Рекомбинация нарушение

При электронографическом исследовании следует учитывать, что большая светосила.острого первичного пучка высокой интенсивности может привести к изменению в веществе увеличению количества аморфной фазы, нарушению кристаллической структуры, образованию свободных радикалов и их рекомбинации что приводит к изменению,первоначальной структуры. [c.157]

Будем теперь считать, что в полупроводнике нарушено термодинамическое равновесие между концентрациями электронов, дырок и собственных атомов решетки. В первый момент после нарушения равновесия скорости Рд и д могут быть не одинаковыми. Последнее означает, что результирующая скорость исчезновения (появления) свободных электронов не равна результирующей скорости исчезновения (появления) дырок. Поэтому мы уже не можем утверждать, что протекающий процесс сводится только к переходу электронов из зоны проводимости в валентную зону, и понятие скорости рекомбинации теряет в данном случае конкретный смысл. [c.140]

Уровни прилипания. Выше мы уже видели, что в первый момент после нарушения термодинамического равновесия протекающий процесс не является стационарным и характеризуется двумя различными скоростями Ч ", и Рд [см. формулы (110) и (111) ]. Бремя, в течение которого процесс становится стационарным, т. е. выравниваются величины и Ч д, зависит от многих причин и в том числе от сечений захвата и энергетического расположения ловушек. В случае, когда это время весьма мало и им можно пренебречь, рассматриваемые ловушки называются центрами рекомбинации. Если же время установления стационарного процесса велико, то ловушки называются уровнями прилипания. Такое название указывает на то, что в данном случае ловушки взаимодействуют преимущественно с носителями заряда одного знака. [c.145]

Быстрые состояния и скорость поверхностной рекомбинации. Принцип работы большинства полупроводниковых приборов основан на нарушении равновесия между концентрациями свободных электронов и дырок в объеме кристалла. Многие параметры этих приборов зависят от скорости восстановления равновесия, т. е. от скорости процессов генерации — рекомбинации или обратной [c.209]

Развитие теоретических исследований неравновесных газовых течений способствовало также появление быстродействующих вычислительных машин. Необходимость учета релаксационных явлений при расчете газовых течений обусловлена следующими причинами. В области высоких температур и давлений протекают различные химические реакции, процессы диссоциации, ионизации, возбуждения колебательных и электронных степеней свободы. Если времена этих процессов сравнимы с характерными временами макроскопических процессов, то происходит значительное отклонение от состояния термохимического равновесия, вызывающее в свою очередь существенное изменение картины течения. Нарушение локального термохимического равновесия при расширении диссоциированной смеси в ракетном сопле может привести к значительным потерям тяги. Недостаточно высокая скорость электронно-ионной рекомбинации в [c.118]

Ионизационные В. Действие основано на ионизации молекул газа и измерении ионного тока, к-рый является ф-цией давления. В электронных В. ионизация осуществляется потоком электронов, испускаемых накаленным катодом. Такой В. снабжен еще двумя электродами-анодом и коллектором (рис. 5). Анод-сетка, создающая электрич. поле, к-рое ускоряет электроны. Коллектор имеет отрицат. потенциал относительно катода и собирает образующиеся в газе положит, ионы. Ионный ток в цепи коллектора служит мерой давления газа. Диапазон измерений (10" -1 Па) ограничен при высоких давлениях-малым сроком службы и нарушением линейности градуировочной характеристики из-за возрастающей вероятности объемной рекомбинации ионов и увеличения тока вторичных ионов, также участвующих в ионизации при низких давлениях-остаточным фоновым током коллектора, к-рый не зависит от давления. [c.344]

Так как электропроводность определяется двумя факторами, а именно подвижностью носителей зарядов и их числом, то следующий этап исследования состоял в разделении этих переменных. Реакция диссоциации молекулы воды на ионы и подвижности водных ионов во льду и воде были изучены в работе Эйгена и Майер (1964). К тонкому кристаллическому образцу прилагалось электрическое поле такой величины, чтобы все заряды, которые образуются в образце, достигали электродов (измерялся ток насыщения). Величина тока насыщения в первом приближении пропорциональна константе скорости диссоциации молекулы Н2О на ионы и объему образца. Константу скорости рекомбинации они определили методом нарушения равновесия процесса диссоциации мощным электрическим импульсом, имеющим амплитуду 50—150 кв см [c.60]

Скорость реакции обрыва цепи весьма чувствительна к вязкости среды, и диффузионный контроль этой реакции становится заметным при вязкости реакционной массы, близкой к вязкости мономера. Однако гель-эффект обычно наблюдается при конверсиях не менее 10—15% (в случае проведения полимеризации в массе). Как показывают расчеты [22, с. 71], отсутствие самоускорения при малых глубинах превращения в основном связано с заметным уменьшением скорости инициирования уже при небольшой конверсии мономера. Это вызвано снижением константы эффективности инициирования / вследствие рекомбинации первичных радикалов (клеточный эффект). Так как скорость полимеризации прямо пропорциональна у Цко", при одновременном уменьшении Уин и ко происходит компенсация и скорость реакции сохраняет примерно постоянное значение. При достижении конверсий, соответствующих началу самоускорения, уменьшение / замедляется, тогда как ко резко снижается. Это приводит к нарушению компенсации , и скорость полимеризации возрастает. [c.17]

Собственные полупроводники. Следует напомнить, что концентрация носителей тока в данном типе полупроводников сравнительно мала (от 10 ° до 10 ). Как было показано выше, для того чтобы заметно изменить концентрацию носителей тока, содержащегося в количестве 10 (случай германия), требуются интенсивности 10 —10 эе се/с-> в зависимости от продолжительности жизни этих носителей. Следует подчеркнуть, что создание пар носителей тока не изменяет характера собственного полупроводника. Напротив, дефекты решетки, если только они активны, могут вызвать такие изменения полупроводника, в результате которых он станет примесным полупроводником. В зависимости от природы и интенсивности радиации преобладающую роль играет один из этих типов нарушений, что проявляется в соответствующем различии каталитических свойств твердого тела. Если преобладают электронные дефекты, то в благоприятных случаях наблюдается лишь слабое увеличение числа положительных и отрицательных носителей тока. И как следствие этого, разница, если она вообще имеется, между каталитическими свойствами при облучении и без облучения может быть только количественной. Если, напротив, изменения обязаны преобладанию дефектов решетки, то могут возникнуть не только количественные различия, но также и качественные. В этом случае эффекты активации при облучении практически идентичны с эффектами, наблюдаемыми для активации в условиях предварительного облучения, за исключением случая, когда дефекты решетки, возникшие под действием облучения, находятся сами в возбужденном состоянии или влияют на время рекомбинации носителей тока. [c.230]

Поглощение света может вызвать фотолиз молекулы, что приводит к нарушению равновесия в растворе дальнейшая реакция протекает в направлении восстановления равновесия. Например, иод в гексапе частично диссоциирует и можно следить за рекомбинацией атомов иода. По-видимому, этим путем можно смещать многие равновесия, однако были изучены лишь некоторые из них (стр. 117 и сл.). Принцип тот же, что и в релаксационных методах, рассмотренных в гл. 4, а именно — физическими методами инициируют возмущение и наблюдают за возвратом системы к равновесию. [c.114]

Ударную стабилизацию квазимолекулы обычно рассматривают как процесс, обратный процессу мономолекулярного распада молекулы. Такое рассмотрение возможно в тех случаях, когда колебательная релаксация, т. е. установление нарушенного реакцией (диссоциации и рекомбинации) равновесного распределения энергии в газе, протекает быстрее самой реакции ( 12). См. также [1165]. [c.248]

При выполнении рассмотренных выше общих условий отдельные стадии бимолекулярного механизма реакции отличаются по скоростям в прямом и обратном направлениях вблизи состояния частичного равновесия, которое зависит как от самих этих стадий, так и от полного состава реагирующей системы. Именно эти различия в скоростях и определяют, какое из равновесных соотношений выполняется наиболее строго. Чем выше скорости прямой и обратной стадий, тем дольше поддерживается ее равновесное состояние. Таким образом, равновесие в реакциях (с) и й) вызвано накоплением в ходе реакции молекул воды, а равновесие в реакциях (Ь) и (с) легче достигается в избытке Нг, подобно тому как равновесие в реакции (а) проще всего осуществить в избытке Ог- Соответственно очень низкие концентрации частиц в любой стадии обратимой реакции приводят к нарушению и сдвигу равновесия. Реакция (а) в богатых смесях не потребляет основных компонентов реагирующей системы, поэтому концентрация молекул Ог может существенно отличаться от своего частично равновесного значения. Однако, если концентрация молекул Ог не измеряется, это не имеет большого значения, поскольку реакции (е) и ( ) дают наибольший вклад в уравнение (2.6) и величина N0, пренебрежимо мала по сравнению с полным числом молей. Точно так же пренебрежение радикалами НОг не сказывается на приближении частично равновесного состава из-за малости Л/ ног в силу того, что не реакция радикалов НО2 лимитирует скорость процесса. При избытке Ог влияние малых концентраций атомов водорода на очень быструю стадию рекомбинации (/) накладывает серьезные ограничения на область применимости приближения частичного равновесия. [c.158]

Рассчитанные нами абсолютные значения константы диссоциации молекул сильно отличаются от экспериментальных данных Рея [28] (рис. 83). Причиной этого является, по-видимому, неучет вращательных и электронных степеней свободы молекул. Из многочисленных экспериментальных данных (см., например, [27]), следует, что при 7500° К предэкспоненциальный множитель /со в выражении для константы скорости диссоциации обратно пропорционален температуре. Аналогичная зависимость получена для модели одноквантовых переходов (см. рис. 83). В то же время, согласно высокотемпературным измерениям [28], константу скорости можно аппроксимировать аррениусовским выражением. Такой результат можно объяснить уменьшением энергии , разделяющей области адиабатических и неадиабатических переходов [24]. Из результатов расчета для модели многоквантовых переходов следует, что Т °. Однако учет возбуждения электронных уровней молекул должен привести, согласно оценкам Никитина [24], к дополнительной отрицательной температурной зависимости множителя А при 10 ° К. Другим компенсирующим механизмом может явиться нарушение максвелловской функции распределения молекул по скоростям . Наконец, к моменту установления квазиравновесного состояния могут оказаться существенными процессы рекомбинации, которые в проведенных расчетах не учитывались. [c.230]

В заключительной главе мы увидим, что хромосомы и гены-это не застывшие, инертные структуры. Они могут подвергаться мутациям, иногда вызывающим серьезные нарушения в биологической функции белка, а иногда приводящим к появлению лучшего по своим функциональным качествам белка. Гены или наборы генов часто претерпевают обмен и рекомбинацию, образуя у потомства новые сочетания свойств. Более того, обмениваются и рекомбинируют части генов, что позволило природе создать удивительно эффективную иммунную систему, которая защищает позвоночных от микробов и помогает сохранить специфические особенности видов. [c.851]

Для разделения изомеров нужно выбирать такие исходные соединения элементов, чтобы процесс нарушения химических связей при изомерных переходах был необратим, т. е. мала была бы вероятность рекомбинации образовавшихся осколков кроме того, должен отсутствовать изотопный обмен между исходным соединением и новыми химическими формами, в виде которых стабилизировался изомер, в основном состоянии. [c.307]

В рамках рассматриваемой модели низкий выход гидропероксида а можно объяснить высокими локальными концентрациями групп ООН и радикалов К- в зоне, из-за чего вероятность их взаимодействия оказывается значительной. Низкий выход свободных радикалов при распаде гидропероксида полимера а об-ясняется тем, что в отличие от низкомолекулярных жидкостей пара свободных радикалов, вышедшая из первичной клетки, длительное время находится в небольшом объеме зоны нарушения порядка, где вероятность рекомбинации радикалов остается высокой. Низкомолекулярные акцепторы свободных радикалов, растворенные в полимере, содержатся в тех же зонах нарушения порядка, в которых протекает реакция, и могут реагировать с радикалами, вышедшими из первичной клетки, но не вышедшими еще из объема зоны, т. е. не способными инициировать реакцию окисления. Этим, по-видимому, объясняются завышенные значения а, определяемые ингибиторным методом. Для перехода от [c.95]

Зонная модель позволяет понять зависимость скорости окисле-г,ч ния родственных полимеров от содержания в них инородных звеньев. Выражение (2.98) для эффективной константы скорости продолжения цепи содержит в качестве одного из сомножителей величину Уг — объем зоны нарушения ближнего порядка, тогда как константа скорости квадратичного обрыва цепи (2.100) зависит только от общей концентрации этих зон. Инородные звенья разрыхляют структуру полимера, что приводит к увеличению объемов отдельных зон Уг и, следовательно, к увеличению скорости окисления полимера. По той же причине снижается вероятность рекомбинации радикалов в зоне и возрастает о. Действительно, было показано, что переход от полиэтилена к его сополимерам с более реакционноспособными пропиленовыми и менее реакционноспособными винилхлоридными звеньями приводит к сильному возрастанию скорости окисления [202, 203, тогда как переход к регулярным алифатическим полиамидам приводит к резкому повышению стабильности [220], поскольку образование водородных связей между амидными группами разных молекул приводит к уплотнению структуры и уменьшению объема зон нарушения порядка. [c.96]

В случае малой разницы потенциалов V плотность тока ничтожно мала, число пар ионов, уносимых током из каждого элемента объёма газа, ничтожно мало по сравнению с числом рекомбинирующих в том же элементе пар ионов. Поэтому при малом и баланс процессов образования ионов под действием внешнего ионизатора и их рекомбинации не нарушен. Концентрация ионов п та же, что при отсутствии тока, и от тока не зависит. Как показывает равенство (4) и как подтверждает опыт, электропроводность газа в этом случае постоянна, и закон Ома соблюдается. Но при больших значениях И и I равновесная концентрация п ионов под действием внешнего ионизатора, процесса рекомбинации и уноса ионов током будет тем меньше, чем больше ток. В результате плотность тока I будет расти медленнее, чем разность потенциалов и. Вольтамперная характеристика разряда (рис. 2) начнёт загибаться вправо от направления первоначальной прямой ОА, соответствующей малым значениям и. [c.20]

В работе [525], носящей в большой степени обзорный характер, вопрос о ступенчатой рекомбинации радикалов обсужден наиболее полно. На основании имеющихся в литературе данных и своих результатов по гибели свободных радикалов в облученных органических кристаллах автор пришёл к выводу о том, что значительная часть радикалов при действии излучения образуется и стабилизируется вблизи различного рода нарушений кристаллической структуры. Следует отметить, что прямые исследования структуры органических кристаллов и ее связи с кинетикой гибели стабилизирующихся радикалов в литературе до работ [221, 248, 250, 525— 529] практически отсутствовали. Обратимся непосредственно к данным работы [525], которые экспериментально подтверждают высказывавшееся до этого в работах 505, 530—533] предположение о том, что гибель стабилизированных радикалов связана с различной молекулярной подвижностью в области структурных дефектов кристаллической матрицы. О степени молекулярной под- [c.164]

В результате облучения изменяется сопротивление материала, что, в свою очередь, вызывает искажения электрических полей, увеличиваются токи утечки и вероятности захвата в ловушки и рекомбинации. Нарушения в общем случае создаются неравномерно по чувствительному объему, поэтому ухудшается разрешение и появляются дополнительные 1шки в амплитудном распределении импульсов, что является одним из признаков существенных повреждений. Кроме того, растет время сбора заряда. [c.90]

Поглощение света или других видов энергии кристаллом приводит к преодолению запрещенной зоны основного вещества и к переходу электрона из валентной зоны в зону проводймости С (переход 1) или с уровней активатора в зону проводимости (переход 2). При поглощении света активатором возникают ионизованные центры свечения, т. е. вакантные уровни Ц, а при поглощении света основным веществом возникают дырки в валентной зоне. Дырки заполняют электронами с уровней активатора (переход 3), и также образуются вакантные уровни Ц. Часть электронов, попавших в зону проводимости С, могут рекомбинировать с ионизованными центрами свечения, т. е. переходить на вакантные уровни активатора (переход 4). Этим обусловлено кратковременное свечение, происходящее в начальный период после облучения люминофора ( мгновенное свечение ). Остальные электроны, попавшие в зону С, застревают на уровнях ловушек Л в местах нарушений кристаллической решетки (переход 5). При этом возможность прямой рекомбинации с ионизованными центрами свечения Ц полностью исключена, так как локальные уровни Л к Ц пространственно отделены друг от друга. Для такой рекомбинации требуется предварительное высвобождение электрона из ловушек Л с переходом его обратно в зону проводимости С (переход 6). Только-тогда по пути 4 может произойти акт высвечивания. Энергия, необходимая для переходов 6, может быть получена от тепловой энергии самой решетки. Для таких переходов требуется время, которое существенно зависит от температуры и разности уровней дна зоны проводимости С и ловушек Л. Излучение, сопровождающее рекомбинацию этих временно застревающих электронов на уровнях прилипания Л, представляет собой послесвечение кристаллов. [c.366]

Системы репликации и репарации ДНК хоть и очень редко, но все же ошибаются. В результате в ДНК может включиться неправильный , т.е, не комплементарный матрице, нуклеотид. Другой источник неспаренных нуклеотидов — гомологичная рекомбинация, в ходе которой образуются гетеродуплексы, состоящие из двух комплементарных цепей, исходно принадлежавших разным молекулам ДНК (см. гл. IV), Такие нарушения структуры ДНК репари-р ются, по крайней. мере у бактерий и низших эукариот. Система репарации должна каки.м-то образом отличать друг от друга две цепи одной. молекулы ДНК, чтобы решить, какой из двух неспарен-ных нуклеотидов правильный , и за.менить неправильный нуклеотид на нуклеотид, ко.мплеиентарный правильному . [c.81]

Общая, или гомологичная, рекомбинация характерна для всех живых организмов от вирусов и бактерий до многоклеточных эукариот. При гомологичной рекомбинации происходит обмен участками между гомологичными, т. е. очень похожими по последовательности, лтолекулами ДНК- Так, к сбщей рекомбинации относятся обмены между гомологичными хромосомами в мейозе у эукариот и рекомбинационная инициация репликации ДНК бактериофага Т4 (см. гл. ХП1). В первом приближении можно сказать, что гомологичная рекомбинация не создает принципиально новых последовательностей, а перетасовывает уже имевшиеся сходные варианты одной и той же последовательности (рис. 51). Чтобы подчеркнуть важность этого свойства, достаточно сказать, что при гомологичной рекомбинации между двумя сходными генами, кодирующими белок, оба рекомбинантных продукта оказываются не нарушенными, не происходит, например, сдвига рамки считывания, Другими словами, при гомологичной рекомбинации каким-то образом обеспечивается взаимное узнавание одинаковых (или очень сходных по последовательности) участков рекомбинирующих. молекул. Если же го.чологии нет, то и рекомбинация такого рода происходить не будет. [c.84]

Мутантные бактериофаги могут быть обнаружены различными способами, однако наиболее просто это можно сделать по внешнему виду образующихся пятен. Другой тип легко обнаруживаемых мутантов — это мутанты с нарушением специфичности к определенным штаммам бактерий-хозяев. Ключевым отк рытием, позволившим проводить генетическое картирование бактериофагов, явились данные о том, что внутри бактерии-хозяина может происходить генетическая рекомбинация между двумя частицами фага. Рекомбинация может быть проиллю-с рировака следующим Образом. Два разных мутантных штамма бак- [c.248]

Важное преимущество грибов с точки зрения их использования для генетических исследований состоит в том, что, подобно прокариотам, они на протяжении большей части жизненного цикла сохраняют гаплоидный набор хромосом. Это позволяет легко выявить биохимические дефекты, связанные, в частности, с нарушением синтеза определенных, необходимых для их существования соединений. В то же время грибы можно скрещивать и определять частоту кроссинговеров, используя эти данные для составления генетических карт. Именно поэтому изучение ауксотрофов нейроспоры, начатое в 1940 г. Бидлом и Татумом, обычно считают началом биохимической генетики. Явление рекомбинации у бактерий было открыто Ледербергом несколькими годами позже. [c.267]

П., получаемая в лаб. условиях, является в термодинамич. смысле открытой системой и всегда термодинамически неравновесна. Процессы переноса эиергии и массы приводят к нарушению локального термодинамич. равновесия и стационарности (см. Химическая термодинамика), закон Планка для поля излучения, как правило, не выполняется. П. наз. термической, если ее состояние описывается в рамках модели локального термич. равновесия, а именно все частицы распределены по скоростям в соответствии с законом Максвелла т-ры всех компонент одинаковы состав П. определяется законом действующих масс, в частиости ионный состав обусловлен равновесием между ионизацией и рекомбинацией (ф-ла Эггерта-Саха по сути является выражением для константы равновесия этих процессов) заселенности энергетич. уровней всех частиц подчиняются распределению Больцмана. Термическая П. характеризуется обычно высокой степенью ионизации и м. б. реализована в газах с относительно малой эффективной энергией ионизации при достаточно высокой оптич. плотности (т. е. излучение П. почти целиком поглощается ее собств. частицами). Обычно П. описывается моделью частичного локального термич. равновесия, к-рая включает все вышеперечисл. положения, но требует подчинения закону Больцмана заселенностей лишь возбужденных уровней частиц П., исключая их основные состояния. Такую П. наз. квазиравновесной пример квазиравновесной П.-столб электрич. дуги при атм. давлении. [c.551]

ДЛЯ ограничения подвижности ионов лития, предварительно введенных в кристалл кре.мния для нейтрализации центров рекомбинации, что дает возможность создавать большую область собственной проводимости желаемого размера. На неохлажденный кристалл ни в коем случае нельзя подавать смещение. Во многих системах в действительности предусмотрены устройства блокировки, отключающие смещение при нагреве кристалла или нарушении вакуума. Доступные в настоящее время сосуды Дьюара способны поддерживать низкотемпературные условия в течение нескольких дней, не требуя повторного наполнения. Заметим также, что кристалл и поддерживающий его хладопровод. хорошо изолированы от корпуса, что предотвращает конденсацию на последнем и обеспечивает удовлетворительную электрическую изоляцию. Очень полезна возможность механического перемещения кристалла детектора относительно образца без нарушения вакуума. Как будет обсуждаться ниже, может возникнуть ситуация, когда при фиксированном токе луча необ.хо-димо либо увеличить рентгеновский сигнал для получения лучшей статистики счета, либо уменьшить его для улучшения энергетического разрешения. Во многих случаях желаемую скорость счета можно получить простым варьированием расстоя- [c.212]

В ходе рекомбинации брешь застраивается по образцу второй рекомбинирующей молекулы. Например, если наблюдать рекомбинацию между введенной в дрожжевые клетки плазмидой, несущей какой-нибудь дрожжевой ген, нарушенный двуцепочечной брешью,. и таким же геном в хромосоме (рис. 63), то нарушенный плазмидный ген восстановится по образцу хромосомной копии. Эти данные позволили сформулировать модель рекомбинацнн-репарации двуцепочечного разрыва. Для этой модели характерно образование двух, а не одной, холидеевских структур. На рис. 64 представлен один из вариантов этой модели. Поскольку двуцепочечная брешь одной из рекомбинирующих молекул ДНК застраивается по образцу [c.96]

Как было упомянуто в разделе П1, Б, 2, более 80% всей рассеянной энергии проявляется в данный момент в виде электронного возбуждения. Возбужденные состояния имеют обычно короткую продолжительность жизни они поэтому рассматриваются здесь как переходные по сравнению с дефектами решетки, которые обладают квазипостоянным характером. Влияние различных электронных нарушений на свойства твердых тел, и в частности на их каталитические свойства, остается еще мало исследованным. Однако для простоты можно рассмотреть лишь пару избыточных свободных носителей тока, образующихся в ходе облучения. Они стремятся к рекомбинации, и поэтому стационарная концентрация зависит одновременно от времени рекомбинации и от интенсивности поступающей радиации. Как только прекращается облучение, эта стационарная концентрация быстро восстанавливается до тепловой равновесной величины. Таким образом, проблема сводится к определению условий, в которых стационарная концентрация свободных носителей тока при облучении будет существенно отличаться от тепловой равновесной величины. [c.218]

Относительные концентрации электронов и дырок в окисле можно изменить путем облучения в области основного поглощения твердого тела. Используя зонную схему, можно представить, что поглощенный квант возбуждает электрон валентной зоны, который перескакивает через запрещенный участок, отделяющий ее от зоны проводимости наличие свободного электрона в зоне проводимости и дырки, свободно передвигающейся в валентной зоне, проявляется в случае приложения электрического поля как фотопроводимость. Если электрон и дырка образуют возбужденное состояние, оставаясь связанными вместе в виде экситона, то фотопроводимости не наблюдается, пока какое-нибудь дополнительное воздействие не приведет к диссоциации экситона. Поскольку электроны и дырки возникают в результате поглощения света или у-лучей, то можно ожидать — при условии правильности идей о роли электронов и дырок как реагентов при адсорбции и катализе, — что облучение будет стимулировать фотоадсорбцию , фотодесорбцию и фотокатализ точно так же, как оно вызывает фотопроводимость. Ввиду того что после прекращения возбуждающего облучения фотопроводимость очень быстро исчезает из-за рекомбинации электронов и дырок, можно полагать, что фотоадсорбция и родственные явления будут наблюдаться только в процессе облучения. Донорные или акцепторные центры в окисле, обусловленные, например, несте-хиометричностью, должны играть важную роль в определении природы и величины поверхностных фотоэффектов вследствие их способности избирательно захватывать электроны или дырки, а также из-за того, что вызываемое ими нарушение периодичности решетки может привести к поглощению за пределами области основного поглощения. [c.353]

Поскольку дезактивация двухатомных молекул является примером многоступенчатого процесса, получающееся при этом выражение с учетом дополнительных поправок на вращение молекулы АВ и существование нескольких электронных состояний, дает неравновесную константу скорости рекомбинации атомов. Теоретические расчеты к к обычно используют различного рода упрощающие предположения относительно межатомных взаимодействий и динамики столкновения 1262]. В результате удается получить порядок величины /срек и в качественной форме объяснить отрицательную температурную зависимость. Оказывается, в частности, что при высоких температурах последняя обязана неравновесным эффектам Гв основном учитываемым множителем <(А ) )/(кГ) , а при низких — возрастающему вкладу механизма (19.40). Последовательная теория рекомбинации должна одновременно учитывать вклады механизмов (19.39) и (19.40), дополнительно принимая во внимание нарушение равновесного распределения по колебательным и вращательным состояниям. [c.227]

Коснемся еш,е вопроса о температурной зависимости скоростн рекомбинации радикалов. В том случае, когда лимитирующей стадией процесса является стадия образования квазимолекулы (в результате столкновения двух радикалов), температурный ход рекомбинации будет определяться температурной зависимостью константы скорости к], отвечающей этой стадии. Если при рассмотрешш рекомбинации атомов можио пргнгять, что соответствующая потенциальная кривая не имеет барьера и температурная зависимость константы выражается множителем V Т, то в случае рекомбинации радикалов (или радикала с атомом) нужно ожидать, вообще говоря, более сложной зависимости от температуры. В частности, не исключена возможность, что вследствие изменения валентных углов в процессе рекомбинации или других причин (например, нарушения сопряжения) будет существовать потенциальный барьер и, с.ледовательно, экспоненциальная (аррениусовская) зависимость константы от температуры, т. е. не исключена возможность наличия энергии активации. Кроме того, благодаря большому числу степеней свободы, можно ожидать более сложной температурной зависимости предэкспонента в выражении ki, чем простая пропорциональность Г (особенно в случае многоатомных радикалов, см. гл. III). [c.208]

X 10 На Рр = 6,76 10 На. В реакции (10.37) и в процессе (10.38) давления компонентов равны соответственно = 1,45 10 На = = 8,68 10" На. Конечные условия давления каждого из компонентов снижаются па 2 порядка величины, т. е. Р р = 3,37-10 На Р = 3,37- 10 На. Нри таком понижении давления UF4 и U соотношение (10.32) не уходит далеко от пределов своей применимости, поскольку пересыщение остается еще очень большим. Поэтому не очень заметно меняются величины Гкон и /кон- Результаты оценки приведены в таблицах 10.4 и 10.5. Из табл. 10.4 видно, что если охладить частично диссоциированную (и-Р)-плазму (состав UF4 + 2F) до температур 300-Ь1500 К, то по крайней мере в начальной стадии охлаждения, когда еще не нарушен теплообмен из-за образования налета на стенках закалочного устройства, конденсация UF4 протекает на 1,5 -Ь 3 порядка величины быстрее, чем рекомбинация UF5. Это качественно согласуется с экспериментальными данными по разложению UFg в высокочастотном безэлектродном разряде и по охлаждению (и-Р)-плазмы в различных теплообменниках. Примерно при 1500 К происходит обращение соотношения величин рек и кон- Конденсация UF4 при Т > 1500 К не должна протекать вообще из-за отсутствия пересыщения по UF4. [c.516]

В отличие от захвата и рекомбинации на БПС потенциал поверхности начинает резко изменяться после первых напусков паров всех исследованных адсорбтивов Пд 10 4-10 см ). Поскольку спектр БПС при этом остается неизменным, резкий рост потенциала поверхности в этой области связан с образованием и зарядкой МПС. Исследования заряжения этих состояний в условиях адсорбции различных по структуре молекул и дегидратации поверхности показали, что подавляющая часть МПС на поверхностях 1 и Се, а также бинарных полупроводников АщВу и ЛцВу являются адсорбционными состояниями. Первичными дефектами, составляющими основу этих состояний, являются координационно-ненасыщенные атомы 51 ре) в стехиометрически нарушенном граничном слое ДП. [c.55]

При определении концентрации и вида Р. д. важно учитывать не только процессы, приводящие к образованию Р.д. в кристаллич. решетке, но и обратные процессы (нанр., рекомбинация парных дефектов), ускоряющиеся при повышении темп-ры облучаемого кристалла (отжиг). В процессе отжига может происходить ие только уменьшение концентрации точечных дефектов, но и агрегация их, приводящая к появлению линейных дефектов кристаллич. решетки — дислокаций. Образование Р.д. в кристаллах может приводить к существенному изменению физич. и химич. свойств твердых тел. При этом в результате облучения может происходить как нарушение равновесных состояний в твердом теле, так и приближение к равновесию систем, к-рые находились до этого в метастабильном состоянии. Следствием облучения может быть изменение механич. свойств, электропроводности, оптпч. свойств, магнитной восприимчивости, плотности и других физич. свойств кристаллов. Появление Р. д. [c.217]

Среди механизмов С. и. можно выделить два ирин-циниальио разных 1) гомолитпческий (радикальный), напр, при С. п. под действием радиации, и 2) гетероли-тический (ионный), к к-рому можно отнести С. п. под действием окислов металлов. С. п. в результате рекомбинации свободных радикалов может происходить прн внутримолекулярной миграции свободной валентности, а также благодаря диффузии сегментов молекулярных цепей. Миграция свободной валентности реализуется в полимерах, в к-рых у каждого углеродного атома главной цени имеется атом водорода (полипропилен, полибутадиен). При нарушении регулярности расноложег[ия атомов водорода С. п. внутримолекулярной миграцией маловероятно из-за стери-ческих препятствий (см. Пространственные затруднения) для перемещения атома водорода (полиизобути-лен, полиизопрен). Если радпкалы рекомбинируют вследствие диффузии сегментов полимерных цепей, то С. п. ие должно зависеть от строения макромолекул. [c.541]

Соударение быстрых тяжелых частиц с атомными ядрами может привести к смещению ядра в рещетке. Если смещение невелико, то ядро может вернуться в свое первоначальное положение. Если же смещение достаточно большое, в кристаллической решетке образуется вакантное место, а смещенный атом оказывается внедренным в междуузлие. Эти процессы при достаточной интенсивности излучения могут привести к нарушению равновесия решетки и образованию дефектов. При облучении же неравновесных систем процессы образования и рекомбинации вакансий атомов могут привести к равновесному состоянию решетки. [c.286]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология