Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Методы вычисления кристаллов

    Рассмотрением концепции Филлипса — Ван Фехтена закончим обзор методов эмпирического определения ионности связи в кристаллах. Что касается иолуэмпири-ческого вычисления эффективны.х зарядов на атомах в кристаллах, то наилучшим, с нашей точки зрения, является кристаллохимический вариант метода электроотрицательностей. [c.109]

    Оба метода нахождения энергии решетки — экспериментальный и теоретический — требуют данных, получение которых сопряжено с определенными трудностями. Так, для вычисления коэффициента Маделунга необходимо знать кристаллическую структуру вещества, которая определяется посредством сложной расшифровки рентгенограмм кристаллов, а также величину сжимаемости х, измерение которой связано с техникой высоких давлений, доступной лишь немногим лабораториям. Поэтому широко используется уравнение, предложенное для расчета энергий решеток А. Ф. Капустинским вычисление 1)д при помощи этого уравнения требует знания только ионных радиусов. [c.269]


    Таким образом, можно вычислить константу равновесия /С°на основании только термических данных для реагирующих веществ. В настоящее время уравнение (80.11) не используется при расчете константы равновесия, так как известны более простые и точные методы вычисления К° при различных температурах. Большинство современных методов расчета химического равновесия базируется на третьем законе термодинамики, который формулируется следующим образом энтропия любого индивидуального бездефектного кристаллического вещества (идеального кристалла) при абсолютном нуле равна нулю  [c.264]

    Первоначально сложилось представление об эффективных радиусах атомов, проявляющихся в их действиях, т.е. в химических соединениях. Эффективные радиусы определяли из экспериментальных данных по межъядерным расстояниям в молекулах и кристаллах. При этом предполагалось, что атомы представляют собой несжимаемые шары, которые соприкасаются своими поверхностями в соединениях. При определении значения эффективного радиуса из межъядерных расстояний в ковалентных молекулах подразумевали ковалентные радиусы, при вычислении их из данных для металлических кристаллов — металлические радиусы. Наконец, эффективные радиусы, рассчитанные для кристаллов с преимущественно ионной связью, назывались ионными радиусам[и. Для этого определяли радиус какого-нибудь иона, а затем вычисляли ионные радиусы других элементов из экспериментальных данных по межъядерным расстояниям в кристаллических решетках. Так, с помощью оптических методов, а затем расчетом был определен радиус аниона фтора, равный 0,11.3 нм. А расстояние между атомами Na и Г в решетке МаГ было установлено равным 0,231 нм. Отсюда радиус иона Ма равен 0,231 — 0,113 = 0,118 нм. Металлические радиусы получены делением пополам расстояния между центрами двух смежных атомов в кристаллических решетках металлов. Ковалентные радиусы неметаллов также вычислены как половина межъядерного расстояния в молекулах или кристаллах соответствующих простых веществ. Для одного и того же элемента эффективные радиусы (ковалентный, ионный, металлический) не совпадают между собой. Это свидетельствует о зависимости эффективных радиусов не только от природы атомов, но и от характера химической связи, координационного числа и других факторов (см. табл. 4). Изменение эффективных радиусов атомов носит периодический характер (рис. 22). В периодах по мере роста заряда ядра эффективные радиусы атомов уменьшаются, так как происходит стягивание электронных слоев к ядру (при постоянстве их числа для данного периода). Наибольшее уменьшение характерно для 5- и р-элементов. В больших периодах для и /-элементов наблюдается более плавное уменьшение эффективных радиусов, называемое соответственно г- и /сжатием. Эффективные радиусы атомов благородных газов, которыми заканчиваются периоды системы, значительно больше эффективных радиусов предшествующих им р-элементов. Значения эффективных радиусов благородных газов (см. табл. 4) получены из межъядерных расстояний в кристаллах этих веществ, существующих при низких температурах. А в кристаллах благородных газов действуют слабые силы Ван-дер-Ваальса в отличие, например, от молекул галогенов, в которых имеются прочные ковалентные связи. [c.52]


    Методы вычисления кристаллов [c.15]

    Достигнутая точность вычислений рефракций молекул и кристаллов позволяет с успехом использовать рефрактометрический метод в структурных целях. Перед изложением соответствующего материала мы кратко остановимся еще на одном методе вычисления мольных рефракций, а также на зависимости мольных рефракций веществ от термодинамических условий их существования. [c.142]

    Первоначально сложилось представление об эффективных радиусах атомов, проявляющихся в их действиях, т. е. в химических соединениях. Эффективные радиусы определяли из экспериментальных данных по межъядерным расстояниям в молекулах и кристаллах. При этом предполагалось, что атомы представляют собой несжимаемые шары, которые соприкасаются своимн поверхностями в соединениях. При определении значения эффективного радиуса из межъядерных расстояний в ковалентных молекулах подразумевали ковалентные радиусы, при вычислении их из данных для металлических кристаллов — металлические радиусы. Наконец, эффективные радиусы, рассчитанные для кристаллов с преимущественно ионной связью назывались ионными радиусами. Для этого определяли радиус какого-нибудь иона, а затем вычисляли ионные радиусы других элементов из экспериментальных данных по межъядерным расстояниям в кристаллических решетках. Так, с помощью оптических методов, а затем расчетом был определен радиус аниона фтора, равный 0,113 нм. А расстояние между ядрами N3 и Р в решетке ЫаР было установлено равным 0,231 нм. Отсюда радиус иона Ыа+ 0,231—0,113 = 0,098 нм. Металлические радиусы получены делением пополам расстояния между центрами двух смежных атомов в кристаллических решетках металлов. Ковалентные радиусы неметаллов также вычислены как половина межъя-дерного расстояния в молекулах или кристаллах соответствующих [c.67]

    Мы предполагаем здесь систематически изложить методы вычисления фундаментальных колебаний кристаллов, определения их симметрии, изучения их взаимодействий с электромагнитным излучением и установления правил отбора, которым они подчиняются. Частоты фундаментальных колебаний необходимы для определения спектра упругих частот кристалла. Этот спектр, найденный либо теоретически, либо экспериментально, служит основой для интерпретации эффектов высшего порядка как при поглощении, так и при рассеянии. [c.10]

    До сих пор форма огранения частицы не рассматривалась в явном виде и при вычислении химического потенциала 1(г) для любых частиц использован только один линейный параметр г. Это удачно в тех случаях, когда выводятся общие соотношения для (3 . Для нахождения вида кристалла обычно используется метод, предложенный Гиббсом. В этом случае равновесная форма огранения задается с помощью совокупности величин Г — рас- [c.181]

    В 1921—1922 гг. был разработан метод вычисления длины ребер элементарного параллелепипеда на основании рентгенограммы волокна для случая параллельно расположенных кристаллов 2. Этим методом были вычислены размеры элементарной [c.84]

    И. Теоретические расчеты поляризуемости иоиов также имеют довольно большую историю. Всю литературу по этому вопросу можно условно разбить на три этапа. Вначале разрабатывались методы квантовомеханического расчета электронных поляризуемостей свободных ионов, затем (наряду с продолжающимся усовершенствованием этих методов) появились работы по вычислению поляризуемостей ионов в кристаллах. И наконец, в последние годы были сделаны расчеты поляризуемости атомов переменной зарядности. В таком порядке мы и рассмотрим результаты теоретических расчетов ионных рефракций элементов. [c.55]

    Описанный метод вычисления поверхности следует применять с большой осторожностью, так как значения коэффициентов формы кристаллов 5 и а зависит от выбора характеристичного размера (например, для куба Р = 2, если в качестве такого размера выбрана его большая диагональ) и, следовательно, от способа определения размеров частиц (измерение под микроскопом, подсчет количества частиц в определенной навеске, ситовой анализ и т. д.). В случае полидисперсных кристаллов коэффициенты зависят также от функции распределения частиц по размерам и от способа выражения среднего размера. К тому же частицы разных размеров в одном и том же продукте очень часто неодинаковы по форме. Поэтому при определении поверхности кристаллов целесообразней пользоваться прямыми измерениями их удельной поверхности [151]. (Прим. пер.) [c.59]

    Примененный автором приближенный метод вычисления поверхности кристаллов суммированием по единичным конечным отрезкам времени [уравнение (58)] нельзя признать удачным, так как он приводит к громоздкой и некорректной конечной формуле [в уравнении (59) слагаемые в квадратных скобках имеют неодинаковую размерность]. Нам представляется более правильным вычисление поверхности путем составления и интегрирования дифференциального уравнения. [c.101]


    Эффективный радиус иона — это радиус сферы действия иона в данном кристалле. Он не является для данного иона (как и радиус атома) строго определенной величиной, зависит от типа связи и от координационного числа. Эффективные радиусы находят из расстояний d между центрами соседних ионов. Эти расстояния определяются с большой точностью современными методами рентгеноструктурного анализа (Вульф, Брэгги, Дебай и др.). Их приравнивают сумме радиусов ионов. Например, у Na l длина ребра элементарной ячейки найдена равной 5,62 А. откуда d = 2,81 А У фторида натрия d = 2,31 А и т. д. Однако, чтобы найти ионные радиусы, нельзя d просто делить пополам, как это делается при вычислении радиусов атомов в атомных решетках простых веществ. Надо знать, по крайней мере, радиус одного иона, найденный тем или другим способом. Наиболее надежная исходная величина была получена для иона [c.129]

    Для оценки искажений, вызываемых молекулами примеси, чувствительными оказываются дифракционные методы. Рентгеновские измерения фиксируют некоторую среднюю для данного кристалла картину искажений решетки, возникших при образовании твердого раствора. Картина искажений может быть получена при геометрическом анализе, который заключается в оптимальном геометрическом размещении примесной молекулы на месте одной из молекул матрицы (без искажения ее решетки) с последующим вычислением всех межмоле лярных расстояний [57]. Однако эти исследования еще не решают одну из основных проблем — проблему распределения молекул примеси в решетке матрицы, то есть проблему ближнего порядка в кристалле твердого раствора. [c.49]

    Иначе обстоит дело с энергией упругих микроискажений кристаллической решетки, вызванных пластической деформацией тела. Накопленная в результате пластической деформации кристалла энергия упругих искажений решетки превращается в тепло при нагреве выше температуры рекристаллизации и оценивается калориметрическим методом [16]. Количество отведенной теплоты равно изменению энтальпии, так как процесс протекает в изобарных условиях. Поскольку химические реакции обычно идут также в изобарных условиях, термодинамической функцией (мерой максимальной полезной работы химической реакции) здесь является свободная энтальпия — изобарно-изотермический потенциал (термодинамический потенциал). Так как энтропийный член в данном случае пренебрежимо мал, деформационный сдвиг равновесного потенциала может быть вычислен по величине изменения энтальпии, запасенной вследствие пластической деформации тела. [c.24]

    При промышленном процессе образуюш иеся кристаллы необходимо удалить из маточного раствора. Если эта операция проводится при помош и обычных методов, например с применением фильтров или центрифуг, то в дополнение к эффективности единичной ступени образования кристаллов необходимо учитывать и эффективность ступени разделения фаз. Следовательно, обш,ая эффективность полной ступени кристаллизации, включаюш ей стадии образования кристаллов и разделения жидкой и твердой фаз, будет пиже, чем вычисленная на основании опубликованных [37] данных. [c.71]

    Вещество, получаемое по этому методу, не содержит серно-кислого натрия и изомерных сульфокислот. При титровании первой порции кристаллов были получены коэффициенты нейтрализации, лежащие в пределах 187,0—187,6 вычисленный коэффициент нейтрализации равен 187,2. Вторая порция кислоты менее чиста, так как ее коэффициент нейтрализации составляет около 177. [c.479]

    Испытания применимости этого метода показали, что результаты, полученные с его помощью, сравнимы с результатами, получаемыми с помощью метода трех поправок. Главным препятствием для более широкого его использования является необходимость иметь большое количество гомогенных, хорошо исследованных эталонов. Поэтому а-метод иногда используется в комбинации с методом трех поправок. В этом случае рассчитывают матрицу нужных значений а по задаваемым значениям С и используют метод трех поправок для расчета соответствующего значения k. Затем, конечно, а можно вычислить по уравнению (7.32). Алби и Рей [150] с помощью метода трех поправок рассчитали факторы поправок для 36 элементов в виде простых окислов для Ей, равного 15 и 20 кэВ, и для различных углов выхода рентгеновского излучения. Более сложные расчеты коэффициентов а были проведены в работе [151], но их использование ограниченно. Тем не менее вычисленные значения подвержены влиянию всех неопределенностей, связанных с методом трех поправок, указанных прежде. Использование таких корректирующих процедур, однако, позволяет проводить микроанализ при наличии эталонов в виде небольших подходящих кристаллов простых окислов, причем процедура расчета значительно проще, чем в методе трех поправок. [c.37]

    Явления адсорбции в процессе комплексообразования. При приближении к поверхности кристалла карбамида молекулы н-алкана она адсорбируется на этой поверхности при этом кристалл-карбамида получает достаточно энергии для перехода из тетрагональной форумы в гексагональную. Калориметрическим методом была определена [16] теплота адсорбции н-октана арбамидом с размерами частиц 0,1-0,15 мм. Авторы этой работы установили, что теплота адсорбции н-алкана на твердой поверхности карбамида несколько больше вычисленной теплоты образования комплекса, составляющей 6,7 кДж на одну метильную группу. Поэтому они считают, что н-алканы удерживаются в решетке адсорбционными силами. В работе [8]явление адсорбции отрицается. [c.46]

    Следует подчеркнуть, что такой способ подхода к вопросу обладает полной общностью и применим при любых температурах к любым телам вне зависимости от их молекулярной природы (ионные или молекулярные кристаллы, аморфные тела, металлы, диэлектрики и т. п.). Важной особенностью метода является и то обстоятельство, что, поскольку в вычислении поля используются точные уравнения Максвелла, автоматически учитываются также эффекты запаздывания, связанные с конечной скоростью распространения электромагнитных взаимодействий. Эти эффекты становятся существенными, когда расстояние Я достаточно велико Я Хо/2я, где Хо — длина волн, характерных для спектров поглощения данных тел. [c.72]

    Е. С. Федоров одновременно с разработкой методики измерения кристаллов на двукружном гониометре разработал и систему соответствующих вычислений. Графические методы расчетов кристаллов нашли свое завершение в работах другого замечательного русского кристаллографа — Ю. В. Вульфа. [c.15]

    Оценка сопротивления разрыву, исходя из значений энергий кристаллических решеток соответствующих веществ, приводит к большому расхождению расчетных и экспериментальных значений прочности. В 1923 г. Цвикки [67] в результате расчета сил сцепления в кристалле поваренной соли получил вместо экспери ментального значения прочности 5,3 МПа (0,531 кгс/мм ) величину почти в 400 раз большую—-2-10 МПа (200 кгс/мм ). Автор считал что при расчете сопротивления разрыву следует учитывать теп ловое движение, приближающее элементы структуры к тому энер гетическому состоянию, которое они имеют после разрыва Де Бур [66] в своих расчетах пытался учесть также влияние дис персионных сил. В зависимости от метода вычисления им полу чены значения СТр (теор) = 2680 МПа и Ор (теор) = 4000 МПа. [c.51]

    Наиболее точные данные о расположении атомов в кристаллах можно непосредственно получить с помощью дифракционных методов — рентгеноструктурного анализа, нейтроцо- и электронографического методов. Эти методы основываются на измерении интенсивности пучков рентгеновских лучей, нейтронов или электронов, отраженных от различных плоскостей кристаллической решетки исследуемого вещества. Количество получаемых таким путем интенсивностей весьма велико для кристаллических структур средней сложности оно составляет несколько сотен, а для кристаллов белков достигает многих тысяч. Для получения информации о расположении атомов в кристалле на основе этих экспериментальных данных (полученных одним из методов) необходимы громоздкие и сложные вычисления. Однако широкое распространение вычислительных машин значительно облегчило труд кристаллографов и сделало возможным применение новых, более точных методов вычислений. В этой главе будут рассмотрены основные методь расчета, применяющиеся в современной кристаллографии, в том числе и программа вычислений, разработанная во Вроцлавском центре для счетной машины Эллиотт-803. [c.233]

    Осн. научные работы относятся к кристаллографии. С 1950 совм. с г. Хауптманом осуществлял систематические исследования атомного строения кристаллов с целью перехода от сложных классических методов сопоставления априорных моделей с эксперим. дифракционной картиной к прямым методам вычисления фаз структурных амплитуд по дифракционным данным. Решающий вклад в решение этой задачи Дж. Карл и Г. Хауптман внесли уже в 1953, описав новые предложенные ими методы определения структуры кристаллов в монографии Решение фазовой проблемы. I. Центросимметричный кристалл . В дальнейшем они создали усовершенствованные методы извлечения структурной информации из дифракционных данных, кото- [c.193]

    Предположение де Бронля о наличии у электрона волновых свойств получило экспериментальное подтверждение уже в 1927 г., когда К- Д. Девиссоном и Л. X. Джермером в США, Дж. П. Томсоном в Англин и П. С. Тартаковским в СССР независимо друг от друга было установлено, что прн взаимодействии пучка электронов с дифракционной решеткой (в качестве которой использовались кристаллы металлов) наблюдается такая же дифракпион-ная картина, как и при действии на кристаллическую решетку металла пучка рентгеновских лучей в этих опытах электро вел себя как волна, длпна которой в точности совпадала с вычисленной по уравнению де Бройля. В настоящее время волновые свойства электронов подтверждены большим числом опытов и широко используются в электронографии — методе изучения структуры веществ, основанном на дифракции электронов. [c.70]

    Метод заключается в растворении навески парафина в аце-тон-бензольной смеси или метилэтилкетоке, охлаждении раствора для выделения кристаллов парафина, отделении от смеси фильтрацией под вакуумом части раствора масла, отгонке от масла растворителя и вычислении содержания масла в испытуемом парафине по весу выделенного из фильтрата масла. [c.452]

    Прямыми поисковыми называют методы, не требующие вычисления частных производных (355(0)/( 05. Градиентные методы основываются на вычислении градиента функции 55(0). Среди прямых поисковых методов укажем прежде всего метод оврагов [122, 123], методы Розепброка [124] и Пауэлла [125, 126]. Метод оврагов , хорошо зарекомендовал себя при решении задач, связанных с оценкой кинетических параметров [107]. Эффективным оказывается также метод случайного поиска [127]. Кстати, методом случайного поиска пользовались при уточнении оценок параметров скорости зародышеобразования и роста кристаллов (см. выше). [c.324]

    Заканчивая, укажем проблемы структурной рефрактометрии, которые требуют своего разрешения. Самой главной проблемой рефрактометрии ио-прежнему остается повышение точности вычислений мольных рефракций химических соединений. Дальнейшего прогресса здесь нельзя достичь, если не будут найдены достаточно надежные и не громоздкие методы учета поляризационного взаимодействия ионов, а также ие будут найдены обоснованные корреляции электронной поляризуемости атомов и стеиеии металличности их связей. Именно тогда расчет рефракций будет поднят иа более высокий уровень, который сможет обеспечить новые области применения ре-фракт ометрии. В частности, только после иовьппения точности вычислений можно ожидать успеха в попытках установить жесткую связь между оптической и геометрической анизотронисй кристаллов. [c.280]

    Из (VIII.4) видно, что рентгеновский метод позволяет определять КТР кристаллов непосредственно по температурной зависимости дифракционного угла без предварительного вычисления межплоскостных расстояний или параметров кристаллической решетки для каждой из температур Т. [c.154]

    В табл. 4.7 приведены значения этих типов атомных радиусов, а также вычисленная величина радиуса максимальной электронной плотности наиболее диффузной атомной орбитали, найденной по методу ССП. Последний представляет собой расстояние от ядра, на котором с максимальной вероятностью можно обнаружить электрон. Более всего согласуются между собой радиус максимальной плотности и вандерваальсов радиус. Определение как ковалентного, так и ионного радиусов сталкивается с проблемой, как представить экспериментальное межъ-ядерное расстояние в виде суммы двух атомных радиусов. Исходя из одних и тех же длин связей, можно построить разные шкалы атомных радиусов. Поскольку понятие о размерах атомов само по себе не является строгим, то не столь уж важно, на основе какого метода определены радиусы атомов. Так, недавно стало ясно что общепринятые значения ионных радиусов (приведенные в табл. 4.7) не согласуются со значениями, измеренными методом дифракции рентгеновских лучей на ионных кристаллах [5]. Такие измерения со всей очевидностью показали, что вопреки обычным предположениям радиус иона не является постоянной величиной. [c.61]

    Для получения заданной температуры образцы охлаждались до температуры несколько ниже тройной точки, что приводило к затвердеванию аргона и ксенона. Твердое состояние образцов обнаруживалось при наблюдении дифракционных максимумов, характерных для кристалла. Затем каждый образец слегка подогревали до тех пор, пока эти максимумы не исчезли. Разность между температурой, при которой наблюдалась смесь твердой и жидкой фаз, и температурой, при которой дифракционные максимумы соответствовали только жидкой фазе, составляли 0,3 0,1 К. Кривые интенсивности получены в монохроматическом молибденовом излучении с помощью 0 — 0 -дифрактометра. Регистрация рассеянного излучения производилась в интервале 5 от 0,3 до 14 Дифракционные эффекты наблюдались до значений 5=9 А 1 для аргона и S = 8 А для ксенона. Положение максиму MOB интенсивности и вычисленные по ним кра1чайшие межатомные рас стояния Ri и средние числа ближайших соседей приведены в табл 15. Там же указаны значения энергии парного взаимодействия атомов Экспериментальные кривые атомного распределения были соиоставле ны с теоретическими, рассчитанными методом идеальных пиков  [c.159]

    А. И. Китайгородский предложил метод расчета энергии решетки молекулярных кристаллов с помощью атом — атом потенциалов . Каждый атом, входящий в молекулу, рассматривается как некоторый силовой центр. Энергия взаимодействия молекул равна сумме энергий парных взаимодействий атомов i и /, принадлежащих разным молекулам. Энергии взаимодействия атомов Езависят лишь от сорта атомов. Они не зависят от того, в какую молекулу и в каком валентном состоянии атомы входят. Для Емогут быть приняты различные аналитические выражения, например потенциал Леннарда—Джонса и др. Параметры эмпирических соотношений подбираются так, чтобы, зная все межъядерные расстояния в кристалле, можно было получить правильное значение энергии решетки кристалла. Подробное описание этого метода и примеры его применения приведены в монографии А. И. Китайгородского Молекулярные кристаллы [59] и обзоре П. М. Зоркого и М. А. Порай-Кошица [60]. Метод атом—атом потенциалов дает возможность подобрать межатомные потенциалы на основе экспериментальных данных для нескольких представителей какого-либо класса органических веществ, а затем применять полученные кривые для вычисления свойств всех остальных веществ этого класса. Так, например, зная потенциалы взаимодействия атомов С и С, С и Н, Н и Н, можно рассчитывать энергию и ряд других свойств множества кристаллов углеводородов. [c.98]

    Учитывая, однако, что вычисленные методом Сандерсена ионные радиусы не всегда точно совпадают с эмпирическими значениями и что, кроме того, таким путем нельзя получить различие для нормального и кристалли- [c.116]

    Как видно из табл. 59, учет реальной ионности химической связи в кристаллах позволил за-метно увеличить точность вычисления мольных рефракций. В самом деле, если расчет рефракций по классической ионной схеме дает среднестатистическую ошибку 28,5% (без учета гидридов и кристаллов типа А ЧВ ", где эта методика расчета вооби е не применима), а по кристаллическим ионным рефракциям — 8,9%, то развиваемый метод дает среднюю ошибку в 4,7% - Как и в случае молекул, среднее отклонение от средней ошибки в новом методе значительно меньше, чем в классических методиках в ионной схеме AR R = 28,Б 2I%, при расчете по кристаллическим ионным рефракциям — 8,9 3,0%, в нашем методе — 4,7 1,3%. [c.129]

    Эффективныйрадиусиона — это радиус сферы действия пона в данном кристалле. Он не является для данного иона (как и радиус атома) строго определенной величиной, так как зависит от типа связи и от координационного числа. Эффективные радиусы определяют из расстояний d между центрами соседних ионов. Эти расстояния определяются с большой точностью современными методами рентгеноструктурпого анализа (Вульф, Брэгги, Дебай и др.). Их приравнивают сумме радиусов ионов. Например, у Na l длина ребра элементарной ячейки найдена равной 0,562 нм, отк -да d= = 0,281 нм, у фторида натрия Л=0,231 нм и т. д. Однако, чтобы определить ионные радиусы, нельзя d просто делить пополам, как это делается при вычислении радиусов атомов в атомных решетках простых веществ. Надо знать, по крайней мере, радиус одного иона, найденный тем или другим способом. Наиболее надежное исходное значение было получено для иона F (0,133 нм) с помощью оптических методов, зная которое можно определить радиусы = 0,231—0,133 = 0,098 нм Гс,- = = 0,281—0,098=0,183 нм и т. д. Таблицы ионных радиусов приведены в справочной литературе. [c.160]

    Существует некоторое расхонадение между значениями чпсла Авогадро, полученными различными методами. Первые три метода представляют только исторический интерес, а четвертый сейчас считается напболее точным. Его можно считать абсолютным методом, поскольку длину волны рентгеновских лучей можно пайти, измеряя углы отражения от кристаллов. Неполное соответствие между данными, приведенными для в табл. 2 и 3, связано с наличием дефектов кристаллических решеток. Решетки кальцита и алмаза содержат относительно немного дефектов, и поэтому сейчас в качестве наиболее достоверного используется значение ТУд, вычисленное из данных рентгеновского анализа этих кристаллов (Дю Монд и Ботман, 1936)  [c.28]


Смотреть страницы где упоминается термин Методы вычисления кристаллов: [c.82]    [c.6]    [c.32]    [c.201]    [c.4]   
Смотреть главы в:

Кристаллохимия Издание 2 -> Методы вычисления кристаллов




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Вычисления Методы вычислений

Метод вычисления



© 2025 chem21.info Реклама на сайте