и жидкости. При ультразвуковом облучении в жидкости возникают активные частицы, которые инициируют химические ракции. Ультразвуковая обработка применяется для очистки поверхности металлических предметов от жира и других загрязнений, для специального синтеза (например, приготовление вакцины). С помощью сверхвысоких давлений удалось превратить графит в алмаз, нитрид бора в боразон. Ударные волны, возникающие под воздействием направленного взрыва, на несколько порядков ускоряют химические реакции, например вулканизация каучука проходит за доли секунды. Понимание механохимических реакций очень важно для предупреждения вредных химических последствий механических воздействий на твердые и жидкие вещества. [c.121]

У потребителя и технолога РЭА разный подход к проблеме качества и надежности. Потребителя мало интересует физико-химическая природа дефектов и отказов, ему важно знать с максимальной достоверностью вероятность безотказности его РЭА. Технологу необходимо проследить причинный механизм развития отказа, для него важна физико-химическая природа дефектов. Отказ для технолога есть кинетическое явление, представляющее собой изменение физико-химического состояния системы вследствие химических реакций и фазовых превращений в объеме или на поверхности изделия, причем такое, которое вызывает уход параметров за допустимые пределы. Все технологически получаемые сочетания веществ и тел в принципе являются термодинамически неравновесными системами. Задача технолога при разработке технологического процесса сводится к организации микромасштабных образований в виде максимально устойчивых сочетаний материалов с минимальным присутствием временно введенных им (только на время технологических превращений) веществ. [c.8]

В результате коррозии изменяется поверхность металла и уменьшается энергия его решетки при взаимодействии с адсорбированным веществом. Атомы металла, расположенные в плоскости дефектной решетки, находятся почти в свободном состоянии. Сохраняя избыток электронов, они легче образуют внешние связи и в дефектах решетки активизируют химические реакции. [c.4]

Научное направление ХТТ связано с изучением химических превращений, происходящих в твердых телах, кинетики и механизма взаимодействия твердых компонентов, диффузионного массопереноса, особенностей окислительно-восстано-вительных процессов, топохимических реакций, механизма образования твердых растворов, протекания реакций на поверхности контакта твердое — газ и твердое — жидкое . Обсуждается воздействие дефектов на характер различных физико-химических превращений вещества. Указанное направление ХТТ исследует главным образом твердое тело, испытывающее изменение химической индивидуальности под воздействием температуры, давления, облучения и других внешних факторов, т. е. твердое тело, находящееся в неравновесных условиях. [c.5]

Настоящая книга представляет собой труд, в котором кинетика и механизм химических реакций в твердой фазе излагаются, начиная от физических и физико-химических основ (теория дислокаций и ионных дефектов, образование и рост зародышей, действие света на твердые тела) и кончая подробным рассмотрением частных групп реакций, имеющих практическое значение (взрыв и детонация в твердых взрывчатых веществах, окисление металлов, фотографический процесс и др.). Специальные главы посвящены поверхности твердых тел, электронному фактору в хемосорбции и катализе и реакциям между твердыми телами. [c.4]

В однокомпонентных порошкообразных системах процессы рекристаллизации и спекания—тесно связанные явления, которые по кинетике не отличаются от химических реакций и могуТ трактоваться по аналогии с ними Вещество на краях и углах зерен порошка химически более активно, чем в массе твердой кристаллической фазы, так как поверхность структуры всегда характеризуется свободными силами валентности. Они могут быть насыщены или за счет новых связей при химических реакциях, или за счет рекристаллизации как средства упорядочения структуры материала. Конечно, весьма важно знать, в каком состоянии находятся твердые фазы — в кристаллическом или стекловидном и каково соотношение ковалентных и ионных связей в окислах и силикатах (см. А. I, 3 и ниже) на поверхности реагентов. Поверхность кристаллов, особенно в очень тонких порошках, всегда ближе к аморфно-стекловидной структуре, т. е. она имеет больше ковалентных и меньше ионных связей, чем внутренняя часть массы плотной кристаллической фазы. Это свойство приобретает особенно большое значение, если в структуре находятся многочисленные молекулярные дефекты — трещины, посторонние включения и т. д. (теоретическое обоснование влияния дефектов кристаллической структуры на механическую прочность и другие свойства твердых тел впервые дано Смекалом см. А. II, 286 и ниже). Поэтому слабые связи в неупорядоченных поверхностных слоях — одна из основных причин, определяющих появление текучести твердых веществ, намного ниже точки плавления или условного интервала размягчения твердых стекол. [c.694]

Типичным результатом такого влияния оказывается очень существенное изменение как абсолютных, так и, что особенно важно, относительных скоростей различных каналов химической реакции. Каталитическое действие могут оказывать частицы очень разной природы это могут быть протоны (и вообще различные ионы) в водных растворах, комплексные соединения переходных металлов, поверхности многих твердых тел и т.д. В последнем случае обычно считается, что наиболее эффективными в каталитическом отношении являются некоторые выделенные участки поверхности твердого тела (те или иные поверхностные группы, структурно выделенные атомы кристалла — вершины, ребра и т. п., структурные дефекты, примесные структуры и т.д.), которые часто называют активными центрами (АЦ). Нам будет удобно распространить этот термин а любые частицы, которые оказывают каталитическое действие, независимо от того, идет ли речь о каталитически активных частицах в растворе (гомогенный катализ) ли на ловерхности твердого катализатора (гетерогенный катализ). Механизмы каталитического действия имеют много общих черт в обоих этих случаях, хотя, конечно, есть и ряд специфических особенностей в самих химических перестройках, и в постановке возникающих при этом теоретических задач именно по этой причине об- [c.259]

В.П. Царев так описывают механизм фнзико-хн-мических реакций. Постоянная и переменная механические нагрузки способствуют возникновению на контактах минеральных зерен пород высоких напряжений. Эти напряжения приводят к появлению дефектов на поверхности зерен ОВ и возникновению активных мест кристаллов, в пределах которых снижается энергия активации, и они становятся центрами начала физико-химических реакций. В результате из ОВ может образоваться гамма природных углеводородов. [c.46]

Реакционная способность кристаллов находится в тесной связи со структурой кристаллов, особенно с их реальной структурой. При наличии определенных дефектов на поверхности или внутри кристалла скорость реакции может повышаться по сравнению со скоростью реакции с идеальны.м кристаллом па порядки величин. Таким образом нужно делать различие между реакциями с кристаллом, имеющим более или менее идеальное строение, и кристаллом, который испорчен дефектами решетки. Дефекты решетки изменяют химические потенциалы на поверхности кристалла. При наличии этих зон, отличающихся своим энергетическим состоянием, происходит избирательная реакция. Поэтому специфические химические реакции могут быть привлечены для характеристики реального строения. [c.394]

Какую роль в определении каталитической активности твердых веществ играет величина поверхности, наличие примесей и дефектов решетки К чему сводится роль физической и химической адсорбции при протекании реакции на поверхности твердого катализатора [c.40]

Можно, например, принять, что конденсированные пленки БАТ представляют собой двумерные кристаллы. Электрохимическое восстановление таких пленок должно управляться законами химии твердых поверхностей [24 ]. Новое качество заключается в том, что даже на однородной подложке адсорбционные места неравноценны. Частицы, включенные в идеальный кристаллик, более стабильны, чем частицы на границе этого кристаллика или частицы, расположенные около дефекта решетки. Поэтому химическая реакция начинается на активных центрах, например на дефектах решетки. В результате элементарного акта размеры дефекта увеличиваются, и вероятность осуществления следующего элементарного акта на этом дефекте возрастает. Поэтому реакция распространяется вдоль поверхности от зародышей реакции,которые по случайным причинам были вовлечены в про- [c.187]

Химическая активность. Под химической активностью пыли понимается способность пыли вступать в реакции с различными веществами, в том числе и в реакции окисления и горения. Химическая активность пыли определяется природой вещества, из которого она образована (качественный и количественный состав и строение молекул вещества), и в больщой степени зависит от дисперсности пыли. С увеличением дисперсности увеличивается химическая активность пыли. Это объясняется тем, что химическая реакция между твердым веществом (пылинками) и газообразным окислителем протекает на поверхности твердого вещества. Скорость реакции зависит от размера поверхности соприкосновения реагирующих веществ, а так как с увеличением дисперсности увеличивается удельная поверхность, химическая активность возрастает. Например, если 500 г каменного угля в кусках сгорает в течение нескольких минут, то 500 г каменноугольной пыли сгорает за доли секунды. Металлы— железо, алюминий, цинк, обычно не горящие при нормальных условиях, в состоянии пудры моментально самовозгораются при контакте с воздухом. Поэтому пудры и порошки этих металлов готовят в среде инертного газа (N2 или Аг) и перетирают с твердым жиром. Химическая активность зависит от количества дефектов молекулярных и кристаллических структур, число которых в свою очередь зависит от дисперсности и природы вещества. [c.125]

В случае окисла, нестехиометрического по анионным вакансиям, первые три стадии (предположительно обратимые) являются подготовительными и относятся к химической реакции разложения твердой фазы МО. Они записываются точно так же, как и для роста зародышей, и относятся ко всей свободной поверхности твердого реагента, на которой пока нет зародышей [стадии (1) — (3) в системе (6.73)]. Четвертая стадия (необратимая) — это стадия зародышеобразования. Она заменяет стадию (4) [система (6.73)] переноса дефекта в форме нового атома к металлическому зародышу в процессе его роста и символизирует переход зародыша М/ через критический размер. [c.285]

Для объяснения особенностей химических реакций в многокомпонентных замороженных системах высказывались различные предположения. Ускорение химических процессов в замороженных растворах связывали с изменением механизма реакции [476], катализом поверхностью твердой фазы [475], наличием фазовых переходов и различных дефектов, концентрированием реагентов в незамерзающих областях растворителя [473, 476], существованием молекулярных соединений [235], благоприятным пространственным расположением реагентов, увеличением подвижности протонов во льду [477]. По нашему мнению, решающую роль играет структурная неоднородность и связанная с ней высокая подвижность реагирующих частиц, а также изменения физико-химических характеристик системы при ее замораживании [479]. [c.197]

Большая часть химических реакций протекает в гомогенных условиях, обычно в жидкой фазе. Тем не менее нельзя пренебрегать физическими и химическими процессами, осуществляющимися на поверхности. К таким процессам относятся созревание осадков, адсорбционные явления, ионный обмен и хроматографические методы разделения, а также капельные пробы на фильтровальной бумаге. Быстрый рост кристаллов в процессе осаждения может привести к возникновению большого числа дефектов кристаллической решетки это облегчает захват тех примесей, которые не могли бы поместиться в нормальной кристаллической структуре. Выпадение объемистого осадка с большим отношением поверхности к объему также часто создает условия для захвата других веществ. В обоих случаях осадки со временем приобретают более упорядоченные структуры, что часто приводит к заметной их очистке. [c.153]

Одновременно с растеканием могут идти и другие физико-химические процессы — испарение жидкости, адсорбция молекул жидкости на твердой поверхности за пределами смоченной области, растворение твердого тела в жидкости, проникновение жидкости в объем твердого тела по различным микроскопическим дефектам, а также за счет диффузии в решетку, химические реакции между фазами и т. д. Эти процессы могут сильно изменять параметры, от которых зависит скорость растекания поверхностные натяжения на границе жидкости с твердым телом и с окружающей средой, вязкость и объем жидкости. [c.134]

Как указывалось в начале статьи, хемосорбция является обязательной стадией ряда типов химических реакций, протекающих на поверхности и в объеме твердого тела. Мы ограничимся самым кратким разбором роли дефектов твердого тела в некоторых типах таких реакций. [c.26]

Химические реакции твердых тел. Отдельные факты, указывающие на роль дефектов в кинетике химических реакций твердых тел, известны давно. К ним принадлежит, например, снятие периода индукции для обезвоживания монокристаллов некоторых кристаллогидратов после механического повреждения поверхности. При этом от места повреждения (царапины) реакция распространяется по поверхности и в глубь кристалла. Локализация реакций у включений и дефектов хорошо известна в коррозии. Механические деформации сильно влияют на реакционную способность неорганических и органических материалов, и их химическое разрушение часто концентрируется в местах деформации. Описана корреляция между величиной калориметрически измеренной избыточной энергией твердого тела и его реакционной способностью [46]. У твердых тел во время их химических превращений наблюдалось появление аномальных физических свойств, которые, с современной точки зрения, указывают на появление в соответствующих кристаллах большого числа дефектов [47]. Для многих реакций твердых тел друг с другом и с газами контролирующей стадией является диффузия определенных ионов или атомов в чужой решетке, а всякая диффузия внутри кристаллов происходит по месту существующих дефектов или с образованием таких дефектов при каждом элементарном перемещении. Эту роль выполняют в первую очередь вакансии, образуемые тепловым движением. Часто эта диффузия ускоряется возникающими местными электрическими полями [48]. [c.29]

Через сходные стадии проходит и термическое разложение твердых тел. Во всех этих случаях характерны своеобразные эффекты действия на расстоянии. Благодаря сравнительно большой подвижности экситонов, дырок и электронов преодолеваются трудности выхода на поверхность частиц, образующих решетку. В последнее время представление об активном участии дефектов в химических реакциях твердых тел приобретает все больше сторонников [52]. Решающее значение сыграли результаты исследования влияния корпускулярного и жесткого фотонного (7, X) излучения на химические превращения [c.31]

В процессе контакта свежеобразующихся частиц сажи и нефтяных коксов при прокаливании с активными (реакционноспособ-пыми) компонентами дымовых газов (СОг, Н2О, О2 и др.) на различных участках поверхности углерода вследствие ее неоднородности и неодинакового уровня энергии (различный угол расположения базисных плоскостей в кристаллите углерода, наличие гетероатомов, механических дефектов и т. д.) скорость химических реакций и глубина проникновения компонеитов дымовых газов в массу углерода неодинакова, что изменяет рельеф поверхности, обусловливая ее шероховатость и повышенную склонность к адсорбционным явлениям. В результате таких процессов на поверхности углерода одновременно присутствуют участки (центры) повышенной и пониженной активности, нарушающие непрерывность поверхности. По увеличению отношения активных центров к неактивным (поверхностям базисных плоскостей) в процессе контакта с реакцнонноспособными компонентами дымовых газов углеродистые материалы могут быть расположены в ряд графит— -аии-зотронный кокс—>изотропный кокс—>-сажа, т. е. чем менее упорядочен углерод по Le, тем более он склонен к образованию поверхностных комплексов с газами. В таком же порядке увеличивается адсорбционная и каталитическая активность поверхности углеродистых материалов. [c.54]

Гетерогенным называют катализ на поверхности твердых тел, находящихся в контакте с реагирующими веществами в газовой фазе или в растворах. Основные теоретические положения, необходимые для понимания сущности гетерогенного катализа, уже изложены в гл. 14 в связи с обсуждением роли адсорбции в гетерогенных реакциях. При проведении реакции на поверхности твердых тел последняя играет вполне определенную роль благодаря адсорбции на поверхности понижается энергия активации катализируемой реакции. До настоящего времени еще не существует удовлетворительной количественной теории катализа. В любой каталитической реакции важнейшее значение имеет структура поверхности. Катализ протекает не на всей поверхности твердого тела, а главным образом на активных центрах (дислокациях, ребрах кристаллов и других дефектах кристаллов). Кроме того, известно, что каталитическая активность зависит от кристаллографической плоскости, — кристаллы, ориентированные в некоторых определенных направлениях, обладают максимальной активностью. Большое значение в гетерогенном катализе имеют смешанные катализаторы. Примером могут служить почти все известные газовые реакции, используемые в химических технологических процессах (синтез аммиака, синтез 50з, гидрирование угля по Бергиусу или Фишеру— Тропшу, окисление аммиака по Оствальду и многие другие). [c.196]

Наряду с прочностью связи в твердых соединениях большую роль в процессе протекания твердофазных химических реакций играют кристаллическая структура и строение поверхности реагирующих веществ, а также соответствующие дефекты строения этих веществ. В некоторых реакциях этот эффект настолько усиливается, что направление реакции начинает меняться в зависимости от участков кристаллической структуры. Такие реакции называют топохимилескими. При кинетических исследованиях газофазных реакций на медном монокристалле было, например, установлено, что различные кристаллические плоскости имеют разную каталитическую активность и избирательность, что может служить методом избирательного получения продуктов реакции. [c.439]

Термин поверхностный центр в хемосорбции определяется как один или микроскопическая группа атомов на поверхности, которая в каком-либо смысле химически активна. Наряду с рассмотренными выше атомами, связанными, например, с дефектами, кристаллографическими ступеньками и т. д., это может быть, иапример, атом с оборванной связью , катион, нескомпенсированный необходимым числом аииоиов, кислотный или основной центр . Кислотные центры Льюиса обладают свободными орбиталями с высокой энергией сродства к электронам, кислотные центры Врен-стеда обладают тенденцией отдавать протон. Один вид этих центров может переходить в другой. Так, при взаимодействии с водой -f НоО = (L ОН) 4-Hs на поверхности, кислотный центр Льюиса L+ делит электронную пару с ОН , а остающийся адсорбированный протон Н+ может вступать в химические реакции, представляя собой теперь кислотный центр Вренстеда, Если группа ОН связана с катионом менее прочно, чем Н+ с решеточным ионом О , она становится основным центром Вренстеда и вещество будет проявлять основные свойства. Они связаны с электроотрицательностью металла и кислотность окислов уменьшается в следующем ряду [c.130]

Р1змельчеиие материала ведет к качественному изменению его реакционной способности. При этом изменяется энергия Гнббса на величину Д0° = аД5, где а — поверхностное натяжение — изменение поверхности. Следует учитывать, что увеличение поверхности ведет к возрастанию относительного количества порерхностных дефектов, облегчающих проведение химической реакции. [c.99]

Поскольку детальное рассмотрение механизма химических реакций невозможно без знания электронного строения реагентов и возникающих в процессе реакции промежуточных комплексов, в настоящей главе мы остановимся на основных методах расчета электронной структуры молекул. Физическая основа этих методов была сформулирована квантовой механикой, а применение методов квантовой механики к молекулярным системам выделилось в отдельную область — квантовую химию. Граница между квантовой механикой и квантовой химией в достаточной мере условна, как условно и само разделение объектов их изучения. Так, к молекулярным системам в настоящее время принято относить не только сами молекулы и их комплексы, но и дефекты в кристаллах, комплексы молекул с поверхностью твердых тел, различные агрегаты, образующиеся в растворах, в том числе и такие, казалось бы, чисто физические объекты, как сольватироваиный электрон. Именно специфика объектов исследования и определяет квантовую химию как отдельную область науки. Следует отметить, что никаких новых физических идей, кроме постулатов квантовой механики, квантовая химия не содержит, однако особенности химических объектов потребовали от нее создания собственного оригинального математического аппарата, поскольку рещенне волнового фавнения Шредингера, являющегося основой квантовой механики, для подавляющего большинства химических объектов без введения ряда приближений и упрощающих предположений невозможно. Эти приближения, а также соответствующие результирующие уравнения для волновой функции, определяющей электронное распределение в молекулярных системах, и составляют математический аппарат квантовой химии, на котором, в свою очередь, [c.37]

Метод декорирования не всегда можно применить в простой форме (напыление в высоком вакууме на грани роста, а также на поверхности, полученные при расщеплении или испарении). У графита, например, поверхность должна быгь сначала активирована соответствующими реакциями (реакция с галогенами или озоном), прежде чем на нее можно будет напылять золото. Так как при химической реакции происходит избирательное воздействие, последующее декорирование дает правильное отображение реальной структуры. Таким путем могут быть обнаружены дислокации, ступеньки скола атомной высоты, скопления точечных дефектов или химических загрязнений. [c.356]

Активное состояние при предельном отклонении от идеального кристалла можно представить себе как суммарный результат действия нарушающих факторов. Активное состояние наступает вследствие сильного увеличения поверхности, высокой концентрации дислокаций и атомных дефектов и из-за деформации решетки. Активные твердые вещества по сравнению с малоповреж-денными (нормальными) кристаллами имеют увеличенную энтальпию и обнаруживают повышенную способность к химическим реакциям. [c.434]

Различие температуры крупных и мелких кристаллов усиливается, если кристаллизант участвует в химических реакциях, протекающих в фазах системы или на ее стенках. Неоднородность распределения температур, напряжений и дефектов в объеме фаз приводит к неоднородности распределения энтропии, внутренней энергии и энергии Гиббса [1, с. 256 2], а следовательно, равновесного состава и скорости миграции примеси по объему твердой фазы [3, с. 20 4, с. 220]. Поэтому при анализе соосаждения необходимо учитывать неоднородность распределения любого экстенсивного свойства фаз системы и возможность появления источников этого свойства в объеме фаз, на поверхности кристаллов и на стенках системы. При таком анализе раствор (нар) следует рассматривать как дисперсионную среду, а кристаллы — как дисперсную фазу, частицы которой связаны непрерывной функцией распределения по состояниям. Состояние каждого кристалла полностью определяют его пространственные координаты и импульсы, а также внутренние обобщенные координаты (т. е. масса всех компонентов, содержание электрической, магнитной, радиационной, гравитационной, механической и тепловой энергий и параметры их распределения но объему кристалла). Внутренние обобщенные координаты каждого кристалла зависят от внешних обобщенных его координат, т. е. от концентрации компонентов и энергий среды в непосредственной близости от данного кристалла. Внутренние и внешние обобщенные координаты связаны с обобщенными силами (химическим потенциалом, напряженностью электрического и магнитного поля, мощностью радиационного поля, силой тяготения, механическим напряжением и температурой) уравнениями состояния дочерней и материнской фаз. Изменение внутренних обобщенных координат опреде.ляется законами переноса массы и энергии в объеме кристаллов и условиями массо- и энергообмена материнской и дочерней фаз. Изменение внешних координат определяется уравнением движения суспензии и законами массо-и энергопереноса в ее объеме, отражающими связь между потоками массы или энергии и градиентами обобщенных движущих сил [5]. [c.48]

Одним из побочных результатов участия химиков в изыскании новых полупроводников и в работах по их практическому применению является проникновение в химию твердого тела и в химию больших молекул новых идей и новых методов исследования. В общем виде это влияние на развитие кинетики было рассмотрено нами в статье, опубликованной в конце прошлого года [1]. Эти новые идеи имеют прямое отношение и к тематике совеп(ания, так как они дают новый подход к кинетике образования и уничтожения поверхностных слоев, к хемосорбции, к синтезу полупроводниковых соединений и к ряду других вопросов, специфических для химии полупроводников, в настоящем докладе в этом плане я останавливаюсь на роли дефектов кристаллической структуры и микропримесей в химических реакциях полупроводников. В соответствии с программой совещания значительное внимание будет уделено процессам, происходящим или начинающимся на поверхности. [c.5]

Процессы хемосорбции развиваются во времени и замедляются уже образовавшимися продуктами реакции. Первичным актом любого хемосорбционного процесса является адсорбция с постепенным возникновением хемосорбционных соединений и проникновением их во внутренние слои металла. Максимально возможная толщина хемосорбционной фазы зависит не только от наличия внутренних трещин и других дефектов поверхности металла, но и от процессов диффузии, причем не только ПАВ, но и ионов металла к границе раздела фаз. В случае хемосорбции между ПАВ и металлом могут образовываться все виды химических связей ковалентная, координационная, л-1Комплекс, ЭДА-комплекс (КПЗ) и т. д. Таким образом, энергия связи хемосорбционной фазы с ювенильным металлом а один — два порядка выше, чем энергия связи с ним адсорбционной фазы. Это объясняет устойчивость хемосорбционной фазы к внешним воздействиям температуре, механическим нагрузкам, электролиту, другим ПАВ и пр. [c.58]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология