Диффузия ионов при рекомбинации

Пусть в начальный момент = О вследствие неоднородного в пространстве внешнего воздействия в объеме, который можно считать неограниченным, возникло некоторое распределение радикалов, свободных атомов или ионов. Если процессы диссоциации или ионизации имели импульсный характер, то в дальнейшем изменение концентрации атомов или ионов во времени и пространстве определяется только процессами диффузии и рекомбинации, которые описываются нелинейным уравнением в частных производных [c.116]

При высоком давлении газа процесс рекомбинации будет определяться взаимной диффузией ионов. Выберем какой-либо положительный ион и подсчитаем среднее число отрицательных ионов, испытавших с ним соударение за единицу времени. Распределение концентраций отрицательных ионов около выделенного положительного иона будет определяться уравнением диффузии. Предположим, что как и по теории коагуляции, около выбранного иона спустя довольно малое время установится стационарное распределение ионов противоположного знака. Выражение для стационарного потока диффузии будет состоять из двух членов первый связан с градиентом концентрации, второй — с силой притяжения между ионами. Соответственно (1.2) будем иметь [c.102]

Электрохимическая коррозия железа в кислых средах протекает с водородной деполяризацией 41,42]. Пять последовательных стадий электрохимического вьщеления молекулярного водорода включают транспорт ионов из объема к металлу, разряд ионов, рекомбинацию в молекулы, десорбцию и вьщеление газообразного водорода. Вьщеляющийся на катоде водород либо уходит в виде газа в окружающую атмосферу, либо диффундирует в глубь металла. В обычных условиях лишь незначительная часть водорода попадает в металл, однако в условиях трения соотношение количества диффундирующего в металл и улетучивающегося водорода может резко меняться в пользу первого. Лимитирующими стадиями процесса диффузии водорода в металл могут быть разряд ионов гидроксония /Н О/" " + —> рекомбинация атомов водорода на поверхности металла [c.16]

Наряду с ионизацией в столбе дуги происходят процессы, снижающие его электропроводность, а именно происходит рекомбинация ионов при столкновении частиц с противоположными зарядами и диффузия ионов в окружающее пространство под влиянием разности температур и давлений. Оба эти процесса зависят от условий охлаждения. При большем охлаждении как рекомбинация, так и диффузия ионов возрастают. [c.57]

Необходимо проведение лабораторных измерений величины константы скорости диссоциативной рекомбинации с точностью до фактора 1,5—2, что требует постановки весьма тщательных и продуманных экспериментов, в частности, важно правильно учесть мешающий эффект амбиполярной диффузии ионов к стенкам камеры в лабораторной установке. Важно определить скорость реакции диссоциативной рекомбинации для атмосферных ионов N2. О2 и особенно N0+, а также исследовать зависимость этого процесса от температуры. Рассмотрение имеющихся геофизических данных о реакции диссоциативной рекомбинации интересно для выяснения различных особенностей этого процесса и постановки наиболее важных лабораторных экспериментов. [c.66]

Ю. И. Гальперин. Существенным является то, что ночью необходимо учитывать диффузию ионов и электронов из вышележащих слоев, поскольку там рекомбинация не идет из-за низкой концентрации. Поэтому ночью в основном идет рекомбинация в нижней ионосфере, а в верхней ионосфере рекомбинации практически нет. Середина и поддерживается диффузией. [c.75]

По мере увеличения напряжения на детекторе подвижность ионов возрастает, вероятность убыли их за счет процессов диффузии и рекомбинации уменьшается и величина импульса растет приблизительно пропорционально приложенному напряжению (область О А на рис. 15). [c.45]

На режим работы камеры оказывают влияние в основном два процесса рекомбинация и диффузия ионов. [c.47]

Следует отметить, что диффузия ионов меньше сказывается на режиме работы ионизационной камеры, чем рекомбинация, и ею часто можно пренебречь. [c.48]

Подсчитаем величину импульса напряжения, вызываемого попаданием в счетчик а-частицы с энергией 5 Мэв. Если положить, что такая а-частица создает в рабочем объеме счетчика приблизительно 10 пар ионов, принять С=10 пф и пренебречь влиянием процессов диффузии и рекомбинации, т. е. считать, что все первичные ионы собираются на электродах, то, , Ю -1,6-10-19, [c.53]

Для приближенного определения уравнения шкалы расходомера введем несколько упрощающих предположений будем считать, что электроды камеры имеют прямоугольную форму и искажения электрического поля на ее краях отсутствуют. Кроме того, положим, что плотность ионизации (число ионов, образуемых в единице объема в единицу времени) постоянна во всем объеме камеры, а границы области ионизации совпадают с границами ее электрического поля. Наконец, условимся, что процессами рекомбинации и диффузии ионов можно пренебречь. [c.143]

При измерении радиоактивное вещество вводится внутрь ионизационной камеры в виде пара или газа, и по ионизационному току, регистрируемому ламповым электрометром или другим чувствительным регистрирующим устройством (электроскоп, электрометрическая лампа, усилитель постоянного тока и т. д.), определяют абсолютную -активность препарата. Надо отметить, что любое измерение в ионизационной камере производится при токе насыщения, так как только в этом случае все образовавшиеся в газе ионы доходят до электродов (при этом становится пренебрежимо малой диффузия и рекомбинация ионов) и ионный ток пропорционален интенсивности излучателя. [c.99]

Беспорядочное тепловое движение заряженных частиц в газе. Диффузия. Как и всякие другие микрочастицы, электроны и ионы являются носителями тепловой энергии и постоянно находятся в беспорядочном тепловом движении. При отсутствии поля это движение такое же, как и обычное тепловое движение частиц ни одно направление движения не имеет преимущества перед другим различные скорости распределены между отдельными частицами по законам случайных явлений скорость каждой частицы меняется по величине и направлению после каждого её столкновения (взаимодействия) с другой частицей. В первом приближении мы имеем право не учитывать более детально таких редких явлений среди общего числа соударений, как ионизация толчком, образование отрицательных ионов, рекомбинация положительных ионов и электронов и другие неупругие соударения. Мы вправе рассматривать ионизованный газ с молекулярно-кинетической точки зрения как смесь нейтрального газа и отдельных газов, составленных совокупностью электронов, положительных ионов, отрицательных ионов, возбуждённых частиц. Каждому из этих газов мы вправе приписывать своё парциальное давление и говорить о его концентрации. [c.259]

При выводе фор Мулы (793) не учтена возможность рекомбинации ионов противоположных знаков во внешней области разряда, а также диффузия их в ту и другую стороны от плоскости, проведённой через оси обоих коронирующих проводов. В случае, если рекомбинацией и диффузией ионов во внешней области можно полностью пренебречь, лавины электронов в положительном коронирующем слое составляют как бы непосредственное продолжение лавин отрицательного коронирующего слоя. [c.624]

Характер трека зависит как от природы ионизирующей частицы, так и от свойств среды. В то время как в треках концентрация нонов и возбужденных молекул велика, вне треков она сравнительно мала. При постоянном облучении вещества треки непрерывно возникают и исчезают вследствие рекомбинации и диффузии ионов. Средняя плотность ионизации в жидкости зависит от плотности ионов в треке и от числа треков на единицу объема облучаемой среды. [c.250]

Здесь п — концентрация осколков (радикалов, свободных атомов или ионов) а — константа скорости реакции рекомбинации второго порядка (ее часто называют коэффициентом рекомбинации). Нелинейное уравнение в частных производных (И,93) не поддается аналитическому решению. Для приближенного его решения широко используется простой метод, который еще в 1913 г. предложил Яффе [45]. В этом методе принимается, что пространственное распределение концентрации остается подобным самому себе и таким же, как и при диффузии без рекомбинации. Обычно рассматриваются задачи с цилиндрической или сферической симметрией, когда пространственное распределение является функцией от одной радиальной координаты г. Тогда зависимость концентрации от координаты и времени ищут в виде [c.116]

Оценим условия, при которых может реализоваться механизм объемной рекомбинации. Рассмотрим разряд в Не при р = 1 тор, Я-= см. Если р — коэффициент электрон-ионной рекомбинации, Да — коэффициент амбиполярной диффузии, п+ пе — концентрация ионов, то условие преобладания объемной гибели зарядов примет вид [c.30]

Одна из причин проводимости на низких частотах, с которой наиболее часто приходится сталкиваться,— это присутствие ионогенных примесей в исследуемом материале. В полярных системах проявляется тенденция к диссоциации таких посторонних примесей. Наложение переменного поля с периодом, превышающим время диффузии ионов, вызывает поляризацию вещества вследствие переноса заряда. При контакте с электродами заряды либо удаляются в результате электрохимических реакций, либо образуют пространственно заряженный слой на границе раздела. В отсутствие таких слоев в слабых полях рекомбинация зарядов приводит к тому, что между величиной приложенного напряжения и величиной тока устанавливается линейная взаимосвязь в соответствии с законом Ома благодаря ионному характеру зарядов. В более сильных полях генерация зарядов за счет процессов диссоциации может не успевать за растущим напряжением, в результате чего на кривой зависимости I от V появляется плато. [c.288]

Прямое доказательство этого факта получено в экспериментах [251], где измерение коэффициентов диссоциативной рекомбинации было выполнено в стационарном разряде методом тока насыщения на зонд с учетом диффузии ионов [250]. При этом было зарегистрировано изменение коэффициента рекомбинации на несколько порядков величины в соответствии с соотношениями [c.172]

Я. П. Турьяном и сотрудниками показано, что электродный процесс в области полярографических кинетических токов никотиновой кислоты (рН=7,5—10) характеризуется следующими промежуточными стадиями диффузией анионов рекомбинацией анионов с донорами протонов с образованием диполярных ионов восстановлением диполярных ионов. [c.205]

Встречаются, однако, реакции, протекающие практически без энергии активации. К ним относятся рекомбинация ионов, атомов и свободных радикалов. Такие реакции протекают очень быстро со скоростью, близкой к скорости диффузионных встреч в жидкости, их называют быстрыми или диффузионно-контролируемыми реакциями, скорость которых зависит уже от физического процесса диффузии частиц-реагентов в растворе. Константу скорости поступательной диффузии выражают через коэффициенты диффузии реагентов Da и Db следующим образом (г в см, D — в см с ) [c.117]

Одновременно с процессами ионизации в столбе дуги происходят процессы деионизации рекомбинация заряженных частиц (объединение электрона и положительного иона в нейтральную частицу) и диффузия заряженных частиц за пределы дуги в окружающее пространство [c.181]

Наравне с термической ионизацией в нагретом газе происходит интенсивная деионизация — рекомбинация положительных и отрицательных частиц и диффузия их за пределы нагретого объема газа. Так как оба эти процесса протекают тем интенсивнее, чем более ионизирован газ, то между процессами ионизации и деионизации наступает равновесие, характеризуемое степенью ионизации газа х —отношением числа ионов или электронов к полному числу нейтральных молекул в единице объема до ионизации. Зависимость степени ионизации от температуры, давления и рода газа описывается уравнением Саха [c.22]

Как уже было сказано, X и V относятся к положительным ионам, поэтому деионизация открытой дуги диффузией сравнительно с рекомбинацией невелика. У горящей в печи дуги, учитывая большой ее диаметр, диффузия играет еще более подчиненную роль. [c.24]

Таким образом, механизм дуги можно представить себе следующим. Из катода в результате высокой степени его разогрева (термоэлектронная эмиссия) или наличия около его поверхности больших напряженностей электрического поля (10 —10 в см — автоэлектронная эмиссия) вырывается поток электронов. Первый случай имеет место для материалов катода с высокой температурой плавления и испарения металла (уголь, графит, вольфрам, молибден), благодаря чему температура на их поверхности может достигать в катодных пятнах значений 2 500—3 000° С и выше, когда начинается заметная термоэлектронная эмиссия. Второй случай соответствует материалам с низкой температурой кипения и испарения (ртуть, титан, медь). В области катодного падения поток электронов разгоняется настолько, что за ее пределами происходит интенсивная ионизация частиц газа в дуговом промежутке, причем здесь, по-видимому, весьма существенна роль ступенчатой ионизации. Образовавшиеся положительные ионы под действием поля направляются к катоду и разогревают его вторичные и первичные электроны направляются через столб дуги в направлении анода. На их пути происходят новые соударения (главным образом термическая ионизация) и образование новых заряженных частиц, что компенсирует их исчезновение в более холодных частях столба путем рекомбинации и диффузии. При попадании на анод отрицательные частицы нейтрализуются, выбивая из него некоторое количество положительных ионов, устремляющихся через столб дуги к катоду. Плазма столба в целом нейтральна, т. е. концентрация положительных и отрицательных частиц одинакова, но из-за того, что подвижность электронов по [c.29]

Оценка возможных видов ионизации и деионизации в разрядном промежутке приводит к выводу, что в теплоизолированной дуге в основном происходят термическая ионизация за счет высокой температуры среды н ионизация соударением за счет передачи энергии нейтральным или возбужденным атомам ускоренными в области катодного падения электронами. Деионизация столба происходит за счет рекомбинации заряженных частиц и в меньшей мере за счет диффузии их за пределы столба. Долю ионного тока в рассматриваемом типе дуги можно оценить величиной до 20% электронного тока. Материала для составления баланса элементарных частиц в столбе пока еще мало, однако очевидно, что в установившемся режиме факторы, способствующие ионизации, находятся в динамическом равновесии с факторами, определяющими деионизацию, а плазма дуги квазинейтральна. [c.123]

Найденные таким способом значения энергии активации хорошо согласуются с значениями U акт определбнными из данных других физических методов, в частности дилатометрического и динамического. Например, для полиэтилена в интервале температур 220—240 К получено [/акт=Ю5 кДж/моль, что совпадает с энергией активации рекомбинации радикалов. В этом случае явление РТЛ связано с диффузией и рекомбинацией ионов, находящихся на различных функциональных группах макромолекул. При более низких температурах возможно движение лишь небольших участков макромолекул, поэтому явление РТЛ обусловливается ориентационным разрущением межмолекулярных ловушек диффузией низкомолекулярных примесей, вступающих в реакцию с ионами и радикалами, а также диффузией подвижных метильных радикалов. Например, если электрон захвачен макро-радикалом i , то рекомбинация двух радикалов может сопровождаться освобождением заряда согласно схеме + [c.241]

Разряд ионов водорода потекает в несколько стадий. К их числу прежде всего относится диффузия ионов гидроксония из глубины раствора к катоду. Далее следует собственно электрохимический акт разряда водородных ионов одновременно с их дегидратацией. Образовавшийся в результате этого атомарный водород, адсорбированный на поверхности катода, превращается в молекулярный водород (реакция рекомбинации или молизаций). Из этого следует, что водородное перенапряжение вообще определяется суммой трех слагаемых перенапряжения диффузии, обусловленного задержкой переноса ионов водорода к катоду, перенапряжения перехода, связанного с торможением электрохимической стадии ассимиляции электрона водородным ионом, и, наконец, перенапряжения реакции, возникающего вследствие задержки рекомбинации. Соответственно этому [c.182]

Константа скорости к изучена многими авторами. Помимо работы Грина и Сагдена, существует много масс-спектрометрических измерений скорости процесса электронно-ионной рекомбинации в пламенах. В частности, в ранней работе Вильсона можно найти константу скорости рекомбинации, несколько отличающуюся от принятой в настоящее время. Кинг [69, 149] первым предпринял попытку измерить эту константу в пламенах при низких давлениях. Однако Калькот [150] показал, что в его результаты необходимо ввести поправку на биполярную диффузию, после чего скорость рекомбинации оказывается независящей от давления [c.258]

В 17 мы рассмотрели кинетику гомогенной химической реакции между частицами, которые первоначально были равномерно распределены в пространстве. Объемная рекомбинация ионов в 18 рассматривалась при том же предположении. В радиационной химии мы сталкиваемся часто с иной ситуацией ионы или радикалы образуются вдоль треков заряженных частиц. Как показывает опыт, первоначально ионы распределены сгустками. Поэтому на первой стадии процесса происходит рекомбинация (т. е. образование электроней-тральных частиц или частиц, не обладающих свободными валентностями) в пределах каждого сгустка. Эту стадию процесса можно моделировать как рекомбинацию ионов (или радикалов), расположенных в сферической области. Спустя некоторое время благодаря диффузии концентрация ионов (или радикалов), еще не успевших рекомбинировать, вдоль трека выравнивается. Дальнейшую рекомбинацию следует рассматривать как рекомбинацию частиц, распределенных в цилиндрической области вдоль трека. Приближенное решение задачи об одновременной диффузии и рекомбинации частиц при их начальном сферически симметричном или цилиндрически симметричном распределении было дано Яффе еще в 1913 г. [9, 10]. Заметим, что в этом случае рекомбинация ионов и нейтральных радикалов описывается одинаково. Для сферического сгустка полное число [c.103]

Повышение эффективности образования проявляемого поверхностного и внутреннего скрытых изображений, при сенсибилизации восстановителями, пожалуй, и не удивительно. Происходящие при этом явления очень похожи на рассмотренные выше, за исключением того, что выделяющиеся атомы брома могут в этом случае реагировать с атомами серебра. Фотоэлектроны и ионы серебра могут далее соединяться на центрах, которыми являются поверхностные атомы серебра, или на границах субструктуры, куда они проникают путем диффузии. В последнем случае внутреннее скрытое изображение образуется в непосредственной близости от поверхности. Можно предложить другие механизмы процесса, но все они приводят к одному и тому же результату. Например, можно представить себе, что экситоны взаимодействуют с адсорбированными на поверхности атомами серебра, освобождая из них электроны. Возникающие при этом ионы серебра и электроны могут либо рекомбинировать на центрах, которыми являются другие атомы серебра, образуя более крупные агрегаты, либо продиффундиро-вать на границы субструктуры и рекомбинировать там. Атомы серебра могут захватывать положительные дырки, превращаясь в ионы серебра, которые далее соединяются с электронами. Наконец, электроны могут испускаться из адсорбированных атомов серебра при поглощении фотонов, с последующей рекомбинацией ионов серебра с электронами на центрах, которыми являются другие атомы серебра. Как было упомянуто выше, адсорбционный слой желатины препятствует диффузии ионов серебра по внешней поверхности кристаллов. В этих условиях во вторичных процессах на поверхности могут принимать участие дефекты ионной решетки, причем вакантный узел решетки притягивается к избыточному иону серебра, а соответствующий междуузельный ион серебра соединяется с электроном на центре, которым является атом серебра, находящийся на поверхности кристалла или на границах субструктуры. Для оценки относительной вероятности всех этих различных процессов требуется весьма кропотливая методическая и экспериментальная работа. Можно также предложить различные механизмы возникновения поверхностного скрытого изображения в кристаллах, сенсибилизированных сульфидом серебра. Атомы брома, получающиеся, как описано выше (стр. 425, 426), одно- [c.436]

Здесь (Зюп — скорость ионизации газа а. (/3)-частицами и оп — частота ионизации электронами плазмы (Зег — скорость электрон-ионной рекомбинации Пе(г), /ге(г), т(г) концентрация, ПОДВИЖНОСТЬ И коэффициент диффузии электронов (ионов), соответственно ( е) — средняя энергия электронов С — коэффициент диффузии энергии электронов — термоэлектрический коэффициент еь — г] — I — вехе П — энергетическая цена образования элек-трон-ионной пары, которая в первом приближении равна удвоенному потенциалу ионизации / ехс — энергия вторичного электрона, идущая на прямое возбуждение атомов, которая может доходить до 30% от полных потерь энергии а (/3)-частиц, — скорость потерь энергии тепловых электронов в упругих и неупругих столкновениях. [c.287]

Полярографические кинетические токи никотиновой кислоты рассмотрели Турьян, Смирнова, Толстикова [33]. Они показали, что электродный процесс в этой области характеризуется следуюпхими промежуточными стадиями диффузией анионов, рекомбинацией анионов с донорами протонов с образованием диполярных ионов, восстановлением диполярных ионов. Из кинетических токов найдены константы скорости рекомбинации и диссоциации никотиновой кислоты с участием иона гидроксония. Показано, что эти константы близки к соответствующ,им константам для других пиридинкарбоновых кислот. [c.189]

Второй вопрос касается плотности тока на аноде. Что означает размер анодного пятна, и почему плоптадь пятна при более высоких давлениях не равна площади сечения положительного столба Одной из главных причин является то, что площадь сечения положительного столба определяется главным образом процессами радиальной диффузии и рекомбинации электронов и ионов в плотной внешней зоне газа, тогда как площадь пятна определяется теплопроводностью металла электрода и испарением. Потенциалы ионизации и возбуждения паров электрода обычно меньше, чем соответствующие величины для газов, и плотность пара вблизи пятна больше, чем плотность газа. Расслютрим положительный столб постоянного диаметра, простирающийся вправо от поверхности анода, которая находится вначале при комнатной температуре. Электроны бу- [c.292]

Согласно принятым моделям центров рекомбинации неравновесных носителей заряда и уравнению (10), рост положительной фэп может быть обусловлен либо уменьшением концентрации вакантных узлов в кислородной подрешетке окисла, либо увеличением концентрации вакансий в металлической подрешетке. Очевидно, что уменьшение концентрации анионных вакансий, как и увеличение концентрации катионных, свидетельствует о том, что в области потенциалов, отвечающей росту положительной фэп, при анодном формировании окисла в зону реакции кислород поступает в большем, а серебро в меньшем количестве. Иными словами, имеет место преимущественная диффузия ионов кислорода. Поскольку диффузия ионов кислорода по междоузлиям маловероятна по стерическим соображениям, можно предположить, что кислород в Ag20 диффундирует по имеющимся анионным вакансиям. Аналогичным образом можно показать, что, поскольку падение положительной фэп после максимума связано либо с уменьшением концентрации катионных вакансий, либо с увеличением концентрации анионных, анодное окисление серебра до Ag20 на этом участке носит преимущественно катионный характер. [c.43]

Мне хотелось бы обратить внимание на то, что если не обходить известного физического факта — электропроводности жидких диэлектриков под облучением, а наоборот, считать, что некоторая доля электронов уходит от ионов, можно объяснить некоторые экспериментальные данные, которые известны в области радиационной защиты и сенсибилизации. Предположим, что электрон уходит от иона в результате пер вичиого элементарного акта и затем в жидкости происходит диффузия ионов и электронов. Положительный или отрицательный заряд может быть захвачен молекулой с большим сродством к тому или другому виду заряда, и после этого рекомбинация ионов будет происходить с меньшим энергетическим выходом. Другая возможность состоит 1В том, что рекомбинация успеет произойти до того, как дырка или электрон будут захвачены. Вопрос при такой постановке сводится к оценке того, какие концентрации акцептора достаточны, чтобы при разумных мощностях дозы, с которыми обычно ведется работа, успевали происходить акты захвата. Оценим это с помощью самых простых кинетических уравнений, ибо думаю, что теоретические усложнения при тех реальных экспериментальных сведениях, которые мы имеем, пожалуй, скорее запутывают вопрос, чем проясняют его. [c.176]

Рекомбинация идет по второму порядку и ее скорость сущест-веппо выше, а энергия активации ниже, чем для диффузии ионов такого же размера в этой решетке. [c.97]

Из нитридов, по-видимому, только TiN был предметом довольно подробного исследования в отношении сопротивления окислению [834, 836, 837]. Изменение веса поддается измерению при температурах выше 600° С. Скорость окисления молено охарактеризовать последовательностью параболической и линейной зависимостей [834]. Окалина состоит из рутила п, возможно, тонкой пленки твердых растворов TiO — TiN, прилегающей к металлу [836]. Платиновые инднкаторы были обнаружены после окисления на поверхности окалины, что вкупе с механизмом образования дефектов в рутиле позволяет сделать вывод о том, что скорость окисления, по крайней мере на параболической стадии, определяется скоростью диффузии ионов 0 через окалину. Линейный участок кривой скорости окисления заставляет предполагать, что в конце концов скорость окисления начинает определяться скоростью реакции на границе между фазами. Мюнстер высказал предположение, что атомарный азот диффундирует из металла к наружной поверхности окалины, где он вследствие рекомбинации образует молекулярный газ. Как и в случае механизма, предложенного для объяснения окисления карбида, можно представить себе, что раствор азота в нитридной фазе с нехваткой азота также способствует израсходованию этого элемента, освобождающегося при реакции окисления. [c.367]

Рекомбинация выделившегося на корродирующей поверхности атомарного водорода замедляется образованием сульфидов железа, вследствие чего облегчается проникновение атомарного водорода в металл и его интенсивное наводороживание, результатом которого является замедленное разрушение при наличии напряжений. Разрушение образцов из низкоуглеродистых сталей протекает в несколько характерных стадий (рис. 76), которые были определены экспериментально при испытании серии образцов с различной площадью поперечного сечения и последующих металлографических исследованиях. Начальная фаза разрушения связана с созданием в сечении образца необходимой минимальной концентрации диффузионно-подвижного водорода. По известным данным [31], диффузия ионов водорода идет в основном по границам зерен, где энергия активации процесса значительно ниже. После проводороживания сечения образца наступает следующий этап образование в отдельных сечениях систем трещин, ориентированных вдоль строчек проката. Можно предположить, что эта фаза разрушения связана с молизацией водорода в коллекторах . При выходе водорода из матрицы в коллектор происходит необратимая рекомбинация ионов и, как следствие, сильное повышение внутреннего давления, под действием которого объем полости [c.192]

Все вопросы, рассматриваемые и этом разделе, излагаются, исходя из модели, предложенной Яффе (1913). Яффе рассматривал диффузию и рекомбинацию ионов однако разработанный им математический аппарат вполне применим и для случая диффузии н рекомбинации радикалов при соответствующем измененпн значений констант, входящих в вычисления. [c.46]

Тем не менее для бимолекулярных реакций, лимитируемых диффузией, таких, как рекомбинация радикалов, константы скорости лежат в интервале от 1-10 л моль-сек [131 (в случае полимеризации) до 8-10 л моль - сек для рекомбинации атомов иода в неполярных растворителях [14] . Для ионных реакций с участием протонов нолучены наиболее высокие значения, наиример 1,5-1011 л моль-сек для + ОН [15] j, i.ign л молъ-сек для [c.430]

Роль гомогенных химических реакций в электродных процессах была впервые выяснена в ходе полярографических измерений на капельном ртутном электроде на примере процессов, скорость которых определяется предшествующей реакцией рекомбинации анионов кислот с ионами водорода (Р. Брдичка, К. Визнер). При достаточно низких значениях pH на полярограммах электровосстановления пи-ровиноградной и фенилглиоксалевой кислот на ртути имеется лишь одна волна, отвечающая электровосстановлению недиссоциированных молекул кислоты (рис. 165). При увеличении pH высота волны уменьшается и одновременно появляется при более отрицательных потенциалах волна восстановления анионов кислоты. Высота первой волны оказывается ниже, чем рассчитанная по уравнению Ильковича, исходя из соответствующей концентрации недиссоциированных молекул кислоты в растворе. Кроме того, ток этой волны не зависит от высоты ртутного столба кне, тогда как величина предельного диффузионного тока пропорциональна / /lнg. Наконец, ток первой волны резко возрастает при увеличении температуры, так что энергия активации процесса, соответствующего первой волне, оказывается значительно выше, чем энергия активации процесса диффузии. Все эти факты указывают на то, что ток первой волны имеет кинетическую природу, а именно, обусловлен медленным протеканием реакции про- [c.305]

Медленность этой стадии по сравнению, например, с диффузией обусловлена необходимостью разрыва прочной связи иона водорода с молекулой воды в ионе НдО . Вторая стадия состоит в рекомбинации атомов в десорбирующиеся молекулы [c.398]

Мюллера О —VВ области напряжений О — амплитуда импульса тока возрастает пропорционально напряжению, так как с ростом напряжения снижается вероятность рекомбинации образующихся ионов или диффузии их из электрического поля. В области напряжений —11 все образующиеся ионы достигают электродов, процессы рекомбинации и диффузии практически отсутствуют. Эта область является областью работы ионизационной камеры. При напряжениях больше начинается вторичная ионизация газа, в процессе которой первично образовавшиеся ионы настолько ускоряются приложенным силовым полем, что сами вызывают образование вторичных ионных пар. Вторичная ионизация молекул газа в рабочей области пропорционального счетчика зависит от вида и энергии излучения. При напряжениях больше фактор вторичной ионизации лишь относительно пропорционален энергии и при напряжении U уже не зависит от вида и энергии излучения. Напряжение Иц называют гейгеровским порогом, между напряжениями расположена область работы счетчика Гейге- [c.307]