Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Электронные зоны углеводородов

    Графит, имеющий весьма упорядоченную структуру, описанную выше, представляет собой крайний случай. Для оценки возможных изменений электронных свойств углей, применяемых для катализа, можно использовать модель из работы [19]. Эта модель приведена на рис. 2 в виде диаграммы, где показаны стадии перехода от твердых ароматических углеводородов к углеродным катализаторам различного типа через весьма дефектные структуры (кокс) до почти идеального графита. На диаграмме показано также постепенное уменьшение ширины запрещенной зоны между заполненной я-электронной зоной и зоной проводимости. [c.302]


    Графит по сравнению с алмазом более химически активен он относительно легко окисляется и образует ряд своеобразных соединений. Атомы щелочных металлов, галогены, анионы серной кислоты и другие способны внедряться между плоскостями решетки Графита, давая ионные соединения неопределенного состава. Число электронов в зоне проводимости при этом может измениться некоторые вещества обогащают ее электронами и повышают проводимость (например, щелочные металлы) графита, другие, наоборот, снижают число электронов, и проводимость уменьшается. При образовании прочных ковалентных соединений между внедрившимися атомами и атомами углерода, лежащими в разных слоях, электрическая проводимость резко падает и параллельность слоев, по-видимому, нарушается. Такие соединения образует графит с кислородом (между слоями возникают мостики —С—О—С—) и фтором (вероятно, мостики имеют строение —С—Р—Р—С—). Нельзя не обратить внимание на сходство строения плоских систем атомов углерода в графите со строением бензола и углеводородов, содержащих конденсированные циклы. Огромный материал, накопленный в органической химии, свидетельствует об исключительной роли таких циклов в химии углерода и в биохимии. [c.163]

    В зоне реакции ряда пламен наблюдается избыток энергии электронного возбуждения. Аномально высокое электронное возбуждение имеет место в пламенах при горении, например, некоторых газообразных углеводородов. В пламенах кислородных смесей наблюдается большее электронное возбуждение, чем в пламенах воздушных смесей. В пламенах кислородных смесей при атмосферном давлении аномальное возбуждение может сказаться даже на линиях Ыа. [c.30]

    На—Оз и О —О , дегидрирования спиртов, окисления СО газообразным кислородом, реакций глубокого окисления углеводородов и разложения перекиси водорода [221. Во всех этих процессах активность катализаторов уменьшалась с увеличением ширины запрещенной зоны и с уменьшением работы выхода электронов. В реакциях изомеризации алканов увеличение ширины запрещенной зоны действует благоприятно на увеличение каталитической активности количественные зависимости последней от значений С/ и г в литературе пока отсутствуют. Да их вряд ли можно ожидать, если учесть, что каталитическая активность определяется не одним, а несколькими, по-разному изменяющимися факторами. [c.31]

    Существуют две основные теории ингибирования горения—радикальная и ионная. Первая теория свободных радикалов основана на изъятии из зоны реакции активных центров (атомов и радикалов), ответственных за развитие процесса горения, связыванием их с молекулами галоидоуглеводородов (или с образованными из них радикалами). Вторая теория основана на том, что процесс горения включает стадию захвата электронов кислородом. с образованием иона Ог. Поскольку атомы брома,. легко отрывающиеся от молекулы галоидо-углеводорода, имеют гораздо большее сечение захвата электронов, чем кислород, бром тормозит процесс горения, захватывая электроны, необходимые для активации кислорода. [c.89]


    Если двойная связь находится в а,р-положении жирной цепи жирно-ароматического углеводорода, то при присоединении галогенводородов преимущественно получаются соединения, которые содержат галоген в а-положении по отношению к фенилу. Это объясняется тем, что фенильная группа в большей степени способна к подаче электронов в зону реакции, чем алкильные группы. [c.413]

    Как видно, заключение о реакционной способности структурных элементов органических соединений (в данном случае углеводородов) делали на основании постулата об однозначной зависимости концентрации л-электронов в какой-либо зоне и ее реактивностью , пренебрегая разнообразием природы реагентов и механизмов реакций. Очевидно, что и схема французских теоретиков имела те же недостатки, что и вышерассмотренный подход Хюккеля. [c.169]

    В 1920 г. Вуд получил свободные радикалы при тлеющем электрическом разряде в разреженном водороде. Позднее этим методом были получены радикалы гидроксил и циан, а также углеводородные радикалы метил, этил и пропил. Кроме тлеющего разряда в газах и парах, были использованы дуговой и искровой разряды, которые можно применять в среде газов, находящихся под высоким давлением. В зоне дугового разряда развивается температура 6000° К и выше, благодаря чему, помимо расщепления молекул быстрыми электронами на свободные радикалы, наблюдается и термическая диссоциация молекул. При рекомбинации свободных радикалов получаются ценные органические продукты в связи с этим термический и электрический крекинг углеводородов получил промышленное развитие. [c.118]

    Крекинг углеводородов в коронном и темном (тихом) разрядах происходит в основном вследствие электрического воздействия, так как температура паров в зоне разрядов не превышает 60—150 °С. Возбуждение и последующая диссоциация молекул происходят не только в результате соударения с обладающими высокими энергиями электронами и ионами, но и под влиянием воздействия на молекулы углеводородов свободных радикалов и атомарного водорода. [c.133]

    Таким образом, несмотря на кажущееся сходство реакций образования тиофенов из тиоэфиров с реакциями дегидроциклизации и дегидрирования других органических соединений, например углеводородов, природа активного компонента катализаторов, ускоряющих эти реакции, и нх механизм различны. Реакции ароматизации насыщенных углеводородов [405] могут протекать без уменьшения числа атомов углерода. Как обсуждалось выше, синтезу тиофенов предшествует распад тиоэфира по С—8 связи, что является причиной образования тиофенов с меньшим числом атомов углерода по сравнению с исходным соединением. Для реакций дегидрирования и дегидроциклизации углеводородов установлена связь между активностью и степенью заполненности -электронных уровней катиона катализатора, между активностью и шириной запрещенной зоны катализатора или работой выхода электрона [23]. Для реакций образования тиофенов таких корреляций не наблюдается (см. ниже). Реакции дегидроциклизации и дегидрирования ускоряются окислами и сульфидами металлов, в то время как реакция образования тиофенов — только сульфидами. Необходимость обязательного присутствия серы на поверхности катализатора, ускоряющего реакцию образования тиофенов, вытекает из постулированного механизма, отличающегося от механизма ароматизации углеводородов. [c.182]

    Адсорбция насыщенных молекул, на 1ротив, происходит С диссоциацией. Такова хемосорбция" большого числа простых двухатомных газов (О , Нд, N2) и насыщенных углеводородов (СН4 и его гомологи, циклопарафины). Неспаренный электрон каждого осколка молекулы связывается с неспаренным электроном -зоны, заполняя тем самым дырку в -зоне.  [c.98]

    Пламена углеводородов обладают некоторой электропроводностью. Характерна повышенная ионизация в зоне горения пламен, электропроводность падает при переходе к высоким зонам. Измеренная концентрация электронов для пламени ацетилен-воздух составляет 10 ° см для смеси ацетилен—динитрооксид 10 —10 атм. На эти данные опираются при расчете степени ионизации элементов в пламенах. На рис. 3.25 показано изменение степени ионизации атомов элементов II группы в зависимости от температуры. [c.62]

    Такой подход был использован в работах [110—113] для оценок числа связывающих -и разрыхляющих молекулярных орбиталей в полициклических сопряженных углеводородах. В работах [110— 112] описанная выше методика использовалась для анализа границ применимости правила Хюккеля 4тг + 2, справедливого, вообще говоря, только для моноциклических систем. В работах [112, ИЗ] приведено несколько примеров, показывающих, что наличие 4га + 2 атомов углерода в сопряженной углеводородной системе не является достаточным условием замкнутости л-электронной оболочки. В этих работах указаны системы, в которых нарушение правила Хюккеля связано с появлением избыточного числа связывающих орбиталей. Представлены (рис. 11.4) МГ ненасыщенных систем двух типов, состоящих из конденсированных пятичленных циклов системы Б1 и Ва, которые являются изомерами при одинаковом числе пятичленных колец, их образующих. Тем не менее с точки зрения выполнения правила Хюккеля эти системы ведут -себя по-раз-наму. Системы типа Бг при количестве пятичленных колец, равном 4/, где / — целое (в этом случае число л-электронов равно 12/+ 2), имеют замкнутую л-электронную оболочку. Напротив, системы типа Б1 с 4/г + 2 углеродными центрами таким свойством не обладают. Они имеют вакантные связывающие орбитали, число которых увеличивается с ростом количества пятичленных колец. В пределе при стремлении числа пятичленных циклов к бесконечности в спектре соответствующей полимерной молекулы получается вакантная связывающая область, ширина запрещенной зоны равна нулю. Системы типа Б1 с числом циклов 3/ + 1 и числом атомов углерода. [c.53]


    Ширина запрещенной зоны у насыщенных полимерных молекул составляет около 10 эВ, т. е. переход электрона из валентной зоны в зону проводимости мало вероятен. Кроме того, делокализация хотя бы одного а-электрона в основной цепи приводит к разрыву макромолекул. Иное положение у полимеров, молекулы которых состоят из длинных цепей сопряженных двойных связей с я-электронами. У таких низкомолекулярных и полимерных органических веществ в пределах цепи сопряжения п-электроны делокализованы и обладают высокой подвижностью. Особенности строения таких веществ макроскопически проявляются в ряде особенностей физических свойств. Например, с увеличением длины цепи сопряженных двойных связей в алифатических углеводородах энергия возбуждения л-элек-тронов, соответствующая переходу из основного состояния в возбужденное сипглетное, уменьшается. Для этих веществ характерна высокая заселенность триплетных уровней с двумя неспаренными электронами, дающими сигнал ЭПР. Повышенная подвижность л-электронов вдоль цепи сопряжения приводит к значительной экзальтации рефракции. С ростом длины сопряжения возрастает электрическая проводимость низкомолекуляр-ных органических полупроводников [4, с. 41]. [c.65]

    В работе [32] проведено сравнительное исследование каталитической активности металлического хрома,а также карбидов СгдС2 и Сг,Сд при ароматизации к-гексана ик-октана. Было обнаружено отсутствие каталитической активности у хрома и ароматизирующая способность у обоих карбидов хрома, причем Сг Сз оказался более активным. Отсутствие каталитической активности у хрома может быть связано с тем обстоятельством,что,несмотря на наличие у хрома формально средней по величине акцепторной способности, при окружении его соседними атомами в кристаллической решетке металла осуществляется образование стабильной конфигурации Принятие я-электронов,например водорода в реакциях дегидрогенизации,при этом сильно затруднено или вообще невозможно, что и показано на опыте [33] значительно легче может происходить отдача х-электронов и появляться каталитическая активность в соответствующих реакциях. При образовании карбидов хрома эта стабильная конфигурация нарушается и происходит донорно-акценторное взаимодействие между атомами хрома и углерода, которое сводится к передаче внешних (главным образом 4 ) электронов хрома на коллективизацию с р-электронами углерода. При этом в связи с относительно небольшой величиной для хрома и высоким ионизационным потенциалом атомов углерода вероятен не только переход х-электро-нов хрома в направлении остова атома углерода, но и частичное нарушение 3( -конфигурации с соответственным повышением акцепторной способности хрома. С повышением относительного содержания углерода в карбидных фазах хрома увеличивается вероятность образования связей между атомами углерода (что следует также из усложнения структурных мотивов атомов углерода при увеличении отношения С/Сг), которые стремятся в пределе к образованию устойчивой конфигурации типа характерной для алмаза (что эквивалентно резкому повышению ионизационного потенциала атомов углерода), и в конечном счете ко все большей возможности нарушения 3 -конфигурации атомов хрома. Это вызывает резкий рост каталитической активности при переходе от хрома к его карбидам, в которых атомы углерода образуют цепи. В случае окиси хрома, вследствие высокого ионизационного потенциала кислорода, коллективированные электроны хрома и кислорода резко смещены в направлении атомов кислорода, что содействует нарушению устойчивой конфигурации -электронов хрома, повышает акцепторную способность его остова и вызывает высокую каталитическую способность окиси хрома, например в реакциях типа дегидроциклизации парафиновых углеводородов. Исходя из этого окислы вообще должны обладать относительно высокими каталитическими свойствами, особенно низшие окислы переходных металлов, так как высшие окислы, как правило, являются полупроводниками с большой шириной запрещенной зоны, затрудняющеь электронные переходы. Последнее относится и к некоторым другим тугоплавким фазам в областях их гомогенности, когда при уменьшении содержания неметалла в пределах этих областей появляются энергетические разрывы, как это происходит, например, для нитридов титана и циркония [33—35]. [c.243]

    Таким образом, малая подвижность носителей тока — одно из свойств соединений переходных металлов, отличающих их от других полупроводников. Как указывалось выше (глава 1, 1 и 3) в литературе нет никаких данных о существовании какой-либо связи каталитической активности с подвижностью носителей тока. Согласно предположению Иоффе, Ежковой и Любарского [160] (см. также [161]), локализованные электроны полупроводника-катализатора осуществляют о-активирование в каталитических реакциях окисления, т. е. разрыв С—Н-связи делокализованные электроны полупроводника, образующие зону, вступают во взаимодействие с л-элек-тронами и окисляют олефиновые и ацетиленовые углеводороды по двойной и тройной связям. Для проверки этого предположения желательно было бы провести анализ данных по подбору катализаторов для селективного окисления углеводородов. [c.47]

    Водородный износ при трении. Процесс трения (локальные давления, температура, эмиссия электронов и пр.) резко усиливает выделение водорода на поверхностях трения в результате каталитического ускорения реакций распада адсорбированных молекул углеводородов, снижения эпергетичсского барьера реакции окисления, возникновения и протекания поверхностных химических реакций, в частности трибодеструкции, распада гидропероксидов и пр. Очевидно, рассмотренный ранее абразивный износ вызывает и интенсифицирует водородный износ, так как действие абразива во многом связано с образованием на металле зоны наклепа. Водородный износ, как и водородное охрупчивание, особенно сказывается в узлах трения машин и механизмов, эксплуатирующихся при низких температурах, например в условиях Крайнего Севера. При понижении температуры растворимость водорода в металле увеличивается, поэтому при трении в зоне локально высоких температур наблюдается приток водорода к этим участкам и соответствующий мгновенный водородный износ. [c.228]

    Из методов, связанных с применением электрических разрядов, наиболее перспективным оказался электрокрекинг в дуге при давлениях, превышающих атмосферное. Однако, как выяснилось, температурное поле дуги большой силы тока крайне неоднородно и это затрудняет проведение реакции преимуществено в нужном направлении. Как следствие, велика степень разложения углеводородов на элементы (сажеобразование) и мала степень общего превращения исходного вещества за один проход через зону реакции ( 50%). Выяснилось также, что электрические процессы, протекающие в дуге при давлении выше атмосферного, — ионизация и возбуждения при соударениях с электронами — сами по себе не играют существенной роли в химической реакции. Дуга является по сути дела удобным способом нагрева газа. [c.61]

    Знание механизмов реакций является очень важным, так как оно позволяет предусматривать условия, необходимые для проведения процесса, и дает возможность направлять процессы в желаемую сторону. Для иллюстрации первого положения достаточно указать на различную скорость течения реакции Густавсона—Фриделя—Крафтса между хлористым ацетилом и бензолом, его гомологами и хлорбензолом. Так как при этой реакции происходит атака ароматического углеводорода положительно заряженным атомом углерода С=0-группы хлористого ацетила, следует ожидать, что реакция с наибольшей скоростью будет протекать в том случае, когда заместители в бензольном ядре подают электроны в зону реакции при наличии групп, имеющих к-электроны, особенно способных проявлять - -эс кт, процесс будет протекать легче, чем с бензолом,—с большей скоростью и более энергично наоборот, если в ароматическом ядре имеются группы, обладающие отрицательными эффектами, можно предполагать, что реакция будет протекать медленно и потребует для своего осуществления более жестких условий. И действительно, с толуолом (СНд-группа проявляет + -эффект и +/-эффект) реакция идет очень легйо (требуется охлаждение) и заканчивается в несколько часов напротив, с хлорбензолом, в котором вследствие большой электроотрицательности хлора электроны оттянуты от бензольного ядра, реакция протекает медленно и для ее завершения требуется нагревание в течение нескольких дней. [c.286]

    Эмиссия свободных электронов в жидкость дает возможность исследовать ряд явлений, связанных с проводимостью и пробоем жидких диэлектриков. Это может быть осуществлено несколькими способами а) фотоэффектом, б) термоэмиссией из нагретого электрода, в) холодной эмиссией электронов из катода, г) нанесением / -излучающего вещества на один из электродов. Изучение температурной зависимости самостоятельной проводимости чистых жидкостей показало линейную зависимость логарифма тока от обратной температуры. Вычисленная из этих данных энергия активации электропроводности для многих исследованных углеводородов составляет так же, как и в водных растворах электролитов, величину порядка 3 ккал/моль, что позволяет сделать предпо-ложепие о независимости самостоятельной проводимости от структуры жидкости. Правда, существуют и другие мнения о механизме проводимости. Поскольку многие явления в жидких и твердых диэлектриках обнаруживают большое сходство, поэтому теория, разработанная для твердых диэлектриков может быть применима и для жидких диэлектриков. В кристалличе ских структурах большое влияние оказывают различного рода примеси, создающие своеобразные ловушки , энергетиче ские уровни которых располагаются в промежутке между валентной зоной и зоной проводимости кристалла. Переход электрона, положим, с валентного уровня на промежуточный значительно облегчается, что и служит причиной увеличения проводимости загрязненных кристаллов. Точной теории подвижности заряженных частиц в жидких диэлектриках, а тем более в смесях или растворах, до сих пор нет. [c.191]

    На основании метода молекулярных диаграмм авторы рассмотрели присоединение атомарного п молекулярного водорода к бензолу и нафталину [111], а также диеновый синтез [112]. Рассчитав максимальные заряды связей Ьт) и вергпин S ) в ароматических углеводородах, авторы показали, что а-положения в нафталине обладают большим электронным зарядом в зоне атома, чем Р-положения. [c.47]

    В табл. 16 приведены данные для серии аддуктов сылш-трини-тробензола с ароматическими углеводородами (бср = 0,2 эв). Частота переноса заряда для этих относительно слабых полупроводников почти одинакова для комплексов в растворе и в твердом состоянии. Поэтому можно считать, что в данном частном случае кристаллическая структура не очень способствует переносу заряда. Значения б для ряда комплексов, подчиняющихся уравнению (3), обычно малы. Для таких комплексов возбуждение электрона в зону проводимости соответствует возбуждению переноса заряда, т. е. переходу электрона с наивысшей заполненной молекулярной орбитали донора на наинизшую вакантную орбиталь акцептора. [c.133]

    Однако, не прибегая к классификации механизмов органических реакций, как это было сделано в теории электронных смещений, трудно было связать безупречным образом распределение электронных зарядов в молекулах и химические свойства последних. Исходным пунктом для заключений о реакционной способности в рамках метода мезомерии послужило положение о том, что химическая реактивность какого-либо пункта в ароматическом углеводороде зависит от концентрации я-электронов в этом пункте. Она возрастает вместе с увеличением их концентрации [там же]. Так как зоны атомов и связей не сравнимы друг с другом (вторые, очевидно, гораздо больше), то по абсолютному значению заряды этих зон сравнивать между собой нельзя относительно слабый заряд в зоне атома может отвечать большей его концентрации там и повышенной реакционной способности данного атома, тогда как относительно больший заряд в зоне связи, будучи распределенным вдоль связи, в каждой ее точке может оказаться недостаточной концентрации, для того чтобы связь могла участвовать в реакции. Надо принимать во внимание отдельно относительные величины зарядов в зонах атомов, в зонах связей и их комбинации между собой, какэто было показано ранее (стр. 254—255). [c.259]

    На основании изложенного можно считать, что адсорбция водорода на таком полупроводниковом окисле /ьтипа. как окис1> 1щнка. происходит с прямым или не прямым переносом электрона на свободный донорный уровень с образованием относительно слабой, но химически активной связи, типа водородной. Возросшая заселенность донорных уровней компенсируется последующей ионизацией посредством термического переброса электронов в зону проводимости. Квазиуровень Ферми донорных состояни смещается по нан])авлению к зоне проводимости, что выражается в уменьшении температурного коэффициента процесса проводимости. По существу эта концепция весьма сходна с постулатом об образовании ионов карбония нри адсорбции углеводородов, но ее преимущество заключается в том, что она облегчает более подробное рассмотрение основных аспектов явлений. [c.289]

    Электропроводность почти идеальных графитов уже рассматривалась весьма успешно с точки зрения представлений, развитых для зонной теории кристаллов. В случае чрезвычайно несоверщенных графитов, которые находятся в середине ряда ароматических макромолекул и рассматриваются обычно как углероды, применение зонной теории может быть только качественным, так как слияние дискретных электронных уровней в почти непрерывную зону в сильной степени нарущается на основных дефектах и границах кристаллитов. Наконец, для многоядерных ароматических углеводородов небольших размеров, обособленных друг от друга в кристалле силами отталкивания, электропроводность связана с очень ощутимой активацией электронов в зону лроводимости. При теоретических описаниях их поведения в качестве полупроводников снова используются хорошо известные приемы. Необходимо подчеркнуть, однако, что переплетение различных механизмов проводимости, которое можно встретить в весьма несоверщенных графитах (углеродах), приводит к теоретическим осложнениям, в настоящее время в значительной степени ) Алмаз неразрешимым. [c.88]

    В случае идеального графита зона проводимости, в которой при 0° К нет ни одного электрона, отделена от л-элект-ронной зоны пренебрежимо малой запрещенной зоной более подробно это обстоятельство обсуждается в IV. 10 и ниже. В результате перекрытия зон или теплового возбуждения при температуре выше абсолютного нуля в зоне проводимости идеального графита оказывается достаточное количество электронов, вследствие чего графит ведет себя как металлический проводник. Мрозовский и его сотрудники считают, что различные стадии перехода от ароматических углеводородов (через очень несовершенные графиты-коксы) к почти идеальному графиту можно представить в виде последовательного сокращения конечной ширины запрещенной зоны (фиг. 28). Хотя такая интерпретация электронных процессов для последовательной карбонизации является сугубо качественной, тем не менее она позволяет свя5ать между собой значительную часть экспериментальных данных. [c.114]

    Степень ионизации твердого тела и величина энергии, необходимая для ионизации, неизвестны. В ряде случаев ионизация может оказаться эквивалентной переходу электрона из основного состояния в зону проводимости. Для газов Платцман установил следующее Хорошо известно, что молекула может получить энергию возбуждения, превышающую потенциал ионизации этой молекулы, не теряя при этом свой электрон в конечном счете такая энергия возбуждения вызывает диссоциацию или, при наличии больших молекул, даже частично переходит в теплоту. Для углеводородов, по оценке Платцмана, средняя энергия возбуждения ионов, т. е. энергия, поглощаемая ионом сверх энергии ионизации, составляет примерно 5 эв, поэтому не нужно забывать, что химические воздействия могут быть обусловлены как частицами с возбужденными электронами, так и ионизированными частицами. [c.386]

    Корпус ячейки Лэнгмюра и прикрывающие Образец экраны, представляющие собой своеобразную двухзональную систему, охлаждались жадким азотом. Электронный нагреватель, находящийся с ишаряющимся образцом во внутренней зоне, работал как миниатюрный вакуумный насос с горячим катодом, тем самым он обеспечивал получение у (Поверхности иапарения лучшего вакуума, чем в наружной зоне. Охлаждение окружающих образец деталей жидким азотом способствовало конденсации остаточных паров воды и углеводородов, не поглощенных цеолитом. [c.382]

    При адсорбции молекз л полициклических ароматических углеводородов в условиях трения на ювенильных участках металлических поверхностей вследствие эмиссии электронов с поверхности и захвата их ароматическими молекулами образуется комплекс ароматического анион-радикала и катиона металла [40]. Распределение электронов в таком комплексе обеспечивает большую плотность электронного облака анион-радикала, а это обусловливает более длительную эмиссию электронов у поверхности металла и определяет повышенную реакционную способность такой поверхности. В зависимости от температуры и давления в зоне трущейся поверхности (эти факторы определяют длительность существования анион-радикалов) анион-радикалы через то или иное время десорбируются с поверхности. [c.83]

    При исследовании влияния продуктов полимеризации на структуру металлической поверхности в зоне контакта было отмечено [79], что изменение состояния металлической поверхности, значительно влияющее на трение в среде, например, реактивного топлива, вызывается также хемосорбцией и адсорбцией углеводородов, продуктов их разложения и полимеризации, различных радикалов и ионов. При исследовании трущихся поверхностей с помощью электронного микроскопа были обнаружены дифракционные линии, соответствующие органической части продуктов износа. Появление этрх линий указывало на образование кристаллической фазы органических соединений — полимера трения , так как размытые, нечеткие и слабые линии возникают преимущественно за счет органической части продуктов износа — углеводородов топлив, полимеризовавшихся при трении. Такое строение дифракционных линий позволило судить не только о составе соединений и об их состоянии (кристаллическое или аморфное), но и о специфике процессов, протекающих при трении на границе металл — топливо, причем образование органического или металлоорганического кристаллического соединения возможно только в процессе трения на поверхности металла [79]. [c.97]

    Образование свободных радикалов по такому механизму одноэлек-тронпого переноса было детально изучено в наших работах, посвященных фотовосстановлепию поверхности окислов [27—31]. При этом бы.то установлено, что в атмосфере углеводородов фотовосстановление окислов происходит даже при температуре жидкого азота. Длина волны активного света соответствует переходу зона—зона в ненанесенных окислах и переносу электрона с кислорода на катион переходного металла в нанесенных катализаторах. В ходе фотовосстановления нанесенных окислов при —196° С происходит образование адсорбированных свободных радикалов. В нанесенных системах наблюдалась также фосфоресценция, которая тушилась в присутствии молекул восстановления. [c.238]

    Этот факт означает, что влияние внешних л-электронных оболочек в молекулярной решетке не имеет места в такой степени, чтобы образовать общую электронную систему. В этом отношении молекулярные полупроводники типа красителей отличаются от неорганических наличием более узких полос проводимости, едва заметных в спектре. Как в случае с молекулярными кристаллами полициклических ароматических углеводородов, основной процесс поглощения света в твердом красителе не заключается в возбуждении молекул решетки. Аналогично можно предположить, что возбуждающий квант в красителях путешествует как экситон в ансамбле тесно связанных молекул, пока или структурный дефект (обычно поверхность микрокристалла), или связанный центр не встретится с ним, в результате чего один или два заряда экситона становятся свободными. В случае красителей с полупроводимостью р-типа экситон распадается на примесном центре (Од) с образованием захваченного электрона и положительной дырки, которая попадает в валентную зону молекулярной решетки. Итак, мы находим здесь межмолекулярный электронный обмен, аналогичный тому, который имеет место е еоотйеТствующимй элёктрйЖбдонор-ными и электроноакцепторййми молекулами в органических окислительно-восстановительных процессах. [c.340]


Смотреть страницы где упоминается термин Электронные зоны углеводородов: [c.120]    [c.178]    [c.63]    [c.79]    [c.132]    [c.251]    [c.329]    [c.242]    [c.390]    [c.129]    [c.54]    [c.242]    [c.22]   
Графит и его кристаллические соединения (1965) -- [ c.88 , c.107 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Электронные зоны



© 2025 chem21.info Реклама на сайте