Кристаллы положение в периодической

Это сходство с металлами указывает, что валентные электроны в германии не связаны с атомами столь прочно, как можно было бы ожидать для настоящего ковалентного каркасного кристалла. Мыщьяк, сурьма и селен существуют в одних модификациях в виде молекулярных кристаллов, а в других модификациях - в виде металлических кристаллов, хотя атомы в их металлических структурах имеют относительно низкие координационные числа. Известно, что теллур кристаллизуется в металлическую структуру, но довольно вероятно, что он может также существовать в виде молекулярного кристалла. Положение астата в периодической таблице заставляет предположить наличие у него промежуточных свойств, однако этот элемент еще не исследован подробно. [c.607]

Курс неорганической химии излагается на основе новых представлений о строении вещества. В основу системы расположения материала и всего построения курса положен периодический закон в современном его освещении. Описание элементов и их соединений стройно и строго научно систематизировано. Большое внимание уделено кристалло-хими-ческой трактовке свойств различных неорганических веществ. Автор часто прибегает к термодинамическим представлениям, обстоятельно излагает координационное учение, современную теорию растворов. Большое внимание уделено вопросам технологии отдельных элементов и их соединений, а также кх применению в промышленности. Автор проявляет особый интерес к последним достижениям экспериментальной химии, обстоятельно знакомя читателя с основными результатами, достигнутыми в той или иной области. [c.4]

Исследователи еще очень далеки от построения количественной теории зависимости свойств от состава и структуры кристаллов, а поэтому должны довольствоваться качественными соображениями, в основе которых часто лежат эмпирические понятия. Так, например, нельзя обосновать, почему кристаллы различных металлов имеют те, а не иные кристаллические структуры, а поэтому нужно рассматривать в отдельности некоторые факторы, которые могут или должны оказывать влияние на вероятность появления той, а не иной структуры. В основу изучения общего характера взаимодействия элементов положен периодический [c.10]

Межионное расстояние, определяемое равновесием сил притяжения и отталкивания в кристаллах, рассматривают как сумму радиусов аниона и катиона. Размер ионного радиуса связан с положением элемента в периодической системе элементов. В пределах главных подгрупп ионный радиус возрастает при переходе сверху вниз. У изо-электронных ионов, т. е. ионов с одинаковой электронной конфигурацией, радиус уменьшается с увеличением заряда ядра, все больше сжимающего электронную орбиталь (для ионов К+, Са +, 8с + ионный радиус равен 0,133, 0,104 и 0,083 нм соответственно). [c.35]

По структуре жидкость занимает промежуточное положение между твердым телом со строго определенной периодической структурой во всем кристалле (наличие дальнего порядка) и газом, в котором отсутствует какая-либо структура и движение частиц беспорядочно. Отсюда для жидкости характерно, с одной стороны, наличие опреде- [c.151]

Однако и до такого сжатия периодическая коллоидная структура обычно находится в состоянии только временного равновесия. Время от времени то одна, то другая частица перескакивает из положения равновесия в узле квази-кристаллической решётки в ближайшую потенциальную яму. Возникающие дефекты квазикристаллической решетки множатся необратимо и не могут залечиваться . Таким образом, в отличие от кристаллов, периодические коллоидные структуры находятся часто не в состоянии термодинамического равновесия, а [c.319]

Рассмотрим идеальный кристалл, состоящий из атомов одного сорта, которые распределены по узлам правильной трехмерно-периодической решетки. Положения атомов в такой решетке задаются векторами Го [c.100]

Г. Б. Бокий отметил, что затруднения, связанные с установлением периодических зависимостей свойств соединений от положения элемента в периодической системе, значительно уменьшаются, если сравнивать свойства кристаллических форм простых веществ, т. е. соединений элемента с самим собой . Действительно, все многообразие типов структур в этом случае удается свести к шести основным типам упаковки. Типичные металлы кристаллизуются в кубической центрированной, кубической (плотнейшей), гексагональной. Координационное число для кубической центрированной упаковки равно 8, а для гексагональной и плотнейшей кубической—12. Большое значение координационного числа обусловлено отсутствием направленности химической связи в кристаллах металлов и, соответственно, стремлением атомов (ионов) металла окружить себя максимальным числом соседей . Следующие три типа решеток менее четко определены — это молекулярные решетки, например решетки твердых кислорода и азота, решетки с координационным числом К=8—N и, наконец, все прочие структуры. [c.275]

Идеальными называются кристаллы, в которых заняты все узлы решетки, а все междоузлия свободны. Поскольку узел решетки— это среднее по времени значение координат центров тяжести частиц, колебания частиц в идеальном кристалле совместимы с периодичностью пространственного расположения узлов решетки, хотя мгновенное расположение самих частиц в кристалле не является идеально периодическим. Дефектами решетки в физике кристаллов называют любые отклонения от идеально периодического расположения узлов в пространстве. Принятая терминология сложилась исторически и связана с тем, что идеальное строение решетки первоначально рассматривали как единственное нормальное состояние равновесной решетки. Однако действительное положение дел здесь несколько иное. [c.269]

Атомы (нейтральные или ионизованные) в кристалле периодически смещаются от положения равновесия, колеблются. В случае двух-и многоатомных молекул помимо смещения центра инерции молекулы происходят вращение молекулы как целого и внутримолекулярные колебания. Вращение молекул, не обладающих сферической симметрией, является в кристалле заторможенным, так как потенциальная энергия взаимодействия соседних молекул зависит от их относительной ориентации. Если затормаживающий потенциал велик, то вместо вращения наблюдаются вращательные качания молекул около положения равновесия — такой ориентации, которая отвечает минимуму потенциальной энергии. Возможно, что имеется несколько ориентаций, отвечающих минимуму энергии взаимодействия соседей, и тогда более или менее часто, в зависимости от высоты потенциального барьера, молекулы будут менять свою ориентацию, а в промежутках совершать качания около одного из положений равновесия. Вращательные качания молекул называют часто либрационными колебаниями. [c.311]

Таким образом, из 109 элементов 87 являются металлами. В соответствии с положением в периодической системе атомы металлов имеют небольшое число валентных электронов. Эти электроны достаточно слабо связаны со своими ядрами и могут легко отрываться от них. В результате в узлах кристаллической решетки появляются положительно заряженные ионы, а между ними свободно перемещаются электроны (так называемый электронный газ ). Связь между положительными ионами, осуществляемая за счет притяжения электронов, свободно перемещающихся по кристаллу, называется металлической. Металлической связью объясняются физические свойства металлов. По агрегатному состоянию все металлы, за исключением ртути, при обычных условиях являются твердыми веществами. Они обладают характерным блеском, хорошей ковкостью и пластичностью, электро- [c.242]

Положение рычага 11 ъ зависимости от толщины кристалла 12 фиксирует положение плунжера 7 индукционного дифференциального датчика по отношению к индукционной катушке 1, что соответствует определенной э. д. с. на выходе датчика. Э. д. с. замеряется вторичным прибором, шкала которого отградуирована в миллиметрах. После отключения электрического тока подвижная часть прибора под действием собственного веса устанавливается в нерабочее положение. В случае зависания системы при попадании в полость прибора механических частиц электромагнит 2 возвращает ее в исходное положение. Поочередное включение электромагнитов 4 к 2 способствует перемещению подвижной части в результате периодической очистки трущихся поверхностей от механических частиц, тормозящих перемещение. [c.296]

В соответствии с положением в Периодической системе атомы металлов имеют небольшое число валентных электронов. Эти электроны достаточно слабо связаны со своими ядрами и могут легко отрываться от них. В результате этого в кристаллической решетке металла появляются положительно заряженные ионы и свободные электроны. Поэтому в кристаллической решетке металлов существует большая свобода перемещения электронов одни из атомов будут терять свои электроны, а образующиеся ионы могут принимать эти электроны из электронного газа . Как следствие этого, металл представляет собой ряд положительных ионов, локализованных в определенных положениях кристаллической решетки, и большое количество электронов, сравнительно свободно перемещающихся в поле положительных центров. В этом состоит важное отличие металлических связей от ковалентных, которые имеют строгую направленность в пространстве. В случае металлов невозможно говорить о направленности связей, так как валентные электроны распределены по кристаллу почти равномерно. Именно этим и объясняется, например, пластичность металлов, т.е. возможность смещения ионов и атомов в любом направлении без нарушения связи. [c.65]

В ОДНИХ местах и меньшей в других. Как и любую периодическую функцию, это распределение можно представить в виде суммы синусов и косинусов (ряд Фурье), и коэффициенты при членах этого ряда оказываются равными отдельным структурным факторам, поделенным на объем элементарной ячейки. Используя предварительный набор структурных факторов, можно вычислить, таким образом, электронную плотность р(х, у, г) в зависимости от положения в кристалле. Эти вычисления довольно трудоемки, и часто предпочитают, особенно на первых стадиях структурного исследования, рассчитывать двумерные синтезы Фурье, дающие р(х, у) и т. д. Величины р(х, у) представляются в виде контурных карт, изображающих проекции электронной плотности на выбранную плоскость кристалла. Если какие-либо молекулы расположены более или менее параллельно рассматриваемой плоскости, то из проекции довольно точно можно определить положение атомов таких молекул. Положения атомов, выведенные таким путем из нескольких проекций электронной плотности, могут использоваться теперь для получения лучшего соответствия с наблюдаемыми интенсивностями, и затем строятся новые синтезы Фурье. Несколько повторений такой операции приводят, наконец, к наилучшему возможному набору параметров для исследуемой структуры. Карта электронной плотности приведена в приложении на рис. 17. [c.315]

К. П. Мищенко по этому поводу писал Следует выделить одно специфическое отечественное направление, в котором плодотворно трудятся школы А. Ф. Капустинского, К- Б. Яцимирского и С. А. Щукарева используя строгие термодинамические предпосылки, устанавливая связи между свойствами ионов в кристаллах и в растворах и положением этих ионов в Периодической системе, они стремятся применить закон Менделеева для развития теории растворов. Интересное сочетание термодинамических методов, электростатики и квантовой механики с законом Менделеева приводит к установлению ряда теоретических и эмпирических правил, раскрывая одновременно неисчерпаемое богатство периодического закона. Такой путь особенно ценен тем, что позволяет охватить закономерностями большое количество разнообразных ионов (в том числе и весьма сложных комплексных), для которых количественные расчеты с учетом отдельных типов взаимодействия. .. невозможны [119]. [c.30]

С молекулярно-кинетической точки зрения агрегатноесостояние вещества определяется интенсивностью молекулярного движения, которое зависит от величины кинетической энергии и сил взаимного притяжения между частицами. Жидкость в условиях, близких к превращению в кристалл, обладает периодической структурой, похожей на структуру кристаллических решеток твердого тела. Наличие у жидких тел периодической структуры подтверждается тем, что теплоемкость жидкости и теплоемкость твердого тела вблизи температуры кристаллизации близки. Есть основание полагать, что частицы жидкости совершают колебательное движение около некоторых положений равновесия, находясь в окружении других таких же колеблющихся частиц. Характерно для жидкостей, что положение равновесия не постоянно, как у твердых тел, а время от времени меняет свое место. Молекулы жидкости скачкообразно перемещаются от одного положения равновесия к другому. Благодаря этому жидкость обладает определенной текучестью. Из сказанного следует, что во многих местах жидкости в какой-то момент ряд частиц располагается друг в отношении друга в каком-то определенном порядке., [c.138]

Рассеяние рентгеновских лучей атомом зависит от его положения в пространстве и от числа имеющихся у него электронов. Рентгеновское рассеяние от ряда атомов можно рассчитать путем суммирования вкладов от отдельных атомов. Периодичность рядов идентичных атомов приводит к тому, что заметное рассеяние наблюдается лишь при очень ограниченном наборе геометрий эксперимента. При рассмотрении рядов молекул подход должен быть таким же, как при рассмотрении рядов атомов. Кристалл — трехмерная периодическая решетка, состоящая из элементарных ячеек, размноженных в пространстве. Вершины ячеек определяют кристаллическую решетку. Периодичность этой трехмерной решетки ограничивает наблюдение рассеяния дискретным бабором геометрий, которому соответствует обратная решетка кристалла. [c.400]

Результаты работ Синфелта и сотр. [17—20] по исследованию влияния парциальных давлений этана и водорода на скорость гидрогенолиза достаточно хорошо согласуются с механизмом, предложенным Тейлором [2, 13]. При этом порядок реакции по углеводороду близок к единице и отрицателен по водороду. Полученные данные хорошо согласуются также с представлениями об интенсивном дегидрировании на поверхности, предшествующем медленной стадии разрыва С—С-св>1зей. Синфелтом [20] на примере гидрогенолиза алканов рассмотрена связь активности и селективности металлических катализаторов с положением металла в периодической системе элементов, а также некоторые вопросы определения дисперсности металлов, особенности их каталитического действия, катализ на биметаллических системах и сплавах. Отмечено, что тип активных центров на поверхности металла определяется его дисперсностью. Доля координационно ненасыщенных атомов, расположенных на ребрах и вершинах кристаллов, резко увеличивается с уменьшением размеров кристаллитов и почти равна единице в случае кластеров, включающих несколько атомов. Этим обусловлено влияние дисперсности металла на удельную активность металлических катализаторов, что проявляется для большой группы структурно-чувствительных реакций. При катализе на сплавах важное значение приобретает возможное различие составов на поверхности и в объемах сплавов. Введение в систему даже малого количества более летучего компонента часто приводит к значительному обогащению им поверхности сплава. [c.91]

Иллюстрацией данного положения может послужить исследование, проведенное автором и его коллегами [21] в годы войны. Речь идет о разработке метода нитрования гексаметилентетра-мина (гексамина) с целью получения взрывчатого вещества цик-лонита (R. О. X.). Мелкие кристаллы гексамина добавляли к 97—100%-ной азотной кислоте при соответствующей температуре. Кинетика реакции была неизвестна, но было обнаружено, что суммарный выход, полученный в лабораторном реакторе периодического действия, весьма чувствителен к соотношению гексамина и азотной кислоты в реакционной смеси. По-видимому, это связано с влиянием эффективной концентрации нитрующей среды. По мерс протекания реакции расходуется азотная кислота и выделяется вода. При этом происходит постепенное растворение и взаимодействие все новых и новых количеств твердого гексамина при непрерывном разбавлении кислоты. Логичное объяснение экспериментальных наблюдений дает гипотеза, согласно которой мгновенный выход, т. е. выход на каждую вновь добавляемую порцию гексамина, почти полностью определяется мгновенной концентрацией кислоты. [c.124]

Наиболее вероятные положения для размещения новой частицы в начале роста поверхности — положение полукристалла (позиция/, см. рис. 3.6) и посередине поверхности (позиция 4), наименее вероятное—в углу. Здесь наблюдается ситуация, противоцоложная случаю ионных кристаллов. Построение одной начатой плоскости происходит быстро, с энергетической точки зрения труднее начать следующую поверхность. Рост кристалла имеет, следовательно, периодический характер [33]. [c.265]

При сравнении же металлов в ряду напряжений за меру химической активности принимается работа превращения металла, находящегося в твердом состоянии, в гидратированные ионы в водном растворе. Эту работу можно представить как сумму трех слагаемых энергии атомизации — превращения кристалла металла в изолированные атомы, энергии ионизации свободных атомов металла и энергии гидратации образующихся ионов. Энергия атомизации характеризует прочность кристаллической решетки данного металла. Энергия ионизации атомов — отрыва от них валентных электронов — непосредственно определяется положением металла в периодической системе. Энергия, выделяющаяся при гидратации, зависит от электронной структуры иона, его заряда и радиуса. Ионы лития и калия, имеющие одинаковый заряд, но различные радиусы, будут создавать около себя неодинаковые электрические поля, Поле, возникающее вблизи маленьких ионов лития, будет более си.пьным, чем поле около больших ионов калия. Отсюда ясно, что ионы лития будут гидратироваться с выделением большей энергии, чем ионы калия. [c.329]

Положения главных максимумов дифракционного спектра / (Н) соответствуют узлам обратной решетки правильного кристалла, а функция. У (Н) является непрерывной функцией вектора обратного пространства Н. Любое искажение правильной структуры кристалла будет сопровождаться перераспределением части интенсивности главных максимумов дифракционного спектра в области обратного пространства между узлами обратной решетки. Это проявляется на рентгенограммах в виде диффузного фона между главными отран<ениями. Геометрия и интенсивность диффузного фона зависит от характера искажений правильной трех-мерно-периодической структуры кристалла, благодаря чему возможно экспериментальное изучение нарушений кристаллической структуры по эффектам диффузного рассеяния. Подробное изложение теории диффузного рассеяния рентгеновских лучей можно найти в работах [1—4]. [c.99]

При образовании гомоатомных соединений (простых веществ) все эффекты, связанные с разностью электроотрицательностей взаимодействующих атомов, исключаются. Поэтому в простых веществах не реализуются полярные, а тем более преимущественно ионные связи. Следовательно, в простых веществах осуществляется лишь металлическая и ковалентная связь. Следует при этом учесть и возможность возникновения дополнительного ван-дер-ваальсов-ского взаимодействия. Преобладание вклада металлической связи приводит к металлическим свойствам простого вещества, а неметаллические свойства обусловлены преимущественно ковалентным взаимодействием. Для образования ковалентной связи взаимодействующие атомы должны обладать достаточным количеством валентных электронов. При дефиците валентных электронов осуществляется коллективное электронно-атомное взаимодействие, приводящее к возникновению металлической связи. На этой основе в периодической системе можно провести вертикальную границу между элементами П1А- и 1УА-групп, слева от которой располагаются элементы с дефицитом валентных электронов, а справа — с избытком. Эта вертикаль называется границей Цинтля Ее положение в периодической системе обусловлено тем, что в соответствии с современными представлениями о механизме образования ковалентной связи особой устойчивостью обладает полностью завершенная октетная электронная 5 /гр -конфигурация, свойственная благородным газам. Поэтому для реализации ковалентного взаимодействия при образовании простых веществ необходимо, чтобы каждый атом пмел не менее четырех электронов. В этом случае возможно возникгювение четырех ковалентных связей (5/) -гибридизация ), что и реализуется у элементов 1УА-группы (решетка типа алмаза у углерода, кремния, германия и а-олова с координационным числом 4). Если атом имеет 5 валентных электронов (УА-группа), то до завершения октета ему необходимо 3 электрона. Поэтому он может иметь лишь три ковалентные связи с партнерами (к. ч. 3). В этом случае кристалл образован гофрированными сетками, которые связаны между собой более слабыми силами. Получается слоистая структура, в которой расстояние между атомами, принадлежащими одному слою, намного меньше, чем между атомами различных слоев (черный фосфор, мышьяк, сурьма) [c.29]

Образование дефектов не всегда может приводить к нарушению стехиометрии. На рис. 12, д приведен пример так называемого ан-тиструктурного разупорядочения, при котором атомы А и В попадают в узлы чужой подрешетки. Это возможно в том случае, если компоненты соединения близки между собой по металлохимическим свойствам . Кристаллы с антиструктурными дефектами представляют собой твердые растворы взаимозамещения. Например, в бинарном соединении GeAs, компоненты которого являются соседями в периодической системе, возможно такое антиструктурное разупорядочение, при котором атомы Ge попадают в подрешетку As, и наоборот. Комбинации простых дефектов могут привести к взаимной компенсации их влияния, в результате чего нарушений стехиометрии может и не быть. Так, смещение атома из его равновесного положения в междоузлие (рис. 12, ё) приводит к появлению комбинированного дефекта вакансия — атом в междоузлии. Такая [c.58]

Р-центры. Принято считать, что избыточные атомы щелочного металла располагаются в кристалле галогенида щелочного металла в нормальных, естественных для щелочного иона положениях в решетке. Следовательно, для обеспечения этого процесса в решетке должно создаваться соответствующее число вакантных узлов, занятых до их освобождения отрицательными ионами (их называют анионными вакансиями). Отрицательные ионные вакансии в решетке, которая, если не считать наличия этих вакансий, является идеально периодической, ведут себя электростатически, подобно положительным зарядам, так что электрон, движущийся вокруг отрицатб льной ионной вакансии, можно качественно уподобить водородному атому. Вот такое образование, состоящее из электрона и удерживающей его отрицательной ионной вакансии, и называют [c.423]

Спектральные характеристики периодических МГ исследовались, например, в [147, 148]. В работах [152—154] методы теории графов применялись для нахождения зависнмо-сти положения длинноволновой полосы поглощения полиметино1вых красителей и элект-ронодонорных свойств их концевых групп от топологии молекулы. Теория инфракрасных спектров полимерных молекул и кристаллов, в которой возникают матрицы с периодической структурой, изложена в монографии [155]. С о сновными идеями теории химической топологии можно познакомиться в работе [156]. [c.61]

Кристаллоносец должен обеспечивать надежное закрепление затравки в нужном положении, возможность придания затравке, а впоследствии и кристаллу, может быть большому, нужного типа движения. Он обязан обеспечивать сохранность затравки при вводе кристаллизатора в режим роста. Кристаллоносец не должен деформироваться при выбранном типе и скорости движения, с учетом массы получаемого кристалла. В противном случае между кристаллом и кристаллоносцем при упругих деформациях последнего периодически образуется щель. В ней отлагается вещество, и при обратном изгибе создаются напряжения, возникают трещины. Обычно они сочетаются с массой включений, и часть кристалла, прилегающая к кристаллоносцу, и иногда большая, оказывается непригодной к использованию. С другой стороны, даже в случае идеально жесткого кристаллоносца кристаллизационное давление и различия в коэффициентах расширения могут приводить к напряжениям в кристалле, появлению аномальных двупре-ломляющих зон. Поэтому обычно стараются избегать жестких контактов между кристаллом и материалом кристаллоносца. Для этого кристаллоносец либо покрывается пленкой эластичного лака, либо, что удоб1 ее, изолируется от кристалла полихлорвиниловыми, полиэтиленовыми или резиновыми трубками (рис. 4-3). Торец такой трубки одновременно является держателем затравки. Такие кристаллоносцы применяют и при вращении, и при колебательном движении кристалла. Утолщение на конце стержня служит для более прочного закрепления обрастающего его кристалла, что особенно важно при применении возвратно-поступательного движения. [c.150]

Таким образом, мы приходим к окончательному выводу относительно равновесной структуры гетерофазного кристалла. Гетерофазная структура состоит из отдельных комплексов, представляющих собой полидоменные пластины, состоящие из периодически чередующихся доменов — пластинок тетрагональной фазы (рис. 60). Пластинки имеют различные направления оси тетрагональности и находятся в двойниковых положениях относительно плоскости их сопряжения (110). [c.295]

Известно, что при растял ении натурального каучука происходит процесс изменения структуры материала, обычно называемый процессом кристаллизации. Однако для веществ с очень большими молекулами понятие кристалла в обычно употребляемом смысле приводит часто к недоразумениям. При описании кристалла низкомолекулярного вещества достаточно указать положение центров тяжести молекул и пространственное расположение их элементов симметрии. Это описание является достаточным до тех пор, пока молекулы малы, а колебания отдельных частей молекулы не приводят к изменению ее формы. В том же случае, когда молекулы очень велики и представляют собой гибкие цепи, периодическое расположение центров тяжести таких больших молекул в пространстве не определяет периодического расположения отдельных подобных химических групп цепи. При этом остается неясным, должны ли мы считать высокополимерпое тело кристаллическим в том случае, когда имеется периодическое распределение центров тяжести цепных молекул (т. е. выполняется критерий кристалличности для тел, составленных из малых молекул) или же когда имеется периодическое распределение центров тяжести звеньев цепей. Если мы воспользуемся критерием, предложенным Ландау [4], то легко обнаружить, что периодическое расположение центров тяжести непрерывно деформирующихся (вследствие теплового движения) цепей соответствует не периодической, а постоянной, во всем пространстве, функции плотности (по Ландау). Периодическое же изменение функции плотности отвечает периодическому распределению центров тяжести звеньев. Таким образом, мы сразу приходим к выводу, что кристаллом высокополимера целесообразно называть лишь тело, в котором все звенья всех цепей расположены периодически. Очевидно, что, согласно изложенному, в кристалле высокополимера цепи должны быть прямолинейными . [c.220]

Значения а. периодически изменяются в зависимости от положения элемента в периодической системе. В отличие от поляризующего действия ионов, их поляризуемости а,, растут с увеличен11ем главного квантового числа и уменьшаются с ростом заряда. В твердых телах из-за сложности взаимодействий е обычно не удается вычислить из поляризуемостей отдельных ионов. Поляризуемость в твердом веществе состоит в основном из двух частей электронной 3 , обусловленной смещением электронов относительно ядра, и ионной ад(,нн> связанной со смещением ионов по отношению к другим ионам. В молекулярных кристаллах к этому добавляются ориентационная поляризуемость, а в сегнетоэлектриках — спонтанная поляризуемость целых областей кристалла. [c.81]

Развитию учения Д. И, Менделеева о растворах способствует также и направление работ, устанавливающих связи между свойствами растворов и Периодическим законом. В этой области следует особо отметить школы А. Ф. Капустинского, С. А. Щукарева и К. Б. Яцимирского, работы Л. С. Лилича. Существенно, что, устанавливая связи между свойствами ионов в кристаллах и в растворах, с одной стороны, и с положением этих ионов в Периодическо системе — с другой, эти авторы в своих взглядах опираются на строгие термодинамические предпосылки. Разумное сочетание термодинамических методов, электростатики и приближенных соображений квантовой механики с требованиями Периодического закона приводит к установлению весьма полезных, правда, в большинстве случаев иолуэмтх-рических правил. Такой путь особенно ценен тем, что позволяет охватить при рассмотрении большое количество разнообразных ионов (в том числе и весьма сложных комплексных), для которых даже приближенные количественные расчеты с учетом отдельных типов взаимодействия пока невозможны [52]. [c.19]

Однако таким путем невозможно подобрать искомый катализатор по одному лишь положению элемента в периодической системе. Известно, что хороший катализатор, кроме принадлежности к определенному типу твердых тел и наиболее выгодного значения элементарных параметров, определяющих его силовые возможности, должен обладать рядом допол-нительных особенностей, и выбор наилучшего контакта — дело весьма сложное. Так, совершенно обязательны высокая и прочная дисперсность. Далее, очень важны степень специфичности ускорения, отравляемоеть, химическая и термическая устойчивость и т. д. Серьезное значение может иметь индекс, преобладающий в огранении кристалла, поскольку геометрическое расположение, заряди состав поверхностного слоя,как правило, различны для разных граней. [c.22]

Как указывалось в разделе III.2.3, после термической обработки монокристаллов в течение определенного времени достигается некоторая постоянная толщина кристалла, соответствующая данной температуре термообработки. Исходя из общих феноменологических соображений термодинамики, можно сделать вывод о том, что для уменьшения энергетически невыгодной большой площади поверхности соотношение поверхности и объема должно быть минимальным, что соответствует кристаллам больших размеров. Тот факт, что макромолекулы полимеров, несмотря на указанное обстоятельство, складываются с образованием кристаллов, обладающих небольшой постоянной высотой, свидетельствует о существовании каких-то иных факторов, препятствующих увеличению толщины кристаллов. По мнению Питерлина, одним из таких факторов может быть следующий. Атомы сегментов макромолекул, расположенных в вертикальном направлении между двумя торцевыми поверхностями пластинчатого кристалла, колеблются в периодическом потенциальном поле, которое как бы размазывается в результате наложения колебаний атомов соседних цепей. Благодаря этому свободная энергия цепи достигает минимального значения при превышении некоторой критической длины сегмента. Основные положения этой теории будут рассмотрены ниже. [c.188]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология