Поверхностная плотность свободного заряда

Дифференцируя (2.56) по поверхностной плотности свободного заряда а (т. е. в качестве независимой переменной здесь выступает свободный сторонний заряд поверхности металла в дальнейшем будем опускать этот надстрочный индекс) получаем выражение для обратной величины дифференциальной емкости С ДЭС межфазной границы М/5, состояш,ей из двух частей — электронной и дипольной [c.59]

Коронируют, например, технологические материалопроводы из диэлектрических труб. Этот процесс наиболее сильно проявляется в начале перемещения жидкостей или сыпучих материалов. Их внутренние поверхности заряжаются при взаимодействии с потоком, и возникающая при этом в прилегающих к наружным стенкам напряженность электрического поля достигает значений, при которых возможно возникновение коронного разряда и формирование поверхностной плотности зарядов противоположного знака на наружных стенках труб. Подобные разряды могут возникать при истечении заряженной жидкости свободно падающей струей. [c.123]

Измайлов [16, 17] определил свободные энергии переноса и эффекты среды для значительного числа ионных комбинаций по результатам измерений э. д. с. и растворимости. Оказалось, что свободные энергии переноса сильных одноосновных кислот в один и тот же растворитель характеризуются высокой степенью регулярности. На основании полученных результатов было высказано предположение, что сольватация анионов, по-видимому, минимальна, а найденные изменения свободных энергий переноса электролитов из воды в рассматриваемый растворитель можно полностью отнести за счет различий в сольватации протона в этих двух растворителях [18]. Последующие исследования показали, что такое допущение слишком упрощенно. В дальнейшем Измайлов [16, 17] собрал данные по суммарным энергиям сольватации различных катион-анионных комбинаций, а также по разностям энергий сольватации для нескольких пар катионов. На основе этих данных он построил график зависимости свободной энергии сольватации для комбинаций первичного катиона, например протона, с рядом анионов от обратного радиуса аниона (г ) и экстраполировал эту зависимость на 1/го = 0. Поверхностная плотность заряда больш ого иона, по всей вероятности, должна быть настолько малой, что сольватация его будет незначительной, и поэтому вкладом свободной энергии сольватации таких ионов в суммарную энергию сольватации электролита в пределе при 1/Га = О можно полностью пренебречь. Аналогично были построены графики зависимости для разности энергий сольватации какого-то одного первичного катиона, и некоторых других катионов различных радиусов. [c.320]

Связь между избыточным поверхностным зарядом, падением потенциала в области пространственного заряда и плотностью свободных носителей [c.392]

Главной характеристикой электретов является поверхностная плотность зарядов Оэфф, значение и знак которой зависят от соотношения компонент — поляризации и инжектированных зарядов, т. е. от количества связанных и свободных зарядов [см. формулу (2)], Чтобы определить Оэфф, нужно в первую очередь найти взаимосвязь Оэфф со значениями напряженности электрического поля вблизи электрета, т. е. в зазоре электрет—электрод и внутри электрета. Электрет с электродами можно представить как трехслойный диэлектрик, состоящий из электрета толщиной Ь и двух воздушных зазоров 1 и 12 между электродами и поверхностью образца (рис. 6, а). Если на электроды подается напряжение V, то для напряженностей поля в зазорах Ех н Ез м поля внутри электрета Еэ имеем следующие соотношения (с учетом, что на поверхности электрета имеются поверхностные заряды с плотностью сг фф) [c.19]

Образовавшийся в объеме полупроводника вследствие существования поверхностных состояний пространственный заряд может быть рассчитан, если известны величины Ф , Ф , п,. Оказалось, что глубина проникания пространственного заряда в полупроводнике составляет от 10 до 10 сж" 2. Для металлов эта величина имеет порядок 10 см, что является следствием меньшей плотности свободных носителей тока в полупроводниках. [c.10]

На поверхности раздела диполи одной среды ориентированы к ней положительными зарядами, а второй — отрицательными, Поэтому в пограничном слое будет преобладать заряд той среды, у которой поляризуемость а больше. Иными словами, поверхностный связанный заряд в тонком слое возникает из-за неодинаковой поляризуемости частиц твердого диэлектрика и жидкости. Плотность заряда равна разности поляризаций твердого диэлектрика и жидкости. При отсутствии на границе раздела свободных зарядов для системы твердый диэлектрик — жидкость, помещенной во внешнее электрическое поле, справедливо равенство [5] [c.40]

О — дисперсность, м , м /кг оптическая плотность — напряженность электрического поля. В/м потенциал протекания, В е —заряд электрона, Кл Р — сила, Н свободная энергия, Дж <3 — поверхностная активность модуль упругости, Н/м [c.4]

Возможность существования поверхностных состояний была впервые рассмотрена Таммом [1], который пришел к выводу, что соответствующие им уровни лежат в запрещенной зоне. Можно предположить, что эти поверхностные состояния возникают различными путями. Они могут включать в себя уровни, получающиеся из сложных атомных уровней [2], уровни, образующиеся вследствие изменения потенциала Маделунга в поверхностной области [3] и вследствие присутствия адсорбированных веществ [4], и уровни, связанные с такими обычными поверхностными нарушениями, как трещины Смекала, спиральные дислокации и другие дефекты. Особенности уровней Тамма были теоретически рассмотрены многими авторами [5]. Предполагается, что число локализованных поверхностных состояний может соответствовать числу поверхностных атомов. Энергетические уровни, соответствующие этим поверхностным состояниям, могут быть или дискретными, или равномерно распределенными по всему промежутку между заполненной зоной и зоной проводимости. Последнего можно ожидать при высоких концентрациях примеси. Бардин [5] утверждает, что, если плотность поверхностных состояний достаточно велика (больше 10 ш ), на свободной поверхности может образоваться двойной электрический слой, возникающий вследствие поверхностного заряда, вызванного электронами, находящимися в этих состояниях. Этот заряд будет индуцировать объемный заряд противоположного знака, распространяющийся примерно на 10 см внутрь кристалла. Согласно Бардину, это приводит к независимости работы выхода электрона для таких веществ от высоты уровня Ферми внутри материала и, следовательно, к независимости ее от содержания примесей в объеме. Этот постулат распространяется и на поверхности раздела металл — полупроводник. В данном случае металл стремится расширить поверхностные состояния полупроводника. Однако, когда это расширение мало по сравнению с шириной запрещенной зоны, пространственный заряд полупро-водника не зависит от металла. В тех случаях, когда расширение значительно по сравнению с запрещенной полосой, не может быть сделано никаких выводов. [c.168]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология