Молекулярные кристаллы скорости

Следует подчеркнуть, что такой способ подхода к вопросу обладает полной общностью и применим при любых температурах к любым телам вне зависимости от их молекулярной природы (ионные или молекулярные кристаллы, аморфные тела, металлы, диэлектрики и т. п.). Важной особенностью метода является и то обстоятельство, что, поскольку в вычислении поля используются точные уравнения Максвелла, автоматически учитываются также эффекты запаздывания, связанные с конечной скоростью распространения электромагнитных взаимодействий. Эти эффекты становятся существенными, когда расстояние Я достаточно велико Я Хо/2я, где Хо — длина волн, характерных для спектров поглощения данных тел. [c.72]

Наибольшее значение среди теории роста кристаллов имеют диффузионная и молекулярно-кинетическая. Согласно диффузионной теории Нернста процессы на поверхности раздела фаз протекают очень быстро, а скорость гетерогенных процессов лимитируется только диффузией. При кристаллизации поверхность кристалла покрыта тонким слоем малоподвижного раствора, в котором концентрация снижается от средней величины в растворе (с) до концентрации насыщения (со) на самой поверхности кристалла. Этот слой и создает основное сопротивление для диффузионного перехода кристаллизующегося вещества из пересыщенного раствора на поверхность растущего кристалла. Скорость отложения вещества на гранях кристалла описывается уравнением [c.364]

Таким образом, в случае молекулярного кристалла стационарные состояния системы являются коллективными состояниями целого ансамбля, по которым мигрирует энергия возбуждения. Для оценки миграции энергии по кристаллу можно использовать суперпозицию волновых функций, представляющих волновой пакет, имеющий групповую скорость, равную (АЕ/к) б, где б — расстояние между молекулами Разделив это расстояние на групповую [c.100]

Максимальная скорость кристаллизации обычно уменьшается с увеличением молекулярного веса, что сопровождается соответствующим уменьшением степени превращения в кристаллический продукт. Так, скорость роста сферолитов полиамида 6,6, кристаллизующегося при 250 "С, примерно в 2 раза больше для образца с М = 10 000, чем для образца с молекулярным весом Л1п = 14 600. Это подтверждено опытами на большом числе полимеров. Однако температура, при которой скорость кристаллизации является максимальной, не зависит от молекулярного веса. Необходимо учитывать и влияние распределения по молекулярным весам, потому что при данном среднем молекулярном весе скорость кристаллизации снижается с увеличением полидисперсности, как это следует из теории роста сферолитов, развитой Кейтом и Пад-деном . Согласно этой теории более подвижные низкомолекулярные цепи выталкиваются с граней растущих кристаллов. При кристаллизации полидисперсного образца происходит отбор цепей по их длинам, т. е. образуются кристаллы различной толщины. [c.141]

Скорость эпитаксиального роста кристаллов оказалась зависящей от молекулярной массы макроцепей. Так, для полиэтилена наблюдается два максимума. Экстремальный характер этой зависимости авторы [36] связывают с двумя следующими причинами нестабильностью зародышей кристаллов макромолекул с низкими молекулярными массами высоким значением энтропии для макромолекул с весьма высокими молекулярными массами, большими некоторого определенного значения, что препятствует их приближению к поверхности подложки. Для высокополимера с данной молекулярной массой скорость эпитаксиальной кристаллизации возрастает с увеличением степени переохлаждения [36]. Аналогичным образом влияет понижение температуры кристалла-подложки. Многочисленными экспериментами установлено, что степень близости параметров кристаллических решеток полимера и подложки не влияет на эпитаксиальную кристаллизацию, на рост ориентированных кристаллов, но она существенно сказывается на степени дефектности упаковки макроцепей, плотности нуклеации и степени переохлаждения, необходимой для эпитаксиального роста [36]. Скорость эпитаксиального роста и протяженность ориентированного эпитаксиального слоя над поверхностью оказались в прямой зависимости от концентрации раствора [36]. При кристаллизации высокополимеров, для которых характерно несколько поворотных изомеров, оказалось, что условия эпитаксиальной кристаллизации могут вызывать смещение конформационного равновесия [45], а также стимулировать рост кристаллической модификации полимера, метастабильной в обычных условиях его кристаллизации [36]. [c.106]

В одноосных структурах свет, поляризованный в двух взаимно перпендикулярных направлениях, распространяется с разной скоростью. Во многих смектических и нематических жидких кристаллах скорость света, распространяющегося перпендикулярно молекулярным слоям, меньше скорости света, идущего параллельно им. Вещества, обладающие этим свойством, называют оптически положительным. Холестерические структуры ведут себя как оптически отрицательные одноосные кристаллы, т. е. скорость распространения света перпендикулярно молекулярным слоям максимальна. Если скорость распространения света в жидком кристалле одинакова в двух разных направлениях, кристаллы называются двухосными. Для обнаружения жидких кристаллов широко применяется метод двойного лучепреломления. Пучок белого света, у которого вектор напряженности электрического поля колеблется хаотически во всех направления падая на поверхность образца, обладающего двойным лучепреломлением. гается на две составляющие, поляризованные во взаимно перпендикулярных направлениях и распространяющихся с разной скоростью. Углы преломления этих составляющих различаются, а при выходе из образца они идут параллельно, но поляризованы во взаимно перпендикулярных направлениях. Двойное лучепреломление характерно для обычных и жидких кристаллов. [c.47]

Изучение превраш ения радикальных пар в молекулярных кристаллах ДМГ и ДМГ-0,0-(12 позволяет сделать ряд выводов о механизме миграции валентности, определить направление миграции, величины элементарных скачков и константы скорости. Изученные реакции происходят в области температур, где нет фазовых переходов, имеют значительные кинетические изотопные эффекты и, следовательно, отражают миграцию атомов водорода, проходяш,ую в облученных кристаллах. Из рис. 1 видно, что наблюдаемое низкотемпературное превраш,ение пар типа 2—4 в 2—6, т. е. перемещение свободной валентности из положения 4 в положение 6 отражает внутримолекулярную реакцию переноса атома водорода по радикалу [c.216]

Работу всегда можно преобразовать в теплоту. В качестве простейшего примера обычно приводят трение. Камень, движущийся как единое целое с большой скоростью, хотя его молекулы совершают сравнительно медленное беспорядочное движение, останавливается при перемещении по поверхности вследствие трения. После остановки камень уже не имеет скорости движения как единое целое. Однако его молекулы и молекулы поверхности, по которой он скользил, движутся теперь с большими индивидуальными скоростями, чем раньше. Если тело хотя бы частично состоит из газа, молекулярное движение усиливается в прямолинейном направлении во всем сосуде. Если же тело является твердым, в нем усиливается колебательное движение атомов и молекул относительно средних положений в кристалле. В любом случае мы имеем дело с превращением макроскопического движения в микроскопическое. [c.54]

Методы первого направления устанавливают связь скорости реакции с молекулярными характеристиками исходных веществ и переходного (активированного) комплекса. Основная задача, решаемая этой группой методов, заключается в отыскании зависимости потенциальной энергии реагирующей системы от координат составляющих ее атомов [12]. При этом сначала строятся модели молекул, как систем с конечным числом электронов, после чего результаты моделирования обобщаются на бесконечные или полубесконечные кристаллы. [c.61]

Образование зародышей может происходить путем самопроизвольной кристаллизации. При этом оба процесса (образование зародышей и рост кристаллов) протекают одновременно. Если скорость образования зародышей больше скорости их поста, получается большое количество мелких кристаллов. Если же скорость роста больше скорости образования зародышей, получается меньшее количество крупных кристаллов. Изменяя факторы, влияющие на скорость образования зародышей и скорость их роста, можно регулировать размеры кристаллов. Быстрое охлаждение, перемешивание раствора, высокая температура и низкий молекулярный вес кристаллов способствуют образованию зародышей и получению мелких кристаллов. Наоборот, медленное охлаждение, неподвижность раствора, низкая температура и высокий молекулярный вес способствуют процессу роста и получению крупных кристаллов. [c.513]

Суммарная скорость кристаллизации зависит от соотношения скоростей обеих стадий кристаллизации и в общем случае определяется скоростью диффузии молекул к центрам кристаллизации, молекулярной и пространственной структурой сырья,температурой и длительностью процесса и др. Возможны три варианта соотношения скоростей а) скорость диффузии молекул к центрам кристаллизации больше скорости роста размеров кристаллов б) скорость роста размера кристаллов примерно равна скорости диффузии молекул к центрам кристаллизации в) скорость диффузии молекул к центрам кристаллизации лимитируется вязкостью системы и меньше скорости роста кристаллов углерода. При достижении укрупненными центрами кристаллизации (сложными структурными единицами) порога осаждения система расслаивается на фазы (третья стадия). [c.158]

При одном и том же содержании углеродных атомов в молекуле наиболее высокой температурой плавления обладают нормальные алканы, где дисперсионному взаимодействию подвергаются все углеродные атомы соседних молекул. С разветвлением структуры молекул такая возможность вследствие их иной ориентации понижается, что объясняет более низкую температуру кристаллизации. В твердом состоянии молекула алкана расположена упорядоченно, образуя кристаллы различной структуры, преимущественно большие агрегаты достаточно гибких кристаллов. Процесс кристаллизации складывается из двух стадий стадия образования центров кристаллизации (или зародышей) и стадия роста этих центров. Вторая стадия кристаллизации — многоступенчатый процесс, который по различным причинам (например, вследствие возникновения механических напряжений) может останавливаться на любой промежуточной стадии. Монокристаллы образуются только в особых условиях. Обе стадии кристаллизации сильно зависят от температуры. Понижение температуры благоприятствует образованию зародышей кристаллизации, но в то же время уменьшает молекулярную подвижность, а вместе с ней и скорость роста кристаллов. Поэтому температурная зависимость скорости кристаллизации проходит через максимум. Большинство алканов имеет несколько аллотропических модификаций, кристаллизуясь в гексагональной, триклинной, моноклинной и орторомбической формах. Некоторые [c.190]

При большой скорости процесса встраивания кристаллизуемого вещества рост кристалла будет определяться молекулярной диффузией вещества через пленку раствора у поверхности кристалла напротив, при низкой скорости встраивания решающей будет скорость встраивания. [c.635]

Способность хорошо проводить электрический ток при подведении невысокой разности потенциалов проявляется только при условии, что перемещение электронов не требует преодоления высоких энергетических барьеров. Это возможно, если в зоне проводимости имеются незанятые уровни, т. е. перемещение электронов можно представить как их движение по незаполненным полностью и энергетически близким молекулярным орбиталям кристалла. Если в кристалле имеются энергетически далекие друг от друга заполненные и свободные зоны, то переход электронов из нижележащей заполненной в вышележащую свободную зону возможен только при очень высокой разности потенциалов. Скорость такого процесса описывается кинетиче- [c.182]

При нагревании структурно неоднородного образца кристаллического полимера еще до достижения в нем начинают плавиться кристаллы, характеризующиеся наибольшими значениями избыточной свободной энергии и наименьшими размерами (частичное плавление). Одновременно участки макромолекул, составляющих частичный расплав , могут рекристаллизоваться и образовывать кристаллы с более высокой Тпл (в частности, с меньшими значениями 01 и большими значениями Ь). Поскольку процессы рекристаллизации связаны с перегруппировкой участков длинных молекулярных цепей, их скорость невелика и часто оказывается соизмеримой с экспериментально задаваемыми скоростями повышения температуры. В этом интервале условий картина плавления (в частности, фиксируемая методами калориметрии или дифференциального термического анализа) часто зависит от скорости нагревания испытываемого образца. Например, при медленном нагревании на кривой ДТА образца в области температур ниже Тпл может появиться несколько пиков, отражающих последовательные процессы плавления и рекристаллизации. [c.187]

Концентрация носителей заряда и скорость рекомбинации на поверхности кристалла существенно зависят от химического состава окружающей атмосферы. Поэтому для получения стабильных параметров полупроводникового прибора необходимо в первую очередь обеспечить постоянство состава окружающей его атмосферы. Это требование выполняется путем запайки или заварки прибора в герметичный корпус, причем герметизация обычно производится в камерах с контролируемой средой. Покрытие кристалла полупроводника всевозможными лаками, пастами или пластмассами не в состоянии надежно изолировать его поверхность от воздействия внешней среды. Однако такие покрытия замедляют процессы молекулярного обмена и поэтому иногда применяются для предварительной защиты поверхности, необходимой до окончательной герметизации прибора. [c.212]

Вязкость нефтяных остатков при высоких температурах изменяется по сложной зависимости по мере увеличения концентрации дисперсной фазы она непрерывно возрастает. Только при замедлении скорости перехода системы из аномального жидкого состояния в твердое до оптимального ее значения, когда вязкость обеспечит диффузию молекул к центрам кристаллизации, возможен рост крупных кристаллов. При одних и тех же условиях (получения нефтяного углерода соответствие между указанными скоростями и ростом кристаллов создается подбором сырья определенной молекулярной структуры (крекинг-остатки дистиллятного происхождения, ароматические концентраты). В температурном интервале перехода системы из состояния с критическим напряжением сдвига предельно разрушенной структуры Рг к состоянию с критическим напряжением сдвига необратимо твердеющей системы Рд возможен, интенсивный рост кристаллов углерода с анизотропными свойствами. Величина температурного интервала зависит от температуры процесса перехода. При высоких температурах этот интервал минимален, что существенно ограничивает рост кристаллов. Он минимален также при использовании сырья, со- [c.47]

Методом молекулярной динамики исследовалась диффузия полимерной цепи в 10%-ном растворе на ансамбле из 1000 частиц, которые взаимодействуют между собой согласно потенциалу Леннарда-Джонса. Все частицы, включая цепь, первоначально находятся в узлах гексагональной кристаалической решетки с ребром а. Исследуемый объем представляет собой куб размером ЮдхЮахЮа со стандартными периодическими граничными условиями, позволяющими избежать влияния поверхностных эффектов. Кристаллу сообщается внутренняя энергия, характерная для жидкости несколько выше температуры замерзания. Для этого каждой частице приписывается случайное значение скорости, величина и направление которой определяется распределе шем Максвелла и условием неподвижности центра масс исследуемого объема. [c.104]

Скорость адсорбции. Скорость адсорбции данного вещества на таблетированных молекулярных ситах определяется главным образом четырьмя параметрами а) скоростью диффузии адсорбата в кристаллы активированных молекулярных сит во внутренних зонах таблетки б) относительными размерами молекулы адсорбата и пор в структуре молеку- [c.209]

При всех процессах, в которых применяются молекулярные сита, необходимо уделять большое внимание созданию условий, способствующих быстрой диффузии адсорбируемого компонента в кристаллы молекулярных сит внутри таблетки. Внешнее сопротивление диффузии в этом случае не лимитирует скорости адсорбции. В случаях, когда молекула адсорбата по размерам очень близка к диаметру пор адсорбента, скорость адсорбции может значительно уменьшиться. Примером может служить адсорбция пропана на ситах типа 4А. Однако в этих случаях, если молекула прочно адсорбируется (как это имеет место для полярных или ненасыщенных веществ), адсорбция происходит быстрее, чем при менее прочно адсорбируемых молекулах. Это иллюстрируется легкостью адсорбции пропилена на ситах типа 4А, в то время как адсорбция пропана протекает настолько медленно, что практически почти не проявляется. [c.210]

Основные научные работы посвящены изучению структуры молекул методом спектроскопии. Изучал структуру и спектры молекулярных кристаллов, структуру ударной волны, очень быстрые химические реакции, происходящие при высоких температурах, явления взрыва. Исследовал эффект слабого взаимодействия в молекулярных кристаллах и корреляцию между симметрией свободной молекулы, локальной симметрией молекулы и симметрией кристалла. Разработал метод изоморфного замещения. Изучал кинетику диссоциации двухатомных и простых полиатомных молекул под действием ударной волиы при высоких температурах. Использовал комбинацию метода ударной волны и импульсного фотолиза для определения скорости рекомбинации атомов при очень высоких температурах. [c.545]

Су ществуют прямые морфологические доказательства важности вторичного зародышеобразования для роста макромолекулярных кристаллов. Скорость кристаллизации расплавов полимеров (см. рис. 5.37) зависит от температуры, как и следует из классической теории вторичного зародышеобразования [разд. 5.2.2.1, уравнение (68)]. Однако в разд. 5.3 будет показано, что для скорости молекулярного зародышеобразования характерна такая же температурная зависимость и что именно она может определять общую скорость кристаллизации (см. также разд. 6.1). Только при кpи тaJ лизaции в процессе полимеризации следует ожидать, что при низких степенях переохлаждения рост кристаллов определяется ненарушаемыми спира чями роста, как это имело место при кристаллизации низкомолекулярных соединений (разд. 5.2.2.1). Третичное зародышеобразование играет небольшую роль при кристаллизации маленьких молекул. Однако формальные представления о нем оказались пригодными для описания упрощенных моделей кристачлизации со складыванием цепей [уравнения (73) и (74)]. [c.120]

При ламинарном движении среды ее гомогенизация происходит за счет молекулярной диффузии и макроскопических смещений отдельных участков среды относительно соседних без нарушения устойчивости потока. По мере увеличения скорости движения среды размер и роль микроскопических смещений возрастают и поток гомогенизируется быстрее. Если в поток внесен кристалл, то движение среды вблизи его поверхности замедляется из-за тормозящего влияния адсорбционного слоя, прочно удерживаемого кристаллом. Скорость движения среды в непосредственной близости от поверхности кристалла пренебрежимо мала [101], поэтому массоперенос вблизи поверхности осуществляется молекулярной диффузией. При росте кристалла молекулярная диффузия приводит к обеднению пограничной области среды кристаллизантом и примесью. Это обеднение компенсируется конвективной диффузией вещества из объема среды к границе раздела фаз. [c.113]

Твердофазная полимеризация кристаллического триоксана протекает также в присутствии кислот Льюиса [150]. В этих опытах катализаторы выливают иа поверхность кристаллов, и полимеризация распространяется от поверхности внутрь кристалла. При этом образуется ориентированный полиоксиметилен, и, следовательно, полимеризация протекает без разрушения три-мерной структуры в кристалле. Скорость полимеризации и, по-видимому, молекулярный вес возрастают с повышением температуры, а также при изменении природы катализатора (Т1С14< <5пСи<ВРз-0(С2Н5)2, ВРз). [c.224]

Гурвич [114] и Ракузин [115] показали, что так называемые аморфные парафины отличаются от кристаллических лишь меньшими размерами кристаллов. Эти исследователи обратили внимание на то, что размеры кристаллов парафинов, выделенных из нефтяных остатков и озокеритов, зависят от величины молекулярного веса этих углеводородов и в сильной степени от условий кристаллизации (вязкость раствора, скорость охлаждения, наличие в растворе примесей смол и асфальтенов и т. п.). [c.78]

Упаковка структурных единиц осуществляется всегда так, чтобы давать максимальный выигрыш энергии. Ненаправленные ван-дер-вааль-совские силы, действующие в молекулярных кристаллах, стремятся связать молекулы таким образом, чтобы обеспечить наибольшую поверхность соприкосновения их друг с другом. Если молекулы удлиненной (линейной) формы располагаются в кристалле параллельно (или антипараллельно) друг другу, то скорость роста будет наибольшей в направлениях, перпендикулярных направлению удлинения молекул. Такой кристалл должен иметь пластинчатый габитус. Например, молекулы метил-и этилхлоридов ртути HgHg l и jHgHg l при упаковке принимают антипараллельную ориентацию (рис. 72), вследствие чего вещество кристаллизуется в виде тончайших пластинок (толщина 0,002 см при площади до 2 см ). Наоборот, плоские молекулы, расположенные параллельно друг другу, дают обычно игольчатые кристаллы. Если же линейные или плоские молекулы размещаются в структуре не параллельно друг другу, то кристалл чаще всего имеет равномерное развитие во [c.216]

Во многих химических процессах важную роль играет водородная связь. Требование к хорошо работающей модели водородной овязи возникает во многих областях химии (в исследовашш свойств молекулярных кристаллов влиянию гидроксилсодержащих растворителей на скорость различных химических реакций и т. [c.663]

По сравнению с другими белками сывороточные альбумины изучены довольно хорошо. По своему строению молекула нативного белка близка к эллипсоиду вращения и может быть охарактеризована как молекулярный кристалл со строгой конформационной структурой полипептидной спирали — цепи, свернутой определенным образом и поддерживаемой внутримолекулярными дисульфидными цисти-новыми мостиками, ионными и водородными связями между содержащимися в молекуле ионогенными группами, а также гидрофобными взаимодействиями между углеводородными фрагментами аминокислот. Следует отметить, что в структуре кристаллического белка существенную роль играют молекулы воды. Известно, например, что даже после тщательной низкотемпературной сушки вода составляет около трети массы кристаллического белка. В то же время факт отсутствия молекул воды внутри молекул глобулярных белков был доказан методом дифракции рентгеновских лучей [38, с. 176]. Это косвенно подтверждается и экспериментами по измерению скорости водородно-дейтериевого обмена, из которых следует, что лишь часть атомов водорода в группах —ОН, —NH2 и =КН обменивается практически мгновенно, в то время как на обмен остальных атомов требуется несколько часов. В связи с этим Ф. Гауровиц [38] и некоторые другие исследователи высказывают сомнения в пригодности этого метода для изучения конформации белков и вообще в существенной роли водородных связей, равно как и солевых мостиков, в поддержании нативной конфигурации цепи. [c.548]

Давно известно, что смолистые вещества препятствуют кристаллизации парафинов, так как в присутствии смол при рассмотрении в микроскоп обнаруживается значительно меньшее количество кристаллов парафина, чем при охлаждении в аналогичных условиях раствора парафина в масле, не содержащем смол. До сего времени это объяснялось двояко во-первых, в присутствии смол парафины (церезины) образуют пересыщенные растворы. Однако по исследованиям ГрозНИИ парафины не дают пересыщенных растворов, что ставит под сомнение указанное объяснение. Во-вторых, как показали опыты, кристаллы парафина (церезина) явно извлекали из раствора асфальтово-смолистые вещества. При этом, чем выше был молекулярный вес парафинов, тем интенсивнее шло это извлечение. На основе этого считалось, что асфальтово-смолистые вещества, адсорбируясь на поверхности кристаллов парафина, препятствуют их росту и удерживают таким образом кристаллы в зародышевом состоянии. Асфальтовосмолистые вещества как полярные способны ориентироваться в адсорбционном слое на границе раздела твердой и жидкой фаз. Однако то объяснение, что эти вещества могут адсорбироваться поверхностью кристаллов неполярного вещества — парафина, вряд ли теоретически обосновано. Повидимому более правильно принять, что асфальтово-смолистые вещества, находящиеся в диспергированном состоянии, представляют собой центры кристаллизации, вокруг которых образуются скопления кристаллов церезинов и парафинов в виде друз. Это явление выражается тем ярче, чем меньше скорость охлаждения раствора. [c.58]

Даже при таких малых деформациях кажущийся модуль Юнга зависит от скорости деформирования. Это указывает, что Е неоднозначно определяется энергией упругого деформирования угловых связей в цепях, длиной связей и межмолеку-лярными расстояниями, но, кроме этого, характеризуется чувствительностью ко времени смещений атомов и небольших атомных групп. В следующей области деформации (1—5%) напряжение и деформация уже не пропорциональны друг другу. Здесь происходят структурные и конформационные перестройки, которые обратимы механически, но не термодинамически. В этом случае говорят о неупругом (вязкоупругом в узком смысле), или параупругом, поведении. За пределом вынужденной эластичности начинается сильная переориентация цепей и ламеллярных кристаллов, а сам процесс обычно носит название пластическое деформирование . Под чисто пластическим деформированием можно понимать переход от одного равновесного состояния к другому без внутренних напряжений. Последнее особенно важно в связи с тем, что следующая после предела вынужденной эластичности деформация связана главным образом с механически обратимыми неупругими конфор-мационными изменениями молекул, а не с их перемещением друг за другом. До тех пор пока не достигнуто состояние равновесия с помощью соответствующей термообработки, сильно вытянутые образцы могут в значительной степени возвращаться в исходное состояние после снятия напряжения. Исходя из содержания настоящей книги, основное внимание следует уделять не процессам, вызывающим или сопровождающим молекулярную переориентацию (которая в основном понимается как эффект упрочнения), а процессам повреждения, т. е. разрыва цепи, образования пустот и течения. Последние процессы постепенно нарастают в области деформаций сразу же за пределом вынужденной эластичности вплоть до окончательного разрушения. К числу процессов, вызывающих повреждения, следует также отнести явление вынужденной эластичности при растяжении или образование трещины серебра в стеклообразных полимерах, которые будут рассмотрены в гл. 9. [c.38]

В принципе все физические свойства кристаллов зависят от их структуры и, следовательно, от дефектности решетки. Однако не все свойства в равной мере чувствительны к наличию дефектов. Обычно число равновесных дефектов относительно невелико, поэтому к мало чувствительным свойствам относятся все те, которые зависят только от средних значений молекулярных параметров частиц в решетке. Сюда относятся такие термодинамические свойства, как теплоемкость и энергия кристаллов. Более чувствительны к наличию дефектов оптические свойства кристаллов в области основной полосы поглощения. Высокочувствительны те физические свойства, которые практически полностью определяются наличием отдельных дефектов в кристаллической решетйе — диффузия в кристаллах, электропроводность примесных полупроводников, поглощение света вне основной полосы поглощения, люминесценция, некоторые магнитные свойства, скорость химических реакций в кристаллах. Для химии большое значение имеет равновесная нестехиометричность ионных кристаллов, возникающая в связи с появлением в решетке структурных дефектов. [c.271]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология