Теория структурных дефектов

Основная теория структурных условий, необходимых для протекания реакции в твердых веществах, была разработана Смекалом его теория структурных дефектов вызвала решающий прогресс в изучении реакций в твердом состоянии. К тому же, она имела огромное значение для понимания физических свойств стекла, особенно таких, как механическая прочность стекловидного волокна на разрыв, и электролитическая проводимость в хрупком состоянии (см. Е. I, 117 и Нй) . Принцип, положенный в основу теории структурных дефектов, заключается в том, что реальные кристаллы никогда не бывают идеально гомогенными они представляют собой мозаику , составленную из более мелких идеальных групп, между которыми рассеяны де-фекты . Для экспериментирования доступны лишь реальные кристаллы, хотя они и не обладают гомогенной структурой, как предполагается согласно геомет- [c.698]

З.З.5. Теория структурных дефектов [c.51]

Кристаллы. Основные структурные типы кристаллических веществ. Типы химической связи а кристаллах. Зонная теория кристаллов. Дефекты в кристаллах, Нестехиометрические соединения. Полупроводники. Твердые растворы. [c.88]

Прочность и долговечность являются важнейшими свойствами полимерных материалов. Прочность реальных материалов не является материальной константой, так как зависит от многих факторов — времени или скорости действия нагрузки, температуры, вида напряженного состояния и др. Можно назвать две основные причины этого. Первая — существование во всех реальных материалах структурных дефектов и прежде всего микротрещин. Вторая — термофлуктуационный механизм разрыва химических связей. Соответственно этому возникли два подхода к прочности твердых тел механический и кинетический. Механический подход имеет свои достоинства и недостатки. Так, механика разрушения является основой инженерных методов расчета прочности деталей и конструкций, находящихся в сложнонапряженном состоянии. Математическая теория трещин, позволяющая рассчитывать перенапряжения вблизи микротрещины, является большим достижением механики разрушения. В то же время механический подход оставляет в стороне физические атомно-молекулярные механизмы разрушения и физическую кинетику разрушения в целом. Кинетический подход исходит из термофлуктуационного механизма разрушения, общего для всех твердых тел, в том числе и для полимеров. Суть этого механизма заключается в том, что химические связи в полимере разрываются в результате локальных тепловых флуктуаций, а приложенное напряжение увеличивает вероятность разрыва связей. [c.331]

Формулы интенсивности рассеяния представляют произведения ряда множителей. Вывод этих формул требует использования сведений из атомной и ядерной физики, знания классической и квантовой теории рассеяния, а также основ физики твердого тела (динамики решетки, структурных дефектов, понятий о реальном, мозаичном и идеальном кристаллах и др.). [c.10]

Особенностью кристаллического строения вещества является высокая энергия взаимодействия частиц и связанная с этим медленность процессов переноса в решетке. Поэтому в реальных кристаллах большую роль играют не только равновесные, но и неравновесные свойства решетки. Если число дефектов превышает равновесное значение, их называют биографическими в отличие от тепловых или равновесных, которые только и рассматриваются в термодинамических теориях кристаллов. Различают следующие типы структурных дефектов. [c.269]

Под дефектами резины Касе понимает микротрещины, степень опасности которых определяется их размерами. Это предположение является сильным ограничением теории, так как автор не приводит доказательства существования трещин в резинах до испытания. Еслп рассматривать дефекты в резине в более широком смысле, то выводы теорш Касс остаются прежними, только вместо трещин следует рассматривать эквивалентные нм по степени опасности структурные дефекты резины. [c.165]

Величину сг/г] следует рассматривать как некоторое эффективное напряжение, которое увеличивается по мере. накопления поврежденности. Тем самым в теорию вносится эффект концентрации напряжений, возникающий в процессе развития структурных дефектов. Воспользовавшись выражением (5.65), можно на основе [c.146]

В общем случае, что также было показано, одна и та же хемосорби-рованная частица на одном и том же адсорбенте может быть одновременно как акцептором, так и донором, обладая определенным сродством как к свободному электрону, так, в то же время, и к свободной дырке. Заметим, что структурные дефекты подобного рода, выполняющие одновременно функции акцептора и донора хорошо известны в теории твердого тела. [c.21]

Перейдем к обсуждению кластерных моделей. Привлекательность таких моделей обусловлена многими и серьезными причинами. С расчетной точки зрения — это возможность применения квантовохимических методов, разработанных для молекул, а в этом плане в квантовой химии имеются вполне определенные достижения. Такие модели наглядны и гибки, они позволяют легко описать структурно выделенные места решетки (узлы, ребра, грани), различные структурные дефекты, те или иные примеси и т.д. Они естественны, поскольку соответствуют бытующим в литературе по химическому катализу представлениям о повышенной каталитической активности отдельных мест поверхности (активных центров). Такой подход акцентирует внимание на химизме катализа, что соответствует общей тенденции в современном развитии теории катализа. Многие катализаторы являются аморфными, важный класс каталитически активных систем составляют подложки с нанесенными примесными центрами (нанесенные катализаторы), во всех подобных случаях появляются и опреде- [c.284]

Именно в окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений, как уже упоминалось выше, впервые удалось не только выяснить физическую природу некоторых дефектов структуры, связанных с образованием локальных уровней захвата, но и создать [41 ] количественную теорию энергетического состояния электрона в области таких дефектов. Поэтому щелочно-галоидные фосфоры имеют несомненные преимущества по сравнению с другими люминофорами как объекты для исследования локальных уровней захвата электронов и структурных дефектов решетки, обусловливающих их возникновение. [c.46]

В заключение необходимо отметить, что в области спектроскопии полимерных цепей, содержащих структурные дефекты, имеет место определенный разрыв между разработкой теории и накоплением опытного материала. Большое число экспериментальных фактов требует более глубокого и всестороннего теоретического освещения изучаемых явлений. Объем появившихся в последние годы в этой области теоретических работ следует признать недостаточным. Мы не пытались в настоящем обзоре осветить всю существующую в этой области литературу, решить все вопросы данной проблемы. Перед нами стояла более скромная цель — попытаться в общих чертах охарактеризовать состояние проблемы спектроскопии нерегулярных полимеров, сформулировать возможность общего подхода и, может быть, в некоторой степени стимулировать появление новых работ в этой области. [c.93]

Все изложенное говорит о дискуссионном характере всей проблемы влияния структурных дефектов на диффузию в ионных кристаллах. Тем самым вполне тривиальное пожелание о проведении дальнейших работ как в области эксперимента, так и теории становится в данном случае совершенно уместным. [c.105]

Согласно этой теории в случае хемосорбции адсорбированная молекула и атом (ион) твердого тела образуют химическое соединение, т. е. образуют единую квантовомеханическую систему и должны рассматриваться как одно целое. С этой точки зрения адсорбированную частицу, искажающую своим появлением на поверхности периодический характер силового поля последней, следует рассматривать как некий структурный дефект, поверхностную примесь [5]. [c.13]

Хемосорбированные на поверхности кристалла частицы трактуются как особого рода структурные дефекты, представляющие собой локальные нарушения в строго периодической структуре поверхности. При такой трактовке, проведенной впервые Ф. Ф. Волькенштейном в 1948 г. [259] и по существу общепринятой в настоящее время, хемо-сорбированная частица и решетка адсорбента выступают в виде единой квантовомеханической системы. За хемосорбированными частицами обеспечивается роль центров локализации для свободных электронов или дырок кристаллической решетки. Хемосорбированные частицы выступают как акцепторы или доноры электронов. В общем случае одна и та же хемосорбированная частица на одном и том же адсорбенте может быть одновременно и акцептором и донором примеры подобных акцепторно-донорных дефектов хорошо известны в теории твердого тела. [c.124]

Расчеты, выполняемые в рамках современной электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках [1], обычно основываются на представлении об одном определенном уровне, связанном с адсорбированным атомом данного типа. Аналогичная гипотеза о существовании лишь одного-двух определенных поверхностных уровней часто используется и в работах по эффекту поля и т. д. (см., например, [2]). Вместе с тем, заранее ясно, что в случае реальной поверхности — хотя бы из-за известной пятнистой ее структуры — это представление, понимаемое буквально, не может быть правильным Более того, даже при адсорбции на идеальной поверхности атом может попасть на ту или иную грань кристалла и расположиться на ней тем или иным образом. Соответственно, электрон, связанный с данным адсорбированным атомом (или молекулой),на разных участках поверхности будет испытывать воздействие различных— и притом неконтролируемо различных — силовых полей. То же самое, очевидно, справедливо и для локальных уровней, обусловленных не адсорбированными атомами, а иными структурными дефектами решетки. [c.19]

Центральной проблемой хемосорбции и катализа является вопрос о природе активных центров и реакционной способности адсорбированных молекул. В данной статье рассматриваются случаи полупроводников и диэлектриков. Электронная теория хемосорбции (ЭТХ) 11—3] принимает в качестве активных центров электроны и дырки кристалла полупроводника, которые либо свободно перемещаются по поверхности, либо локализованы на ее структурных дефектах. Хемосорбция есть результат взаимодействия адсорбированной молекулы с этими центрами. Хемосорбированные молекулы, рассматриваемые как некоторая поверхностная примесь, создают в энергетическом спектре кристалла свою систему локальных уровней. В условиях равновесия заселенность уровней однозначно определяется положением уровня Ферми на поверхности. В соот ветствии с этим ЭТХ рассматривает две формы хемосорбции нейтральную (слабую) форму, когда связь молекулы с поверхностью осуществляется без участия свободных носителей решетки (в энергетическом спектре ей соответствуют пустые уровни), и заряженную форму, при которой происходит локализация носителя на адсорбированной частице или около нее (заполненные уровни). Локализация носителя упрочняет (адсорбционную связь и приводит к заряжению поверхности относительно объема полупроводника. Согласно ЭТХ, вовлечение в хемосорбционную связь свободных носителей вызывает возникновение радикальных (или ионо-радикальных) форм хемосорбции или валентно-насыщенных соединений частиц с поверхностью [1—3]. Поскольку радикальная форма реакционно способна, ЭТХ для случая однородной поверхности установила связь каталитической активности поверхности с положением локальных уровней хемосорбированных частиц и уровня Ферми в ее энергетическом спектре. [c.25]

Подробно изложены современные представления о структуре границ зерен в поликристаллах — геометрическая теория, структурные дефекты, атомная теория с учетом энергетических параметров, взаимодействие границ с примесными атомами и т. д. Рассмотрены механизмы, определяющие прочностные и другие физические свойства поликристаллов, а также механизмы миграции и перестройки границ, зернограничного проскальзывания и охрупчивания (тре-щинообразования), сегрегации и диффузии примесей, представляющие значительный научный и практический интерес. Книга содержит результаты оригинальных исследований авторов, а также новые данные советских и зарубежных исследований. [c.319]

Теория структурных дефектов имеет большое значение для понимания природы нарушений кристаллической решетки. В этой связи представляют интерес гипотеза Строка и теория электропроводности твердых шелочных галогенидов, которая была развита Френкелем и Шоттки на основании процесса обмена местами щелочных ионов в этих солях. Над этой же проблемой работал и Вагнер он изучал многочисленные соли серебра, свинца и родственных им металлов. Лишь кратко можно упомянуть о значении окрашивания кристаллов щелочных галогенидов, полевого шпата и т. д. за счет радиоактивного излучения. Это окрашивание, согласно мeкaлy является следствием нейтрализации ионов до образования незаряженных атомов и, таким образом, искусственного создания структурных дефектов в местах их расположения в решетке. Наконец, можно указать на большое значение структурных дефектов в кристаллических фосфорах, в которых некоторые силикаты, например виллемит, первичный фенакит, а также диопсид, волластонит и т. д., играют важную роль. Были широко изучены также родственные изоструктурные соединения, такие, как ортогерма-наты Роль мельчайших примесей посторонних металлов, введенных в этот вид структуры, можно легко понять в свете теории структурных дефектов. [c.700]

Касаясь влияния химического состава стекла на его проводимость. Смекал рассмотрел результаты исследований Гельхоффа и Томаса. Добавление извести в натриево-силикатное стекло должно повышать силу связи В. Наблюдается добавочное действие внутреннего растрескивания , например в калиево-свинцовых силикатных стеклах, которое проявляется в быстром увеличении фактора А, в то время как свободная энергия Е в уравнении Смекала с увеличением содержания калия почти не меняется. Эти явления тесно связаны с увеличением химической коррозии, как это видно из данных Фулда. При замещении ионов натрия ионами калия (об экспериментах Лендьела см. Е. I, ЫЗ) свободная энергия в стекле увеличивается с другой стороны, при замене ионами лития она уменьшается. Введение двувалентных катионов вновь вызывает значительное увеличение энергии (см. Е. I, П4). Теория структурных дефектов Смекала может объяснить влияние внутренних напряжений на проводимость внутренние напряжения увеличивают проводимость, деформируя ионы, что вызывает уменьшение свободной энергии Е. При длительном электролизе может наступить уменьшение проводимости, обусловленное замещением деформированных ионов дополнительно введенными ионами, обладающими большой энергией связи. Смекал объяснил экспериментальные результаты, полученные Куитнером [c.886]

Поскольку число структурных дефектов в решетках обычно сравнительно невелико, отклонения от стехиометрического состава, как правило, также весьма небольшие. В этом вопросе современная теория соединений нестехиометрического состава отличается от взглядов Бертолле. Он не придавал большого значения стехиометричности состава ионных соединений и трактовал их как произвольные твердые растворы. Современная точка зрения на бертоллиды состоит в том, что стехиометрический состав — это состав идеальной ионной решетки, а нестехиометрический состав определяется свойствами дефектной решетки сложных соединений и зависит от внешних условий — температуры, давления и состава пара, находящегося в равновесии с кристаллом. [c.278]

В целом разработка теории воздействия структурных дефектов на свойства нанотубуленов, получивших свое наиболее последовательное развитие для графеновых НТ, для класса нанотубулярных объектов на основе гексагональных нитрида и карбонитрида бора находится на первоначальной стадии. [c.27]

Поскольку дискообразные скопления вакансий в алмазе в первом приближении можно рассматривать как своеобразные микро-поры, выявленные особенности структурных дефектов в термообработанных кристаллах алмаза полезно рассмотреть с точки зрения теории движения пор в твердом теле. Например, узкий интервал изменения размеров этих дефектов по объему кристалла объясняется тем, что поры, имеющие радиус Я меньше или зна--чительно больше наиболее вероятного для данных р-Т -условий, будут особенно часто испытывать столкновения и постепенно исчезать. В свою очередь, скорость изменения радиуса поры определяется скоростью поверхностной диффузии О, вакансий, величиной градиента их концентрации и локальным градиентом температуры, который для алмаза может на 1—2 порядка быть больше градиента температуры по кристаллу из-за сильного различия в коэффициенте теплопроводности матрицы н поры. Действи- [c.433]

Представления об активных центрах в катализе и о дефектах решетки в теории твердого тела возникли независимо и почти одновременно, однако долгое время теория дефектов решетки практически не использовалась в катализе. Это связано с двумя обстоятельствами. Во-первых, из теории дефектов решетки нельзя сделать никаких выводов о природе активных центров. Вопрос о том, какой из дефектов окажется каталитически активным, пока решается только на опыте. Кроме того, каталитическую активность может проявлЯ Гь идеальная решетка. Во-вторых, для многих типов кристаллов равновесная доля структурных дефектов настолько мала (например, меньше 10 ), что анализ равновесия [c.109]

Интересно, что ни в одном случае пока йе найдена преимущественная активность ребер или структурных дефектов, так часто принимаемая в работах по теории гетерогенного катализа. Однако в этом направлении получено еще мало данных, и ели природе существуют каталитические системы с преимущественно 1активностью ребер или дефектов поверхности кристаллов — это можно будет установить тем же методом. [c.131]

Наблюдение локализованного выделения внутреннего фотолитического серебра легло в основу теории центров концентрирования [71] и механизма образования поверхностного скрытого изображения, предложенного Герни и Моттом [72]. Недавно было экспериментально показано, что как в больших монокристаллах, так и в микрокристаллах внутреннее серебро выделяется на структурных дефектах и что наблюдаемое локализованное выделение серебра обусловлено локальной природой этих дефектов [23, 24, 32, 33]. С некоторыми изменениями, о которых будет упомянуто далее в этой главе, механизм Герни — Мотта можно приложить к образованию видимых частиц фотолитического серебра при освещении. Этот механизм и был использован для истолкования данного процесса. В настоящее время применение теории Герни — Мотта к образованию поверхностного скрытого изображения, по-видимому, не оправдано. Перейдем к рассмотрению механизма образования внутреннего скрытого изображения и выделения фотолитического серебра. Будем считать, что на поверхности раздела между кристаллами и окружающей средой, а также на границах субструктуры кристаллов первоначально не содержится адсорбированных атомов или молекул, способных реагировать с бромом. Допустим, что окружающая среда также не активна в этом отношении. Предполагается, что поглощение энергии происходит главным образом внутри объемных элементов субструктуры, и в результате образуются либо а) экситоны, либо б) пары электрон — положительная дырка. Хотя энергия поглощается объемными элементами, фотохимические превращения, являющиеся результатом этого поглощения, вызываются вторичными процессами на поверхностях этих элементов. Если экситоны взаимодействуют с фононами и диссоциируют ранее, чем они могли бы вызвать фотохимические превращения, мы будем иметь второй случай (б). [c.425]

В, 1935, 335. В качестве превосходного введения в теорию Френкеля и Шоттки по структурным дефектам см. G. R. Rigby [529], 48, 1949, 32 и 33. По мнению Верхугена (J. Verhoogen [17], 38, 1952, главным образом см. стр. 647 и ниже), проводимость кварца обусловлена наличием дефектов в его кислородно-анионной решетке (дефекты Френкеля). [c.700]

Теоретической П. Отеор наз. напряжение, при к-ром происходит одновременный разрыв химич. связей между всеми атомами, расположенными по обе стороны от поверхности разрушения, при О К. Значение с теор — максимально возможная П. твердого тела оно может служить характеристикой идеальной структуры, напр, идеального монокристалла с вытянутыми цепями, если его растягивать в направлении оси цепей, 1фи темп-рах, близких к О К, или малых временах нагружения (ударных нагрузках). Чем выше темп-ра или больше длительность нагружения, тем меньше максимальное напряжение, при к-ром может разрушаться твердое тело с идеальной структурой, поскольку тепловые колебания приводят к возникновению структурных дефектов, снижающих П. Реальные материалы разрушаются при значительно более низких напряжениях (т. наз. техническая П. сг-техн) чем Отеор т. к. имеют неоднородную структуру с локальными напряжениями, возникшими в процессе образования структуры, а также микротрешдны и др. дефекты. В этих местах при относительно небольших внешних нагрузках могут возникать концентрации напряжения, достигающие прочности химич. связей. [c.112]

При плавлении твердых тел, в частности рассматриваемых здесь солей, обычно имеет место увеличение объема [33] на 20%. Рентгенограммы простых расплавленных солей показывают [34], что это расширение не сопровождается, однако, соответствующим увеличением расстояний между ближайшими соседями (этому расстоянию отвечает первый пик бинарной корреляционной функции). Соответственно в теории различимых структур предполагается, что рост объема при плавлении в первую очередь связан с появлением определенного числа объемных дислокаций или структурных дефектов. Эти дефекты, конечно, могут быть различного типа. В одноатомных жидкостях (таких, как аргон), вероятно, наиболее существенны вакансии и разрьь вы, которые возникают в тех случаях, когда не удается сохранить ту или иную регулярную структуру в кристаллических плоскостях жидкости. Подобные нарушения не должны приводить к изменению расстояний между ближайшими соседями, в 10 время как среднее координационное число должно уменьшаться по крайней мере как следствие дефектов первого типа этот вывод находится в качественном соответствии с экспериментальными результатами [34]. [c.116]

Инфракрасные спектры растворов различных электролитов также подтверждают модель структурных дефектов Форслинда и те теории, в которых считается, что вода состоит из комплексов молекул, соединенных главным образом водородными связями, а число мономерных молекул очень незначительно. На равновесие между мономерными и ассоциированными молекулами влияет как температура, так и растворенные электролиты. [c.52]

Концепция структурной диффузии , в неявном виде содержащаяся в теории Бернала и Фаулера, была усовершенствована Хаггинсом [157], который рассмотрел быстрый перенос протона по цепочкам молекул воды, связанных водородными связями, и принял в качестве замедленной стадии перенос протона через участок стыка одной такой цепочки с другой (см. также [159]). На этом участке из-за отсутствия водородной связи нарушается структурная непрерывность, т. е. образуется структурный дефект. Такая модель отражает и положение, существующее в ионе НдО [92, 93], в котором быстрые переносы протона могут происходить без повторной структурной перегруппировки, включающей все молекулы воды, при условии что перенос происходит только внутри комплекса, содержащего четыре атома кислорода. Подобный подход был использован недавно Джирером и Виртцем [159], которые использовали представления Эйкена [89, 160] о стехиометрической ассоциации воды. Авторы предполагают, что эффективные переносы протона могут происходить только в линейных агрегатах воды, образованных водородными связями, а не в замкнутых кольцевых структурах, которые не могут вносить заметный вклад в перенос заряда под действием поля. Подвижность А,н+ определяется выражением [c.110]

Изложение теории, приведенное в предыдущих параграфах, начиналось с замечания о некорректной постановке задачи Коши для обычных уравнений динамики дефектов. Комбинирование теории минимальной связи Янга — Миллса, общепринятых уравнений динамики дефектов и структурных уравнений Картана дало нам возможность получить полную полевую теорию для материалов с дислокациями и дисклинациями. Как отмечалось, теория Янга — Миллса состоит из двух частей концепции минимальной замены и концепции минимальной связи. Прямым следствием построения минимальной замены является замена градиентов деформаций и ньютоновой скорости на дисторсии и скорости дисторсии согласно соотношению (3.7.5). Эта замена возникает как следствие калибровочной инвариантности, а не как результат наложения каких-либо условий. В современных работах замена градиентов деформаций дисторсиями объясняется с той точки зрения, что динамика дефектов должна быть способна описать теорию пластичности. В соответствии с этим интегрируемые смещения просто заменяются неинтегрируемыми дисторсиями, чтобы предотвратить появление отклика напряжения на пластическую деформацию . Этот аргумент незаконен, так как теория пластичности пока что не выведена из теории динамики дефектов. Столь же необоснованно выглядят законы Ньютона в динамике дефектов при замене ньютоновой скорости на скорость дисторсии УК [c.89]

Большинство специальных технологических операций в производстве гетерогенных катализаторов связано с образованием или (и) превращением твердой фазы, и, следовательно, протекающие при этом реакции относятся к классу топохимических. Как следует из предыдущего изложения, для реакций, протекающих по классическому механизму адсорбционного взаимодействия, на каталитической поверхности должны существовать активные центры в виде участков, обладающих повышенной свободной энергией. Такими центрами могут быть структурные дефекты поверхности, включения примесей или атомы специально введенных промоторов. Если исключить из данного рассмотрения последний случай, то можно в общем виде сформулировать следующий принцип активность катализатора симбатна с количеством на его поверхности участков с замороженным неравновесным состоянием, обладающих повышенной свободной энергией. Следовательно, при синтезе (производстве) катализаторов нужно обеспечить образование таких участков. Общий подход к решению такой задачи применительно к тоиохимическим реакциям был изложен более 40 лет тому назад Рогинским в его теории пересыщения, основные положения которой сохранили свое значение и до сих пор. [c.172]

Механизм радиационного образования ионных дефектов в кристаллической решетке щелочно-галоидных кристаллов заведомо сложен. Не будем останавливаться на изложении существующих теорий, ограничась указанием на то, что механизмы, предложенные для объяснения процессов возникновения структурных дефектов под действием радиации, можно разделить на электронные (примером может служить многократная ионизация аниона с последующим электростатическим выталкиванием многократно заряженного иона в междоузлие) и происходящие под действием упругих соударений, в частности, сфокусированных самой кристаллической решеткой. Естественно, что передача кинетической энергии и импульса от налетевшей частицы происходит предпочтительно вдоль направлений плотной упаковки атомов в решетке. Подробное, хотя и вполне элементарное рассмотрение, показывает, что если угол между направлением скорости налетающей частицы и кристаллографическим направлением с плотной упаковкой ионов достаточно мал, скажем, лежит в пределах О—30°, то процесс распространения импульса вдоль цепочки ионов приобретает линейный характер происходит фокулировка импульса вдоль определенной прямой. По аналогии с фононами говорят о формировании и распространении фокусона — квазичастиц с весьма малым временем жизни порядка 10 —10 ° с. Фокусоны могут проявляться в кинетических явлениях — диффузии и пластической деформации под действием облучения, при распылении и растворении твердых тел, при внутреннем трении и т. д. Фокусировка столкновений эффективна только при относительно небольших энергиях смещенных атомов порядка 200 эВ, при больших же энергиях удары мгновенно расфокусируются. [c.164]

Наиболее полная и последовательная теория катализа на полупроводниках была предложена Волькенштейном. Правда, теория Волькенштейна не позволяет еще ни точно предсказать все каталитические свойства полупроводников, ни выбрать а priori подходящий катализатор для данной конкретной реакции, но вообще сомнительно, чтобы подобную задачу сейчас могла решить какая-либо теория. Действительно, полупроводники являются сложными системами, свойства и - электронная структура которых зависят от незначительных модификаций химического состава и наличия структурных дефектов, возникающих в процессе предварительной обработки данного образца. Поэтому вйолне возможно, что полупроводники, почти идентичные по составу, будут сильно отличаться по свойствам. [c.132]

Одна из технических проблем — создание поликристалличес-кой керамики высокой пластичности. Это вызвало бы к жизни конструкционные материалы невиданной термической стойкости. Поскольку монокристаллы ряда окислов пластичны, теория предсказывает, что пластичность сохранится и у поликристалличес-кой керамики при условии, если материал будет состоять из химически чистых окислов, будет мелкозернистым, не иметь пор, не включать другие фазы. Внимание акцентируется теперь на физической чистоте керамических материалов, так как стало известно, что одна из основных причин низкой механической и термической прочности керамических изделий — структурные дефекты материала. [c.50]

Необходимо дальнейшее развитие теории реальных поверхностей. Задача состоит в достаточно всестороннем исследовании той роли, которую играют в хемосорбции и катализе поверхностные состояния неадсорбционного происхождения. Задача состоит также в исследовании хемосорбцни и катализа на структурных дефектах поверхности и на группах, образованных из таких дефектов ( ансамблях ), и в раскрытии механизма их действия как активных центров. Рассмотрение этой задачи с позиций электронной теории привело бы электронную теорию в контакт с теорией ансамблей и, несомненно, явилось бы новым этапом в развитии теории ансамблей. [c.178]

В частности, при помощи весовых множителей можно устранить из расчета те отражения, которые заведомо искажены экстинкцией. Следовательно, уточнение по методу наименьших квадратов в известной степени позволяет преодолеть один из главных дефектов теории структурного анализа — несоответствие между реальными законами отражения и упрощенной кинематической теорией интенсивности, предполагающей идеально мозаическое строение кристалла. Однако этот прием учета экстинкции несколько необъективен и должен применяться с большой осторожностью. [c.569]

Предположения мультиплетной теории относительно дублетной хемосорбции и роли образования активированного хемосорбированного комплекса как лимитирующей стадии принципиально не противоречат электронной теории. Однако есть принципиальное различие между двумя теориями. Мультиплетная теория объясняет изменение каталитических свойств изменением значений ( хк, тогда как электронная теория, разработанная для идеальной каталитической поверхности, предполагает, что хемосорбированные молекулы образуют локальные уровни независимо от положения уровня Ферми, и каталитические свойства меняются вследствие изменения соотношения различных типов хемосорбции. Электронная теория реальной каталитической поверхности [4, 32, 33] устраняет это противоречие, полагая, что структурные дефекты служат также центрами хемосорбции и что существует не только один тип локальных уровней, но и сложный спектр уровней. Под влиянием добавок будут образовываться новые уровни и будет изменяться уровень Ферми и, таким образом, новые уровни будут играть важную роль в каталитической реакции. По представлениям мультиплетной теории, энергия связей внутрииндексных атомов реагирующих молекул в активированном комплексе может изменяться под влиянием добавок. Направление вероятного изменения значений ( нк и ( ок в зависимости от добавок может быть также предсказанной на этой основе. [c.439]