Роль электрона (процессы типа ЕСЕ)

Типичными условиями Б радиационной химии являются наличие холодного молекулярного газа и малых концентраций аа1)я к81[ных частиц. Поэтому рекомбинация происходит по закону второго порядка при столкновениях электронов и отрицательных ионов с положительными ионами. При рекомбинации же в сравнительно плотной плазме большую роль играют процессы типа е+е-1-А+ = е+А [122]. [c.194]

Хотя частичное заполнение электронных зон должно соответствовать металлическому характеру проводимости этих типов углеродных материалов, для них наблюдается положительный температурный коэффициент электропроводности. Это объясняется дырочным характером проводимости (или рассеиванием) на границе между сетками. По мере увеличения концентрации дырок нижняя зона постепенно истощается. При температурах выше 1400° С (рис. 8, в) процесс образования дырок вследствие выделения водорода, по-видимому, в основном завершается. Связывание разорванных сеток, происходящее во время роста кристаллов, приводит к уменьшению количества дырочных дефектов, играющих роль электронных ловушек. я-Зона начинает снова заполняться. Одновременно при росте размеров сеток углерода происходит уменьшение ширины АО запрещенной зоны. При температуре 2000° С (рис, 8, г) эту зону можно считать достаточно узкой для перехода электронов в зону проводимости под действием теплового возбуждения. Тя- [c.31]

Согласно механизму катализа, протекающего по окислительно-восстановительному типу, между молекулами реагирующих газов (Hg и N2) и катализатором возникают химические связи, близкие к ионным. Атомы водорода отдают свои электроны катализатору, т. е. выполняют роль доноров электронов. Адсорбированные атомы азота воспринимают электроны с поверхности катализатора. Следовательно, азот является акцептором электронов. Воспринимая их, он приобретает повышенную активность. Ионы азота и водорода, соединяясь, образуют молекулы аммиака. Эти электронные процессы протекают в несколько стадий. Наиболее медленной является акцепторная стадия — переход электронов от катализатора к атомам азота. Она и определяет скорость всего процесса синтеза. [c.262]

В реальных окислах преобладающим типом дефектности являются дефекты нестехиометрии анионные, катионные вакансии и атомы в междоузлиях. В ионных кристаллах, к которым относится большинство окислов металлов, очень часто преобладающая роль в процессах рекомбинации принадлежит F-или К)-центрам [17, 18], т. е. нейтральным анионным и катионным вакансиям, обладающим свойствами соответственно доноров и акцепторов электронов. Будем считать, что сечение захвата электрона нейтральной катионной вакансией (акцептором электронов) 5 больше сечения захвата дырки этим же центром, а сечение захвата дырки нейтральной анионной вакансией (донором электронов) 5р больше сечения захвата электрона 8п этим же центром [17]. Примем также, что 15р = 15 . Тогда, учитывая соотношения (7) и (8), можем записать [c.39]

Интересно рассмотреть полупроводниковые свойства этих окислов. В первой группе все окислы представляют собой полу проводники /7-типа. Во второй группе MgO, aO и СеОг представляют, как известно, ниже 550° изоляторы, в то время как СиО — собственный полупроводник. Третью группу составляют полупроводники п-типа, за исключением окисла СггОз, который, будучи дырочным, все же очень близок к собственным полупроводникам. Существование таких классов катализаторов, активных при разных температурах, указывает на важную роль электронов в процессе разложения закиси азота — в соответствии с предложенным Вагнером механизмом реакции. [c.44]

Два рассмотренных выше примера синтезов фторидов проводились в термической плазме, характеризовавшейся высоким давлением и высокими энтальпиями, в которой реализовались условия локального химического равновесия. Термическая плазма представляет только одно из нескольких состояний, которые могут быть получены в электрических разрядах. Множество исследований других химических синтезов проводились в маломощных тлеющих разрядах низкого давления и маломощных дугах, в которых не устанавливалось равновесного химического состава. Для таких условий важную роль играет процесс передачи кинетической энергии электронов на внутренние степени свободы индивидуальной молекулы. Электроны, ускоренные приложенным электрическим полем, могут обладать кинетической энергией, достаточной для генерации при соударениях с молекулами возбужденных или ионизированных состояний этих молекул. Электроны, сталкивающиеся с молекулами, могут также вызвать диссоциацию их с образованием как нейтральных, так и ионизированных осколков. Реакция же протекает в результате взаимодействия этих неустойчивых соединений с соседними невозбужденными молекулами или другими возбужденными частицами. Физические условия, существующие в различных типах газовых разрядов, рассмотрены в гл. I. Механизмы возбуждения молекул электронным ударом подробно описаны Кондратьевым [62]. [c.212]

При проведении радиационной полимеризации в жидкости при низких температурах могут развиваться цепи ионной природы [231]. Был доказан карбониевый механизм полимеризации для одних мономеров [232] и карбанионный — для других [233]. Исключительную роль в процессах ионной полимеризации играют твердые добавки (окислы). Было обнаружено избирательное действие твердых добавок в зависимости от их природы карбониевую полимеризацию ускоряют полупроводниковые окислы и-типа, а карбанионную — полупроводники р-типа. Это явление объяснено электронными переходами между хемосорбированными атомами и радикалами и твердой добавкой [234]. [c.370]

Сложнее обстоит дело с электронным возбуждением и ионизацией. Вероятности электронного возбуждения и ионизации при соударениях тяжелых частиц сильно зависят от типа потенциальных поверхностей и наличия их пересечения, приводящего к соответствующим неадиабатическим переходам (электронное возбуждение, ионизация и т. д.). Существенную роль в процессах возбуждения и ионизации в плазме играют столкновения тяжелых частиц с электронами. Сами электроны обмениваются энергией с тяжелыми частицами в основном в результате неупругих соударений. Поэтому характерные времена достижения равновесия между поступательными степенями свободы частиц и их электронным возбуждением и ионизацией сильно зависят от конкретной системы. Например, в ударных волнах (система наиболее близка к термодинамической изоляции от внешней среды) имеем следующую последовательность возрастания характерных значений времени релаксации [18] [c.15]

Последний из основных процессов взаимодействия быстрых электронов с веществом (не играет большой роли в процессе потери кинетической энергии электронов в диапазоне энергий, представляющих наибольший интерес для радиационной химии) — возникновение тормозного излучения. По характеру воздействия на вещество тормозное излучение практически не отличается от -излучения, создаваемого изотопными источниками, широко используемыми в радиационной химии. Поэтому краткое рассмотрение этого типа взаимодействия быстрых электронов с [c.10]

Механизм реакций гидрирования и дегидрирования. Эти процессы относятся к типу гомолитических превращений, в принципе подобных гетерогеннокаталитическим реакциям окисления. Важную роль играет хемосорбция реагентов на активных центрах (К), при которой за счет электронных переходов с участием катализатора ослабляются или полностью разрываются химические связи в адсорбированной молекуле. Разными методами показано, что, когда водород сорбируется металлами, за физической адсорбцией следуют частичное ослабление связей и диссоциация моле-1 улы [c.466]

Роль химических стадий в электросинтезе органических соединений существенно зависит от их констант скорости и положения в реакционной схеме. При краткой записи механизма многостадийного процесса его химические и электрохимические стадии принято обозначать соответственно буквами С ( hemi al ) и Е ( ele tro hemi al ), написанными в порядке, отвечающем последовательности осуществления этих стадий в ходе электролиза. Так, в процессе типа СЕ химическая реакция предшествует переносу электрона, в случае ЕСЕ-механизма она следует за переносом первого электрона, но предшествует переносу второго и т. д. [c.193]

В этом разделе рассмотрены реакции, в которых электрохимически генерированный анион-радикал углеводорода отдает электрон находящемуся в растворе другому веществу, которое таким образом претерпевает каталитическое восстановление. Таким образом, роль молекулы углеводорода сводится к переносу электрона от электрода к другому присутствующему в растворе соединению. Процесс переиоса электрона данного типа будет заметно сказываться только хтри условии, что гомогенный окислительно-восстановительный потенциал второго растворенного вещества менее отрицателен, чем у исходного углеводоро- [c.255]

В положительном столбе тлеющего разряда обычного типа имеем следующие условия как правило, низкое давление (обычно порядка 0,1— 100 мм рт. ст.), среднюю температуру газа (порядка нескольких сотен градусов Цельсия) и высокую электронную температуру . Эти условия близки к условиям протекания фотохимических реакций, где роль быстрых электронов играют кванты фотохимически активного света. При этом по их средней энергии быстрые электроны скорее соответствуют квантам жесткого излучения (далекий ультрафиолет). Поэтому тлеющий разряд должен благоприятствова[ть эндотермическим реакциям, т. е. химическим реакциям, в которых основную роль играют процессы разложения молекул, как, например. 2СН4 = С3Н2 Н- ЗНз (— 86,3 ккал), СН4 -Ь СОд = = 2С0 -f 2Н, (-55,6 ккал), СН -Ь Н О = СО + ЗН, (-45,9 ккал). Исследования реакций такого рода показывают, что реагирующая система приходит к некоторому предельному состоянию, характеризующемуся концентрациями исходных веществ и продуктов реакции, значительно, отличающимися от равновесных концентраций, как это имеет место в эндотермических фотохимических реакциях или в таких реакциях, в которых одновременно с прямой реакцией идет обратная ей также фотохимическая реакция (см. главу УИ1). [c.352]

В зависимости от и и и.п и относительных концентраций свободных ионов и ионных пар определяющую роль в процессе может играть либо один, либо другой тип ионных частиц [от акц > (1—а)ка.п до а и<С(1—а) ип]. Может быть и так, что вклады ионов и ионных пар сопоставимы. Кинетически эти варианты характеризуются различными порядками по ионнопостроенпым реагентам (от 0,5 до 1), что не мешает, однако, используя уравнение (8) и его модификации, определять абсолютные значения и й ,п. На основании этих данных можно сделать совершенно однозначные выводы относительно влияния противоиона на реакционную способность и соотнести также тип реагирующей частицы с образующимся продуктом. Эта информация имеет исключительно важное значение для установления механизмов реакций многих органических и металлорганических соединений, поэтохму основное внимание в нашем обзоре будет уделено химически.м следствиям ионной ассоциации. Ее роль будет продемонстрирована на примере реакций нуклеофильного и электрофильного замещения и присоединения, реакций переноса протона и электрона, процессов элиминирования и некоторых других реакций. [c.252]

Полученные результаты подтверждают существенную роль электронов и дырок проводимости в гетерогенном катализе и делают актуальным конкретизацию их участия в процессе. Необходимо дифференцировать роль коллективных и локальных электронных механизмов и свойств в катализе редоксного типа. [c.42]

В последнее время стали применять в качестве полупроводников также и химические соединения, в первую очередь между элементами третьей ж пятой групп (полупроводники типа В ). Особенно ценными свойствами обладают сурьмянистый индии 1п8Ь, чувствительный к инфракрасному свету с очень большой длиной волны и ьшшьяковистый галлий ОаАз, в котором рекомбинация электронов и дырок дает интенсивное световое излучение (квантовый генератор света или полупроводниковый лазер, превращающий энергию электрического тока непосредственно в световую). Полупроводниковыми свойствами обладают и многие окислы. Так, окись цинка является электронным полупроводником роль доноров играют при этом избыточные атомы или однозарядные ионы цинка. Окись меди(1) является дырочным полупроводником роль акцепторов играют избыточные атомы кислорода. Однако подвижность носителей тока (электронов или дырок) в окисных полупроводниках низка, так что для радиотехники они менее ценны. Для выпрямления сильных токов используют тонкий слой окиси меди(1), нанесенный окислительным процессом на поверхность металлической меди (купроксный выпрямитель). Это — простейший аналог полупроводникового диода, в котором, однако, роль электронного проводника играет обычный металл. Свойства окисных полупроводников сильно зависят от состояния их поверхности. Так, электропроводность окиси цинка понижается в атмосфере кислорода, который адсорбируется поверхностью и захватывает свободные электроны. Способность окислов ускорять (катализировать) газовые реакции связана с полупроводниковыми свойствами, т. е. с наличием свободных электронов.— Доп. ред. [c.457]

Существуют два типа магнитных взаимодействий, которые играют важную роль в процессах релаксации. Одним из них является прямое диполь-дипольное взаимодействие между спинами электрона и ядра, которое пропорционально величине 1/г , т. е. обратно пропорционально кубу расстояния между спинами. Другим взаимодействием является контактное сверхтонкое взаимодействие a -S. Эти взаимодействия модулируются несколькими различными, зависящими от времени процессами, характеризующимися следую-щилш значениями времени корреляции [c.297]

Совсем иное имеет место в газах. Ионы в газах не представляют собой обязательно составные части молекул данного газа. В газах встречаются самые разнообразные ионы положительно и отрицательно заряженные отдельные атомы, целые заряженные молекулы, а также заряженные комплексы атомов, которые никогда не встречаются в свободном состоянии при химических реакциях. В газах не происходит выделения отдельных составных частей газа на электродах с переходом их в другое агрегатное состояние, как это имеет место в электролитах, и мы обычно не замечаем переноса того или другого вещества через газ. В газе ионы отдают свои заряды электродам и диффундируют обратно Б газ в виде нейтральных частиц. Ионы в газах обряг зуются не только под действием внешних ионизаторов, но и вследствие целого ряда атомарных элементарных процессов в объёме газа и на поверхности электродов — процессов, тесно связанных с прохождением разрядного тока через газ. При самостоятельном разряде роль этих процессов значительно больше, чем роль внешнего ионизатора, и для поддержания разряда последний становится излишним. При наличии этих процессов, а также вследствие уноса ионов током и их нейтрализации на электродах концентрация ионов и свободных электронов в газе зависит от силы тока и напряжённости поля в разряде. Это обстоятельство в свою очередь является причиной несостоятельности закона Ома в газах и причиной сложного вида вольтамперных характеристик различных типов газового разряда. [c.18]

Во всех рассмотренных случаях, за исключением добавки Нека-ля БХ , галоидные ионы выступают как бы катализаторами электродного процесса. Наиболее вероятным объяснением этого эффекта следует считать образование на электроде промежуточного комплекса типа Ме"+ — С1 — е (Ме), в котором ион хлора играет роль электронного мостика [12]. Аналогичное каталитическое действие [c.386]

Другое объяснение причин отравления катализаторов, не противоречащее первому, но дополняющее его, вытекает из электронных представлений о сущности механизма каталитических процессов. Согласно этим представлениям, поверхность катализатора заполняется адсорбированными атомами и молекулами реагирующих газов (в данном случае азота и водорода). Между ними и катализатором возникают химические связи, характер которых близок к ионным связям. Адсорбированные атомы азота воспринимают электроны с поверхности катализатора таким образом, в процессе синтеза аммиака азот является акцептором электронов. При переходе электрона с катализатора заряд азота становится отрицательным. Атом водорода, наоборот, отдает свой электрон катализатору, т. е. выполняет роль донора электронов. При этом заряд водорода становится положительным. В результате перехода азота и водорода в ионноесостояниеони соединяются, образуя молекулы аммиака. Из сказанного ясно, что в ходе синтеза аммиака на катализаторе происходят электронные процессы окислительно-восстановительного типа, протекающие в несколько стадий. Наиболее медленной является акцепторная стадия — переход электронов от катализатора к атомам азота. Если выход электронов с поверхности катализатора затруднен, скорость реакции резко уменьшается. [c.282]

В ряду Р <С С1 < Вг < I, причем не удалось обнаружить эффектов растворителя при проведении реакций СеНвСНгС в воде, метиловом и этиловом спиртах [130]. Эти результаты можно согласовать только с таким механизмом, в котором лимитирующей стадией является образование СбНэСНгС] -, причем заряд аниона в основном сосредоточен на атоме галогена. Поэтому довольно трудно установить аналогию между реакциями гидратированных электронов с алкилгалогенидами и процессами типа SNl и SN2 у насыщенного атома углерода [131]. Тем не менее между механизмами присоединения электронов к алкилгалогенидам и к замещенным ароматическим соединениям имеется сходство в том отношении, что в обоих случаях атака идет по центрам с наименьшей электронной плотностью. Поскольку атом галогена, связанный с углеродом, может играть роль электрофильного центра только при атаке сильным восстановителем, то гидратированный электрон при реакциях с алкилгалогенидами выступает не только как активный нуклеофил, но также и как активнейший восстановитель. В принципе можно использовать активность алкилгалогенидов в реакциях с гидратированными электронами как меру относительных восстановительных потенциалов этих соединений. Более высокую реакционную способность СбНзСНгС] по отношению к гидратированным электронам, чем следовало ожидать из соответствующих значений а , можно объяснить, как и в отмеченном выше случае, дополнительным взаимодействием электрона с ароматическим кольцом [130]. [c.139]

Сдвиг потенциала в положительную сторону в несколько раз превышал максимально возможное изменение г15гпотенциа4а при внедрении анионов в адсорбционный слой. Этот эффект не может быть объяснен действием только электростатических факторов. Было высказано предположение, в соответствии с которым резкое снижение степени необратимости процесса электровосстановления металлов в присутствии галоидных ионов и других способных к деформации анионов является следствием снижения энергии активации при протекании разряда на участках адсорбционной пленки, расположенных в непосредственной близости от адсорбированных анионов. Одна из возможных причин этого явления состоит в образовании активированных комплексов Ме"+—С1 —е(Ме), в которых ионы хлора играют роль электронных мостиков [6, 7]. Вследствие расширения области адсорбции анионов в присутствии добавок катионного типа [10, 12] активирующее действие галоидных ионов сохраняется вплоть до крайне отрицательных потенциалов. [c.38]

При прочих равных условиях электронная плотность на атоме переходного металла будет снижаться от III к I. В этом же направлении будут повышаться его электроноакцепторные свойства. Поэтому от соединений типа I можно ожидать наибольшей склонности к образованию тг-комплексов, в которых мономер выступает в роли электронодонора (второго типа, по нашей классификации, см. гл. III, 3), т. е. к процессам координационной полимеризации этилена и а-олефинов. Это согласуется и с данными Долгоплоска по полимеризации бутадиена под действием тг-аллилгалогенидов никеля, из которых следует, что комплексообразование с кислотами Льюиса повышает, а с основаниями Льюиса понижает активность катализатора 1 ]. [c.236]

В окислительно-восстановительных реакциях происходят электронные переходы между катализатором и реагирующими веществами. Катализаторами этих реакций являются металлы и полупроводники — твердые вещества, обладающие свободными или легковозбудимьши электронами. При трактовке взаимодействия реагирующих веществ с катализатором окислительно-восстановительного типа принимают во внимание либо, так же как и для гетеролитических реакций, только локальные свойства контакта — электронную стуктуру атомов или ионов на поверхности, либо учитывают (на основе зонной теории) только общие уровни энергии электронов всего твердого катализатора. В последнем случае каталитическую активность твердого катализатора связывают с полупроводниковыми свойствами — работой выхода электронов, электропроводностью, типом проводимости, шириной запрещенной зоны считают, что химические особенности катализатора определяются в основном положением уровня Ферми. Однако предсказания электронной теории не всегда оправдываются. Это наблюдается, например, при исследовании сплавов металлов VHI и IB групп, а также таких полупроводниковых катализаторов, как закись никеля с добавками лития, двуокись титана с добавками вольфрама, твердые растворы MgO — NiO. Наиболее вероятная причина наблюдаемого явления состоит в том, что энергия взаимодействия адсорбированной частицы с катализатором определяется не только смещением уровня Ферми, но и изменением энергии локального взаимодействия. Поэтому многие исследователи приходят к выводу о том, что, хотя в ряде случаев коллективные электронные свойства полупроводников играют большую роль, часто окис-лительно-восстановительный катализ происходит в результате локального взаимодействия реагирующих молекул с поверхностными атомами или ионами. Важные доводы в пользу решающей роли локальных свойств твердого вещества в его каталитической активности получены при сопоставлении процессов гомогенного и гетерогенного катализа. [c.12]

В настоящее время мы не обнаружили в литературе сколько-нибудь достоверных фактов, которые бы подтверждали, что перенос энергии, осуществляемый благодаря перемещению зарядов — электронов и протонов, происходит именно по ССИВС. Как мы видели в конце разделов 3.2.2 и 3.2.3, многие исследователи [17, 55, 70] склоняются к тому, что именно системы подобного типа играют важную роль в процессах переноса зарядов. Наличие формализованных понятий простой и резонансной группы и представлений о ССИВС позволяет свести эти гипотезы в единую обобщенную модель, использование которой может оказаться полезным при интерпретации самых разнообразных биологических явлений и закономерностей. Помимо упомянутых гипотез, в своих построениях мы опирались на некоторые экспериментальные данные, полученные в более простых, но аналогичных по свойствам системах с водородными связями. [c.79]

Процесс протекает в бактероиде, окруженном мембраной и локализованном в кортикальных клетках корня растения-хозяина, Основная роль в процессе азотфиксации принадлежит ферменту нитрогеназе, который подробнее изучен у свободноживущих азотфиксаторов. Фермент состоит из двух компонентов более высокомолекулярного Мо, Fe-белка и низкомолекулярного Fe-белка. Азотфиксирующей активностью обладает только комплекс обоих компонентов нитрогеназы, Мо, Fe-бе-лок различных нитрогеназ имеет М, 200 — 250 тыс,, содержит два атома Мо, 28 — 34 атома Ре и 18 — 24 атома лабильной S на молекулу, причем Fe и S объединены в несколько FeS-класте-ров. Низкомолекулярный компонент нитрогеназы, Fe-белок, имеет Мг 50—70 тыс., содержит по четыре атома Fe и лабильной S на молекулу фермента, которые объединены в кластер типа 4Fe4S. Субстрат (N3) связывается и восстанавливается на Мо, Fe-белке, а Fe-белок служит источником электронов для восстановления Мо, Fe-белка, которые он получает от ферредоксина (Фд). Комплекс двух компонентов нитрогеназы существует лишь во время сопряженного с гидролизом АТР переноса электронов от Fe-белка к Мо, Fe-белку. [c.227]

В зависимости от типа реакционного процесса, конструкции аппарата объем и детализация расчетов каждого вида существенно различаются. Большую роль при этом играет наличие достаточно полных экспериментальных данных по основным характеристикам процесса, а также их аналитического пpeд тaвлeн fя. Последнее имеет большое значение в связи с широким внедрением в практику расчетов цифровых электронно-вычислительных машин (ЭВМ). Это обстоятельство позволило существенно упростить решение многовариантных задач, характерных для реакционных аппаратов, и учитывать достаточно сложные взаимосвязи различных сторон рассчитываемого химического процесса. [c.396]

К числу осн. направлений развития К. х. относятся всестороннее изучение влияния электронной корреляции на св-ва молекул в разл. состояниях и на особенности взаимод. молекул между собой изучение связи разл. типов движений в молекулах и установление специфики состояний и св-в, в к-рых эта связь играет определяющую роль (напр., в случае неприменимости адиабатич. приближения) получение и накопление достоверных численных данных высокой точности по св-вам молекул, необходимых для решения прикладных вопросов развитие теории колебательных и колебательно-вращат. спектров молекул, анализ особенностей колебат. движения при сильном возбуждении многоатомных молекул, переход к локальным колебаниям и др. В исследовании межмолекулярных взаимодействий задачи К. х. заключаются в нахождении потенциалов взаимод. при разл. ориентациях молекул, установлении зависимости этих потенциалов от строения молекул, создании моделей, позволяющих учесть влияние среды на св-ва молекул и механизмы злементарнътх процессов. Это позволит решить ряд проблем адсорбции и гетерог. катализа, поведения примесных молекул в твердом теле и др. Разработка этих направлений оказывает заметное влияние на развитие К. х. твердого тела. [c.367]

Возможность образования связей за счет тех или иных орбиталей определяется не только энергией, но также геометрическими свойствами орбиталей. Поскольку s-орбитали сферически симметричны относительно ядра, они могут взаимодействовать с ядрами других атомов независимо от направления. Орбитали других типов, как это было описано в гл. 5, характеризуются пространственной направленностью. Поэтому их особенностью является образование направленных связей. Рассмотрим, например, роль р-орбиталей при образовании химической связи в молекулах фтора (Fj) и фтористого водорода (HF) оба процесса изображены на рис. 7.11. В молекуле фтора можно сконструировать связывающую орбиталь, взяв по одной из 2р-орбиталей каждого атома фтора. Связь в молекуле HF формируется путем комбинации ls-орбитали водорода с 2р-орбиталью фтора. Связи в каждой из этих молекул образуются в направлении, в котором 2р-орбиталь фтора дает наибольшую электронную плотность. Это соображение играет очень важную роль для молекул, состоящих из трех или большего числа атомов, поскольку оно показывает, чем определяется геометрия молекул. В более сложных случаях приходится учиты- [c.117]

Енолят-анионы (гл. 2, разд. А,9), образующиеся из карбонильных соединений (реакция типа 4.А в табл. 7-1), играют центральную роль в метаболизме. Они образуются как промежуточные продукты в процессах изомеризации и способствуют образованию реакционноспособных нуклеофильных центров у атомов углерода. Карбонильные группы часто превращаются в Ы-протонированные имины (щиффовы основания), которые могут отщеплять протон или углерод с образованием енамина, по своему электронному строению аналогичного енолят-аниону (реакция типа 4.Б в табл. 7-1). [c.154]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология